JPS6017949B2 - 内燃機関の点火装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は自動車等の内燃機関におけるディストリビュー
タを使用しない方式の点火装置に関するものである。

ディストリピュータを使用しない従来の点火袋贋は第１
図に示すように、点火トランス１の１次巻線２の一端に
一方の電流断続スイッチ３、他端に他方の電流断続スイ
ッチ４を接続し、センタタツプに電源５を接続し、点火
トランス１の２次巻線６に第１、第２、第３、および第
４の高圧ダイオード○，，Ｄ２，Ｄ３，Ｄ４を介して第
１、第２、第３、および第４の点火プラグＧ，，Ｇ２，
Ｇ３，Ｇ４を接続することによって構成されている。

さらに詳細には、第１の極性のグィオードＤ，と点火プ
ラグＧ，とを直列接続した第１の点火回路Ｐ，、および
第２の極性のダイオードＤ２と点火プラグＧ２とを直列
接続した第２の点火回路Ｐ２の一端は２次巻線６の一端
６ａに接続されている。また、第１の極性のダイオード
Ｄ３と点火プラグＧ３とを直列接続した第３の点火回路
Ｐ３、および第２の極性のダイオードＤ４と点火プラグ
○４とを直列接続した第４の点火回路Ｐ４の一端は２次
巻線６の池端６ｂに接続されている。但し、この説明に
於いて第１の極性とは巻線６から接地された共通接続線
に向う方向性を意味し、第２の極性とは共通接続線から
巻線６に向う方向性を意味する。

従って機関の回転角に応じて巻線６に発生する第１の方
向の電圧に応答して第１のタィオードＤ，と第４のダイ
オードＤ４とが順方向導適状態となり、巻線６から発生
する第１の方向と反対の第２の方向の電圧に応答して第
２のダイオードＤ２と第３のダイオードＤ３とが日頃方
向導適状態となるように第１〜第４のダイオードＤ，〜
Ｄ４及び第１〜第４の点火プラグＧ，〜Ｇ４が接続され
ている。各点火回路Ｐ，〜Ｐ４の他端は共通接続されて
いる。

このように構成された４サイクル４気筒の内燃機関用の
ディストリビュータを使用しない点火装置において、一
方のスイッチ３を導通し点火時期にてしや断した時には
２次巻線６に上向きの電圧が誘起し、２次巻線６、ダイ
オードＤ，、点火プラグＧ，、点火プラグＧ４、および
ダイオードＤ４から成る回路によって点火プラグＧ，，
Ｇ４に電圧が印加され、これらの点火プラグＧ，，○４
のギャップで放電が生じる。

また、スイッチ４が導通し点火時期にてしや断された時
には２次巻線６に下向きの電圧が誘起し、２次巻線６、
ダイオードＤ３、点火プラグＧ３、点火プラグＧ２、お
よびダイオードＤ２から成る回路によって点火プラグＧ
２，○３に電圧が印加され、これらの点火プラグ○２，
○３のギャップで放電が生じる。ところで、この機関は
点火プラグ○，，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４に対して第１、第２
、第３、および第４のシリンダを有する。

そこで第１の時点では、第１のシリンダが吸入、第２の
シリンダが圧縮、第３のシリンダが排気、第４のシリン
ダが爆発となる。次の第２の時点では、第１のシリンダ
が圧縮、第２のシリンダが爆発、第３のシリンダが吸入
、第４のシリンダが排気となる。次の第３の時点では、
第１のシＩＪンダが爆発、第２のシリンダが排気、第３
のシリンダが圧縮、第４のシリンダが吸入となる。次の
第４の時点では、第１のシリンダが排気、第２のシリン
ダが吸入、第３のシリンダが爆発、第４のシリンダが圧
縮となる。次に再び第１の時点に戻って同一の動作を繰
返す。今、スイッチ３，４による点火時期の調整により
、第１の時点で点火プラグＧ２，Ｇ３が同時に放電する
時、第２のシリング内は圧縮工程で圧力が高いため点火
プラグＧ２の放電開始電圧が高いが、第３のシリンダ内
は排気工程で圧力が低いため点火プラグＧ３の放電開始
電圧は低い。したがって、点火プラグＧ２，Ｇ３で同時
に放電が生じても何んら問題が起きず、点火プラグ○２
の放電により第２のシリンダが爆発工程に移行する。第
２〜第４の時点についても同様である。このような点火
装置は、機械的接点を有するディストリビュータを使用
しない構成であるので、障害電波となるようなノイズの
発生を抑制することができるという特長を有する。

反面、異常に高い電圧や極めて急峻な高電圧が発生して
ダイオード○，〜○４を特性劣化あるいは破壊させる事
故が起き易かった。このため、ダイオードＤ，〜Ｄ４に
関しては、これらの異常高電圧に十分に耐えることが必
要であった。例私ま、点火プラグの放電開始電圧が１０
〜２球Ｖ程度の場合、せん頭逆電圧ＶＲＭの最大定格値
で４球Ｖ程度以上（実際の降伏電圧はＶＲＭより相当に
大きい）の耐圧を有する高圧ダイオードを使用する必要
があった。このような高圧ダイオードは、通常はダイオ
ードチップ積層型高圧ダイオードであり、できるだけコ
スト高を招かないようにダィオ−ドチップの積層枚数を
少なくしたいことから、ダイオードチップ１枚あたりの
降伏電電圧を１０００Ｖ程度以上に選んでいた。なお、
ＶＲＭが球Ｖ程度の耐圧設計でも、破壊耐量に対する対
策等がおろそかであると特性が劣化することがあった。
このように、第１図の点火装置の信頼性を万全なものに
するには、ダイオードＤ，〜Ｄ４の耐圧等を十分に余裕
を持たせた設計にする必要があり、これは必然的にダイ
オードＤ，〜Ｄ４のコスト高を招いた。また高耐圧化に
伴って、ダイオードＤ，〜Ｄ４を始めとする点火回路Ｐ
，〜Ｐ４周辺の絶縁上の配慮が難しいものになった。こ
のため、経済的かつ技術的な両面から、第１図の点火装
置の実用化が極めて困難であった。そこで本発明の目的
は、高信頼性かつ低コストで、しかも実用化が容易なデ
ィストリビュータを使用しない点火装置を提供すること
にある。上記目的を達成するための本発明は、第１図に
おけるダイオードＤ，〜○４を逆方向降伏領域で使用可
能なダイオードチップ積層型高圧ダイオードとし、この
高圧ダィオ−ドの降伏電圧を点火プラグの最大放電開始
電圧の１．１〜１．８倍の範囲とし、かつ前記ダイオー
ドチップを構成するｐ＋ｎｎ＋あるいはｐ＋ｐｎ＋形シ
リコン素子のｎあるいはｐ形層の比抵抗を調整してダイ
オードチップ１枚あたりの降伏電圧を４００〜８５０Ｖ
の範囲としたことを特徴とする内燃機関の点火装置に係
わるものである。なお、ダイオードチップ１枚あたりの
降伏電圧を４００〜８５０Ｖとするための上記比抵抗の
調整は、ｐ＋ｎｎ＋形シリコン素子のｎ形層の場合で６
．５〜２２．５０・肌程度、ｐ＋ｐｎ＋形シリコン素子
のｐ形層の場合で１８〜６００・抑程度である。また上
記の最大放電開始電圧とは、点火プラグが正常なギャッ
プ状態にあって内燃機関が正常運転される時の放電開始
電圧の最大値である。また放電開始電圧は、所定の内燃
機関においては、低速回転時に高く、高速回転になるに
したがって低くなる傾向にある。最大放電開始電圧は、
通常、アィドリング状態から急スロットルとして急激に
回転を上昇させる時に発生する。上記本発明によれば、
例えば放電開始電圧が１０〜２５ｋＶの範囲とすると、
最大放電開始電圧２弧Ｖの１．１〜１．８倍すなわち２
７．５〜４球Ｖの範囲に高圧ダイオードの降伏電圧が設
定されているので、異常高電圧が高圧ダイオードのアバ
ランシヱ降伏動作によって吸収され、点火回路の電圧が
異常高電圧よりかなり低い値に抑制される。

すなわち本発明では、異常高電圧をダイオードで阻止す
るのではなく、積極的に降伏させている。このため、点
火回路に発生する電圧が低減し、絶縁上の配慮が軽減す
るとともに絶縁不良に起因した事故が減少する。なお、
特開昭５３−６５５３４号公報に開示されている高圧ダ
ィオード‘こ火花間隙を並列に接続する方式に比較し、
本発明の高圧ダイオードを降伏させる方式は、構成が簡
単であり且つ信頼性が高いという特長を有する。また、
ダイオードチップ１枚あたりの降伏電圧を４００〜８５
０Ｖの範囲としたことにより、降伏電圧以下又は以上の
急峻な電圧に対する破壊耐量が大きい高圧ダイオードが
得られ、種々の異常動作時にも高圧ダイオードが特性劣
化や破壊を起こさない。これらの改良の結果として、高
信頼性の点火装置が経済性を損なうことなく実現できる
ようになり、ディストリビュータを使用しない点火装置
の実用化の道が開ける。障害ノイズを嫌うコンピュータ
を搭載した自動車が出現し、障害ノイズの発生源に対す
る法的規制は強化される昨今、障害ノイズ源となるデイ
ストリビュータを取除いて点火装置を実用化できること
は大きな意義がある。なお本発明において、高圧ダイオ
ードの降伏電圧を点火プラグの最大放電開始電圧の１．
８倍より高くすると、異常高電圧抑制の効果が少なくな
るし、所望の耐圧を得るためのダイオードチップの積層
枚数が多くなり「高圧ダイオードのコスト上昇を招く。

また、上記高圧ダイオードの降伏電圧を上記最大放電開
始電圧の１．１倍より小さくすると、点火回路が不所望
に導適する恐れがあるし、異常高電圧を吸収できるだけ
の破壊耐量を高圧ダイオードに持たせるのが困難になる
。一方、高圧ダイオードの降伏電圧を上記の範囲とする
場合、ダイオードチップ１枚あたりの降伏電圧を８５０
Ｖより大きくすると、異常高電圧に吸収できるだけの破
壊耐量を高圧ダイオードに持たせるのが困難になる。ま
た、同じく４００Ｖ以下にすると、所望の耐圧を得るた
めのダイオードチップの積層枚数が多くなり、高圧ダイ
オードのコスト高を招いて経済的見地から実用性に乏し
くなる。ここで、異常高電圧について説明する。

第１図の点火回路において、正常動作時にはそれ程厳し
い異常高電圧が発生することはない。しかし、点火プラ
グがオープン状態になっているような異常動作時にはこ
の限りではなく、点火回路に厳しい異常高電圧が発生し
て高圧ダイオード等に大きな負担が加わる。このため、
正常動作だけを考慮して設計された点火装置では、特に
高圧ダイオードの特性劣化や破線が多発する。自動車等
の内燃機関における点火装置は、異常動作をさせても問
題の起きない丈夫なものである必要がある。そのため、
本願発明者は最も厳しい条件となる異常動作について検
討を加え、この条件の１つが、第１図において点火プラ
グＧ，と点火プラグＧ２、または点火プラグＧ３と点火
プラグＧ４が共にオープン状態すなわち点火不能なギャ
ップ状態となった場合であることを確認した。

すなわち、各点火プラグＧ，〜Ｇ４が正常に放電する場
合には、第２図のＡ点で示す例えば２０ｋＶで放電が起
り、点火回路の電圧がこれ以上に上昇することはない。
ところが、第１図で破線で示すように各点火プラグおよ
び配線部分には浮遊容量Ｃ，，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４がある
。このため、例えば点火プラグ○，と点火プラグＧ２と
が共にオープンである異常状態が生じると、２次巻線６
のィンダクタンスと浮遊容量とによる振動現象が第２図
に示すように生じ、ダイオードＤ，に高い電圧が印加さ
れる。すなわち今、点火プラグＧ，に対応する第１のシ
リンダを爆発させるために、２次巻線６に上向きの電圧
が発生し点火プラグＧ，，Ｇ４に印放された場合、点火
プラグ○，はオープン状態のために放電不可能であり、
点火プラグ○４のみが放電する。そして浮遊容量Ｃ，の
充電が行われ、例えば浮動容量Ｃ，は十３鰍Ｖまで充電
される。しかる後、２次巻線６に下向きに例えば２４ｋ
Ｖすなわち−２４ｋＶが発生すると、この−２４ｋＶと
浮遊容量Ｃ，の十３靴Ｖとの和の約６０ｋＶの異常高電
圧がダイオードＤ，に加わる。また、第１図においてあ
る１つの点火プラグ例えば点火プラグＧ，の放電開始電
圧が非常に高く、これと逆並列接続されている点火プラ
グＧ２の放電開始電圧が非常に低く、しかも前記放電開
始電圧の非常に高い点火プラグ○，の回路の浮遊容量Ｃ
，が非常に小さい場合も、最も厳しい条件の異常動作の
１つであることを確認した。

この場合、点火プラグ○，が放電した瞬間に、ダイオー
ドＤ２に非常に急峻な逆電圧が印加されて逆電流が流れ
、ダイオードＤ２に大きな負担が加わる。この急峻な逆
電圧は、ダイオードＤ２の降伏電圧以下であっても、ダ
イオードＤ２を特性劣化や破壊に導くことがある。この
原因は正確にわかつていないが、次のように考えられる
。

ダイオードＤ２に急峻な逆電圧が印加されると、広がっ
ていなかった空乏層を急激に広げるために、過渡的に大
きな逆電流が流れ、この逆電流がダイオードチップの局
部に集中して破壊を引き起こす。従って、ダイオードＤ
２をバリスタや放電ギャップなどの並列接続により過電
圧から保護したとしても、この異常動作からダイオード
Ｄ２を保護することはできない。本発明の点火装置は、
上述の２つの厳しい異常動作にも耐えるものである。

以下、第３図〜第７図を参照して本発明の１実施例につ
いて述べる。ただし、符号１〜６，Ｄ，〜○４，Ｃ，〜
Ｃ４，Ｐ，〜Ｐ４で示すものは、第１図で同一符号で示
すものと実質的に同一であるのでその説明を省略する。
第３図の点火装置においては、第１図のダイオードＤ，
〜Ｄ４の代りに、逆方向降伏領域で使用可能なダイオー
ドチップ積層型高圧ダイオードＡ，，Ａ２，Ａ３，Ａ４
が接続されている。なお、ダイオードＡ，〜Ａ４の内、
ダイオードＡ２，んがダイオード記号で示す第１の極性
に接続され、ダイオードＡ２，Ａ４がダイオード記号で
示す第２の極性で接続されている。各ダイオードＡ，〜
Ａ４を構成するダイオードチップ７は第４図に示すよう
に、比抵抗約１２０ｃｍのｎ形シリコン基板に、拡散に
よって表面不純物濃度約１び９〜１ぴｏａ■ｍｓ／のの
Ｐ＋形層８と、表面不純物濃度１ぴｏ〜１ぴａｔｏｍｓ
／洲のｎ＋形層９とを形成し、真中にｎ形基板層１０を
残存させたものである。金などのライフタイムキラーの
拡散は行っていない。なお、ｎ形基板層１０の厚さは約
１４０山、ｐ＋形層８の厚さは約４０払、ｎ十形層９の
厚さは約６０仏であり、チップの平面寸法は０．６ｘｏ
．６側すなわち０．６肋角である。各ダイオードＡ，〜
Ａ４は第５図に示すように、第４図のダイオードチップ
７を３の女競層したものの両端に端部保護用導体として
のｐ＋形シリコンチップ１１各１枚が積層穣続ごれ、こ
れらの両端に一対の電極リード１２が接続され、ガラス
１３にてモールドミれた高圧ダイオード１４を２個直列
接続して使用している。これらの接続はいずれもろう嬢
により行っているが、ろう材は図示しない。内燃機関へ
の実装状態では、第５図の機造体がさらにプラスチック
でモールドされた形となる。ダイオードチップ７は合計
で６の女で、もちろんすべてが同一整流方向となってい
る。ダイオードチップ７の１枚あたりの降伏電圧は「製
造上のバラッキから幅があるけれども平均では約６６０
Ｖである。したがって各ダイオードＡ，〜Ａ４の降伏電
圧は約４０ｋＶである。またダイオードＡ，〜Ａ４は、
パルス幅が３００山ｓのパルスが１秒間に５０回の割合
で発生するパルスの連続通電に対して、許容逆方向損失
が２Ｗを十分に上回っており、逆方向降伏領域で使用可
能である。すなわち、第６図に示す逆方向特性における
４皿Ｖ以上の逆方向降伏領域１５で、ある程度アバラン
シェ降伏動作ごせても特性劣化や破壊を起こさないよう
に形成されている。本装置の動作を説明すると、点火プ
ラグＧ，〜○４が正常であれば、第１図の場合と同様に
動作する。

しかも、例えば点火プラグＧ，およびＧ２が同時にオー
プン状態で点火不能になった場合にも、第２図の場合程
の高電圧は発生せず、ダイオードＡ，，Ａ２の降伏特性
に依存する比較的低い電圧に抑えられる。すなわち、点
火プラグＧ．および○２がオープン状態であって、今、
点火プラグＧ，を点火させる時点であるために２次巻線
６に上回きの極性の電圧が誘起すると、第２図について
前述したと同様に、ダイオードＡ，に例えば約６０ｋＶ
の異常高電圧が印加されようとする。しかし、第６図に
示すダイオードＡ，の降伏特性により、点火回路の電圧
は第７図に示すように、ダイオードＡ，の降伏電圧であ
る約４０ｋＶ以下に制限される。このとき、ダイオード
Ａ，はパルス幅が３００〆ｓ程度のパルスからなるパル
ス列が連続通電されて、第６図の逆方向降状領域１５で
動作することになる。ダイオードＡ，の逆方向損失は、
内燃機関のクランク軸の回転が１分間に３０００回転程
度で上記パルスが１秒間に５０回程度印加される時に最
も大きくなり、その値は２Ｗ程度でるある。したがって
、ダイオードＡ，は許容逆方向損失の範囲内で動作して
おり、特性劣化や破壊を起こすことはない。今、ダイオ
ードＡ，について述べたが、ダイオードふ〜Ａ４につい
ても同様である。さらに、例えば、点火プラグ○，の放
電開始電圧が約３０ｋＶと非常に高く、点火プラグＧ２
の放電開始電圧が約３Ｖと非常に低く、浮遊容量Ｃ，が
零と見なせる位に非常に小さい場合、ダイオードんには
非常に急峻な逆電圧が印加されて逆電流が流れる。ダイ
オードチップ１枚あたりの降伏電圧が１０００Ｖ程度以
上の従来のダイオードチップ積層型高圧夕十ィオードで
は、上記の非常に急峻な高電圧に基づく負担に耐えるこ
とが困難であった。しかし、ダイオードＡ２では、降伏
電圧を所定範囲に設定したことに加えて、第４図に示す
ｐ十ｎｎ＋形ダイオードチップ７のｎ形基板層８の比抵
抗を従釆より低くすることで、ダイオードチップ７１枚
あたりの降伏電圧を平均６６肌と低くしており、逆方向
の破壊耐量を大きくした設計としている。このため、上
記非常に急峻な高電圧に基づく負担に耐え、特性劣化や
破壊を起こすことはない。今、ダイオードＡ２について
述べたが、ダイオードＡ，，Ａ３，Ａ４についても同様
である。なお、ダイオードＡ，〜Ａ４を構成するダイオ
ードチップの積層体は、ｐ十ｎｎ十形シリコンウェフア
とｐ十形シリコンウェフアとをろう材にて所定枚数積層
接続した後に、ソーダィシング（鋼鉄線や円盤状刃物に
よる切断）により、このシリコンウェフアの積層体を積
層方向に細かく切断して得ている。この製造方法は量産
性に優れている反面、平面形状が四角形のダイオードチ
ップ（ただし、化学的エッチング処理により最終的には
変形し、角部は丸められている）に限定されてしまう。
四角形のダイオードチップでは、四角形の角部がウィー
クポイントとなって、特に急峻な逆電圧印加により特性
劣化や破壊を起こすことが多い。しかし、ダイオードＡ
，〜Ａ４では、全体およびダイオードチップ１枚あたり
の降伏電圧を所定範囲内に設計した効果として、上記四
角形のダイオードチップの欠点が高圧ダイオードの特性
劣化や破壊として現われるまでには至らない。上述のよ
うに本装置では、点火回路に発生する異常高電圧を積極
的にダイオードＡ，〜Ａ４の逆方向降伏領域に吸収させ
ることで、点火回路に発生する電圧を低減させている。

このため、点火回路Ｐ，〜Ｐ４周辺の絶縁上の配慮が軽
減できる。また、厳しい異常動作時にも耐える破壊耐量
の大きい高圧ダイオードを使用することで、点火装置の
信頼性が大きく向上している。また、これらの効果はト
ータルで点火装置のコスト低減に寄与する。第８図は、
点火プラグが放電した瞬間に高圧ダイオード‘こ非常に
急辿袋な逆電圧が印加される上述の厳しい異常動作状態
を点火装置に設定して試験を行った結果を示すものであ
る。この図において、点火プラグの最大放電開始電圧は
点火プラグが正常なギャップ状態にある時の値であり、
ここでは２５ｋＶである。ダイオードチップ１枚あたり
の降伏電圧は平均値であり、実際には±１０％程度のバ
ラッキがある。試料として用いた高圧ダイオードは、第
３図のダイオードＡ，〜Ａ４と基本的に同じもので、第
４図のｎ形基板層８の比抵抗とダイオードチップ７の積
層枚数を種々組合せて作成したものである。またこの図
の縦軸はダイオードチップ１枚あたりの降伏電圧を示し
、下の横軸は縦鞠の降伏電圧のダイオードチップを積層
したダイオードの降伏電圧を示し、上の機軸はダイオー
ドの降伏電圧と最大放電開始電圧（２球Ｖ）との比を示
し、例えはＳ，で示すサンプルは、６００Ｖのチップを
５の女積属して３０ｋＶの降伏電圧としたダイオードで
あり、この試験結果が良好であったことを示している。
○印と△印は試験結果が良好であった高圧ダイオードを
示す。×印は試験の結果、降伏電圧の低下や短絡などの
特性劣化あるいは破壊を起こした高圧ダイオードを示す
。この試験結果から、ダィオ−ドチップ１枚あたりの降
伏電圧を８５０ｋＶ以下とすることが効果的であること
がわかる。なお、より厳しい急峻な電圧と高圧ダイオー
ドの破壊耐量の関係を調べるために、降伏電圧２級Ｖ〜
４０ｋＶの高圧ダィオー日こ降伏電圧以下の２０ｋＶの
ステップ電圧を１０回線返して印加し、高圧ダイオード
の破壊を調べたところ、上述の実際の回路での試験結果
と同じ額向が得られた。上述の実際の試験及び模疑実験
から次のことが分った。△印の高圧ダイオードは逆方向
の破壊耐量に余裕が少なく、ダイオードチップ１枚あた
りの降伏電圧のバラツキが大きい試料では、降伏電圧の
大きいダイオードチップ部分で特性劣化の恐れがある。
これを回避するには、ダイオードチップ１枚あたりの降
伏電圧を平均値で７５０Ｖ以下とするのが望ましく、最
大値でも８５０Ｖ以下とすればさらに望ましい。なお、
ダイオードチップの降伏電圧を４００〜７５０Ｖにする
には、ｐ十ｎｎ＋形シリコン素子ではｎ形層を６．５〜
１７．５０・伽程度、ｐ＋ｐｎ十形シリコン素子ではｐ
形層を１８〜５００・仇程度とすればよい。以上、本発
明の実施例について述べたが、本発明はこの実施例に限
定されるものではなく、本発明の趣旨に沿って種々の変
形が可能である。

例えば、高圧ダイオードは、ダイオードチップの積層枚
数が５の女程度以上となる場合では実施例のようにダイ
オードチップの積層体を複数個使用する方が製造技術的
な見地から容易であるが、もちろんダイオードチップの
積層体３個で構成してもよい。ダイオードチップの平面
形状が四角形の場合に本発明の効果は顕著であるが、丸
形や六角形なｏど他の平面形状のダイオードチップを使
用した高圧ダイオードでもよい。点火トランスを単巻ト
ランス形式としたり、点火トランスの一次側の電流断続
スイッチを種々の回路構成に変形することも可能である
。また本発明は、４気筒以上の内燃機タ関にも適用可能
である。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の自動車のディストリビュータを使用しな
い点火装置を示す回路図、第２図は第１図の点火装置が
故障した時の電圧変化を示す波形０図、第３図は本発明
の１実施例に係わる点火装置を説明的に示す回路図、第
４図は第３図の点火装置に使用する積層ダイオードのチ
ップを説明的に示す断面図、第５図は積層型高圧ダイオ
ードの一部を説明的に示す断面図、第６図は第５図の高
圧５ダイオードの逆方向特性を説明的に示す特性図、第
７図は第３図の点火装置による異常高電圧の制限を示す
波形図、第８図はダイオードチップ１枚あたりの降伏電
圧及び積層型高圧ダイオードの降伏電圧とダイオードの
破壊又は特性劣化との関係０を示すグラフである。 尚図面に用いられている符号において、１はトランス、
６は２次巻線、Ａ，は第１のダイオード、Ａ２は第２の
ダイオード、んは第３のダイオード、んは第４のダイオ
ード、Ｇ，は第１の点火クブラグ、Ｇ２は第２の点火プ
ラグ、Ｇ３は第３の点火プラグ、Ｇ４は第４の点火プラ
グ、Ｐ，は第１の点火回路、Ｐ２は第２の点火回路、Ｐ
３は第３の点火回路、Ｐ４は第４の点火回路である。 豹１図 第２図 的３図 第４図 第５図 燐○図 翁マ図 節８図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 機関の回転角度に応じて第１の方向の電圧と該第１
   の方向と逆の第２の方向の電圧とを発生する点火巻線と
   、第１の点火プラグと第１のダイオードとを直列接続し
   た第１の点火回路と、第２の点火プラグと第２のダイオ
   ードとを直列接続した第２の点火回路と、第３の点火プ
   ラグと第３のダイオードとを直列接続した第３の点火回
   路と、第４の点火プラグと第４のダイオードとを直列接
   続した第４の点火回路とを少なくとも具備し、前記第１
   および第２の点火回路の一端は前記点火巻線の一端に接
   続され、前記第３および第４の点火回路の一端は前記点
   火巻線の他端に接続され、前記第１、第２、第３、およ
   び第４の点火回路の他端は共通接続され、前記第１及び
   第４のダイオードは前記第１の方向の電圧に応答して順
   方向導通状態となる方向性を有して接続され、前記第２
   及び第３のダイオードは前記第２の方向の電圧に応答し
   て順方向導通状態となる方向性を有して接続された点火
   装置に於いて、前記第１、第２、第３および第４のダイ
   オードを逆方向降伏領域で使用可能なダイオードチツプ
   積層型高圧ダイオードとし、前記高圧ダイオードの降伏
   電圧を前記点火プラグの最大放電開始電圧の１．１倍か
   ら１・８倍の間の値とし、かつ前記ダイオードチツプを
   構成するｐ＾＋ｎｎ＾＋形あるいはｐ＾＋ｐｎ＾＋形シ
   リコン素子のｎ形層あるいはｐ形層の比抵抗を調整して
   前記ダイオードチツプ１枚あたりの降伏電圧の平均値を
   ４００Ｖから８５０Ｖの間の値としたことを特徴とする
   内燃機関の点火装置。