JPS60184677A - 薄膜形成法及びそれに用いる基板保持・加熱装置 - Google Patents
薄膜形成法及びそれに用いる基板保持・加熱装置Info
- Publication number
- JPS60184677A JPS60184677A JP59039973A JP3997384A JPS60184677A JP S60184677 A JPS60184677 A JP S60184677A JP 59039973 A JP59039973 A JP 59039973A JP 3997384 A JP3997384 A JP 3997384A JP S60184677 A JPS60184677 A JP S60184677A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- case
- thin film
- substrate holding
- heating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/541—Heating or cooling of the substrates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/50—Substrate holders
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N97/00—Electric solid-state thin-film or thick-film devices, not otherwise provided for
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明の分野
本発明は、基板りに、分子紬エピタキシ亀・ル成長法に
Ｊ：つ−Ｃ，薄膜を形成さぼろ薄膜形成法、及びイれに
用いる基板保持・加熱装置に関φる。
Ｊ：つ−Ｃ，薄膜を形成さぼろ薄膜形成法、及びイれに
用いる基板保持・加熱装置に関φる。
本発明の青用
基板上に、分子線１ピタキシＶル成長法によって、薄膜
を形成さける薄膜形成法として、従来、次に述べる方法
が提案されている。
を形成さける薄膜形成法として、従来、次に述べる方法
が提案されている。
すなわら、第１図及び第２図を伴なって次に述べるよう
な、基板保持・加熱装ｆｉＨＬＪを用いている。
な、基板保持・加熱装ｆｉＨＬＪを用いている。
この基板保持・加熱Ｖｉ置Ｕは、基板保持・加熱体１を
有する。
有する。
この基板保持・加熱体１は、環部３と、その一方の開放
端を閉塞している端板部４を有するケース状体２を有゛
す゛る。
端を閉塞している端板部４を有するケース状体２を有゛
す゛る。
また、基板保持・加熱体１は、ケース状体２に、その端
板部４側においで、環部３側とは反対側に、ケース状体
２内に連通して、延長している中空の軸５を有す−る。
板部４側においで、環部３側とは反対側に、ケース状体
２内に連通して、延長している中空の軸５を有す−る。
この軸５は、回転駆動手段（図示せず）に連結される。
さらに、ケース状体２内に配されたヒータ６を有する。
このヒータ６は、そのリード７が、軸５内を通って外部
に延長し、そし゛Ｃ１固定部（図示往ず）に固定されて
いることによって、ケース状体２内に配され（いる状態
で、固定部に固定されている。
に延長し、そし゛Ｃ１固定部（図示往ず）に固定されて
いることによって、ケース状体２内に配され（いる状態
で、固定部に固定されている。
なおさらに、基板保持・加熱体１は、ケース状体２内に
配された熱電対のような感熱素子８を有する。この感熱
素子８は、そのリード９が、軸５内を通って外部に延長
し、そして固定部（図示せず）に固定されていることに
よって、後述りる基板保持用板１０の背面に設電ノられ
た）ｆ／ｉ １１内に配される状態に、ケース状体２内
に配されている状態で、固定部に固定されている。
配された熱電対のような感熱素子８を有する。この感熱
素子８は、そのリード９が、軸５内を通って外部に延長
し、そして固定部（図示せず）に固定されていることに
よって、後述りる基板保持用板１０の背面に設電ノられ
た）ｆ／ｉ １１内に配される状態に、ケース状体２内
に配されている状態で、固定部に固定されている。
また、基板保持・加熱装置Ｕは、上述した基板保持・加
熱体１上に、そのケース状体２の開放端を閉塞するよう
に着脱自在に取イ」【プられる基板保持用板１０を右づ
る。実際上、この基板保持用板１０は、基板保持・加熱
体１のケース状体２の環部３の内面に沿う外側面を有し
、そしＣ１側面に、輻方向に外方に延長している取イ」
用ビン１２が段ｔノられ（いる。一方、基板保持・加熱
体１のケース状体２の環部３３に、基板保持用板１０の
取（＝Ｊ川用ン１２を案内して受けるＬ字状！Ａ′ｉ’
ｌ ３が設りられ−Ｃいる。
熱体１上に、そのケース状体２の開放端を閉塞するよう
に着脱自在に取イ」【プられる基板保持用板１０を右づ
る。実際上、この基板保持用板１０は、基板保持・加熱
体１のケース状体２の環部３の内面に沿う外側面を有し
、そしＣ１側面に、輻方向に外方に延長している取イ」
用ビン１２が段ｔノられ（いる。一方、基板保持・加熱
体１のケース状体２の環部３３に、基板保持用板１０の
取（＝Ｊ川用ン１２を案内して受けるＬ字状！Ａ′ｉ’
ｌ ３が設りられ−Ｃいる。
しかして、基板保持用板１０が、その取付用ピン７２と
、基板保持・加熱体１の環部３のＬ次状満１３とを利用
して、基板保持・加熱体１Ｌに、十）ボしたＪ：うに取
ｆ］りられる。
、基板保持・加熱体１の環部３のＬ次状満１３とを利用
して、基板保持・加熱体１Ｌに、十）ボしたＪ：うに取
ｆ］りられる。
法によって、薄膜を形成させる従来の薄膜形成法に用い
ている従来の基板保持・加熱装置（Ｊの構成である。
ている従来の基板保持・加熱装置（Ｊの構成である。
基板上に、分子線エビタキシレル成長法によって、薄膜
を形成させる従来の薄膜形成法は、上述した基板保持・
加熱装置Ｕを用い、そして、先ず、その基板保持用板１
０を、それに、薄膜の形成されるべき基板２０を、低融
点全屈でなる接着剤を用いてその接着剤層２１を介して
予め取付（〕だ状態で、ケース状体２に、その環部３の
開放端を閉塞づるＪ：うに取イ］ける。
を形成させる従来の薄膜形成法は、上述した基板保持・
加熱装置Ｕを用い、そして、先ず、その基板保持用板１
０を、それに、薄膜の形成されるべき基板２０を、低融
点全屈でなる接着剤を用いてその接着剤層２１を介して
予め取付（〕だ状態で、ケース状体２に、その環部３の
開放端を閉塞づるＪ：うに取イ］ける。
しかして、真空チャンバー内において、基板保持・加熱
体１のケース状体２内に配されているヒータに通電させ
て、基板２０を、基板保持用板１０．接着剤層２１を介
して、熱伝導によって加熱させている状態で、且つ基板
保持・加熱体１をそのケース状体２に配されているヒー
タ６を除いて、軸５を介して回転させ、従って、これに
伴ない基板保持用板１０及びぞれに接着回転さｕＣいる
状態で、真空チャンバー内で、Ｒ膜になる材料を蒸発さ
せることによっ−（、基板２１上にＲＲ１ｊ！を」ｔｔ
積影形成せる。
体１のケース状体２内に配されているヒータに通電させ
て、基板２０を、基板保持用板１０．接着剤層２１を介
して、熱伝導によって加熱させている状態で、且つ基板
保持・加熱体１をそのケース状体２に配されているヒー
タ６を除いて、軸５を介して回転させ、従って、これに
伴ない基板保持用板１０及びぞれに接着回転さｕＣいる
状態で、真空チャンバー内で、Ｒ膜になる材料を蒸発さ
せることによっ−（、基板２１上にＲＲ１ｊ！を」ｔｔ
積影形成せる。
以上が、従来提案されている薄膜形成法である。
このような従来の薄膜形成法の場合、基板２０上に、そ
の背面が接着剤層２１及び基板保持用板１０によって田
われ−Ｃいる状態で、薄膜が形成されるので、その薄膜
の１ｌｆｉ ｖ４形成詩、基板２０の背面から、基板２
０を構成している祠オ゛］が、外部に飛散しないのぐ、
Ｌ１板２０が損傷を受りない、という特徴を右りる。
の背面が接着剤層２１及び基板保持用板１０によって田
われ−Ｃいる状態で、薄膜が形成されるので、その薄膜
の１ｌｆｉ ｖ４形成詩、基板２０の背面から、基板２
０を構成している祠オ゛］が、外部に飛散しないのぐ、
Ｌ１板２０が損傷を受りない、という特徴を右りる。
また、上述しｌζ従来の薄膜形成法に用いている基板保
持・加熱装置Ｕににれば、ぞれを用いて上述したように
基板２０上に薄膜をＩＩ／槓形酸形成るとき、いま述べ
たような特徴を有せしめることができる、という特徴を
右Ｊる。
持・加熱装置Ｕににれば、ぞれを用いて上述したように
基板２０上に薄膜をＩＩ／槓形酸形成るとき、いま述べ
たような特徴を有せしめることができる、という特徴を
右Ｊる。
しかしながら、上述した従来の薄膜形成法の場合、基板
２０を接着剤を用いて幕板保持用板１０に取付りなりれ
ば工程を有するとともＣご基板２０をこのように接着剤
を用いて基板保持用板１０に取付けることによって形成
されている接着剤層２１に、気泡が含まれ！こりしてい
ることによって、基板２０が各部均一に加熱されず、こ
のため、薄膜を所期の良好な特性を右りるものに形成す
ることが困難である、という欠点を右していた。
２０を接着剤を用いて幕板保持用板１０に取付りなりれ
ば工程を有するとともＣご基板２０をこのように接着剤
を用いて基板保持用板１０に取付けることによって形成
されている接着剤層２１に、気泡が含まれ！こりしてい
ることによって、基板２０が各部均一に加熱されず、こ
のため、薄膜を所期の良好な特性を右りるものに形成す
ることが困難である、という欠点を右していた。
また、上述した従来の薄膜形成法の場合、基板２０上に
薄膜を堆積形成して後、基板２０を基板保持用板１０か
ら分離取出して取出まために、接着剤層２１を溶去さぜ
るＬ程を讐り−るとともに、ｊ：４板２０をこのように
基板保持用板１０から分離して取出しても、基板保持用
板１０４−に接着剤層２１の残漬物が残るので、爾後、
その残漬物を基板保持用板１０上から除去する工程を要
する、という欠点があった。
薄膜を堆積形成して後、基板２０を基板保持用板１０か
ら分離取出して取出まために、接着剤層２１を溶去さぜ
るＬ程を讐り−るとともに、ｊ：４板２０をこのように
基板保持用板１０から分離して取出しても、基板保持用
板１０４−に接着剤層２１の残漬物が残るので、爾後、
その残漬物を基板保持用板１０上から除去する工程を要
する、という欠点があった。
さらに、上述した従来の薄膜形成法の場合、基板２０上
に、それが接着剤層２１を介しＵ ２１板保持用板１０
上にそれが接着剤層２１を介して基板保持用板１０上に
取付ＩＪられている状態でなされるため、その接着剤層
２１にす板２０を基板保持用板１０に取（＝Ｉ Ｇ）る
工程で含まれる気泡が、接着剤層２１の材料を担持して
真空チトンバー内に飛散し、このため、薄膜を所期の良
りｆな特１ｇを右するものに形成゛す“るごとかできな
い、という欠点を右しＣいた。
に、それが接着剤層２１を介しＵ ２１板保持用板１０
上にそれが接着剤層２１を介して基板保持用板１０上に
取付ＩＪられている状態でなされるため、その接着剤層
２１にす板２０を基板保持用板１０に取（＝Ｉ Ｇ）る
工程で含まれる気泡が、接着剤層２１の材料を担持して
真空チトンバー内に飛散し、このため、薄膜を所期の良
りｆな特１ｇを右するものに形成゛す“るごとかできな
い、という欠点を右しＣいた。
また、このＪ、うな欠点を回避さμるためには、基板２
０にイ９膜を形成ざＵるに先立ら、ヒータ６を用いて接
着剤層２１を加熱し、イれに含まれている気泡を外部に
放ｊ１（さければＪ：いか、ぞの場合、その気泡により
で、真空ヂ【・ンバーの内壁が汚染し、このため、次に
、着ｉ’Ｊ是板２０土に新な薄膜を形成゛りるとき、そ
の薄膜が接着剤層２１の＋Ａわ１によっ′Ｃ馬染された
ものどして形成され、従っ（、その新な薄膜を所期の良
好な１２１性を右りるしのとしく形成することができな
い、どい欠点を右していた。
０にイ９膜を形成ざＵるに先立ら、ヒータ６を用いて接
着剤層２１を加熱し、イれに含まれている気泡を外部に
放ｊ１（さければＪ：いか、ぞの場合、その気泡により
で、真空ヂ【・ンバーの内壁が汚染し、このため、次に
、着ｉ’Ｊ是板２０土に新な薄膜を形成゛りるとき、そ
の薄膜が接着剤層２１の＋Ａわ１によっ′Ｃ馬染された
ものどして形成され、従っ（、その新な薄膜を所期の良
好な１２１性を右りるしのとしく形成することができな
い、どい欠点を右していた。
にた、」述した従来のａ９膜形成法の場合、基板２０［
Ｌこ、ぞの温石を十分高い温度にして、簿膜をＩｌｌ伯
さける場合、接着剤層２１が溶解し、それによって、基
板２０の背面が溶解し、Ｊ：って、基板２０の背面にあ
ばた状の凹凸が形成されるので、基板２０を基板保持用
板１０から分離しで取出して俊、その基板２０の背面を
平滑に研磨させる必要がある、などの欠点を有してい
ＩＣ。
Ｌこ、ぞの温石を十分高い温度にして、簿膜をＩｌｌ伯
さける場合、接着剤層２１が溶解し、それによって、基
板２０の背面が溶解し、Ｊ：って、基板２０の背面にあ
ばた状の凹凸が形成されるので、基板２０を基板保持用
板１０から分離しで取出して俊、その基板２０の背面を
平滑に研磨させる必要がある、などの欠点を有してい
ＩＣ。
また、上述した従来の薄ｌ’／！形成法に用いる基板保
持・加熱装置Ｕによれば、」−述した欠点を伴なわせる
という、欠点を有していた。
持・加熱装置Ｕによれば、」−述した欠点を伴なわせる
という、欠点を有していた。
本発明の目的
よって、本発明は、上述した欠点のない新規な薄膜形成
法、及びぞれに用いる基板保持・加熱装置を提案せんど
するものである。
法、及びぞれに用いる基板保持・加熱装置を提案せんど
するものである。
本発明の開示
本願第１番目の発明による薄膜形成法は、環部と、その
一方の開放端を閉塞している端板部とを有するケース状
体と、該ケース状体に、その上記端板部の上記環部側と
は反対側において、遊端が連結されて、上記環部側とは
反対側に延長している軸と、上記ケース状体内に配され
たヒータとを右りる基板保持・加熱用体と、上記１．１
板保１．１・加熱用体上に、その上記ケース状体の開放
端を閉塞りるように着１１ｊ２自在に取イ」けられる、
孔を有りる基板保持用板と、上記基板保持用板上に、薄
膜の形成されるべき基板を、基板保持・加熱用体のケー
ス状体を含ｌυで、気密室が形成されるように、直接的
に保持させる保持具とを右する２、４板保持・加熱用装
置を用いる。
一方の開放端を閉塞している端板部とを有するケース状
体と、該ケース状体に、その上記端板部の上記環部側と
は反対側において、遊端が連結されて、上記環部側とは
反対側に延長している軸と、上記ケース状体内に配され
たヒータとを右りる基板保持・加熱用体と、上記１．１
板保１．１・加熱用体上に、その上記ケース状体の開放
端を閉塞りるように着１１ｊ２自在に取イ」けられる、
孔を有りる基板保持用板と、上記基板保持用板上に、薄
膜の形成されるべき基板を、基板保持・加熱用体のケー
ス状体を含ｌυで、気密室が形成されるように、直接的
に保持させる保持具とを右する２、４板保持・加熱用装
置を用いる。
しかして、上記基板保持用板を、それに、薄膜の形成さ
れるべき基板を、上記保持具を用いて、上記基板保持・
加熱用体のケース状体を含ｌυで気密室が形成されるよ
うに、直接的に取付けた状態で、上記ケース状体に、そ
の上記環部の開放端を閉塞するように取付（）、次に、
真空ヂＶンバー内において、上記基板保持・加熱用体の
ケース状体内に配されているヒータに通電さＵ′（、上
記基板を上記基板保持用板の孔を通じ−Ｃ直接的に加熱
さけている状態で、薄膜になる材料を蒸発さけることに
よって、上記基板上に薄膜を堆積形成させる。
れるべき基板を、上記保持具を用いて、上記基板保持・
加熱用体のケース状体を含ｌυで気密室が形成されるよ
うに、直接的に取付けた状態で、上記ケース状体に、そ
の上記環部の開放端を閉塞するように取付（）、次に、
真空ヂＶンバー内において、上記基板保持・加熱用体の
ケース状体内に配されているヒータに通電さＵ′（、上
記基板を上記基板保持用板の孔を通じ−Ｃ直接的に加熱
さけている状態で、薄膜になる材料を蒸発さけることに
よって、上記基板上に薄膜を堆積形成させる。
このため、本願第１番１」の発明によるＡ９膜形成法に
にれば、第１図及び第２図を伴なって」二連した従来の
薄膜形成法の伴なう欠点を有効に回避することができる
。
にれば、第１図及び第２図を伴なって」二連した従来の
薄膜形成法の伴なう欠点を有効に回避することができる
。
また、本願第２番目の発明による基板保持・加熱装置は
、環部と、その一方の開放端を閉塞している端板部とを
有するケース状体と、該ウース状体に、その上記端板部
の上記環部側とは反対側において、遊端が連結されて、
上記環部側とは反対側に延長している軸と、上記ケース
状体内に配されたヒータとを有する基板保持・加熱用体
と、上記基板保持・加熱用体上に、その上記ケース状体
の開放端を閉塞する。Ｌうに着脱自在に取（＝Ｉ Ｇｘ
Ｊられる、孔を有する基板保持用板と、上記基板保持用
板上に、跡！漠の形成されるべき基板を、基板保持・加
熱用体のケース状体を含んで、気密室が形成されるよう
に、直接的に保持させる保持具とを有する構成を右する
。
、環部と、その一方の開放端を閉塞している端板部とを
有するケース状体と、該ウース状体に、その上記端板部
の上記環部側とは反対側において、遊端が連結されて、
上記環部側とは反対側に延長している軸と、上記ケース
状体内に配されたヒータとを有する基板保持・加熱用体
と、上記基板保持・加熱用体上に、その上記ケース状体
の開放端を閉塞する。Ｌうに着脱自在に取（＝Ｉ Ｇｘ
Ｊられる、孔を有する基板保持用板と、上記基板保持用
板上に、跡！漠の形成されるべき基板を、基板保持・加
熱用体のケース状体を含んで、気密室が形成されるよう
に、直接的に保持させる保持具とを有する構成を右する
。
このため、本願第２番目の発明による基板保持・加熱装
置は、それを用いた上述した本願第１番目の発明ににる
薄膜形成法によって、第１図及び第２図を伴なって上述
した欠点を伴なわＵることなしに、基板−［に薄膜を１
ｕ積形成さぜることが（゛きる。
置は、それを用いた上述した本願第１番目の発明ににる
薄膜形成法によって、第１図及び第２図を伴なって上述
した欠点を伴なわＵることなしに、基板−［に薄膜を１
ｕ積形成さぜることが（゛きる。
次に、本願第１番目の発明による薄膜形成法の実施例を
、本願第２番目の発明による基板保持・加熱装置の実施
例とともに述べよう。
、本願第２番目の発明による基板保持・加熱装置の実施
例とともに述べよう。
本願第１番目の発明ににる薄膜形成法の実施例において
は、第３図及び第４図を伴なっ（次に述べるような、基
板保持・加熱装置Ｕを用い−でいる。
は、第３図及び第４図を伴なっ（次に述べるような、基
板保持・加熱装置Ｕを用い−でいる。
第３図及び第４図において、第１図及び第２図との対応
部分には同一符号を（＝Ｊ Ｌ詳細説明を省略する。
部分には同一符号を（＝Ｊ Ｌ詳細説明を省略する。
第３図及び第４図に示されている本願第１番目の発明に
よる薄膜形成法の実施例に用いられる本願第２番目の発
明による基板保持・加熱装置の実施例は、第１図及び第
２図ｅ上述した基板保持・加熱装置ＬＩの構成において
、次の事項を除いて、第１図及び第２図で上述した基板
保持・加熱装置Ｕと同様の構成を有する。
よる薄膜形成法の実施例に用いられる本願第２番目の発
明による基板保持・加熱装置の実施例は、第１図及び第
２図ｅ上述した基板保持・加熱装置ＬＩの構成において
、次の事項を除いて、第１図及び第２図で上述した基板
保持・加熱装置Ｕと同様の構成を有する。
すなわち、基板保持用板１ｏが、その上に後述するよう
に基板２０が直接的に損傷された状態で、その基板２０
の背面を基板保持・加熱体１のケース状体２内に臨まゼ
る孔３ｏを有し−Ｃいる。
に基板２０が直接的に損傷された状態で、その基板２０
の背面を基板保持・加熱体１のケース状体２内に臨まゼ
る孔３ｏを有し−Ｃいる。
また、基板保持用板１ｏ上に、基板２ｏを、基板保持・
加熱体１のケース状体２を含んで、気密室３１が形成さ
れるように、直接的に保持させる保持具３２を有する。
加熱体１のケース状体２を含んで、気密室３１が形成さ
れるように、直接的に保持させる保持具３２を有する。
この保持具３２は、基板保持用板１０の外側面に沿う内
面を有り−る環部３３ど、その上端縁がら、基板保持用
板１０の裏面外周部に圧接するＪ、うに延長している弾
性舌片３４と、環部３３の上端縁から、基板保持用板１
０の表面外周部に圧接げるように延長している弾性舌片
３５とを有している。
面を有り−る環部３３ど、その上端縁がら、基板保持用
板１０の裏面外周部に圧接するＪ、うに延長している弾
性舌片３４と、環部３３の上端縁から、基板保持用板１
０の表面外周部に圧接げるように延長している弾性舌片
３５とを有している。
さらに、基板保持・加熱体１の軸５のケース状体２側の
開放端が端板３６によつ゛Ｃ閉塞されている。この場合
、端板３６は、それにヒータ６のリード７と、感熱素子
８のリード９とを気密に貫通ざＵ゛ており、ヒータ６及
び感熱素ｆ８とともに固定部に固定されている。
開放端が端板３６によつ゛Ｃ閉塞されている。この場合
、端板３６は、それにヒータ６のリード７と、感熱素子
８のリード９とを気密に貫通ざＵ゛ており、ヒータ６及
び感熱素ｆ８とともに固定部に固定されている。
以上が、本願第１番目の発明による薄膜ＪＩＪ成法に用
いる木１ｉ・ｒｔε１１２番目の発明による基板保持・
加熱装置Ｕの一例４１４成である。
いる木１ｉ・ｒｔε１１２番目の発明による基板保持・
加熱装置Ｕの一例４１４成である。
ホ願釦′１笛１］の発明による薄膜形成法の一例は、上
述した木頽第２番目の発明による基板法ノ、１・加熱装
（Ｉ″ｌ′Ｕの一例を用い、そしζ、先す゛、そのＪ：
（仮作１・、５川板１０を、−ｆれに、１１９股の形成
されるぺさＪ３板０を、１．４仮１×持・加熱装置Ｕを
１ｉ４成しでいる保持具３２を用いて、基板保持・加熱
体１のケース状体２を含Δ、ぐ気密室３１が形成される
Ｊ：うに、直接的に取ｆ４’ ＋Ｊた状態で、ケース状
体２に、その１１１１部３を開基するように取１＝Ｊ
４〕る。
述した木頽第２番目の発明による基板法ノ、１・加熱装
（Ｉ″ｌ′Ｕの一例を用い、そしζ、先す゛、そのＪ：
（仮作１・、５川板１０を、−ｆれに、１１９股の形成
されるぺさＪ３板０を、１．４仮１×持・加熱装置Ｕを
１ｉ４成しでいる保持具３２を用いて、基板保持・加熱
体１のケース状体２を含Δ、ぐ気密室３１が形成される
Ｊ：うに、直接的に取ｆ４’ ＋Ｊた状態で、ケース状
体２に、その１１１１部３を開基するように取１＝Ｊ
４〕る。
しかして、真空ブＡ・ンバー（図示Ｖ１′）内において
、基板保持・々１１熱休１のケース状（＋ ／内に配さ
れているヒータに通電さけて、基板２０を、基板保持用
板１０の孔３０を通じて直接的に加熱させている状態で
、且つその加熱を各部均一にならしめるため、基板保持
・加熱体１を、そのケース状体２内に配されているヒー
タ６を除い−Ｃ、ケース状体５を介し−（回転さＵ、従
って、これに伴ない基板保持用板１０及びそれに保持さ
ｕ−Ｃいる基板２０を回転さけでいる状態て゛、真空チ
ャンバー内で、薄ＩＩ９になる月ｒ１を蒸発さμること
にＪ：つ−（、基板２０上に、薄膜をＩＩＦ積形酸形成
る。
、基板保持・々１１熱休１のケース状（＋ ／内に配さ
れているヒータに通電さけて、基板２０を、基板保持用
板１０の孔３０を通じて直接的に加熱させている状態で
、且つその加熱を各部均一にならしめるため、基板保持
・加熱体１を、そのケース状体２内に配されているヒー
タ６を除い−Ｃ、ケース状体５を介し−（回転さＵ、従
って、これに伴ない基板保持用板１０及びそれに保持さ
ｕ−Ｃいる基板２０を回転さけでいる状態て゛、真空チ
ャンバー内で、薄ＩＩ９になる月ｒ１を蒸発さμること
にＪ：つ−（、基板２０上に、薄膜をＩＩＦ積形酸形成
る。
以上が、本願第１番目の発明による薄膜形成法の一例で
ある。
ある。
このような本発明による薄膜形成法によれば、基板２０
上に、それを、第１図及び第２図を伴なって上述した従
来の１ｌｌｌＱ形成法の場合のように接着剤を用いて基
板保持用板１０に保持させた状態で、薄膜を堆積形成さ
せる、という方法ではないので、基板２０上に、それを
接着剤を用いて１ル板保持用仮１０に保持さＶた状態で
薄膜を１ｆｆ積形成される従来の薄膜形成法の前述した
神々の欠点を一挙に、しかも有効に［ｉｊ＋避さＵ゛る
、という特徴を有することは明らかぐある。
上に、それを、第１図及び第２図を伴なって上述した従
来の１ｌｌｌＱ形成法の場合のように接着剤を用いて基
板保持用板１０に保持させた状態で、薄膜を堆積形成さ
せる、という方法ではないので、基板２０上に、それを
接着剤を用いて１ル板保持用仮１０に保持さＶた状態で
薄膜を１ｆｆ積形成される従来の薄膜形成法の前述した
神々の欠点を一挙に、しかも有効に［ｉｊ＋避さＵ゛る
、という特徴を有することは明らかぐある。
なお、上）ホした本願第１番目の発明ににる薄膜形成法
の場合、基板２０うに薄膜を堆積形成Ｊるとき、その基
板２０の背面が、基板保持用板１０の孔３１を通じて基
板保持・加熱体１のり゛−ス状体２内に臨ｌυでいるた
め、基板２０からそれを構成し−（いる祠オ′４の下記
がケース状体２内に飛散１６が、情？１ｉ保持手段１０
、ケース状体２及び端板３６を含ｌυで、小さな気密室
３１′１が形成されているので、基板２０からのそれを
構成している上記が直ちに飽和し乃至１ｔ）い蒸気圧に
なるので、基板２０は実質的に損傷を受１ノない。
の場合、基板２０うに薄膜を堆積形成Ｊるとき、その基
板２０の背面が、基板保持用板１０の孔３１を通じて基
板保持・加熱体１のり゛−ス状体２内に臨ｌυでいるた
め、基板２０からそれを構成し−（いる祠オ′４の下記
がケース状体２内に飛散１６が、情？１ｉ保持手段１０
、ケース状体２及び端板３６を含ｌυで、小さな気密室
３１′１が形成されているので、基板２０からのそれを
構成している上記が直ちに飽和し乃至１ｔ）い蒸気圧に
なるので、基板２０は実質的に損傷を受１ノない。
また、上）ホした特徴を右づる本願第１番１１の発明に
よる薄膜形成法に用いる第３図及び第４図に示されでい
る基板保持・加熱装置Ｕによれば、上述したところから
明らかなように、第１図及び第２図で前述した従来の基
板保持・加熱装置の欠点を伴なわないという、特徴を右
することは明らかである。
よる薄膜形成法に用いる第３図及び第４図に示されでい
る基板保持・加熱装置Ｕによれば、上述したところから
明らかなように、第１図及び第２図で前述した従来の基
板保持・加熱装置の欠点を伴なわないという、特徴を右
することは明らかである。
なお、上述に於いては、本願第１番［１の発明による薄
膜形成法、及びそれに用いる基板保持・加熱装置のそれ
ぞれについで一例を示したに留まり、本発明の精神を脱
することなしに、種々の変型、変更をなし得るであろう
。
膜形成法、及びそれに用いる基板保持・加熱装置のそれ
ぞれについで一例を示したに留まり、本発明の精神を脱
することなしに、種々の変型、変更をなし得るであろう
。
第１図及び第２図は、従来の薄膜形成法、及びそれに用
いる基板保持・加熱装置を示す路線的正面図及び断面図
である。 第３図及び第４図は、本願第１番目の発明による薄膜形
成法の一例、及びそれに用いる本願第２番目の発明によ
る基板保持・加熱装置の一例を示す路線的正面図及び断
面図ぐある。 Ｕ・・・・・・・・・・・・・・・基板保持・加熱装置
１・・・・・・・・・・・・・・・基板保持・加熱体２
・・・・・・・・・・・・・・・ケース状体３・・・・
・・・・・・・・・・・環部４・・・・・・・・・・・
・・・・端板部５・・・・・・・・・・・・・・・軸 ６・・・・・・・・・・・・・・・ヒータ８・・・・・
・・・・・・・・・・感熱素子 図１０・・・・・・・
・・・・・・・・基板保持用板 〜１２ °°°゛°°
°°゛取イ１用ピン 城１３・・・・・・・・・・・・
・・・Ｌ字状溝３０・・・・・・・・・・・・・・・基
板保持用板１０に設けた孔
いる基板保持・加熱装置を示す路線的正面図及び断面図
である。 第３図及び第４図は、本願第１番目の発明による薄膜形
成法の一例、及びそれに用いる本願第２番目の発明によ
る基板保持・加熱装置の一例を示す路線的正面図及び断
面図ぐある。 Ｕ・・・・・・・・・・・・・・・基板保持・加熱装置
１・・・・・・・・・・・・・・・基板保持・加熱体２
・・・・・・・・・・・・・・・ケース状体３・・・・
・・・・・・・・・・・環部４・・・・・・・・・・・
・・・・端板部５・・・・・・・・・・・・・・・軸 ６・・・・・・・・・・・・・・・ヒータ８・・・・・
・・・・・・・・・・感熱素子 図１０・・・・・・・
・・・・・・・・基板保持用板 〜１２ °°°゛°°
°°゛取イ１用ピン 城１３・・・・・・・・・・・・
・・・Ｌ字状溝３０・・・・・・・・・・・・・・・基
板保持用板１０に設けた孔
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、環部と、その一方の開放端を閉塞している端板部と
を右するケース状体と、該ケース状体に、イの上記端板
部の上記環部側とは反対側において、遊端が連結されて
、上記環部側とは反対側に延長し゛（いる軸と、上記ケ
ース状体内に配されたヒータとを右する基板保持・加熱
用体と、 上記基板保持・加熱用体１に、ぞの上記ケース状体の開
放端を閉塞Ｊるように着１１１２自在に取付４−Ｊられ
る、孔を右覆る基板保持用板と、上記基板保持用板上に
、薄膜の形成されるぺさ基板を、基板保持・加熱用体の
ケース状体を含んで、気密蛮が形成されるにうに、直接
的に保持さける保持具とを右する基板保持・加熱用装置
を用い、 １、、Ｗ：ｌト言曇１−．７０４」；ＩＩ＋１１；ｌ−
〕〕Ｊｎｌ−ａｈｎハｎ１ＴＩＪ＋４されるべき基板を
、上記保持具を用いて、上記基板保持・加熱用体のケー
ス状体を含んで気密室が形成されるように、直接的に取
付（）た状態で、上記ケース状体に、（の上記環部の開
放端を閉塞４るように取付（Ｊ、 真空チャンバー内において、上記基板保持・加熱用体の
ケース状体内に配されているヒータに通電させ−Ｃ１上
記基板を上記基板保持用板の孔を通じて直接的に加熱さ
ＩＩＣいる状態で、薄膜になる月１′３１を蒸発さぜる
ことににつＣ１上記基板上に薄膜を１１目６形成させる
ことを特徴とする薄膜形成法。 ２、環部と、その一方の開放端を閉塞している端板部と
を有するケース状体と、該ケース状体に、その上記端板
部の上記環部側どは反対側において、遊端が連結されて
、上記環部側とは反対側に延長している軸と、上記ケー
ス状体内に配されたヒータとを有づる基板保持・加熱用
体と、 １− ＊？ Ｍ ｉ保持・加熱）■体トに、その上記ケ
−ス状体の開放端を閉塞りるように着脱自在に取イ］け
られる、孔を右する基板保持用板と、上記基板保持用板
上に、薄膜の形成されるべき基板を、基板保持・加熱用
体のケース状体を含ｌυで、気密室が形成されるように
、直接的に保持さＵる保持具とを有することを特徴とり
る基板保持・加熱用装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59039973A JPS60184677A (ja) | 1984-03-01 | 1984-03-01 | 薄膜形成法及びそれに用いる基板保持・加熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59039973A JPS60184677A (ja) | 1984-03-01 | 1984-03-01 | 薄膜形成法及びそれに用いる基板保持・加熱装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60184677A true JPS60184677A (ja) | 1985-09-20 |
| JPH0338237B2 JPH0338237B2 (ja) | 1991-06-10 |
Family
ID=12567896
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59039973A Granted JPS60184677A (ja) | 1984-03-01 | 1984-03-01 | 薄膜形成法及びそれに用いる基板保持・加熱装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60184677A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0342688A3 (en) * | 1988-05-20 | 1991-04-17 | Tegal Corporation | Wafer clamp for plasma reactor |
| US5329097A (en) * | 1993-05-19 | 1994-07-12 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Compact substrate heater for use in an oxidizing atmosphere |
| DE102005056536A1 (de) * | 2005-11-28 | 2007-05-31 | Aixtron Ag | CVD-Reaktor mit widerstandsbeheiztem Suszeptor |
| CN105441882A (zh) * | 2015-11-20 | 2016-03-30 | 苏州赛森电子科技有限公司 | 溅射工艺中的批量硅片衬底处理装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101646080B1 (ko) * | 2014-08-19 | 2016-08-08 | 주식회사 텍코드 | 요관경 기구 |
-
1984
- 1984-03-01 JP JP59039973A patent/JPS60184677A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0342688A3 (en) * | 1988-05-20 | 1991-04-17 | Tegal Corporation | Wafer clamp for plasma reactor |
| US5329097A (en) * | 1993-05-19 | 1994-07-12 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Compact substrate heater for use in an oxidizing atmosphere |
| DE102005056536A1 (de) * | 2005-11-28 | 2007-05-31 | Aixtron Ag | CVD-Reaktor mit widerstandsbeheiztem Suszeptor |
| CN105441882A (zh) * | 2015-11-20 | 2016-03-30 | 苏州赛森电子科技有限公司 | 溅射工艺中的批量硅片衬底处理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0338237B2 (ja) | 1991-06-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4104099A (en) | Method and apparatus for lapping or polishing materials | |
| JPH0466096B2 (ja) | ||
| JPH0338237B2 (ja) | ||
| JP3386693B2 (ja) | ペリクルの製造方法 | |
| JPH06325996A (ja) | レティクルフレーム | |
| US1170506A (en) | Process for producing films or pellicles detachably secured to a paper backing or the like. | |
| JPS6260685B2 (ja) | ||
| JP3587090B2 (ja) | 電子ビーム描画用アパーチャ及びマスクホルダー並びにそれらを用いた電子ビーム露光マスク | |
| JPS5957791A (ja) | 熱転写インクシ−トの製造方法 | |
| JPS63123645A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| GB349933A (en) | Improvements in and relating to photomechanical printing surfaces | |
| JPS60240119A (ja) | 分子線結晶成長法 | |
| JPH11340191A (ja) | シリコン基板のウエットエッチング装置 | |
| JPH0510351Y2 (ja) | ||
| JPH0350714A (ja) | 薄膜の製造法及びｘ線マスクの製造法 | |
| JPH06222551A (ja) | 離型性成膜用基板およびペリクル膜の製造方法 | |
| JPH0529206A (ja) | レジスト塗布装置 | |
| JPH02212737A (ja) | 薄片試料接着方法 | |
| JPS5831414Y2 (ja) | テ−プ伸長装置 | |
| JPS58132458A (ja) | 硬脆材料基板の平面研磨方法及び研磨装置 | |
| JPS6211946Y2 (ja) | ||
| JPH0215520B2 (ja) | ||
| US92836A (en) | Improvement in the manufacture op photographic pictures | |
| JPS6212118A (ja) | 分子線エピタキシ装置 | |
| JPH0448263U (ja) |