JPS60181058U - シヨツトキーバリアダイオード - Google Patents

シヨツトキーバリアダイオード

Info

Publication number
JPS60181058U
JPS60181058U JP5875585U JP5875585U JPS60181058U JP S60181058 U JPS60181058 U JP S60181058U JP 5875585 U JP5875585 U JP 5875585U JP 5875585 U JP5875585 U JP 5875585U JP S60181058 U JPS60181058 U JP S60181058U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
barrier diode
key barrier
shot key
schottky barrier
semiconductor substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP5875585U
Other languages
English (en)
Inventor
若生 忠樹
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP5875585U priority Critical patent/JPS60181058U/ja
Publication of JPS60181058U publication Critical patent/JPS60181058U/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第1図は本考案ショットキーバリアダイオードの構造を
示す断面図、第2図は本考案ショットキーバリアダイオ
ードの順方向電圧電流特性の一例を示す図である。 1・・・・・・N+型シリコン基板、2・・・・・・N
型シリコンエピタキシャル層、3・・・・・・絶縁膜、
4・・・・・・ショットキーバリア電極、5・・・・・
・裏面電極。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 一導電型半導体基板の一主面上に成長されたエピタキシ
    ャル半導体層に被着された金属層を有するショットキー
    バリアダイオードにおいて、前記エピタキシャル半導体
    層の不純物濃度を前記半導体基板よりは低くかつ0.8
    X 1018〜3 X 1918cm−3の範囲に設定
    して順方向立上り電圧を小さくしたことを特徴とするシ
    ョットキーバリアダイオード。
JP5875585U 1985-04-18 1985-04-18 シヨツトキーバリアダイオード Pending JPS60181058U (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5875585U JPS60181058U (ja) 1985-04-18 1985-04-18 シヨツトキーバリアダイオード

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5875585U JPS60181058U (ja) 1985-04-18 1985-04-18 シヨツトキーバリアダイオード

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS60181058U true JPS60181058U (ja) 1985-12-02

Family

ID=30584559

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5875585U Pending JPS60181058U (ja) 1985-04-18 1985-04-18 シヨツトキーバリアダイオード

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS60181058U (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0955517A (ja) * 1995-08-10 1997-02-25 Nec Corp 多層金属ショットキー性電極

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0955517A (ja) * 1995-08-10 1997-02-25 Nec Corp 多層金属ショットキー性電極

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS60181058U (ja) シヨツトキーバリアダイオード
JPS5936264U (ja) シヨツトキバリア半導体装置
JPS6016562U (ja) シヨツトキ障壁形半導体装置
JPS6139959U (ja) 半導体装置
JPS60153548U (ja) ラテラル型トランジスタ
JPS6113955U (ja) 集積回路に組込まれるツエナ−ダイオ−ド
JPS5860951U (ja) 半導体装置
JPS60125747U (ja) コンデンサ
JPS5858361U (ja) 半導体装置
JPS6048256U (ja) 超高周波用プレ−ナ型ダイオ−ド
JPS6030555U (ja) ダイオ−ド
JPS6042747U (ja) 超伝導三端子素子
JPS60166164U (ja) シヨツトキバリヤダイオ−ド
JPS60149152U (ja) 埋込み型ツエナ−ダイオ−ド
JPS58120670U (ja) 半導体レ−ザ
JPS59161643U (ja) 半導体集積回路装置
JPS6068663U (ja) 半導体装置
JPS58168149U (ja) トランジスタ
JPS5869942U (ja) 半導体装置
JPS5974746U (ja) ダ−リントントランジスタ
JPS60172355U (ja) 半導体発光装置
JPS58195458U (ja) 半導体装置
JPS60166155U (ja) 接合型コンデンサ
JPS60144255U (ja) トランジスタ
JPS606255U (ja) 半導体装置