JPS60180161A - 光センサ−アレイ - Google Patents
光センサ−アレイInfo
- Publication number
- JPS60180161A JPS60180161A JP59036436A JP3643684A JPS60180161A JP S60180161 A JPS60180161 A JP S60180161A JP 59036436 A JP59036436 A JP 59036436A JP 3643684 A JP3643684 A JP 3643684A JP S60180161 A JPS60180161 A JP S60180161A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- optical sensor
- type semiconductor
- sensor array
- array
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
- H10F30/20—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors
- H10F30/21—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H10F30/22—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices having only one potential barrier, e.g. photodiodes
- H10F30/222—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices having only one potential barrier, e.g. photodiodes the potential barrier being a PN heterojunction
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/18—Complementary metal-oxide-semiconductor [CMOS] image sensors; Photodiode array image sensors
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は情報処理機器において情報の光学的読みとり入
力装置に用いることができる光センサ−アレイに関する
ものである。
力装置に用いることができる光センサ−アレイに関する
ものである。
従来例の構成とその問題点
コンピュータを始めとする情報処理機器の進展に伴って
、情報を光学的に読みとる入力装置に用いられる光セン
サーの重要性は非常に高くなっている。
、情報を光学的に読みとる入力装置に用いられる光セン
サーの重要性は非常に高くなっている。
光学的読みとりにはスポット続みとり、ライン状読みと
り、面状読みとりがあるが、解像度、読みとり速度の点
から現在ではライン状読みと９が主流となっている。
り、面状読みとりがあるが、解像度、読みとり速度の点
から現在ではライン状読みと９が主流となっている。
ライン状読みとりにはレンズ縮小式と密着方式の二方式
があるが、前者は読みとり部のサイズが立体的に大きく
なるため装置の小型化に適せず、後者の方式が主流とな
りつつある。しかし密着方式の場合には情報を記入した
原稿幅程度の長尺の光センサ−アレイが必要である。
があるが、前者は読みとり部のサイズが立体的に大きく
なるため装置の小型化に適せず、後者の方式が主流とな
りつつある。しかし密着方式の場合には情報を記入した
原稿幅程度の長尺の光センサ−アレイが必要である。
光センサ−アレイには、シリコン単結晶ウエノ・上に作
られたものがある。シリコン単結晶ウエノ・の直径は大
きいものでも通常１００ｍであり、周辺部は不均一性々
どのため除かれるので、最大長は８０胡程度となる。し
たがってＡ３版程度の幅３ｏｏｍｍの原稿を読むだめに
は、このような約８０＝の光センサ−アレイを少なくと
も４個接続しなければならない。この場合接続部におい
て不連続が生じ、光感度のばらつきがアレイ全体を通じ
て大きくなり、歩留りが低くなるほか、単結晶が高価格
であるという別の理由とあわせて光センサ−アレイが非
常に高価なものになるという欠点があった。
られたものがある。シリコン単結晶ウエノ・の直径は大
きいものでも通常１００ｍであり、周辺部は不均一性々
どのため除かれるので、最大長は８０胡程度となる。し
たがってＡ３版程度の幅３ｏｏｍｍの原稿を読むだめに
は、このような約８０＝の光センサ−アレイを少なくと
も４個接続しなければならない。この場合接続部におい
て不連続が生じ、光感度のばらつきがアレイ全体を通じ
て大きくなり、歩留りが低くなるほか、単結晶が高価格
であるという別の理由とあわせて光センサ−アレイが非
常に高価なものになるという欠点があった。
光センサ−アレイの他の種類は蒸着薄膜から作られたも
のである。この場合には個々のセンサーに分けるために
微細な蒸着マスクが用いられるが、蒸着装置内の蒸発源
の位置に制限があることと、通常薄膜が二成分または三
成分の半導体からなることの二つの理由から、アレイ内
の個々のセンサーの形状、成分が均一でなく、シたがっ
て個々のセンサーの光感度に不均一が生じる。この不均
一の傾向は長尺のセンサーアレイを大型蒸着装置内で作
ろうとすれば一層大きくなるため、急激に製造歩留りは
低下する。
のである。この場合には個々のセンサーに分けるために
微細な蒸着マスクが用いられるが、蒸着装置内の蒸発源
の位置に制限があることと、通常薄膜が二成分または三
成分の半導体からなることの二つの理由から、アレイ内
の個々のセンサーの形状、成分が均一でなく、シたがっ
て個々のセンサーの光感度に不均一が生じる。この不均
一の傾向は長尺のセンサーアレイを大型蒸着装置内で作
ろうとすれば一層大きくなるため、急激に製造歩留りは
低下する。
このような理由によって、均一な性能のセンサーからな
る長尺の光センサ−アレイを安価に得ることは従来困難
であった。
る長尺の光センサ−アレイを安価に得ることは従来困難
であった。
発明の目的
本発明の目的は、広い面積にわたって均一な性質の膜が
得られやすく、かつ最も普遍的な技術である印刷技術に
着目し、光センサーの性質を左右する半導体膜として、
印刷後焼成された膜をもっ５ ′ 〕 テ光センサープレイを構成したもので、長尺の、しかも
安価な光センサ−アレイを提供することにある。
得られやすく、かつ最も普遍的な技術である印刷技術に
着目し、光センサーの性質を左右する半導体膜として、
印刷後焼成された膜をもっ５ ′ 〕 テ光センサープレイを構成したもので、長尺の、しかも
安価な光センサ−アレイを提供することにある。
発明の構成
本発明の光センサ−アレイは、ガラス基板と、その上に
ペーストの印刷とその焼成からなる工程の繰返しによっ
て構成されたｎ型半導体膜、ｐ型半導体膜とからなり、
これらｎ型、ｐ型両膜にそれぞれ付着された電極から構
成されたものであり、これによりすぐれた光センサ−ア
レイとなるものである。
ペーストの印刷とその焼成からなる工程の繰返しによっ
て構成されたｎ型半導体膜、ｐ型半導体膜とからなり、
これらｎ型、ｐ型両膜にそれぞれ付着された電極から構
成されたものであり、これによりすぐれた光センサ−ア
レイとなるものである。
実施例の説明
以下本発明の実施例について図面を参照しながら説明す
る。
る。
（実施例 １）
第１図ａ、ｂはそれぞれ本発明の光センサ−アレイの一
部の正面図と平面図である。本アレイはガラス基板１、
その土に、ペーストの印刷・焼成６ ・ ＣｄＴｅ膜３からなる。ＣｄＳ膜、ＣｄＴｅ膜は長方形
で、アレイの構成はペーストを印刷するだめの印刷スク
リーンのパターンによって行われている。
部の正面図と平面図である。本アレイはガラス基板１、
その土に、ペーストの印刷・焼成６ ・ ＣｄＴｅ膜３からなる。ＣｄＳ膜、ＣｄＴｅ膜は長方形
で、アレイの構成はペーストを印刷するだめの印刷スク
リーンのパターンによって行われている。
このような構成のＣｄＳ膜とＣｄＴｅ膜の境界４には当
然ｐｎ接合が形成され、個々の接合がフォト・ダイオー
ドとなる。ＣｄＳ膜にＩｎの電極５、ＣｄＴｅ膜にＣ（
カーボン）の電極６を塗布し、端子板７′。
然ｐｎ接合が形成され、個々の接合がフォト・ダイオー
ドとなる。ＣｄＳ膜にＩｎの電極５、ＣｄＴｅ膜にＣ（
カーボン）の電極６を塗布し、端子板７′。
７との間をそれぞれ細導線８′、８で結ぶ。このように
してフォト・ダイオードからなる光センサ−アレイの出
力端子が設けられる。この場合、個々のフォト・ダイオ
ードの幅Ｗはｏ、ｅｍｍ、ダイオード間の隙間Ｇは０．
５ ｗ 、 Ｃｄ Ｔ ｅ膜の長さＬはｏ、ａｆｉ、フ
ォト・ダイオードの個数２５６個、全体としての光セン
サ−アレイの長さは２８１．１ ｍｍであった。
してフォト・ダイオードからなる光センサ−アレイの出
力端子が設けられる。この場合、個々のフォト・ダイオ
ードの幅Ｗはｏ、ｅｍｍ、ダイオード間の隙間Ｇは０．
５ ｗ 、 Ｃｄ Ｔ ｅ膜の長さＬはｏ、ａｆｉ、フ
ォト・ダイオードの個数２５６個、全体としての光セン
サ−アレイの長さは２８１．１ ｍｍであった。
本発明のセンサーアレイは、印刷膜という特徴から約３
００ｔｒａｎという長尺のものが何ら接ぎあわせる必要
なく構成できる。このアレイにエヤマス１．５．光強度
１００ ｍＷ／ｃＡの擬似太陽光を全面に照射し、個々
の端子板対（例えば７と７′）を短絡してその時に流れ
る光電流を測定した。この光電流は光の明るさに比例す
るもので、原稿の明暗を光電流の値に変えて検出するの
が、光センサ−アレイの働きである。したがって、一定
の光強度の下では、アレイ中の全ダイオードが均一な光
電流値を示さなければならない。本実施例の場合には、
２６６個のダイオードの光電流は８７．８μ八〜９０．
３μＡの範囲にあり、３ｏＯ喘という長尺のアレイにも
拘らず個々のセンサーの性能のばらつきは±１．４係以
内という、従来のアレイでは得られない均一性を示した
。
００ｔｒａｎという長尺のものが何ら接ぎあわせる必要
なく構成できる。このアレイにエヤマス１．５．光強度
１００ ｍＷ／ｃＡの擬似太陽光を全面に照射し、個々
の端子板対（例えば７と７′）を短絡してその時に流れ
る光電流を測定した。この光電流は光の明るさに比例す
るもので、原稿の明暗を光電流の値に変えて検出するの
が、光センサ−アレイの働きである。したがって、一定
の光強度の下では、アレイ中の全ダイオードが均一な光
電流値を示さなければならない。本実施例の場合には、
２６６個のダイオードの光電流は８７．８μ八〜９０．
３μＡの範囲にあり、３ｏＯ喘という長尺のアレイにも
拘らず個々のセンサーの性能のばらつきは±１．４係以
内という、従来のアレイでは得られない均一性を示した
。
（実施例２）
本実施例を第１図により説明する。
本実施例のアレイは、ガラス基板１と、その上に、ペー
ストの印刷・焼成により構成されたｎ型半導体（ｃｄ。
ストの印刷・焼成により構成されたｎ型半導体（ｃｄ。
、９Ｚｎｏ、１）Ｓ固溶体の膜２のアレイと、さらにそ
れらの膜上に、同様の方法で構成されたｐ型半導体Ｃｕ
ＩｎＳｅ２膜３からなる。このような構成のアレイ中の
個々のｐｎ接合４はフォ（ｃｄ。、９Ｚｎｏ、１）Ｓ膜
にＩｎと八ｑの混合物からなる電極５、Ｃｕ Ｉ ｎ
Ｓ ｅ ２膜にＡｕ電極６をそれぞれ塗布し、端子板７
′、７との間をそれぞれ細導線８′、８で結ぶ。
れらの膜上に、同様の方法で構成されたｐ型半導体Ｃｕ
ＩｎＳｅ２膜３からなる。このような構成のアレイ中の
個々のｐｎ接合４はフォ（ｃｄ。、９Ｚｎｏ、１）Ｓ膜
にＩｎと八ｑの混合物からなる電極５、Ｃｕ Ｉ ｎ
Ｓ ｅ ２膜にＡｕ電極６をそれぞれ塗布し、端子板７
′、７との間をそれぞれ細導線８′、８で結ぶ。
この場合、個々のフォト・ダイオードの幅Ｗは０．４ｍ
ｍ、隙間Ｇは０．１８ＮｎｌＣｕＩｎＳｅ２膜の長さＬ
はｏ、４ｍｍ、フォト・ダイオードの個数は５１２個。
ｍ、隙間Ｇは０．１８ＮｎｌＣｕＩｎＳｅ２膜の長さＬ
はｏ、４ｍｍ、フォト・ダイオードの個数は５１２個。
全体としてこの光センサ−アレイの長さは２９７個であ
った。
った。
実施例１の場合と同様、エヤマス１．６．光強度１００
ｍＷ／Ｃｄの擬似太陽光をアレイ全面に照射し、個々の
端子板対（例えば７と７′）を短絡して光電流を測定し
た所、５１２個のダイオードの光電流は４６μ八〜５０
μＡの範囲であった。
ｍＷ／Ｃｄの擬似太陽光をアレイ全面に照射し、個々の
端子板対（例えば７と７′）を短絡して光電流を測定し
た所、５１２個のダイオードの光電流は４６μ八〜５０
μＡの範囲であった。
この場合においても約３００ ｒｒｒｍという長尺のア
レイにも拘らず、個々のセンサーの性能のばらつきは±
６％以内におさまっており、従来のアレイでは得られな
い均一性を示した。
レイにも拘らず、個々のセンサーの性能のばらつきは±
６％以内におさまっており、従来のアレイでは得られな
い均一性を示した。
（実施例３）
第２図は別の実施例において、個々のセンサー９ 、で
、 に分割される前のダイオード膜の構造を説明するだめの
斜視図である。
、 に分割される前のダイオード膜の構造を説明するだめの
斜視図である。
厚み１覇１幅２０ｙ＋ｏｎ、長さ３００ｒｒｒｍのガラ
ス基板１１上の後方−面に、ペーストの印刷・焼成によ
るｎ型半導体ＣｄＳの膜１２が形成されており、さらに
そのＣｄＳ膜の後方−面に同様の方法でｐ型半導体Ｃｄ
Ｔｅの膜１３が形成されている。さらにこのＣｄＴｅ膜
の上全面に、少量のＣｕを含むＣ（カーボン）ペースト
を印刷・焼成したＣ膜１４が形成されている。Ｃ膜の上
全面には補強のためのＡｑ電極１６が塗布されている。
ス基板１１上の後方−面に、ペーストの印刷・焼成によ
るｎ型半導体ＣｄＳの膜１２が形成されており、さらに
そのＣｄＳ膜の後方−面に同様の方法でｐ型半導体Ｃｄ
Ｔｅの膜１３が形成されている。さらにこのＣｄＴｅ膜
の上全面に、少量のＣｕを含むＣ（カーボン）ペースト
を印刷・焼成したＣ膜１４が形成されている。Ｃ膜の上
全面には補強のためのＡｑ電極１６が塗布されている。
一方ＣｄＳ膜の手前側にはＡｑとＩｎの混合物からなる
ペーストを塗布・乾燥した。ＣｄＳ側のＡｑ＋Ｉｎ電極
１６が構成されている。これによりｎ −ＣｄＳ膜とｐ
−ＣｄＴｅ膜の間にｐｎ接合が生じた細長いダイオード
膜が形成されている。
ペーストを塗布・乾燥した。ＣｄＳ側のＡｑ＋Ｉｎ電極
１６が構成されている。これによりｎ −ＣｄＳ膜とｐ
−ＣｄＴｅ膜の間にｐｎ接合が生じた細長いダイオード
膜が形成されている。
この膜を３０μｍの厚みの刃をもつダイシング・ソウに
より、ガラス基板の幅方向にダイシング・ソウの刃を移
動させて、ダイオード膜を切断・分１０ ′・−ン （２０４８個のセンサーに分割した。結果として、刃の
切り代約４０μｍ１個々のセンサー幅約１０５μｍ、長
さ６００μｍ、センサーアレイの全長２９７簡となった
。
より、ガラス基板の幅方向にダイシング・ソウの刃を移
動させて、ダイオード膜を切断・分１０ ′・−ン （２０４８個のセンサーに分割した。結果として、刃の
切り代約４０μｍ１個々のセンサー幅約１０５μｍ、長
さ６００μｍ、センサーアレイの全長２９７簡となった
。
切断後の２０４８個の個々のセンサのＡｑ電極１５およ
びＡＣｒ＋Ｉｎ電極１６を、第１図と同様にガラス基板
上につけた端子板対と結び出力端子とした。
びＡＣｒ＋Ｉｎ電極１６を、第１図と同様にガラス基板
上につけた端子板対と結び出力端子とした。
このようにして実施例１，２の場合と同様の方法で個々
のセンサーの光電流を測定した。
のセンサーの光電流を測定した。
本実施例の場合、光電流は１２〜１４μＡとなり±８％
以内のばらつきに止まった。
以内のばらつきに止まった。
以上の実施例では３０ｃｍの長さのアレイの例を示した
が、印刷膜という本願の特徴からすればアレイの長さに
原理的な制限は全くない。
が、印刷膜という本願の特徴からすればアレイの長さに
原理的な制限は全くない。
発明の詳細
な説明したように、本発明の光センサ−アレイはペース
トの印刷・焼成技術による膜を使用しているため、３０
ｃｍという従来にない長尺のもの１１ ・′、 ・ 刷・焼成によるため工程費もかからず、単結晶を使わな
いので材料価格も安いという、実用上多くの効果を有す
るものである。
トの印刷・焼成技術による膜を使用しているため、３０
ｃｍという従来にない長尺のもの１１ ・′、 ・ 刷・焼成によるため工程費もかからず、単結晶を使わな
いので材料価格も安いという、実用上多くの効果を有す
るものである。
第１図ａ、ｂはそれぞれ本発明の光センサ−アレイの一
部の正面図と平面図、第２図は個々のセンサーに分割さ
れてアレイが構成される前のダイオード膜の構造を示す
斜視図である。 １・・・・・・ガラス基板、２・・・・・・ｎ型半導体
ＣｄＳ膜、３・・・・・・ｐ型半導体ＣｄＴｅ膜、４・
・・・・・境界（ｐｎ接合部）、５・・・・・・Ｉｎ電
極、６・・・・・・Ｃ電極、７．７’・・・・・・端子
板、８．８’・・・・・・細導線、１１・・・・・・ガ
ラス基板、１２・・・・・・ｎ型半導体ＣｄＳ膜、１３
・・・・・・ｐ型半導体ＣｄＴｅ膜、１４・・・・・・
Ｃ膜、１６・・・・・・Ａｑ電極、１６・・・・・・Ａ
ｇ＋Ｉｎ電極。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図
部の正面図と平面図、第２図は個々のセンサーに分割さ
れてアレイが構成される前のダイオード膜の構造を示す
斜視図である。 １・・・・・・ガラス基板、２・・・・・・ｎ型半導体
ＣｄＳ膜、３・・・・・・ｐ型半導体ＣｄＴｅ膜、４・
・・・・・境界（ｐｎ接合部）、５・・・・・・Ｉｎ電
極、６・・・・・・Ｃ電極、７．７’・・・・・・端子
板、８．８’・・・・・・細導線、１１・・・・・・ガ
ラス基板、１２・・・・・・ｎ型半導体ＣｄＳ膜、１３
・・・・・・ｐ型半導体ＣｄＴｅ膜、１４・・・・・・
Ｃ膜、１６・・・・・・Ａｑ電極、１６・・・・・・Ａ
ｇ＋Ｉｎ電極。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１） ガラス基板と、その上にペーストの印刷とその
焼成からなる工程の繰返しによって構成されたｎ型半導
体膜、ｐ型半導体膜とからなり、これらｎ型、ｐ型側膜
にそれぞれ付着された電極からなることを特徴とする光
センサ−アレイ。 （２）ｎ型半導体膜がＣｄＳ膜であることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の光センサ−アレイ。 （３）ｎ型半導体膜がＣｄ Ｓ −Ｚ ｎ Ｓ固溶体膜
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光
センサ−アレイ。 （４）ｐ型半導体膜がＣｄＴｅ膜であることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の光センサ−アレイ。 （６）ｐ型半導体膜がＣｕＩｎＳｅ２膜であることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の光センサ−２１蝋 アレイ〇 （６）ｎ型半導体がＣｄＳ膜、ｐ型半導体がＣｄＴｅ膜
であることを特徴とする特許請求の範囲第２項または第
４項記載の光センサ−アレイ。 （７） ｎ型半導体が（ｃｄｏ、９Ｚｎ０．１）Ｓ固溶
体膜、ｐ型半導体がＣｕＩｎＳｅ２膜であることを特徴
とする特許請求の範囲第３項または第６項記載の光セン
サ−アレイ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59036436A JPS60180161A (ja) | 1984-02-27 | 1984-02-27 | 光センサ−アレイ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59036436A JPS60180161A (ja) | 1984-02-27 | 1984-02-27 | 光センサ−アレイ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60180161A true JPS60180161A (ja) | 1985-09-13 |
Family
ID=12469760
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59036436A Pending JPS60180161A (ja) | 1984-02-27 | 1984-02-27 | 光センサ−アレイ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60180161A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5360195A (en) * | 1976-11-10 | 1978-05-30 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Photoelectric transducer |
| JPS5412580A (en) * | 1977-06-29 | 1979-01-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Photo detector |
| JPS58161365A (ja) * | 1982-03-18 | 1983-09-24 | Ricoh Co Ltd | 光読取装置 |
-
1984
- 1984-02-27 JP JP59036436A patent/JPS60180161A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5360195A (en) * | 1976-11-10 | 1978-05-30 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Photoelectric transducer |
| JPS5412580A (en) * | 1977-06-29 | 1979-01-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Photo detector |
| JPS58161365A (ja) * | 1982-03-18 | 1983-09-24 | Ricoh Co Ltd | 光読取装置 |
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