JPS60180109A - 誘電体薄膜素子 - Google Patents
誘電体薄膜素子Info
- Publication number
- JPS60180109A JPS60180109A JP59036567A JP3656784A JPS60180109A JP S60180109 A JPS60180109 A JP S60180109A JP 59036567 A JP59036567 A JP 59036567A JP 3656784 A JP3656784 A JP 3656784A JP S60180109 A JPS60180109 A JP S60180109A
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- JP
- Japan
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- thin film
- substrate
- dielectric thin
- film element
- elements
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、焦電効果を用いた赤外線センナや圧電効果を
利用する圧電フィルタ或いは振動子、さらには電気光学
効果を利用した光変調素子、光シヤツターなどに適応さ
れる誘電体薄膜素子に関するものである。
利用する圧電フィルタ或いは振動子、さらには電気光学
効果を利用した光変調素子、光シヤツターなどに適応さ
れる誘電体薄膜素子に関するものである。
従来例の構成とその問題点
強誘電体は圧電素子、光変調素子、焦電素子、メモリー
素子など、エレクトロニクスの分野における利用範囲は
広く、近年、ＸＣの発達に伴ない電子機器の小型化が進
むにつれて、これらの強誘電性を利用した素子も薄膜化
されつつある。
素子など、エレクトロニクスの分野における利用範囲は
広く、近年、ＸＣの発達に伴ない電子機器の小型化が進
むにつれて、これらの強誘電性を利用した素子も薄膜化
されつつある。
このような薄膜素子の作製方法には、ＣＶＤ（Ｃ−ｈａ
ｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）やス
パッタ法、蒸着法などがあるが、いずれも基板の上に目
的の物質を生成させる方法である。
ｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）やス
パッタ法、蒸着法などがあるが、いずれも基板の上に目
的の物質を生成させる方法である。
従って、強誘電性薄膜を使用した素子は基板を含んだ状
態で使用されることにｑす、このような構造では次のよ
うな問題点がある。
態で使用されることにｑす、このような構造では次のよ
うな問題点がある。
■ 強誘電体の片面が基板に密着しているため、表面が
機械的に基板にクランプされて、圧電効果により強誘電
体薄膜の電気分極が困難となる。
機械的に基板にクランプされて、圧電効果により強誘電
体薄膜の電気分極が困難となる。
■ 基板があるため、薄膜の基板側の面に電極が形成で
き々い。電気的、光学的に良好力強誘電体薄膜は単結晶
基板の上にエピタキシャル成長されることによって得ら
れるが、はじめに基板の上に導電性物質で電極を形成す
ると、生成膜は基板表面の影響を受けるので、電極物質
を基板の上につけることにより、その上にできる強誘電
性薄膜の結晶性が悪くなる。
き々い。電気的、光学的に良好力強誘電体薄膜は単結晶
基板の上にエピタキシャル成長されることによって得ら
れるが、はじめに基板の上に導電性物質で電極を形成す
ると、生成膜は基板表面の影響を受けるので、電極物質
を基板の上につけることにより、その上にできる強誘電
性薄膜の結晶性が悪くなる。
■ 基板が薄膜に結合しているため、質量的、熱的に負
荷となるので、圧電振動子、焦電型赤外検出素子として
使用するとき損失となる。
荷となるので、圧電振動子、焦電型赤外検出素子として
使用するとき損失となる。
■ 光変調素子や焦電型赤外検出素子として使う場合、
光が基板を通過するので、光や赤外線が基板材料に吸収
されて損失になシ易い。
光が基板を通過するので、光や赤外線が基板材料に吸収
されて損失になシ易い。
一方、強魅電体の薄体を単結晶又は磁器から切り出し、
研磨することによって作成する方法では機械的強度の間
顯から２０〜３０μｍ以下にすることは困難である。
研磨することによって作成する方法では機械的強度の間
顯から２０〜３０μｍ以下にすることは困難である。
このような欠点は、少なくとも一部においては基板が存
在せず、薄膜のみで構成される素子を作ることによって
解決できるが、しかしながら、薄膜は通常数μｍの厚み
であって非常に破損し易く、その取扱いが困難である。
在せず、薄膜のみで構成される素子を作ることによって
解決できるが、しかしながら、薄膜は通常数μｍの厚み
であって非常に破損し易く、その取扱いが困難である。
発明の目的
本発明は上記した問題点を解消し、基板を除去した薄膜
素子の欠点を補った優れた誘電体薄膜素子を提供するも
のである。
素子の欠点を補った優れた誘電体薄膜素子を提供するも
のである。
発明の構成
上記目的を達成するために、本発明の誘電体薄膜素子は
、少なくとも片面を有機フィルムで被覆したことを特徴
とするものである。
、少なくとも片面を有機フィルムで被覆したことを特徴
とするものである。
実施例の説明
実施例１゜
スパッタ装置を用いて図に示すように、厚さ約３００μ
ｍの酸化マグネシウム基板（１）に埋さ２μｍのチタン
酸鉛薄膜（２）を成長させて形成した。次いで、チタン
酸鉛薄膜（２）の上面中央部に白金電極（３）を蒸着、
形成したのち、チタン酸鉛薄膜（２）の上面全面に亘っ
て厚さ約４μｍのエポキシ樹脂（４）を塗布し、しかる
のち、濃燐酸を用いて薄膜（２）の下面外周部以外の基
板（１）を除去して薄膜（２）の下面が露出した凹部（
６）を形成することにより薄膜のみの部分（２ａ）を形
成した。次いで、電極（３）に対向して’ｄａ膜（２）
の下面中央部にＮｉＣｒ電極（５）を形成し、基板を設
けていない赤外線検出素子を作成した。
ｍの酸化マグネシウム基板（１）に埋さ２μｍのチタン
酸鉛薄膜（２）を成長させて形成した。次いで、チタン
酸鉛薄膜（２）の上面中央部に白金電極（３）を蒸着、
形成したのち、チタン酸鉛薄膜（２）の上面全面に亘っ
て厚さ約４μｍのエポキシ樹脂（４）を塗布し、しかる
のち、濃燐酸を用いて薄膜（２）の下面外周部以外の基
板（１）を除去して薄膜（２）の下面が露出した凹部（
６）を形成することにより薄膜のみの部分（２ａ）を形
成した。次いで、電極（３）に対向して’ｄａ膜（２）
の下面中央部にＮｉＣｒ電極（５）を形成し、基板を設
けていない赤外線検出素子を作成した。
撃
このように作成した赤外線検出素子の耐衝性にへ
ついて調べるため、前記実施例における有機フィルム（
エポキシ樹脂）でコーティングした素子（Ａとする）と
、コーティングを施していない素子（Ｂとする）との二
種類を用いて落下試験を行なつたＯ その結果を次に表示する。
エポキシ樹脂）でコーティングした素子（Ａとする）と
、コーティングを施していない素子（Ｂとする）との二
種類を用いて落下試験を行なつたＯ その結果を次に表示する。
上記表において、Ｘ印は破損したもの、○印は試験後異
常が認められなかったものを示す。
常が認められなかったものを示す。
以上の結果から明らかなように、有機フィルムで覆った
素子では１５０ｒ０Ｉｎの高さから厚さ約２伽の木製板
上に落下させても例等異常は誌められなかったが、有機
フィルムの被覆層がない素子では、６均の高さから落下
させると素子が破壊し、従って、有機フィルムで被覆し
た基板のない薄膜素子は十分衝撃に強いことが理解でき
る。
素子では１５０ｒ０Ｉｎの高さから厚さ約２伽の木製板
上に落下させても例等異常は誌められなかったが、有機
フィルムの被覆層がない素子では、６均の高さから落下
させると素子が破壊し、従って、有機フィルムで被覆し
た基板のない薄膜素子は十分衝撃に強いことが理解でき
る。
実施例２
Ｐｂｏ、＊ Ｌａｏ、 ＩＴｉｏ、９ｔａ Ｏｓに２０
モル％ＰｂＯを過剰に加えた粉末をターゲットに用い、
高周波マグネトロンスパッタ装置により、厚さ約３００
μｍの酸化マグネシウム基板上に厚さ２μｍの薄膜を前
記実施例１と同一手順で形成し、さらに有機フィルム層
及び両電極を設けて第１図に示すような素子を作成した
。
モル％ＰｂＯを過剰に加えた粉末をターゲットに用い、
高周波マグネトロンスパッタ装置により、厚さ約３００
μｍの酸化マグネシウム基板上に厚さ２μｍの薄膜を前
記実施例１と同一手順で形成し、さらに有機フィルム層
及び両電極を設けて第１図に示すような素子を作成した
。
こうして得られた素子を、実施例１と同様に落下試験を
行ったところ、１５０ （：ｍの高さから落下させても
十分に強度があることが判明した。
行ったところ、１５０ （：ｍの高さから落下させても
十分に強度があることが判明した。
実施例３゜
ＰｂＺｒｏ、ｍ Ｔｉｏ、ａ Ｏｘ粉末にｐｂｏを１０
モ／Ｌ／ｑ６過剰に加えた粉末をターゲットに用い、高
周波マグネドロンスパッタ装置により厚さ２μｍの薄膜
を基板上に作成した。さらに、この薄膜に厚さ約５μｍ
のエポキシ樹脂を塗布し、第１図に示すような構造の素
子を作成した。
モ／Ｌ／ｑ６過剰に加えた粉末をターゲットに用い、高
周波マグネドロンスパッタ装置により厚さ２μｍの薄膜
を基板上に作成した。さらに、この薄膜に厚さ約５μｍ
のエポキシ樹脂を塗布し、第１図に示すような構造の素
子を作成した。
この素子についても十分衝撃に強いことが伴った０
なお、以上の実施例においては、薄膜の片面にエポキシ
樹脂等の有機フィルム層を設けたが、薄膜の両面に設け
ても満足し得る素子が得られるものである。
樹脂等の有機フィルム層を設けたが、薄膜の両面に設け
ても満足し得る素子が得られるものである。
発明の効果
以上のように本発明の誘電体薄膜素子によれば、基板を
設けることなく薄膜に有機フィルムを被覆させているの
で、耐衝撃力に極めて強くて取扱いが容易となり、さら
に基板を設けてい々いので赤外線検出素子や圧電フィル
タ、光変調素子などに応用することができるものである
。
設けることなく薄膜に有機フィルムを被覆させているの
で、耐衝撃力に極めて強くて取扱いが容易となり、さら
に基板を設けてい々いので赤外線検出素子や圧電フィル
タ、光変調素子などに応用することができるものである
。
図面は本発明の実施例を示すもので、第１図はその素子
の断面図、第２図は平面図である。 （１）・・・基板、（２）・・・薄膜、（４）・・・有
機フィルム。 第７図 ａ 第２図
の断面図、第２図は平面図である。 （１）・・・基板、（２）・・・薄膜、（４）・・・有
機フィルム。 第７図 ａ 第２図
Claims (1)
- 基板を設けることなく薄膜の少なくとも片面を有機フィ
ルムで被覆してなる誘電体薄膜素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59036567A JPS60180109A (ja) | 1984-02-27 | 1984-02-27 | 誘電体薄膜素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59036567A JPS60180109A (ja) | 1984-02-27 | 1984-02-27 | 誘電体薄膜素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60180109A true JPS60180109A (ja) | 1985-09-13 |
| JPH0481848B2 JPH0481848B2 (ja) | 1992-12-25 |
Family
ID=12473336
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59036567A Granted JPS60180109A (ja) | 1984-02-27 | 1984-02-27 | 誘電体薄膜素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60180109A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62152208A (ja) * | 1985-12-25 | 1987-07-07 | Stanley Electric Co Ltd | 水晶振動子の保持方法 |
| JPS62152207A (ja) * | 1985-12-25 | 1987-07-07 | Stanley Electric Co Ltd | 水晶振動子の保持方法 |
| US6931700B2 (en) | 2001-10-02 | 2005-08-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing thin film piezoelectric elements |
-
1984
- 1984-02-27 JP JP59036567A patent/JPS60180109A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62152208A (ja) * | 1985-12-25 | 1987-07-07 | Stanley Electric Co Ltd | 水晶振動子の保持方法 |
| JPS62152207A (ja) * | 1985-12-25 | 1987-07-07 | Stanley Electric Co Ltd | 水晶振動子の保持方法 |
| US6931700B2 (en) | 2001-10-02 | 2005-08-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing thin film piezoelectric elements |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0481848B2 (ja) | 1992-12-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |