JPS6017780B2 - 4−アミノメチル安息香酸の製造方法 - Google Patents
4−アミノメチル安息香酸の製造方法Info
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- JPS6017780B2 JPS6017780B2 JP55128963A JP12896380A JPS6017780B2 JP S6017780 B2 JPS6017780 B2 JP S6017780B2 JP 55128963 A JP55128963 A JP 55128963A JP 12896380 A JP12896380 A JP 12896380A JP S6017780 B2 JPS6017780 B2 JP S6017780B2
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- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J23/00—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00
-
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、4ーァミノメチル安息香酸の製造方法に関す
るもので、詳しくは4ーヒドロオキシィミノメチル安息
香酸をpH7以下(即ち酸性又は中性)の水媒体中にて
、パラジウムおよび/又はロジウムを含む触媒を用いて
還元することにより、4ーアミノメチル安息香酸を製造
する方法に関するものである。
るもので、詳しくは4ーヒドロオキシィミノメチル安息
香酸をpH7以下(即ち酸性又は中性)の水媒体中にて
、パラジウムおよび/又はロジウムを含む触媒を用いて
還元することにより、4ーアミノメチル安息香酸を製造
する方法に関するものである。
4ーァミノメチル安息香酸(以下、AMと略す)を製造
する方法については、これまでに、次のような方法が知
られている。
する方法については、これまでに、次のような方法が知
られている。
■ pークロルメチル安息香酸をアンモニア水によって
アミノ化する方法。
アミノ化する方法。
■ 4−カルボオキシベンツアルデヒドを、ラネーニツ
ケルの存在下に、アンモニア水を含むメタノール中で還
元する方法(特公昭34−421)。
ケルの存在下に、アンモニア水を含むメタノール中で還
元する方法(特公昭34−421)。
■ p−シア/安息香酸メチルをラネーニッケルの存在
下、アルカリ水溶液中で還元する方法(持関昭48−5
7951)。■ pーシア/安息香酸をルテニウム触媒
の存在下、アルカリ水溶液中で還元する方法(袴関昭5
1−32536)。
下、アルカリ水溶液中で還元する方法(持関昭48−5
7951)。■ pーシア/安息香酸をルテニウム触媒
の存在下、アルカリ水溶液中で還元する方法(袴関昭5
1−32536)。
このうち、■の方法は常圧下で行なわれるが、第二級、
第三級アミン等の副生物が多く生成し、AM収率がよく
ない。
第三級アミン等の副生物が多く生成し、AM収率がよく
ない。
■の方法はメタノール等の有機溶媒が用いられることの
他、収率をよくするためには、高圧が必要とされる。■
と■の方法は、原料物質であるpーシア/安息香酸類が
工業的に必らずしも容易に製造し得るものでない。以上
のように、上記の各公3印方法は、十分に満足し得る製
造方法とは云い難いものである。本発明は、これらの点
を改善し、容易に4ーアミ/メチル安息香酸を得ること
ができる製造方法を提供するものである。
他、収率をよくするためには、高圧が必要とされる。■
と■の方法は、原料物質であるpーシア/安息香酸類が
工業的に必らずしも容易に製造し得るものでない。以上
のように、上記の各公3印方法は、十分に満足し得る製
造方法とは云い難いものである。本発明は、これらの点
を改善し、容易に4ーアミ/メチル安息香酸を得ること
ができる製造方法を提供するものである。
本発明を詳細に説明すると、本発明の原料物質4−ヒド
ロオキシィミ/メチル安息香酸は、4−カルボオキシベ
ンズアルデヒドと塩酸ヒドロオキシルアミンとの反応で
得られるオキシム化物であり、この4−カルボオキシベ
ンズアルデヒドは、モノあるいはジクロメチル安息香酸
の酸化などにより、それを目的物としても製造し得るが
、工業的には合成繊維原料であるテレフタール酸の製造
時に副生物として得られるものが利用される。
ロオキシィミ/メチル安息香酸は、4−カルボオキシベ
ンズアルデヒドと塩酸ヒドロオキシルアミンとの反応で
得られるオキシム化物であり、この4−カルボオキシベ
ンズアルデヒドは、モノあるいはジクロメチル安息香酸
の酸化などにより、それを目的物としても製造し得るが
、工業的には合成繊維原料であるテレフタール酸の製造
時に副生物として得られるものが利用される。
本発明に用いられる触媒は、パラジウムおよびロジウム
の1種又は2種を含む触媒である。好ましいのは、パラ
ジウムおよび/またはロジウムから成る金属触媒、或い
はパラジウムおよびロジウムの1種又は2種と他の白金
族金属、特に白金およびルテニウム、の1種又はそれ以
上との混合触媒である(但し、酸性水媒体中の還元にお
いては、パラジウム、ロジウムおよび白金を含む混合触
媒を除く)。特に好ましいのは、パラジウム又はロジウ
ムから成る単一触媒である。本願触媒に含まれるパラジ
ウムおよびロジウムは金属、該金属の化合物、例えば酸
化物、および該金属の合金等いかなる形体にあってもよ
い。これら金属触媒は、活性炭、けいそう士等の迫体(
好ましくは活性炭)に担持して用いられる。
の1種又は2種を含む触媒である。好ましいのは、パラ
ジウムおよび/またはロジウムから成る金属触媒、或い
はパラジウムおよびロジウムの1種又は2種と他の白金
族金属、特に白金およびルテニウム、の1種又はそれ以
上との混合触媒である(但し、酸性水媒体中の還元にお
いては、パラジウム、ロジウムおよび白金を含む混合触
媒を除く)。特に好ましいのは、パラジウム又はロジウ
ムから成る単一触媒である。本願触媒に含まれるパラジ
ウムおよびロジウムは金属、該金属の化合物、例えば酸
化物、および該金属の合金等いかなる形体にあってもよ
い。これら金属触媒は、活性炭、けいそう士等の迫体(
好ましくは活性炭)に担持して用いられる。
特に好ましくはパラジウム金属の活性炭笹持触媒が用い
られる。担持される金属の量は触媒全体の約2〜1の重
量%のものが通常用いられる、触媒の使用量は、パラジ
ウムおよびロジウムの合計量が被還元物質の約0.25
〜1値重量%、好ましくは約0.5〜5重量%となる量
である。
られる。担持される金属の量は触媒全体の約2〜1の重
量%のものが通常用いられる、触媒の使用量は、パラジ
ウムおよびロジウムの合計量が被還元物質の約0.25
〜1値重量%、好ましくは約0.5〜5重量%となる量
である。
本発明に用いられる媒体は、PHが約7以下の鱗体、即
ち酸性又は中性の水溶液である。オキシム類の還元には
一般に有機溶媒がその媒体として用いられている。
ち酸性又は中性の水溶液である。オキシム類の還元には
一般に有機溶媒がその媒体として用いられている。
水系は、該オキシム類の熔解度が極めて小さいこと、お
よび加水分解反応が考えられる等の理由により、使用さ
れないのが普通である。しかしながら本発明においては
、原料オキシムを水系媒体に懸濁させ、比較的低温、低
圧下にてその水添反応が容易に進行することが、大きな
特徴となっている。これは、原料オキシムが酸性水媒体
中ではェマルジョン状態に分散して還元され、還元によ
り生成したAMがその鉱酸塩となりアミノメチル基が保
護されるために、脱アミン、第二級アミンの生成等の副
反応が防止され、高収率で容易にAM鉱酸塩が得られる
ものと思われる。
よび加水分解反応が考えられる等の理由により、使用さ
れないのが普通である。しかしながら本発明においては
、原料オキシムを水系媒体に懸濁させ、比較的低温、低
圧下にてその水添反応が容易に進行することが、大きな
特徴となっている。これは、原料オキシムが酸性水媒体
中ではェマルジョン状態に分散して還元され、還元によ
り生成したAMがその鉱酸塩となりアミノメチル基が保
護されるために、脱アミン、第二級アミンの生成等の副
反応が防止され、高収率で容易にAM鉱酸塩が得られる
ものと思われる。
一方媒体が中性水の場合、原料オキシムの還元反応は、
ェマルジョンに近い状態で進行し、反応後AMが微結晶
として得られる不均一系反応が特徴である。塩基性水媒
体の場合、還元反応は、均一系で進行するが、第二級ア
ミンの副生が避けられず、AM収率がよくないことが認
められた。
ェマルジョンに近い状態で進行し、反応後AMが微結晶
として得られる不均一系反応が特徴である。塩基性水媒
体の場合、還元反応は、均一系で進行するが、第二級ア
ミンの副生が避けられず、AM収率がよくないことが認
められた。
酸性水媒体としては、生成物と水溶性塩を形成する鉱酸
、例えば塩酸、硫酸、硝酸等、を水に添加したものが用
いられる。
、例えば塩酸、硫酸、硝酸等、を水に添加したものが用
いられる。
鉱酸使用量は、被還元物質に対して少なくとも当量以上
が用いられ、好ましくは約1〜3倍当量である。
が用いられ、好ましくは約1〜3倍当量である。
鉱酸濃度が約3〜5%の水溶液が通常用いられる。
媒体使用量は、酸性および、中性のいずれの場合も、被
還元物質重量の10〜5ぴ音量、好ましくは10〜2び
音量が用いられる。反応温度は、通常、常温から約80
℃の間で行なわれる、パラジウム触媒を用いた場合は、
常温から約5ぴ0間で充分反応が進行し、ロジウム触媒
の場合は、それよりやや高めの温度を必要とする。
還元物質重量の10〜5ぴ音量、好ましくは10〜2び
音量が用いられる。反応温度は、通常、常温から約80
℃の間で行なわれる、パラジウム触媒を用いた場合は、
常温から約5ぴ0間で充分反応が進行し、ロジウム触媒
の場合は、それよりやや高めの温度を必要とする。
水素圧は、約1気圧以上であればよく、通常1〜1の気
圧で容易に反応が進行し完結する。還元時間は、触媒の
種類および使用量、温度、水素圧等で異なるが、通常約
2〜7時間で水素吸収が終結する。
圧で容易に反応が進行し完結する。還元時間は、触媒の
種類および使用量、温度、水素圧等で異なるが、通常約
2〜7時間で水素吸収が終結する。
反応後、反応混液は、酸性水媒体系の場合、炉過して触
媒を炉別した後、その炉液をアルカリを用いて中和する
ことによって、目的物AMの結晶を析出させる。このあ
と、析出物を炉列して得られる炉液を濃縮することによ
り、AMの第2の結晶を得ることができる。一方、中性
水媒体系の場合は、反応系に濃アンモニア水又は濃塩酸
を添加して生成物を溶解し、触媒を炉液した後、その炉
液を濃縮することによりAMの結晶を得ることができる
。
媒を炉別した後、その炉液をアルカリを用いて中和する
ことによって、目的物AMの結晶を析出させる。このあ
と、析出物を炉列して得られる炉液を濃縮することによ
り、AMの第2の結晶を得ることができる。一方、中性
水媒体系の場合は、反応系に濃アンモニア水又は濃塩酸
を添加して生成物を溶解し、触媒を炉液した後、その炉
液を濃縮することによりAMの結晶を得ることができる
。
以下実施例により本発明を更に具体的に説明する。
実施例 1
500泌容量の耐圧ガラス製オートクレープに、4ーヒ
ドロオキシィミノメチル安息香酸16.5夕(0.1M
)を3.5%塩酸200w‘に懸濁し、次いで5%パラ
ジウム−活性炭(以下5%Pd−C)1.6夕を加え、
水素初圧5kg/ので還元を行った。
ドロオキシィミノメチル安息香酸16.5夕(0.1M
)を3.5%塩酸200w‘に懸濁し、次いで5%パラ
ジウム−活性炭(以下5%Pd−C)1.6夕を加え、
水素初圧5kg/ので還元を行った。
反応温度常温〜45℃で3時間後に水素吸収が終結した
。反応液は、炉過により触媒を炉別後、その炉液を濃縮
し、析出した結晶を炉別し、アセトン洗縦後乾燥した結
果、白色粉末16.0夕を得た。このものの融点は28
4〜2機。0であり、4ーアミノメチル安息香酸・塩酸
塩の標準赤外吸収スペクトルとも一致した。
。反応液は、炉過により触媒を炉別後、その炉液を濃縮
し、析出した結晶を炉別し、アセトン洗縦後乾燥した結
果、白色粉末16.0夕を得た。このものの融点は28
4〜2機。0であり、4ーアミノメチル安息香酸・塩酸
塩の標準赤外吸収スペクトルとも一致した。
AM・塩酸塩としての収率:85.0%。
このAM・塩酸塩(AM・HCI)の飽和水溶液を20
%苛性ソーダ水溶液にてpH約7に中和し、析出した結
晶を炉別した後、更に、その炉液を濃縮することにより
析出した第二結晶も合わせて乾燥した結果、AM結晶1
2.5夕を得ることができた。
%苛性ソーダ水溶液にてpH約7に中和し、析出した結
晶を炉別した後、更に、その炉液を濃縮することにより
析出した第二結晶も合わせて乾燥した結果、AM結晶1
2.5夕を得ることができた。
実施例 2実施例1と同じ反応容器に、4−ヒドロオキ
シイミノメチル安息香酸16.5夕(0.1M)を純水
200の‘に懸濁し、次いで、5%Pd一CI.6夕を
加え、水素初圧5k9′めで還元を行った。
シイミノメチル安息香酸16.5夕(0.1M)を純水
200の‘に懸濁し、次いで、5%Pd一CI.6夕を
加え、水素初圧5k9′めで還元を行った。
反応温度常温〜40ooで、3時間後に水素吸収が終結
した。
した。
反応液に濃塩酸2Mを加えて生成物を溶解した後、炉過
して触媒を炉別した。
して触媒を炉別した。
炉液は減圧濃縮し、析出した結晶を炉別、アセトン洗総
後、乾燥した結果、白色粉末14.5夕を得た。このも
のは、4−アミノメチル安息香酸塩酸塩の標準赤外吸収
スペクトルと一致した。
後、乾燥した結果、白色粉末14.5夕を得た。このも
のは、4−アミノメチル安息香酸塩酸塩の標準赤外吸収
スペクトルと一致した。
収率:77.3%。このものを実施例1と同様アルカリ
中和処理を行い、第1結晶82夕、第2結晶2.6夕を
得た。これらは、4ーアミノメチル安息香酸の標準赤外
吸収スペクトルと一致した。実施例 3 実施例1と同じ反応容器に4−ヒドロオキシィミノメチ
ル安息香酸16.5夕を、3.5%塩酸200の‘に懸
濁し、次いで5%Rh一CI.6夕を加え、水素初圧5
kg/ので還元を行った。
中和処理を行い、第1結晶82夕、第2結晶2.6夕を
得た。これらは、4ーアミノメチル安息香酸の標準赤外
吸収スペクトルと一致した。実施例 3 実施例1と同じ反応容器に4−ヒドロオキシィミノメチ
ル安息香酸16.5夕を、3.5%塩酸200の‘に懸
濁し、次いで5%Rh一CI.6夕を加え、水素初圧5
kg/ので還元を行った。
反応温度常温〜6ぴ0で、5時間後に水素吸収が終結し
た。
た。
反応液は、実施例2と同様処理し、M.P.282〜2
85℃の白色粉末14.0夕を得た。
85℃の白色粉末14.0夕を得た。
このものは、4ーアミノメチル安息香酸塩酸塩の標準赤
外吸収スベクルと一致した。AM・HCIとしての収率
:74.6%。このもののアルカリ中和処理により、白
色粉末10.2夕を得た。
外吸収スベクルと一致した。AM・HCIとしての収率
:74.6%。このもののアルカリ中和処理により、白
色粉末10.2夕を得た。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 4−ヒドロオキシイミノメチル安息香酸を酸性又は
中性の水媒体中にてパラジウムおよびロジウムの1種又
は2種を含む触媒を用いて還元することを特徴とする、
4−アミノメチル安息香酸の製造方法。 2 上記触媒が、パラジウムおよびロジウムから成るこ
とを特徴とする、特許請求の範囲第1項に記載の方法。 3 上記触媒が、パラジウムから成る単一触媒であるこ
とを特徴とする、特許請求の範囲第1項に記載の方法。
4 上記触媒が、ロジウムから成る単一触媒であること
を特徴とする、特許請求の範囲第1項に記載の方法。5
上記触媒が活性炭担持パラジウム触媒であることを特
徴とする、特許請求の範囲第3項に記載の方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55128963A JPS6017780B2 (ja) | 1980-09-17 | 1980-09-17 | 4−アミノメチル安息香酸の製造方法 |
| CA000385925A CA1180723A (en) | 1980-09-17 | 1981-09-15 | Process for preparing 4-aminomethylbenzoic acid from 4-hydroxyiminomethylbenzoic acid |
| FR8117502A FR2490220A1 (fr) | 1980-09-17 | 1981-09-16 | Procede de preparation de l'acide 4-aminomethylmethylbenzoique a partir de l'acide 4-hydroxyiminobenzoique |
| GB8128015A GB2084146B (en) | 1980-09-17 | 1981-09-16 | Process for preparing 4-aminomethyl-benzoic acid |
| DE3137091A DE3137091C2 (de) | 1980-09-17 | 1981-09-17 | Verfahren zur Herstellung von 4-Aminomethyl-benzoesäure aus 4-Hydroxyiminomethyl-benzoesäure |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55128963A JPS6017780B2 (ja) | 1980-09-17 | 1980-09-17 | 4−アミノメチル安息香酸の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5753441A JPS5753441A (en) | 1982-03-30 |
| JPS6017780B2 true JPS6017780B2 (ja) | 1985-05-07 |
Family
ID=14997738
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55128963A Expired JPS6017780B2 (ja) | 1980-09-17 | 1980-09-17 | 4−アミノメチル安息香酸の製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6017780B2 (ja) |
| CA (1) | CA1180723A (ja) |
| DE (1) | DE3137091C2 (ja) |
| FR (1) | FR2490220A1 (ja) |
| GB (1) | GB2084146B (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101002061B1 (ko) * | 2010-01-14 | 2010-12-17 | 에스케이유화 주식회사 | 4-아미노메틸벤조산 제조방법 |
| KR101263405B1 (ko) * | 2011-01-13 | 2013-05-10 | 한국화학연구원 | 디메틸 테레프탈레이트 제조 공정으로부터 발생하는 부산물로부터 고순도의 메틸-4-포밀벤조에이트의 정제방법 |
| CN102816077A (zh) * | 2012-09-21 | 2012-12-12 | 上海现代哈森(商丘)药业有限公司 | 乌洛托品作为催化剂在合成氨甲苯酸中的应用 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR1093822A (fr) * | 1953-02-23 | 1955-05-10 | Courtaulds Ltd | Procédé de fabrication d'acide oméga-amino-nonanoïque |
| JPS5152159A (en) * | 1974-10-31 | 1976-05-08 | Toray Industries | 44 asechiruaminomechirushikurohekisankarubonsan mataha sonojudotaino seizoho |
| JPS5612350A (en) * | 1979-07-09 | 1981-02-06 | Nippon Terupen Kagaku Kk | Production of p-aminomethylbenzoic acid or its derivative |
| JPS5612348A (en) * | 1979-07-09 | 1981-02-06 | Nippon Terupen Kagaku Kk | Production of 4-aminomethylcyclohexane-1-carboxylic acid |
-
1980
- 1980-09-17 JP JP55128963A patent/JPS6017780B2/ja not_active Expired
-
1981
- 1981-09-15 CA CA000385925A patent/CA1180723A/en not_active Expired
- 1981-09-16 FR FR8117502A patent/FR2490220A1/fr active Granted
- 1981-09-16 GB GB8128015A patent/GB2084146B/en not_active Expired
- 1981-09-17 DE DE3137091A patent/DE3137091C2/de not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3137091A1 (de) | 1982-05-13 |
| CA1180723A (en) | 1985-01-08 |
| FR2490220B1 (ja) | 1985-01-25 |
| FR2490220A1 (fr) | 1982-03-19 |
| GB2084146A (en) | 1982-04-07 |
| DE3137091C2 (de) | 1986-07-17 |
| JPS5753441A (en) | 1982-03-30 |
| GB2084146B (en) | 1984-09-19 |
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