JPS60181058U - シヨツトキーバリアダイオード - Google Patents
シヨツトキーバリアダイオードInfo
- Publication number
- JPS60181058U JPS60181058U JP5875585U JP5875585U JPS60181058U JP S60181058 U JPS60181058 U JP S60181058U JP 5875585 U JP5875585 U JP 5875585U JP 5875585 U JP5875585 U JP 5875585U JP S60181058 U JPS60181058 U JP S60181058U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- barrier diode
- key barrier
- shot key
- schottky barrier
- semiconductor substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第1図は本考案ショットキーバリアダイオードの構造を
示す断面図、第2図は本考案ショットキーバリアダイオ
ードの順方向電圧電流特性の一例を示す図である。 1・・・・・・N+型シリコン基板、2・・・・・・N
型シリコンエピタキシャル層、3・・・・・・絶縁膜、
4・・・・・・ショットキーバリア電極、5・・・・・
・裏面電極。
示す断面図、第2図は本考案ショットキーバリアダイオ
ードの順方向電圧電流特性の一例を示す図である。 1・・・・・・N+型シリコン基板、2・・・・・・N
型シリコンエピタキシャル層、3・・・・・・絶縁膜、
4・・・・・・ショットキーバリア電極、5・・・・・
・裏面電極。
Claims (1)
- 一導電型半導体基板の一主面上に成長されたエピタキシ
ャル半導体層に被着された金属層を有するショットキー
バリアダイオードにおいて、前記エピタキシャル半導体
層の不純物濃度を前記半導体基板よりは低くかつ0.8
X 1018〜3 X 1918cm−3の範囲に設定
して順方向立上り電圧を小さくしたことを特徴とするシ
ョットキーバリアダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5875585U JPS60181058U (ja) | 1985-04-18 | 1985-04-18 | シヨツトキーバリアダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5875585U JPS60181058U (ja) | 1985-04-18 | 1985-04-18 | シヨツトキーバリアダイオード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60181058U true JPS60181058U (ja) | 1985-12-02 |
Family
ID=30584559
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5875585U Pending JPS60181058U (ja) | 1985-04-18 | 1985-04-18 | シヨツトキーバリアダイオード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60181058U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0955517A (ja) * | 1995-08-10 | 1997-02-25 | Nec Corp | 多層金属ショットキー性電極 |
-
1985
- 1985-04-18 JP JP5875585U patent/JPS60181058U/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0955517A (ja) * | 1995-08-10 | 1997-02-25 | Nec Corp | 多層金属ショットキー性電極 |
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