JPH0510351Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0510351Y2 JPH0510351Y2 JP1982030660U JP3066082U JPH0510351Y2 JP H0510351 Y2 JPH0510351 Y2 JP H0510351Y2 JP 1982030660 U JP1982030660 U JP 1982030660U JP 3066082 U JP3066082 U JP 3066082U JP H0510351 Y2 JPH0510351 Y2 JP H0510351Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vapor phase
- reaction tube
- tube
- region
- notch
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Description
【考案の詳細な説明】
(a) 考案の技術分野
本考案は化合物半導体の気相成長装置、特に結
晶成長時に、反応管内壁に付着する固形物を防止
する構造をもつた化合物半導体の気相成長装置に
関する。
晶成長時に、反応管内壁に付着する固形物を防止
する構造をもつた化合物半導体の気相成長装置に
関する。
(b) 技術の背景
化合物半導体装置を製造する際に、気相成長法
は基本技術の一つであつて、均質なるエピタキシ
ヤル結晶層を再現性よく得ることが大切で、その
ためには気相成長装置の反応管内を、常に固形物
等のない清浄な状態に保つことが重要である。
は基本技術の一つであつて、均質なるエピタキシ
ヤル結晶層を再現性よく得ることが大切で、その
ためには気相成長装置の反応管内を、常に固形物
等のない清浄な状態に保つことが重要である。
(c) 従来技術と問題点
第１図に従来の気相成長装置の要部断面図を示
しているが、図において石英製の反応管１は片端
キヤツプ（図示していない）を取着するためのす
り合せ部を有する開口式である。
しているが、図において石英製の反応管１は片端
キヤツプ（図示していない）を取着するためのす
り合せ部を有する開口式である。
反応管１の結晶成長領域Ａには、あらかじめ気
相成長時に直接反応管１内壁に付着する固形物２
を防止するために円筒形の石英製ライナ管３を挿
着している。又前記ライナ管３と所定間隔を隔て
て、反応管１のソース領域Ｂ内にソースチヤンバ
４が配設され、その間にドーピングライン５の流
入口が介在している。上記のような気相成長装置
を使用してソースチヤンバ内の加熱された原材料
の蒸気と送入されたドーピングガスが熱分解し、
ライナ管３内に設置された化合物半導体基板（図
示していない）上にエピタキシヤル層として成長
する。同時にライナ管３内壁にも固形物２が付着
するが、気相成長作業完了毎に反応管１内よりラ
イナ管３を取り出して、ライナ管３内壁に付着し
た固形物２を強酸等のエツチング液にて溶解除去
し洗浄乾燥して保管し、次回気相成長時に使用す
る。
相成長時に直接反応管１内壁に付着する固形物２
を防止するために円筒形の石英製ライナ管３を挿
着している。又前記ライナ管３と所定間隔を隔て
て、反応管１のソース領域Ｂ内にソースチヤンバ
４が配設され、その間にドーピングライン５の流
入口が介在している。上記のような気相成長装置
を使用してソースチヤンバ内の加熱された原材料
の蒸気と送入されたドーピングガスが熱分解し、
ライナ管３内に設置された化合物半導体基板（図
示していない）上にエピタキシヤル層として成長
する。同時にライナ管３内壁にも固形物２が付着
するが、気相成長作業完了毎に反応管１内よりラ
イナ管３を取り出して、ライナ管３内壁に付着し
た固形物２を強酸等のエツチング液にて溶解除去
し洗浄乾燥して保管し、次回気相成長時に使用す
る。
しかしながら、気相成長の回数の増加と共に、
ライナ管３奥端とソースチヤンバの間の反応管１
内壁に直接固形物２′が溜り固形物２′が反応ガス
に作用して、成長層厚みの再現性、キヤリア濃度
の再現に多大の影響を及ぼし、均質なエピタキシ
ヤル層を得られない欠点があつた。
ライナ管３奥端とソースチヤンバの間の反応管１
内壁に直接固形物２′が溜り固形物２′が反応ガス
に作用して、成長層厚みの再現性、キヤリア濃度
の再現に多大の影響を及ぼし、均質なエピタキシ
ヤル層を得られない欠点があつた。
(d) 考案の目的
本考案は上記従来の欠点を解消するため、反応
管内壁に付着する固形物を防止する構造をもつた
気相成長装置を提供することを目的とする。
管内壁に付着する固形物を防止する構造をもつた
気相成長装置を提供することを目的とする。
(e) 考案の構成
上記目的は本考案により結晶成長領域とソース
領域とを有する円筒形状の反応管の結晶成長領域
に配置されるライナ管の奥端部周辺の一部に切り
込み部を有し、該切り込み部にはドーピングライ
ンの先端部が嵌め込まれ、また切り込み部側端面
にはソースチヤンバの端面が接するようにドーピ
ングライン及びソースチヤンバが並列に反応管の
ソース領域に配置されてなることを特徴とする化
合物半導体の気相成長装置で達成される。
領域とを有する円筒形状の反応管の結晶成長領域
に配置されるライナ管の奥端部周辺の一部に切り
込み部を有し、該切り込み部にはドーピングライ
ンの先端部が嵌め込まれ、また切り込み部側端面
にはソースチヤンバの端面が接するようにドーピ
ングライン及びソースチヤンバが並列に反応管の
ソース領域に配置されてなることを特徴とする化
合物半導体の気相成長装置で達成される。
(f) 考案の実施例
第２図は本考案を適用した化合物半導体の気相
成長装置の一実施例を示す要部断面図であつて、
１１は反応管、１２は固形物、１３はライナ管、
１４はソースチヤンバ、１５はドーピングライン
を夫々示すが、ライナ管１３は第１図に示す従来
の装置と異なり、ソースチヤンバ１４に当接する
構造になつている。第３図は第２図に示すライナ
管１３の斜視図で図に示すごとくライナ管１３の
奥端にドーピングライン１５に対応する切り込み
部を設けている。このような構造にするとライナ
管１３は反応管１１の成長領域Ａのみならずドー
ピングライン１５の一部を嵌め込みソース領域Ｂ
内のソースチヤンバ１４に当接することができ、
第１図におけるライナ管３とソースチヤンバ４と
の間の反応管１の内壁に付着した固形物２′はす
べてライナ管１３の内壁に付着し、反応管１１の
内壁への付着を防止することが可能となる。従つ
て気相成長作業毎にライナ管１３を清浄にして使
用すれば反応管１１内壁が常に固形物１２等のな
い清浄な状態に保つことができる。
成長装置の一実施例を示す要部断面図であつて、
１１は反応管、１２は固形物、１３はライナ管、
１４はソースチヤンバ、１５はドーピングライン
を夫々示すが、ライナ管１３は第１図に示す従来
の装置と異なり、ソースチヤンバ１４に当接する
構造になつている。第３図は第２図に示すライナ
管１３の斜視図で図に示すごとくライナ管１３の
奥端にドーピングライン１５に対応する切り込み
部を設けている。このような構造にするとライナ
管１３は反応管１１の成長領域Ａのみならずドー
ピングライン１５の一部を嵌め込みソース領域Ｂ
内のソースチヤンバ１４に当接することができ、
第１図におけるライナ管３とソースチヤンバ４と
の間の反応管１の内壁に付着した固形物２′はす
べてライナ管１３の内壁に付着し、反応管１１の
内壁への付着を防止することが可能となる。従つ
て気相成長作業毎にライナ管１３を清浄にして使
用すれば反応管１１内壁が常に固形物１２等のな
い清浄な状態に保つことができる。
第４図は本考案の一実施例としてインジウムリ
ン（InP）の基板上にエピタキシヤル層を成長さ
せた場合の成長回数と成長速度の関係を表わす図
であつて、ａは第１図に示した従来の気相成長装
置によつて得られた値であり、ｂは第２図に示し
た本考案による気相成長装置で測定された結果で
ある。図から明らかなように本考案の気相成長装
置を使用することにより、大きな成長速度が得ら
れ、かつ反応の安定化により変動の少ない一定し
た成長速度が得られる。又不純物濃度の変動につ
いても同様の効果を確認できた。
ン（InP）の基板上にエピタキシヤル層を成長さ
せた場合の成長回数と成長速度の関係を表わす図
であつて、ａは第１図に示した従来の気相成長装
置によつて得られた値であり、ｂは第２図に示し
た本考案による気相成長装置で測定された結果で
ある。図から明らかなように本考案の気相成長装
置を使用することにより、大きな成長速度が得ら
れ、かつ反応の安定化により変動の少ない一定し
た成長速度が得られる。又不純物濃度の変動につ
いても同様の効果を確認できた。
(g) 考案の効果
上述のごときこの考案によれば、反応管内壁に
付着する固形物を防止し、反応ガスへの影響をな
くして、成長速度ならびに不純物濃度の安定化に
より均質なエピタキシヤル層を成長させることが
でき、品質向上は勿論コストダウンにも役立つす
ぐれたものである。
付着する固形物を防止し、反応ガスへの影響をな
くして、成長速度ならびに不純物濃度の安定化に
より均質なエピタキシヤル層を成長させることが
でき、品質向上は勿論コストダウンにも役立つす
ぐれたものである。
第１図は従来の気相成長装置の要部断面図、第
２図は本考案を適用した気相成長装置の一実施例
を示す要部断面図、第３図はライナ管１３の斜視
図、第４図は従来の装置ならびに本考案による成
長装置で得られた成長回数と成長速度との関係を
示す図である。 １，１１……反応管、２，２′，１２……固形
物、３，１３……ライナ管、４，１４……ソース
チヤンバ、５，１５……ドーピングライン、Ａ…
…結晶成長領域、Ｂ……ソース領域。
２図は本考案を適用した気相成長装置の一実施例
を示す要部断面図、第３図はライナ管１３の斜視
図、第４図は従来の装置ならびに本考案による成
長装置で得られた成長回数と成長速度との関係を
示す図である。 １，１１……反応管、２，２′，１２……固形
物、３，１３……ライナ管、４，１４……ソース
チヤンバ、５，１５……ドーピングライン、Ａ…
…結晶成長領域、Ｂ……ソース領域。
Claims (1)
- 結晶成長領域とソース領域とを有する円筒形状
の反応管の結晶成長領域に配置されるライナ管の
奥端部周辺の一部に切り込み部を有し、該切り込
み部にはドーピングラインの先端部が嵌め込ま
れ、また切り込み部側端面にはソースチヤンバの
端面が接するようにドーピングライン及びソース
チヤンバが並列に反応管のソース領域に配置され
てなることを特徴とする化合物半導体の気相成長
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3066082U JPS58133932U (ja) | 1982-03-04 | 1982-03-04 | 化合物半導体の気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3066082U JPS58133932U (ja) | 1982-03-04 | 1982-03-04 | 化合物半導体の気相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58133932U JPS58133932U (ja) | 1983-09-09 |
| JPH0510351Y2 true JPH0510351Y2 (ja) | 1993-03-15 |
Family
ID=30042362
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3066082U Granted JPS58133932U (ja) | 1982-03-04 | 1982-03-04 | 化合物半導体の気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58133932U (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS544066A (en) * | 1977-06-13 | 1979-01-12 | Hitachi Ltd | Growing method of silicon crystal under low pressure |
| JPS5698823A (en) * | 1980-01-09 | 1981-08-08 | Nec Corp | Method of vapor growth of semiconductor of 3-5 group compound |
-
1982
- 1982-03-04 JP JP3066082U patent/JPS58133932U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58133932U (ja) | 1983-09-09 |
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