JPH05503191A - 導電性ポリマー及び絶縁体を使用したフリツプチツプ技術 - Google Patents

導電性ポリマー及び絶縁体を使用したフリツプチツプ技術

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 導電性ポリマー及び絶縁体を使用したフリップチップ技術背景技術 集積回路は、通信用及び軍用技術へのほとんど万能的な用途を何年間も持ってき た。関心のある重要なことは、超小形電子回路ウェーファー及び自動装置による 回路接続方法の開発であった。超小形電子回路技術の応用についての主な限定は 、費用効率及び小寸法のチップのだめのチップ上の集積回路の相互接続の信頼性 であった。チップは、各回路内に何百もの接続を作ることをしばしば必要とする 。
回路の相互接続の一方法は、フリップチップボンディングと呼ばれる。
フリップチップ上のボンドパッドはチップの周辺には限定されずかつ通常は基板 に向かい合ったチップの一方の面に置かれるため、フリップチップボンディング は信号経路をより短縮でき、従って、テープボンディング（ＴＡＢ）又は通常の ワイヤーボンディングのようなその他の方法でできるより迅速な回路間の連絡が できる。フリップチップボンディングの一方法においては、チップ又はダイは、 所望の集積回路、並びにこの回路を別の印刷回路ボード又は基板のような回路ボ ード上の別のチップ回路に接続するに要する接続配線を有して形成される。相互 接続点にボンドパッドが置かれる。フリップチップのボンドパッド上に数層の金 属層をめっきすることによりバンブが形成される。堆積に続いて、金属をリフロ ーさせるようにチップが加熱され、堆積物の表面張力のため半球状の半田の「バ ンブ」が形成される。次に、フリップチップを一部分とするウェーファーからフ リップチップが切断され、かつ基板のボンドパッドと揃うように「フリップ」さ れる。次いで、これらのバンブは基板のボンドパッドと接触させられ均一に加熱 され、フリップチップ及び基板の揃えられたボンドパッド間の接続を同時に形成 する。
フリップチップ及び基板のボンドパッドを接続するための金属の使用には、チタ ニウム（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）又は窒化シリコン（Ｓｉ３ｈＬ）のような 金属障壁の使用により作られるフリップチップの不活性化が要求される。不活性 化（又は障壁）物質としての金属、及び基板材としてのセラミックの両者は、フ リップチップと基板との間を、どちらにも結果として生ずる損傷を与えることな しに接続するために、半田バンプのリフローができるに十分な加熱ができること が一般に必要である。
バンブの作られたフリップチップを使用した回路の製作は、フリップチップと基 板との間の接続を目視検査できないことによっても制限される。更に、仕上げら れ取り付けられた回路の生産は、フリップチップ、不活性層、半田バンブ及び基 板を含んだ種々の材料の熱膨張係数間の相異ににより生ずる接続失敗により不利 益な影響をうけることがある。また、半田バンブの溶融は望ましくない副産物と して導電性フラックスを生じ、一般にこれは仕上げられた回路が適正に作動でき るように基板とフリップチップとの間から除去しなければならない。
製作中の熱応力の問題は、熱的な膨張と収縮とにより生ずる内部応力によるフリ ップチップ、基板及び接続部への損傷を最小にするために、バンブの作られたフ リップチップへの急速な加熱及び半田接合部からの熱の急速な伝導によるような 種々の方法で処理されてきた。しかし、この方法は費用が非常に多（かかる。
従って、迅速で費用効果がよくかつ信頼性があり、従ってその他の形式の超小形 電子回路ウェーファー上のフリップチップの利点をより完全に利用しうる基板へ のフリップチップの接続方法に対する要求が存在する。また、めっき工程を実施 する必要性をな（す基板への簡単化されたフリップチップの接続方法についての 要求もある。更に、不活性化と基板選択の融通性を増しうる方法もまた望ましい 。これらの改良は、費用効率を向上させかつ超小形電子回路に適した応用を広げ る。
発明の開示 本発明は、バンブ付きフリップチップの技術、及びバンブ付きフリップチップの ボンドパッドを基板のボンドパッドに接続するための方法に関する。本発明によ り、有機保護層が、暴露されたフリップチップのボンドバンドを残してフリップ チップの表面上に選択的に形成される。有機保護層より先に延びる「バンブ」を 形成するようにフリップチップのボンドパッドに導電性で重合可能な前駆物質が 置かれる。あるいは、−緒にバンブを形成している２個の層に、各ボンドパッド において導電性の重合可能な前駆物質を形成することができる。この２層は、バ ンブと基板のボンドパッドとの接続より前に、導電性バンプを形成するようにこ れを重合させることができる。次いで、実質的に重合されたバンブと基板との間 を「ウェット」状態、又は電気的接続の状態とするために、接着剤が基板のボン ドパッドに塗布される。これにより、フリップチップのボンドパッドと基板のボ ンドパッドとの間に選択的な導電性ポリマーが選択的に形成される。あるいは、 フリップチップのボンドパッドを基板のボンドパッドに接続した後でバンブを重 合させることができる。
フリップチップのボンドパッドにおける導電性の重合可能な前駆物質の形成によ り、フリップチップのボンドパッドと基板のボンドパッドとの間の電気接続が得 られる。バンブの重合は、半田のりフローに要求されるよりも低温の中間的な熱 条件下で達成できる。従って、急速加熱により、かつフリップチップ、不活性層 、バンブ及び基板における構成材料の熱膨張係数の大きな不一致により生ずる信 頼性の問題を相当に減少させることができる。更に、重合条件は半田バンブのリ フローに必要な条件よりも厳しくはないので、フリップチップの金属不活性化の 必要が無くされかつ広範囲の基板形式が可能となる。また、半田バンブの堆積の ための複雑かつ時間のかかる蒸着及び電気めっき技術が無（される。
更に、ポリマー接続はフラックス無しであり、従ってフリップチップと基板との 間の導電性フラックスの除去に伴う困難な問題を無くす。有機保護層はまた低い 比誘電率（ｌｏｗ　ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ　ｃｏｎｓｔａｎｔ）を持ち、コノた め不活性層として作用し、フリップチップを基板に極めて接近させることを可能 とし、従って完成した回路における回路経路を短くする。
本発明の上述の特徴及びその他の詳細は、本発明の諸段階又は本発明の部分の組 み合わせとして、付属図面を参照してより詳細に説明され、請求範囲に説明され るであろう。本発明の特別の実施例は説明の方途として示され本発明を限定する ものではないことが理解されよう。本発明の原理は本発明の範囲より離れること なく種々の実施例に使用すること図１は、フリップチップの面の上の有機保護層 の選択形成後の本発明の一実施例の平面図である。
図２は線１−４に沿って得られた図１の実施例の断面図である。
図３は、上に有機保護層が形成された窒化シリコン又は酸化物の層のある不活性 化されたフリップチップの断面図である。
図４は、フリップチップのボンドパッド上の導電性で重合可能な前駆物質の第１ 層の形成後の図１の実施例の断面図である。
図５はバンブを形成するための第１層上の導電性で重合可能な前駆物質の第２層 の形成後の図１の実施例の断面図である。
図６は本発明を使用するに適切な基板の平面図である。
図７は、図１の実施例、及びフリップチップのバンブと基板のボンドパッドとを 揃えた後の図６の線ＶＩ−Ｖｌに沿つて得られた基板の断面図である。
図８は、基板のボンドパッドへのフリップチップのバンブの接触後の図１の実施 例の断面図である。
図９は本発明の第３の実施例の断面図であり、これにおいては、バンブは導電性 ポリマーを形成するように重合され、また基板のボンドパッドへのフリップチッ プのバンブの接触以前に基板のボンドパッドに導電性接着剤か塗布されている。
図１０は、基板のボンドパッドへのバンブの接触及びフリップチップのボンドパ ッドと基板のボンドパッドとの間の電気接続を形成するための接着剤の重合の後 の図９の実施例の断面図である。
発明を実施するための最良の形態 図１に示された本発明の一実施例においては、フリップチップ１０の簡略化され た図が示される。これはフリップチップのダイ１１の上側平面１６上のボンドパ ッド１２．１４よりなる。ダイ１１は、シリコン、ガリウム砒素、ゲルマニウム 又はその他の通常の半導体材料で形成される。図２に見られるように、有機保護 層１８がスクリーン印刷、ステンシル、スピンエツチングにより、あるいはその 他のモノマー又はポリマー塗布方法により、（ボンドパッドに接続された）回路 １５及びフリップチップ１０の表面１６上に形成される。あるいは、図３に示さ れるように、フリップチップ１０は、有機保護層１８の形成以前に窒化シリコン 層又は酸化物層１９により、これを不活性化することもできる。有機保護層は、 好ましくは誘電性ポリマーである。本発明における応用に適切な有機材料の一例 はエポキシテクノロジー・インク（Ｅｐｏｘｙ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ、Ｉｎｃ 、）製造のＥｐｏ−Ｔｅｋ（商品名）ポリイミドである。ボンドパッド１２．１ ４は有機保護層１８の堆積中は被覆され、次いで図２に示されるように次の堆積 工程を受ける。有機保護層１８は、図４に示されるボンドパッド１２．１４上の 層２０．２２の形成より前に、加熱により、又はその他の通常の手段により重合 されることが好ましい。有機保護層１８は不活性化され、これによりフリップチ ップ１０の下層１６を絶縁し保護する。
図４に示されるように、導電性で重合可能な前駆物質の第１の層２０．２２がボ ンドパッド１２．１４上に選択的に形成される。ここに使用される用語、導電性 で重合可能な前駆物質は、重合の際、又は更なる重合の際に導電性であり、ある いは導電性物質を支持しうる熱硬化性ポリマー、Ｂステージポリマー、熱可塑性 ポリマー、又は適宜のモノマー又はポリマーを含むことができる。導電性の重合 可能な前駆物質は金、銀、又はその他の導電性物質を含有することができる。有 機保護層１８は、フリップチップ１０上のモノマーの第１の層２０．２２の堆積 の領域を定めるテンプレートとして作用する。本発明の好ましい実施例において は、重合されない有機保護層は、表面１６上にパターンを保持する高度の界面活 性を持つ。これにより、フリップチップ１０は、これに続くボンドパッド１２． １４上への導電性の重合可能な前駆物質の堆積中における取り扱いをより便利に することができる。第１の層２０．２２はポリイミド層１８と実質的に同一面で ある。図５に示されるように、第１の層２０．２２の形成に使用されるような導 電性の重合可能な前駆物質の第２の層２４．２６が第１の層２０．２２の上に形 成される。第１の層２０．２２及び第２の層２４．２６がフリップチップ１０上 のバンブ２８．３０を形成する。図６に示されるように、基板３６上の回路３３ がボンドパッド３２．３４と接続される。図７に見られるように、基板３６上の ボンドパッド３２．３４の既知の位置に揃えられた位置にフリップチップ１０上 のバンブ２８．３０が置かれる。次いで、図８に示されるように、ボンドパッド ３２．３４がバンブ２８．３０と接触させられる。次に、加熱、又はその他の公 知方法によりバンブ２８．３０が重合され、フリップチップのボンドパッド１２ ．１４と基板のボンドパッド３２．３４との間の電気接続が形成される。本発明 による使用に適した基板は、セラミック、シリコン、ポーセレン、通常の印刷回 路ボード材、又は電気回路に適したその他の通常の基板のような素材を含む。
導電性の重合可能な前駆物質が熱硬化性である場合は、第１の層２０．２２は第 ２の層２４．２６の形成以前にこれを重合させることができる。
第２の層２４．２６は基板のボンドパッド３２．３４と接触するより前に、これ を半球状の形にすることができる。第１の層２０．２２及び第２の層２４．２６ がバンブ２８．３０を形成し、重合より前に基板のボンドパッド３２．３４と接 触させることができる。続いて、バンブ２８．３０が重合され、フリップチップ のボンドパッド１２．１４と基板のボンドパッド３２．３４との間の電気接続を 形成する。あるいは、第１の層２０．２２は、第２の層２４．２６の堆積以前に これを重合させることができる。
図９に示されたような本発明の別の実施例においては、基板のボンドパッド３２ ．３４との接触以前に重合される導電性の重合可能な前駆物質でバンブ２８．３ ０を形成することができる。図９に示されるように、バンブ２８．３０が基板の ボンドパッド３２．３４と接触させられるより前に、接着剤層３８．４０が基板 のボンドパッド３２．２４上に形成される。使用しつる接着剤の例は、熱硬化性 、熱可塑性及びポリマーの厚膜を含む。接着剤層３８．４０は、スクリーン印刷 、ステンシルにより、又はその他の通常の方法により、基板のボンドパッド３２ ．３４上に形成される。図１１に示されるように、バンブ２８．３０が接着剤層 ３８．４０と接触させられ、更に加熱により、又はその他の通常の手段により導 電性接着剤が重合され、フリップチップ１０のボンドパッド１２．１４と基板３ ６のボンドパッド３２．３４との間の電気接続を形成する。
バンブ２８．３０の第１の層２０．２２及び第２の層２４．２６の形成に使用さ れる導電性の重合可能な前駆物質（ｐｒｅｃｕｒｓｏｒ）は、Ｂステージポリマ ーとすることができる。適切なりステージポリマーの例は、熱硬化性及び熱可塑 性プラスチックを含む。バンブ２８．３０が基板のボンドパッド３２．３４に接 触させられる前に、バンブ２８．３０を構成する導電性の重合可能な前駆物質か らＢステージポリマー内の溶剤を実質的に蒸発させることができる。Ｂステージ ポリマー内の溶剤の蒸発により、バンブ２８．３０は、フリップチップがバンブ ２８．３０を基板３６に接触するように操作される間、実質的に強固な形状を保 持する。
Ｂステージポリマーは、フリップチップのボンドパッド１２．１４と基板のボン ドパッド３２．３４との間の電気接続を形成するように、これを実質的に重合さ せることができる。
好ましい実施例においては、フリップチップ１１は、アメリカン・オプティカル ・コーポレーションのリサーチ・デバイス・デビイジョンにより製造のモデルＭ −８のようなフリップチップアライナ−ボンダーにより基板３６上に整列される 。
相当事項 好ましい実施例がここに特に説明され図解されたが、本発明の精神及び範囲より 離れることなく、以下の請求範囲内において、上述の教示に照らし、本発明の多 くの変更及び変化が可能であることが認識されよう。
例えば、フリップチップが１個の回路と２個のボンドパッドとだけしかない基板 上の単一のフリップチップについて説明されたが、この理念は、各が多数の回路 とボンドパッドのある多数のチップを含むように容易に拡張しうろことを理解す べきである。
補正書の写しく翻訳文）提出書　（特許法第１８４条の８）平成４年６月１７０

Claims (25)

    【特許請求の範囲】
  1. １．フリップチップのボンドパッドと基板のボンドパッドとの間の導電性相互接 続を形成する方法にして、 ａ）露出されるボンドパッドを残して、フリップチップのボンドパッドの置かれ る表面上に有機保護層を選択的に形成し；ｂ）バンプを作るためにフリップチッ プのボンドパッド上に保護層より先に延びる高さに導電性の重合可能な前駆物質 を形成し；ｃ）バンプを基板のボンドパッドに接触し；更にｄ）この接触の間に 、フリップチップのボンドパッドと基板のボンドパッドとの間の導電性相互接続 を形成するようにバンプを重合する諸段階を含んだ方法。
  2. ２．有機保護層が絶縁ポリマーであり、かつ導電性の重合可能な前駆物質がフリ ップチップのボンドパッド上にスクリーン印刷される請求事項１の方法。
  3. ３．保護層が絶縁ポリマーで形成され、更に導電性の重合可能な前駆物質がフリ ップチップのボンドパッド上にステンシル塗布される請求事項１の方法。
  4. ４．バンプが基板のボンドパッドに接触する以前に、導電性の重合可能な前駆物 質が導電性バンプを形成するように重合される請求事項１の方法。
  5. ５．有機保護塗膜がフリップチップ上の導電性の重合可能な前駆物質を形成する 領域を定める請求事項１の方法。
  6. ６．フリップチップのボンドパッドと基板のボンドパッドとの間の導電性相互接 続を形成する方法にして、 ａ）露出されるボンドパッドを残して、フリップチップのボンドパッドの置かれ る表面上に有機保護層を選択的に形成し；ｂ）フリップチップのボンドパッド上 に導電性の重合可能な前駆物質の第１の層を形成し； ｃ）第１の層の上に導電性の重合可能な前駆物質の第２の層を形成し、第２の層 と第１の層とが一緒にバンプを形成し；ｄ）バンプを基板のボンドパッドに接触 し；更にｅ）この接触の間に、フリップチップのボンドパッドと基板のボンドパ ッドとの間の導電性の相互接続を形成するようにバンプを重合する諸段階を含ん だ方法。
  7. ７．有機保護層が絶縁ポリマーである請求事項６の方法。
  8. ８．第２の層が第１の層の上にスクリーン印刷される請求事項７の方法。
  9. ９．第２の層が第１の層の上にステンシル塗布される請求事項７の方法。
  10. １０．バンプが基板のボンドパッドに接触する以前に、導電性の重合可能な前駆 物質が導電性バンプを形成するように重合される請求事項１の方法。
  11. １１．フリップチップのボンドパッドと基板のボンドパッドとの間の導電性相互 接続を許すように、基板のボンドパッド上に導電性接着剤を形成する段階を更に 含んだ請求事項１０の方法。
  12. １２．導電性接着剤が基板のボンドパッド上にステンシル塗布された請求事項１ １の方法。
  13. １３．フリップチップのボンドパッドと基板のボンドパッドとの間の導電性相互 接続を形成するように、基板のボンドパッド上に接着剤を堆積させる段階を更に 含んだ請求事項１１の方法。
  14. １４．有機保護塗膜が、フリップチップ上の導電性の重合可能な前駆物質を形成 する領域を定める請求事項６の方法。
  15. １５．フリップチップのボンドパッドと基板のボンドパッドとの間の導電性相互 接続を形成する方法にして、 ａ）露出されるボンドパッドを残して、フリップチップのボンドパッドの置かれ る表面上に有機保護層を選択的に形成し；ｂ）フリップチップのボンドパッド上 に導電性の重合可能な前駆物質の第１の層を形成し； ｃ）第１の層を乾燥し； ｄ）有機保護層より先に延びる高さに第１の層の上に率電性の重合可能な前駆物 質の第２の層を形成し； ｅ）フリップチップ上のバンプを形成するように第２の層を乾燥し；ｆ）バンプ を基板のボンドパッドに接触し；更にｇ）この接触の間に、フリップチップのボ ンドパッドと基板のボンドパッドとの間の導電性相互接続を形成するようにバン プを重合する諸段階を含んだ方法。
  16. １６．フリップチップのボンドパッドと基板のボンドパッドとの間の導電性相互 接続を形成する方法にして、 ａ）露出されるボンドパッドを残して、フリップチップのボンドパッドの置かれ る表面上に有機保護層を選択的に形成し；ｂ）フリップチップのボンドパッド上 に導電性の重合可能な前駆物質の第１の層を形成し； ｃ）導電性ポリマーを形成するように第１の層を重合し；ｄ）第１の層の上に有 機保護層より先に延びる高さに導電性の重合可能な前駆物質の第２の層を形成し ； ｅ）フリップチップのボンドパッド上に導電性バンプを形成するように第２の層 を重合し； ｆ）基板のボンドパッドに導電性接着剤を塗布し；更にｇ）フリップチップのボ ンドパッドと基板のボンドパッドとの間の導電性相互接続を形成するように接着 剤を導電性バンプに接触する諸段階を含んだ方法。
  17. １７．導電性接着剤が基板のボンドパッド及びフリップチップのボンドパッドに 接触している間に導電性接着剤を重合させる段階を更に含んだ請求事項１６の方 法。
  18. １８．ａ）露出されるボンドパッドを残して、フリップチップのボンドパッドの 置かれる表面上に有機保護層を選択的に形成し；ｂ）フリップチップのボンドパ ッド上に導電性の重合可能な前駆物質の第１の層を形成し； ｃ）第１の層を乾燥し； ｄ）保護層より先に延びる高さに第１の層の上に導電性の重合可能な前駆物質の 第２の層を形成し； ｅ）フリップチップ上のバンプを形成するように第２の層を乾燥し；ｆ）バンプ を基板のボンドパッドに接触し；更にｇ）この接触の間に、フリップチップのボ ンドパッドと基板のボンドパッドとの間の導電性の相互接続を形成するようにバ ンプを重合する諸段階を含んだフリップチップのボンドパッドと基板のボンドパ ッドとを電気的に相互接続する方法により形成された物品。
  19. １９．第１及び第２の層の導電性バンプがＢステージポリマーである請求事項１ ８の方法により形成された物品。
  20. ２０．第１及び第２の層の導電性バンプが熱可塑性ポリマーである請求事項１８ の方法により形成された物品。
  21. ２１．ａ）露出されるボンドパッドを残して、フリップチップのボンドパッドの 置かれる表面上に有機保護層を選択的に形成し；ｂ）フリップチップのボンドパ ッド上に導電性の重合可能な前駆物質の第１の層を形成し； ｃ）導電性ポリマーを形成するように第１の層を重合し；ｄ）有機保護層より先 に延びる高さに第１の層の上に導電性の重合可能な前駆物質の第２の層を形成し ； ｅ）導電性ポリマーを形成するように第２の層を重合し、第１の層及び第２の層 はこれによりフリップチップのボンドパッド上の導電性バンプを形成し； ｆ）基板のボンドパッドに電気的接着剤を塗布し；ｇ）基板のボンドパッドにお ける導電性接着剤を導電性バンプに接触し；更に ｈ）この接触の間に、フリップチップのボンドパッドと基板のボンドパッドとの 間に導電性相互接続を形成するように導電性バンプを重合する諸段階を含んだフ リップチップのボンドパッドと基板のボンドパッドとを電気的に相互接続する方 法により形成された物品。
  22. ２２．第１及び第２の層の導電性ポリマーが熱硬化性のもので形成される請求事 項２１の方法により形成された物品。
  23. ２３．ａ）露出されるボンドパッドを残して、フリップチップのボンドパッドの 置かれる表面上に有機保護層を選択的に形成し；ｂ）バンプを作るためにフリッ プチップのボンドパッド上に保護層より先に延びる高さに導電性の重合可能な前 駆物質を形成し；ｃ）バンプを基板のボンドパッドに接触し；更にｄ）この接触 の間に、フリップチップのボンドパッドと基板のボンドパッドとの間の導電性相 互接続を形成するようにバンプを重合する諸段階を含んだフリップチップのボン ドパッドと基板のボンドパッドとの間の導電性相互接続を形成する方法により形 成された物品。
  24. ２４．ａ）フリップチップ； ｂ）フリップチップ表面上の有機保護被覆；及びｃ）導電性ポリマーのバンプ を備えバンプの形成されたフリップチップ。
  25. ２５．ａ）ボンドパッドを有する基板；ｂ）有機保護被覆及びボンドパッドを有 するフリップチップ；ｃ）基板のボンドパッドとフリップチップのボンドパッド との間を相互接続する導電性ポリマー を備えた電気回路。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6696317B1 (en) 1999-11-04 2004-02-24 Nec Electronics Corporation Method of manufacturing a flip-chip semiconductor device with a stress-absorbing layer made of thermosetting resin

Families Citing this family (273)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5611140A (en) * 1989-12-18 1997-03-18 Epoxy Technology, Inc. Method of forming electrically conductive polymer interconnects on electrical substrates
US5074947A (en) * 1989-12-18 1991-12-24 Epoxy Technology, Inc. Flip chip technology using electrically conductive polymers and dielectrics
CA2034700A1 (en) * 1990-01-23 1991-07-24 Masanori Nishiguchi Substrate for packaging a semiconductor device
US5086558A (en) * 1990-09-13 1992-02-11 International Business Machines Corporation Direct attachment of semiconductor chips to a substrate with a substrate with a thermoplastic interposer
CA2074648C (en) * 1991-07-26 1999-02-23 Hisashi Ishida Polyimide multilayer wiring substrate and method for manufacturing the same
US5524338A (en) * 1991-10-22 1996-06-11 Pi Medical Corporation Method of making implantable microelectrode
US5318651A (en) * 1991-11-27 1994-06-07 Nec Corporation Method of bonding circuit boards
DE4242408C2 (de) * 1991-12-11 1998-02-26 Mitsubishi Electric Corp Verfahren zum Verbinden eines Schaltkreissubstrates mit einem Halbleiterteil
US5290423A (en) * 1992-04-27 1994-03-01 Hughes Aircraft Company Electrochemical interconnection
US5255431A (en) * 1992-06-26 1993-10-26 General Electric Company Method of using frozen epoxy for placing pin-mounted components in a circuit module
US6077725A (en) * 1992-09-03 2000-06-20 Lucent Technologies Inc Method for assembling multichip modules
US6274391B1 (en) * 1992-10-26 2001-08-14 Texas Instruments Incorporated HDI land grid array packaged device having electrical and optical interconnects
JP3007497B2 (ja) * 1992-11-11 2000-02-07 三菱電機株式会社 半導体集積回路装置、その製造方法、及びその実装方法
US5612512A (en) * 1992-11-11 1997-03-18 Murata Manufacturing Co., Ltd. High frequency electronic component having base substrate formed of bismaleimide-triazine resin and resistant film formed on base substrate
US5334804A (en) * 1992-11-17 1994-08-02 Fujitsu Limited Wire interconnect structures for connecting an integrated circuit to a substrate
US5525838A (en) * 1993-04-08 1996-06-11 Citizen Watch Co., Ltd. Semiconductor device with flow preventing member
US5616206A (en) * 1993-06-15 1997-04-01 Ricoh Company, Ltd. Method for arranging conductive particles on electrodes of substrate
EP0633607A1 (en) * 1993-07-06 1995-01-11 Motorola Inc. Optical semiconductor device to optical substrate attachment method
EP0637078A1 (en) * 1993-07-29 1995-02-01 Motorola, Inc. A semiconductor device with improved heat dissipation
US6140402A (en) * 1993-07-30 2000-10-31 Diemat, Inc. Polymeric adhesive paste
EP0714553B1 (en) * 1993-08-17 1999-11-03 PFC Corporation Method of forming electrically conductive polymer interconnects on electrical substrates
DE4334715B4 (de) * 1993-10-12 2007-04-19 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Montage von mit elektrischen Anschlüssen versehenen Bauteilen
US5480834A (en) * 1993-12-13 1996-01-02 Micron Communications, Inc. Process of manufacturing an electrical bonding interconnect having a metal bond pad portion and having a conductive epoxy portion comprising an oxide reducing agent
US5543585A (en) * 1994-02-02 1996-08-06 International Business Machines Corporation Direct chip attachment (DCA) with electrically conductive adhesives
US5508228A (en) * 1994-02-14 1996-04-16 Microelectronics And Computer Technology Corporation Compliant electrically connective bumps for an adhesive flip chip integrated circuit device and methods for forming same
JPH07240435A (ja) * 1994-03-02 1995-09-12 Toshiba Corp 半導体パッケージの製造方法、半導体の実装方法、および半導体実装装置
US5581038A (en) * 1994-04-04 1996-12-03 Sentir, Inc. Pressure measurement apparatus having a reverse mounted transducer and overpressure guard
US5766972A (en) * 1994-06-02 1998-06-16 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method of making resin encapsulated semiconductor device with bump electrodes
US5531942A (en) * 1994-06-16 1996-07-02 Fry's Metals, Inc. Method of making electroconductive adhesive particles for Z-axis application
US5637176A (en) * 1994-06-16 1997-06-10 Fry's Metals, Inc. Methods for producing ordered Z-axis adhesive materials, materials so produced, and devices, incorporating such materials
US5657206A (en) * 1994-06-23 1997-08-12 Cubic Memory, Inc. Conductive epoxy flip-chip package and method
GB9415108D0 (en) * 1994-07-27 1994-09-14 Smiths Industries Plc Electronic assemblies and methods of treatment
EP0710058A3 (en) * 1994-10-14 1997-07-09 Samsung Display Devices Co Ltd Short circuit prevention between electrically conductive parts
US5492863A (en) * 1994-10-19 1996-02-20 Motorola, Inc. Method for forming conductive bumps on a semiconductor device
US6826827B1 (en) * 1994-12-29 2004-12-07 Tessera, Inc. Forming conductive posts by selective removal of conductive material
US5608260A (en) * 1994-12-30 1997-03-04 International Business Machines Corporation Leadframe having contact pads defined by a polymer insulating film
US5665989A (en) * 1995-01-03 1997-09-09 Lsi Logic Programmable microsystems in silicon
US5639323A (en) * 1995-02-17 1997-06-17 Aiwa Research And Development, Inc. Method for aligning miniature device components
US5742100A (en) * 1995-03-27 1998-04-21 Motorola, Inc. Structure having flip-chip connected substrates
JPH08288452A (ja) * 1995-04-20 1996-11-01 Mitsubishi Electric Corp 集積回路装置，及びその製造方法
US5985692A (en) * 1995-06-07 1999-11-16 Microunit Systems Engineering, Inc. Process for flip-chip bonding a semiconductor die having gold bump electrodes
US5629241A (en) * 1995-07-07 1997-05-13 Hughes Aircraft Company Microwave/millimeter wave circuit structure with discrete flip-chip mounted elements, and method of fabricating the same
TW318321B (ja) * 1995-07-14 1997-10-21 Matsushita Electric Industrial Co Ltd
US5674780A (en) * 1995-07-24 1997-10-07 Motorola, Inc. Method of forming an electrically conductive polymer bump over an aluminum electrode
JPH0951062A (ja) * 1995-08-07 1997-02-18 Mitsubishi Electric Corp 半導体チップの実装方法，半導体チップ，半導体チップの製造方法，ｔａｂテープ，フリップチップ実装方法，フリップチップ実装基板，マイクロ波装置の製造方法及びマイクロ波装置
CN1194059A (zh) * 1995-08-29 1998-09-23 美国3M公司 用于粘合电子器件的可变形基片部件
DE59611449D1 (de) * 1995-09-08 2007-12-20 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren und vorrichtung zum testen eines chips
US5611884A (en) * 1995-12-11 1997-03-18 Dow Corning Corporation Flip chip silicone pressure sensitive conductive adhesive
US5855821A (en) * 1995-12-22 1999-01-05 Johnson Matthey, Inc. Materials for semiconductor device assemblies
FR2745120A1 (fr) * 1996-02-15 1997-08-22 Solaic Sa Circuit integre comportant des plots conducteurs recouverts d'une couche barriere
US5760479A (en) * 1996-02-29 1998-06-02 Texas Instruments Incorporated Flip-chip die attachment for a high temperature die to substrate bond
US5822473A (en) * 1996-02-29 1998-10-13 Texas Instruments Incorporated Integrated microchip chemical sensor
US5808874A (en) 1996-05-02 1998-09-15 Tessera, Inc. Microelectronic connections with liquid conductive elements
US5936847A (en) * 1996-05-02 1999-08-10 Hei, Inc. Low profile electronic circuit modules
US6558979B2 (en) * 1996-05-21 2003-05-06 Micron Technology, Inc. Use of palladium in IC manufacturing with conductive polymer bump
US5925930A (en) * 1996-05-21 1999-07-20 Micron Technology, Inc. IC contacts with palladium layer and flexible conductive epoxy bumps
US6022761A (en) * 1996-05-28 2000-02-08 Motorola, Inc. Method for coupling substrates and structure
US6020220A (en) * 1996-07-09 2000-02-01 Tessera, Inc. Compliant semiconductor chip assemblies and methods of making same
US5897336A (en) * 1996-08-05 1999-04-27 International Business Machines Corporation Direct chip attach for low alpha emission interconnect system
JP3928753B2 (ja) 1996-08-06 2007-06-13 日立化成工業株式会社 マルチチップ実装法、および接着剤付チップの製造方法
US5759737A (en) * 1996-09-06 1998-06-02 International Business Machines Corporation Method of making a component carrier
DE19639934A1 (de) * 1996-09-27 1998-04-09 Siemens Ag Verfahren zur Flipchip-Kontaktierung eines Halbleiterchips mit geringer Anschlußzahl
US5811883A (en) * 1996-09-30 1998-09-22 Intel Corporation Design for flip chip joint pad/LGA pad
US6025618A (en) * 1996-11-12 2000-02-15 Chen; Zhi Quan Two-parts ferroelectric RAM
US6103553A (en) 1996-12-11 2000-08-15 Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Method of manufacturing a known good die utilizing a substrate
FR2756955B1 (fr) * 1996-12-11 1999-01-08 Schlumberger Ind Sa Procede de realisation d'un circuit electronique pour une carte a memoire sans contact
US6417029B1 (en) 1996-12-12 2002-07-09 Tessera, Inc. Compliant package with conductive elastomeric posts
US6635514B1 (en) 1996-12-12 2003-10-21 Tessera, Inc. Compliant package with conductive elastomeric posts
US5998875A (en) * 1996-12-19 1999-12-07 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson Flip-chip type connection with elastic contacts
US5786238A (en) * 1997-02-13 1998-07-28 Generyal Dynamics Information Systems, Inc. Laminated multilayer substrates
DE19708325B4 (de) * 1997-03-03 2007-06-14 Sokymat Gmbh Klebeverbindung von elektrisch leitenden Fügeteilen
US6028437A (en) * 1997-05-19 2000-02-22 Si Diamond Technology, Inc. Probe head assembly
US5963144A (en) * 1997-05-30 1999-10-05 Single Chip Systems Corp. Cloaking circuit for use in a radiofrequency identification and method of cloaking RFID tags to increase interrogation reliability
DE69835747T2 (de) * 1997-06-26 2007-09-13 Hitachi Chemical Co., Ltd. Substrat zur montage von halbleiterchips
JPH1126631A (ja) * 1997-07-02 1999-01-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置とその製造方法
US6337522B1 (en) * 1997-07-10 2002-01-08 International Business Machines Corporation Structure employing electrically conductive adhesives
US6297559B1 (en) 1997-07-10 2001-10-02 International Business Machines Corporation Structure, materials, and applications of ball grid array interconnections
US6120885A (en) * 1997-07-10 2000-09-19 International Business Machines Corporation Structure, materials, and methods for socketable ball grid
EP1025587A4 (en) * 1997-07-21 2000-10-04 Aguila Technologies Inc SEMICONDUCTOR FLIPCHIP PACK AND PRODUCTION METHOD THEREFOR
US6064120A (en) * 1997-08-21 2000-05-16 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for face-to-face connection of a die face to a substrate with polymer electrodes
US6096576A (en) 1997-09-02 2000-08-01 Silicon Light Machines Method of producing an electrical interface to an integrated circuit device having high density I/O count
US6100853A (en) * 1997-09-10 2000-08-08 Hughes Electronics Corporation Receiver/transmitter system including a planar waveguide-to-stripline adapter
US6441473B1 (en) 1997-09-12 2002-08-27 Agere Systems Guardian Corp. Flip chip semiconductor device
US6051879A (en) 1997-12-16 2000-04-18 Micron Technology, Inc. Electrical interconnection for attachment to a substrate
US6326241B1 (en) 1997-12-29 2001-12-04 Visteon Global Technologies, Inc. Solderless flip-chip assembly and method and material for same
US6201301B1 (en) 1998-01-21 2001-03-13 Lsi Logic Corporation Low cost thermally enhanced flip chip BGA
JP3381601B2 (ja) * 1998-01-26 2003-03-04 松下電器産業株式会社 バンプ付電子部品の実装方法
US6110760A (en) * 1998-02-12 2000-08-29 Micron Technology, Inc. Methods of forming electrically conductive interconnections and electrically interconnected substrates
JP3625646B2 (ja) * 1998-03-23 2005-03-02 東レエンジニアリング株式会社 フリップチップ実装方法
US6108210A (en) * 1998-04-24 2000-08-22 Amerasia International Technology, Inc. Flip chip devices with flexible conductive adhesive
US6406988B1 (en) 1998-04-24 2002-06-18 Amerasia International Technology, Inc. Method of forming fine pitch interconnections employing magnetic masks
US6580035B1 (en) 1998-04-24 2003-06-17 Amerasia International Technology, Inc. Flexible adhesive membrane and electronic device employing same
US6297564B1 (en) * 1998-04-24 2001-10-02 Amerasia International Technology, Inc. Electronic devices employing adhesive interconnections including plated particles
JP2003527736A (ja) * 1998-04-24 2003-09-16 アメラシア インターナショナル テクノロジー，インコーポレイテッド 可撓性導電性接着剤を用いたフリップチップデバイス
SG75841A1 (en) 1998-05-02 2000-10-24 Eriston Invest Pte Ltd Flip chip assembly with via interconnection
US6406939B1 (en) 1998-05-02 2002-06-18 Charles W. C. Lin Flip chip assembly with via interconnection
US5923955A (en) * 1998-05-28 1999-07-13 Xerox Corporation Fine flip chip interconnection
US6428650B1 (en) 1998-06-23 2002-08-06 Amerasia International Technology, Inc. Cover for an optical device and method for making same
US6136128A (en) 1998-06-23 2000-10-24 Amerasia International Technology, Inc. Method of making an adhesive preform lid for electronic devices
DE19844089C2 (de) * 1998-06-25 2001-04-05 Pav Card Gmbh Verfahren zur Herstellung von Transponderanordnungen
US6409859B1 (en) 1998-06-30 2002-06-25 Amerasia International Technology, Inc. Method of making a laminated adhesive lid, as for an Electronic device
DE19832706C2 (de) * 1998-07-14 2000-08-03 Siemens Ag Halbleiterbauelement im Chip-Format und Verfahren zu seiner Herstellung
US6399178B1 (en) 1998-07-20 2002-06-04 Amerasia International Technology, Inc. Rigid adhesive underfill preform, as for a flip-chip device
US6872984B1 (en) 1998-07-29 2005-03-29 Silicon Light Machines Corporation Method of sealing a hermetic lid to a semiconductor die at an angle
US6303986B1 (en) 1998-07-29 2001-10-16 Silicon Light Machines Method of and apparatus for sealing an hermetic lid to a semiconductor die
US6137693A (en) * 1998-07-31 2000-10-24 Agilent Technologies Inc. High-frequency electronic package with arbitrarily-shaped interconnects and integral shielding
DE19841996B4 (de) * 1998-09-04 2004-02-12 Siemens Ag Halbleiterbauelement im Chip-Format und Verfahren zu seiner Herstellung
US6189208B1 (en) * 1998-09-11 2001-02-20 Polymer Flip Chip Corp. Flip chip mounting technique
US6139661A (en) 1998-10-20 2000-10-31 International Business Machines Corporation Two step SMT method using masked cure
US6376352B1 (en) * 1998-11-05 2002-04-23 Texas Instruments Incorporated Stud-cone bump for probe tips used in known good die carriers
US6316289B1 (en) 1998-11-12 2001-11-13 Amerasia International Technology Inc. Method of forming fine-pitch interconnections employing a standoff mask
US6535393B2 (en) * 1998-12-04 2003-03-18 Micron Technology, Inc. Electrical device allowing for increased device densities
TW522536B (en) 1998-12-17 2003-03-01 Wen-Chiang Lin Bumpless flip chip assembly with strips-in-via and plating
TW396462B (en) 1998-12-17 2000-07-01 Eriston Technologies Pte Ltd Bumpless flip chip assembly with solder via
TW444236B (en) 1998-12-17 2001-07-01 Charles Wen Chyang Lin Bumpless flip chip assembly with strips and via-fill
US6936531B2 (en) * 1998-12-21 2005-08-30 Megic Corporation Process of fabricating a chip structure
US6495442B1 (en) 2000-10-18 2002-12-17 Magic Corporation Post passivation interconnection schemes on top of the IC chips
US6303500B1 (en) * 1999-02-24 2001-10-16 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for electroless plating a contact pad
US6524346B1 (en) * 1999-02-26 2003-02-25 Micron Technology, Inc. Stereolithographic method for applying materials to electronic component substrates and resulting structures
US6222280B1 (en) * 1999-03-22 2001-04-24 Micron Technology, Inc. Test interconnect for semiconductor components having bumped and planar contacts
US6410415B1 (en) * 1999-03-23 2002-06-25 Polymer Flip Chip Corporation Flip chip mounting technique
WO2000079589A1 (de) * 1999-06-17 2000-12-28 Infineon Technologies Ag Elektronisches bauelement mit flexiblen kontaktierungsstellen und verfahren zum herstellen eines derartigen bauelements
JP3539315B2 (ja) * 1999-06-22 2004-07-07 株式会社村田製作所 電子デバイス素子の実装方法、および弾性表面波装置の製造方法
US6230400B1 (en) 1999-09-17 2001-05-15 George Tzanavaras Method for forming interconnects
TW511122B (en) * 1999-12-10 2002-11-21 Ebara Corp Method for mounting semiconductor device and structure thereof
WO2001047013A1 (en) * 1999-12-21 2001-06-28 Advanced Micro Devices, Inc. Organic packages with solders for reliable flip chip connections
FR2803435A1 (fr) * 1999-12-30 2001-07-06 Schlumberger Systems & Service Procede de montage en flip-chip de circuits integres sur des circuits electriques
SG99331A1 (en) * 2000-01-13 2003-10-27 Hitachi Ltd Method of producing electronic part with bumps and method of producing elctronic part
US6229207B1 (en) 2000-01-13 2001-05-08 Advanced Micro Devices, Inc. Organic pin grid array flip chip carrier package
US6469394B1 (en) 2000-01-31 2002-10-22 Fujitsu Limited Conductive interconnect structures and methods for forming conductive interconnect structures
US6956878B1 (en) 2000-02-07 2005-10-18 Silicon Light Machines Corporation Method and apparatus for reducing laser speckle using polarization averaging
US6468891B2 (en) * 2000-02-24 2002-10-22 Micron Technology, Inc. Stereolithographically fabricated conductive elements, semiconductor device components and assemblies including such conductive elements, and methods
DE10016132A1 (de) * 2000-03-31 2001-10-18 Infineon Technologies Ag Elektronisches Bauelement mit flexiblen Kontaktierungsstellen und Verfahren zu dessen Herstellung
US7034402B1 (en) * 2000-06-28 2006-04-25 Intel Corporation Device with segmented ball limiting metallurgy
US6403460B1 (en) 2000-08-22 2002-06-11 Charles W. C. Lin Method of making a semiconductor chip assembly
US6562709B1 (en) 2000-08-22 2003-05-13 Charles W. C. Lin Semiconductor chip assembly with simultaneously electroplated contact terminal and connection joint
US6402970B1 (en) 2000-08-22 2002-06-11 Charles W. C. Lin Method of making a support circuit for a semiconductor chip assembly
US6551861B1 (en) 2000-08-22 2003-04-22 Charles W. C. Lin Method of making a semiconductor chip assembly by joining the chip to a support circuit with an adhesive
US6562657B1 (en) 2000-08-22 2003-05-13 Charles W. C. Lin Semiconductor chip assembly with simultaneously electrolessly plated contact terminal and connection joint
US6436734B1 (en) 2000-08-22 2002-08-20 Charles W. C. Lin Method of making a support circuit for a semiconductor chip assembly
US6660626B1 (en) 2000-08-22 2003-12-09 Charles W. C. Lin Semiconductor chip assembly with simultaneously electrolessly plated contact terminal and connection joint
US6350633B1 (en) 2000-08-22 2002-02-26 Charles W. C. Lin Semiconductor chip assembly with simultaneously electroplated contact terminal and connection joint
US6511865B1 (en) 2000-09-20 2003-01-28 Charles W. C. Lin Method for forming a ball bond connection joint on a conductive trace and conductive pad in a semiconductor chip assembly
US6350632B1 (en) 2000-09-20 2002-02-26 Charles W. C. Lin Semiconductor chip assembly with ball bond connection joint
US6350386B1 (en) 2000-09-20 2002-02-26 Charles W. C. Lin Method of making a support circuit with a tapered through-hole for a semiconductor chip assembly
US6544813B1 (en) 2000-10-02 2003-04-08 Charles W. C. Lin Method of making a semiconductor chip assembly with a conductive trace subtractively formed before and after chip attachment
US6448108B1 (en) 2000-10-02 2002-09-10 Charles W. C. Lin Method of making a semiconductor chip assembly with a conductive trace subtractively formed before and after chip attachment
US6876072B1 (en) 2000-10-13 2005-04-05 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with chip in substrate cavity
US6548393B1 (en) 2000-10-13 2003-04-15 Charles W. C. Lin Semiconductor chip assembly with hardened connection joint
US6576539B1 (en) 2000-10-13 2003-06-10 Charles W.C. Lin Semiconductor chip assembly with interlocked conductive trace
US7262082B1 (en) 2000-10-13 2007-08-28 Bridge Semiconductor Corporation Method of making a three-dimensional stacked semiconductor package with a metal pillar and a conductive interconnect in an encapsulant aperture
US7319265B1 (en) 2000-10-13 2008-01-15 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with precision-formed metal pillar
US7190080B1 (en) 2000-10-13 2007-03-13 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with embedded metal pillar
US7075186B1 (en) 2000-10-13 2006-07-11 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with interlocked contact terminal
US6440835B1 (en) 2000-10-13 2002-08-27 Charles W. C. Lin Method of connecting a conductive trace to a semiconductor chip
US6673710B1 (en) 2000-10-13 2004-01-06 Bridge Semiconductor Corporation Method of connecting a conductive trace and an insulative base to a semiconductor chip
US7094676B1 (en) 2000-10-13 2006-08-22 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with embedded metal pillar
US7071089B1 (en) 2000-10-13 2006-07-04 Bridge Semiconductor Corporation Method of making a semiconductor chip assembly with a carved bumped terminal
US7129113B1 (en) 2000-10-13 2006-10-31 Bridge Semiconductor Corporation Method of making a three-dimensional stacked semiconductor package with a metal pillar in an encapsulant aperture
US7129575B1 (en) 2000-10-13 2006-10-31 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with bumped metal pillar
US7132741B1 (en) 2000-10-13 2006-11-07 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with carved bumped terminal
US6872591B1 (en) 2000-10-13 2005-03-29 Bridge Semiconductor Corporation Method of making a semiconductor chip assembly with a conductive trace and a substrate
US6740576B1 (en) 2000-10-13 2004-05-25 Bridge Semiconductor Corporation Method of making a contact terminal with a plated metal peripheral sidewall portion for a semiconductor chip assembly
US6667229B1 (en) 2000-10-13 2003-12-23 Bridge Semiconductor Corporation Method of connecting a bumped compliant conductive trace and an insulative base to a semiconductor chip
US6576493B1 (en) 2000-10-13 2003-06-10 Bridge Semiconductor Corporation Method of connecting a conductive trace and an insulative base to a semiconductor chip using multiple etch steps
US6699780B1 (en) 2000-10-13 2004-03-02 Bridge Semiconductor Corporation Method of connecting a conductive trace to a semiconductor chip using plasma undercut etching
US7414319B2 (en) 2000-10-13 2008-08-19 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with metal containment wall and solder terminal
US6908788B1 (en) 2000-10-13 2005-06-21 Bridge Semiconductor Corporation Method of connecting a conductive trace to a semiconductor chip using a metal base
US6537851B1 (en) 2000-10-13 2003-03-25 Bridge Semiconductor Corporation Method of connecting a bumped compliant conductive trace to a semiconductor chip
US6492252B1 (en) 2000-10-13 2002-12-10 Bridge Semiconductor Corporation Method of connecting a bumped conductive trace to a semiconductor chip
US7264991B1 (en) 2000-10-13 2007-09-04 Bridge Semiconductor Corporation Method of connecting a conductive trace to a semiconductor chip using conductive adhesive
US6949408B1 (en) 2000-10-13 2005-09-27 Bridge Semiconductor Corporation Method of connecting a conductive trace and an insulative base to a semiconductor chip using multiple etch steps
US6984576B1 (en) 2000-10-13 2006-01-10 Bridge Semiconductor Corporation Method of connecting an additively and subtractively formed conductive trace and an insulative base to a semiconductor chip
US7009297B1 (en) 2000-10-13 2006-03-07 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with embedded metal particle
US6703566B1 (en) * 2000-10-25 2004-03-09 Sae Magnetics (H.K.), Ltd. Bonding structure for a hard disk drive suspension using anisotropic conductive film
JP2002246582A (ja) * 2000-10-26 2002-08-30 Canon Inc 放射線検出装置、その製造方法及びシステム
US20020066523A1 (en) * 2000-12-05 2002-06-06 Sundstrom Lance L. Attaching devices using polymers
US6444489B1 (en) 2000-12-15 2002-09-03 Charles W. C. Lin Semiconductor chip assembly with bumped molded substrate
US6747215B2 (en) * 2000-12-29 2004-06-08 Jack Amir Fat conductor
US6653170B1 (en) 2001-02-06 2003-11-25 Charles W. C. Lin Semiconductor chip assembly with elongated wire ball bonded to chip and electrolessly plated to support circuit
US7177081B2 (en) 2001-03-08 2007-02-13 Silicon Light Machines Corporation High contrast grating light valve type device
DE10116069C2 (de) * 2001-04-02 2003-02-20 Infineon Technologies Ag Elektronisches Bauteil mit einem Halbleiterchip und Verfahren zu seiner Herstellung
US6707591B2 (en) 2001-04-10 2004-03-16 Silicon Light Machines Angled illumination for a single order light modulator based projection system
US6711280B2 (en) 2001-05-25 2004-03-23 Oscar M. Stafsudd Method and apparatus for intelligent ranging via image subtraction
US6504111B2 (en) * 2001-05-29 2003-01-07 International Business Machines Corporation Solid via layer to layer interconnect
US6865346B1 (en) 2001-06-05 2005-03-08 Silicon Light Machines Corporation Fiber optic transceiver
US6782205B2 (en) 2001-06-25 2004-08-24 Silicon Light Machines Method and apparatus for dynamic equalization in wavelength division multiplexing
US6747781B2 (en) 2001-06-25 2004-06-08 Silicon Light Machines, Inc. Method, apparatus, and diffuser for reducing laser speckle
US6829092B2 (en) 2001-08-15 2004-12-07 Silicon Light Machines, Inc. Blazed grating light valve
US7275925B2 (en) * 2001-08-30 2007-10-02 Micron Technology, Inc. Apparatus for stereolithographic processing of components and assemblies
US6927471B2 (en) * 2001-09-07 2005-08-09 Peter C. Salmon Electronic system modules and method of fabrication
US7297572B2 (en) * 2001-09-07 2007-11-20 Hynix Semiconductor, Inc. Fabrication method for electronic system modules
US6767819B2 (en) * 2001-09-12 2004-07-27 Dow Corning Corporation Apparatus with compliant electrical terminals, and methods for forming same
US20030047339A1 (en) * 2001-09-12 2003-03-13 Lutz Michael A. Semiconductor device with compliant electrical terminals, apparatus including the semiconductor device, and methods for forming same
US6930364B2 (en) 2001-09-13 2005-08-16 Silicon Light Machines Corporation Microelectronic mechanical system and methods
US6586843B2 (en) * 2001-11-08 2003-07-01 Intel Corporation Integrated circuit device with covalently bonded connection structure
US6956995B1 (en) 2001-11-09 2005-10-18 Silicon Light Machines Corporation Optical communication arrangement
US7932603B2 (en) * 2001-12-13 2011-04-26 Megica Corporation Chip structure and process for forming the same
US6800238B1 (en) 2002-01-15 2004-10-05 Silicon Light Machines, Inc. Method for domain patterning in low coercive field ferroelectrics
US7098072B2 (en) * 2002-03-01 2006-08-29 Agng, Llc Fluxless assembly of chip size semiconductor packages
SG107584A1 (en) * 2002-04-02 2004-12-29 Micron Technology Inc Solder masks for use on carrier substrates, carrier substrates and semiconductor device assemblies including such masks
US7368391B2 (en) * 2002-04-10 2008-05-06 Micron Technology, Inc. Methods for designing carrier substrates with raised terminals
US6728023B1 (en) 2002-05-28 2004-04-27 Silicon Light Machines Optical device arrays with optimized image resolution
US6767751B2 (en) 2002-05-28 2004-07-27 Silicon Light Machines, Inc. Integrated driver process flow
US7054515B1 (en) 2002-05-30 2006-05-30 Silicon Light Machines Corporation Diffractive light modulator-based dynamic equalizer with integrated spectral monitor
US6822797B1 (en) 2002-05-31 2004-11-23 Silicon Light Machines, Inc. Light modulator structure for producing high-contrast operation using zero-order light
US6829258B1 (en) 2002-06-26 2004-12-07 Silicon Light Machines, Inc. Rapidly tunable external cavity laser
US6813059B2 (en) 2002-06-28 2004-11-02 Silicon Light Machines, Inc. Reduced formation of asperities in contact micro-structures
US6908201B2 (en) 2002-06-28 2005-06-21 Silicon Light Machines Corporation Micro-support structures
US6714337B1 (en) 2002-06-28 2004-03-30 Silicon Light Machines Method and device for modulating a light beam and having an improved gamma response
US6998334B2 (en) * 2002-07-08 2006-02-14 Micron Technology, Inc. Semiconductor devices with permanent polymer stencil and method for manufacturing the same
US6786708B2 (en) 2002-07-18 2004-09-07 The Regents Of The University Of Michigan Laminated devices and methods of making same
US6984545B2 (en) * 2002-07-22 2006-01-10 Micron Technology, Inc. Methods of encapsulating selected locations of a semiconductor die assembly using a thick solder mask
US7057795B2 (en) 2002-08-20 2006-06-06 Silicon Light Machines Corporation Micro-structures with individually addressable ribbon pairs
US6801354B1 (en) 2002-08-20 2004-10-05 Silicon Light Machines, Inc. 2-D diffraction grating for substantially eliminating polarization dependent losses
US6712480B1 (en) 2002-09-27 2004-03-30 Silicon Light Machines Controlled curvature of stressed micro-structures
US6928207B1 (en) 2002-12-12 2005-08-09 Silicon Light Machines Corporation Apparatus for selectively blocking WDM channels
US6987600B1 (en) 2002-12-17 2006-01-17 Silicon Light Machines Corporation Arbitrary phase profile for better equalization in dynamic gain equalizer
US7057819B1 (en) 2002-12-17 2006-06-06 Silicon Light Machines Corporation High contrast tilting ribbon blazed grating
US6934070B1 (en) 2002-12-18 2005-08-23 Silicon Light Machines Corporation Chirped optical MEM device
US6927891B1 (en) 2002-12-23 2005-08-09 Silicon Light Machines Corporation Tilt-able grating plane for improved crosstalk in 1×N blaze switches
US7068372B1 (en) 2003-01-28 2006-06-27 Silicon Light Machines Corporation MEMS interferometer-based reconfigurable optical add-and-drop multiplexor
US7286764B1 (en) 2003-02-03 2007-10-23 Silicon Light Machines Corporation Reconfigurable modulator-based optical add-and-drop multiplexer
US6947613B1 (en) 2003-02-11 2005-09-20 Silicon Light Machines Corporation Wavelength selective switch and equalizer
US6922272B1 (en) 2003-02-14 2005-07-26 Silicon Light Machines Corporation Method and apparatus for leveling thermal stress variations in multi-layer MEMS devices
US7043830B2 (en) * 2003-02-20 2006-05-16 Micron Technology, Inc. Method of forming conductive bumps
US7027202B1 (en) 2003-02-28 2006-04-11 Silicon Light Machines Corp Silicon substrate as a light modulator sacrificial layer
US6806997B1 (en) 2003-02-28 2004-10-19 Silicon Light Machines, Inc. Patterned diffractive light modulator ribbon for PDL reduction
US6829077B1 (en) 2003-02-28 2004-12-07 Silicon Light Machines, Inc. Diffractive light modulator with dynamically rotatable diffraction plane
US6922273B1 (en) 2003-02-28 2005-07-26 Silicon Light Machines Corporation PDL mitigation structure for diffractive MEMS and gratings
US7391973B1 (en) 2003-02-28 2008-06-24 Silicon Light Machines Corporation Two-stage gain equalizer
US7042611B1 (en) 2003-03-03 2006-05-09 Silicon Light Machines Corporation Pre-deflected bias ribbons
JP2004288815A (ja) * 2003-03-20 2004-10-14 Seiko Epson Corp 半導体装置及びその製造方法
JP2005011838A (ja) * 2003-06-16 2005-01-13 Toshiba Corp 半導体装置及びその組立方法
US7320928B2 (en) * 2003-06-20 2008-01-22 Intel Corporation Method of forming a stacked device filler
US6933171B2 (en) * 2003-10-21 2005-08-23 Intel Corporation Large bumps for optical flip chips
US7993983B1 (en) 2003-11-17 2011-08-09 Bridge Semiconductor Corporation Method of making a semiconductor chip assembly with chip and encapsulant grinding
US7425759B1 (en) 2003-11-20 2008-09-16 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with bumped terminal and filler
US7538415B1 (en) 2003-11-20 2009-05-26 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with bumped terminal, filler and insulative base
US20050187487A1 (en) * 2004-01-23 2005-08-25 Azizkhan Richard G. Microsensor catheter and method for making the same
US7453157B2 (en) * 2004-06-25 2008-11-18 Tessera, Inc. Microelectronic packages and methods therefor
US7170187B2 (en) * 2004-08-31 2007-01-30 International Business Machines Corporation Low stress conductive polymer bump
US7750483B1 (en) 2004-11-10 2010-07-06 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with welded metal pillar and enlarged plated contact terminal
US7268421B1 (en) 2004-11-10 2007-09-11 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with welded metal pillar that includes enlarged ball bond
US7446419B1 (en) 2004-11-10 2008-11-04 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with welded metal pillar of stacked metal balls
US9929080B2 (en) * 2004-11-15 2018-03-27 Intel Corporation Forming a stress compensation layer and structures formed thereby
FR2879347A1 (fr) * 2004-12-14 2006-06-16 Commissariat Energie Atomique Dispositif electronique a deux composants assembles et procede de fabrication d'un tel dispositif
US20060139045A1 (en) * 2004-12-29 2006-06-29 Wesley Gallagher Device and method for testing unpackaged semiconductor die
US7743963B1 (en) 2005-03-01 2010-06-29 Amerasia International Technology, Inc. Solderable lid or cover for an electronic circuit
EP1732116B1 (en) * 2005-06-08 2017-02-01 Imec Methods for bonding and micro-electronic devices produced according to such methods
US7692223B2 (en) * 2006-04-28 2010-04-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2008071812A (ja) * 2006-09-12 2008-03-27 Fujikura Ltd 基板間接続構造
DE102006059127A1 (de) * 2006-09-25 2008-03-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Anordnung optoelektronischer Bauelemente und Anordnung optoelektronischer Bauelemente
US7811863B1 (en) 2006-10-26 2010-10-12 Bridge Semiconductor Corporation Method of making a semiconductor chip assembly with metal pillar and encapsulant grinding and heat sink attachment
US7494843B1 (en) 2006-12-26 2009-02-24 Bridge Semiconductor Corporation Method of making a semiconductor chip assembly with thermal conductor and encapsulant grinding
US20080150101A1 (en) * 2006-12-20 2008-06-26 Tessera, Inc. Microelectronic packages having improved input/output connections and methods therefor
US8501612B2 (en) * 2007-09-20 2013-08-06 Semiconductor Components Industries, Llc Flip chip structure and method of manufacture
US7884488B2 (en) * 2008-05-01 2011-02-08 Qimonda Ag Semiconductor component with improved contact pad and method for forming the same
US7973416B2 (en) 2008-05-12 2011-07-05 Texas Instruments Incorporated Thru silicon enabled die stacking scheme
JP5549190B2 (ja) * 2009-02-27 2014-07-16 豊田合成株式会社 半導体発光素子の実装体の製造方法、発光装置の製造方法及び半導体発光素子
US8138019B2 (en) * 2009-11-03 2012-03-20 Toyota Motor Engineering & Manufactruing North America, Inc. Integrated (multilayer) circuits and process of producing the same
US8424748B2 (en) * 2009-12-21 2013-04-23 Intel Corporation Solder in cavity interconnection technology
US8647752B2 (en) 2010-06-16 2014-02-11 Laird Technologies, Inc. Thermal interface material assemblies, and related methods
US9137903B2 (en) 2010-12-21 2015-09-15 Tessera, Inc. Semiconductor chip assembly and method for making same
FR2972595B1 (fr) 2011-03-10 2014-03-14 Commissariat Energie Atomique Procede d'interconnexion par retournement d'un composant electronique
US8877558B2 (en) * 2013-02-07 2014-11-04 Harris Corporation Method for making electronic device with liquid crystal polymer and related devices
US9105485B2 (en) * 2013-03-08 2015-08-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Bonding structures and methods of forming the same
US9343420B2 (en) 2014-02-14 2016-05-17 Globalfoundries Inc. Universal solder joints for 3D packaging
US20160240457A1 (en) * 2015-02-18 2016-08-18 Altera Corporation Integrated circuit packages with dual-sided stacking structure
IT201700055983A1 (it) 2017-05-23 2018-11-23 St Microelectronics Srl Procedimento per produrre dispositivi a semiconduttore, dispositivo a semiconduttore e circuito corrispondenti
IT201700055942A1 (it) 2017-05-23 2018-11-23 St Microelectronics Srl Procedimento per fabbricare dispositivi a semiconduttore, dispositivo e circuito corrispondenti
US11166384B2 (en) 2019-03-20 2021-11-02 Konica Minolta Laboratory U.S.A., Inc. Fabrication process for flip chip bump bonds using nano-LEDs and conductive resin
CN112786462B (zh) * 2020-12-25 2023-08-22 上海易卜半导体有限公司 半导体封装方法、半导体组件以及包含其的电子设备

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5799750A (en) * 1980-10-15 1982-06-21 Philips Nv Method of forming electric connection
JPS601849A (ja) * 1983-06-17 1985-01-08 Sharp Corp 電子部品の接続方法

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3971610A (en) * 1974-05-10 1976-07-27 Technical Wire Products, Inc. Conductive elastomeric contacts and connectors
JPS5279773A (en) * 1975-12-26 1977-07-05 Seiko Epson Corp Bonding method of ic
JPS5357481A (en) * 1976-11-04 1978-05-24 Canon Inc Connecting process
JPS56167340A (en) * 1980-05-27 1981-12-23 Toshiba Corp Junction of semicondctor pellet with substrate
JPS57176738A (en) * 1981-04-23 1982-10-30 Seiko Epson Corp Connecting structure for flip chip
JPS6130059A (ja) * 1984-07-20 1986-02-12 Nec Corp 半導体装置の製造方法
JPS62104142A (ja) * 1985-10-31 1987-05-14 Nec Corp 半導体装置
JPH0815152B2 (ja) * 1986-01-27 1996-02-14 三菱電機株式会社 半導体装置及びその製造方法
JPS62194652A (ja) * 1986-02-21 1987-08-27 Hitachi Ltd 半導体装置
JPS62283644A (ja) * 1986-05-31 1987-12-09 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法
JPH07112041B2 (ja) * 1986-12-03 1995-11-29 シャープ株式会社 半導体装置の製造方法
JPS63220533A (ja) * 1987-03-10 1988-09-13 Citizen Watch Co Ltd 時計用ｉｃの実装構造
JPH0815154B2 (ja) * 1987-05-15 1996-02-14 松下電器産業株式会社 半導体素子用バンプ
US5064500A (en) * 1987-06-01 1991-11-12 Henkel Corporation Surface conditioner for formed metal surfaces
JPS6418647A (en) * 1987-07-14 1989-01-23 Seiko Epson Corp Light irradiation printer
FR2618254B1 (fr) * 1987-07-16 1990-01-05 Thomson Semiconducteurs Procede et structure de prise de contact sur des plots de circuit integre.
US4917466A (en) * 1987-08-13 1990-04-17 Shin-Etsu Polymer Co., Ltd. Method for electrically connecting IC chips, a resinous bump-forming composition used therein and a liquid-crystal display unit electrically connected thereby
JPS6476608A (en) * 1987-09-16 1989-03-22 Shinetsu Polymer Co Aeolotropic conductive adhesive film
JPS6481181A (en) * 1987-09-22 1989-03-27 Shinetsu Polymer Co Surface treatment of metal electrode
JPS6489526A (en) * 1987-09-30 1989-04-04 Ibiden Co Ltd Manufacture of tape carrier
JPH01120039A (ja) * 1987-11-02 1989-05-12 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Ｉｃチップ接続法
US5014111A (en) * 1987-12-08 1991-05-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electrical contact bump and a package provided with the same
US4967314A (en) * 1988-03-28 1990-10-30 Prime Computer Inc. Circuit board construction
JPH01251643A (ja) * 1988-03-31 1989-10-06 Toshiba Corp 半導体装置の電極形成方法
US4840302A (en) * 1988-04-15 1989-06-20 International Business Machines Corporation Chromium-titanium alloy
JPH01305541A (ja) * 1988-06-02 1989-12-08 Nec Kansai Ltd 半導体装置の製造方法
JPH0254945A (ja) * 1988-08-19 1990-02-23 Toshiba Corp 電子部品
US5068714A (en) * 1989-04-05 1991-11-26 Robert Bosch Gmbh Method of electrically and mechanically connecting a semiconductor to a substrate using an electrically conductive tacky adhesive and the device so made
US4991000A (en) * 1989-08-31 1991-02-05 Bone Robert L Vertically interconnected integrated circuit chip system
US5074947A (en) * 1989-12-18 1991-12-24 Epoxy Technology, Inc. Flip chip technology using electrically conductive polymers and dielectrics
MY129942A (en) * 1990-08-23 2007-05-31 Siemens Ag Method and apparatus for connecting a semiconductor chip to a carrier.
DE4032397A1 (de) * 1990-10-12 1992-04-16 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur herstellung einer hybriden halbleiterstruktur und nach dem verfahren hergestellte halbleiterstruktur

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5799750A (en) * 1980-10-15 1982-06-21 Philips Nv Method of forming electric connection
JPS601849A (ja) * 1983-06-17 1985-01-08 Sharp Corp 電子部品の接続方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6696317B1 (en) 1999-11-04 2004-02-24 Nec Electronics Corporation Method of manufacturing a flip-chip semiconductor device with a stress-absorbing layer made of thermosetting resin
US6767761B2 (en) 1999-11-04 2004-07-27 Nec Electronics Corporation Method of manufacturing a flip-chip semiconductor device with a stress-absorbing layer made of thermosetting resin

Also Published As

Publication number Publication date
JP3200000B2 (ja) 2001-08-20
WO1991009419A1 (en) 1991-06-27
ATE206559T1 (de) 2001-10-15
JPH08227913A (ja) 1996-09-03
KR920704343A (ko) 1992-12-19
US5196371A (en) 1993-03-23
JP2717993B2 (ja) 1998-02-25
DE69033817D1 (de) 2001-11-08
US5074947A (en) 1991-12-24
JPH1092874A (ja) 1998-04-10
DE69027125D1 (de) 1996-06-27
EP1089331A3 (en) 2004-06-23
JP3285796B2 (ja) 2002-05-27
DE69033817T2 (de) 2002-06-06
ATE138499T1 (de) 1996-06-15
EP0690490A2 (en) 1996-01-03
EP0690490A3 (en) 1997-02-26
EP0690490B1 (en) 2001-10-04
SG71661A1 (en) 2000-04-18
DE69027125T2 (de) 1996-11-28
US5237130A (en) 1993-08-17
EP0506859A1 (en) 1992-10-07
SG80546A1 (en) 2001-05-22
KR100265616B1 (ko) 2000-09-15
EP0506859B1 (en) 1996-05-22
EP1089331A2 (en) 2001-04-04

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