JPS601855A - 樹脂封止形半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止形半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS601855A JPS601855A JP58110474A JP11047483A JPS601855A JP S601855 A JPS601855 A JP S601855A JP 58110474 A JP58110474 A JP 58110474A JP 11047483 A JP11047483 A JP 11047483A JP S601855 A JPS601855 A JP S601855A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- semiconductor device
- semiconductor element
- metal substrate
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/40—Leadframes
- H10W70/481—Leadframes for devices being provided for in groups H10D8/00 - H10D48/00
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は半導体素体が固着された金属基板の一部の両面
を放熱のために露出させ、半導体素体を樹脂によって封
止する樹脂封止形半導体装置の製造方法に関する。
を放熱のために露出させ、半導体素体を樹脂によって封
止する樹脂封止形半導体装置の製造方法に関する。
そのような半導体装置としては、例えば第１図、第２囚
に示すようなＪＥＤＥＣ外形Ｔｏ −２２０形のものが
知られている。この型では、図示しないが半導体素体、
例えばトランジスタチップが金属基板１の上にろう付け
され、チップ上面のエミッタおよびペース電極とリード
線によって接続されるエミクた端子２、ペース端子３お
よび金属基板に連結されたコレクタ端子４と、金属基板
のそれらの反対側の一部分とを露出させて樹脂５が注型
さねている。この半導体装置は六６を用いて冷却体に固
定され、半導体素体の熱の大部分は基板１の露出部分を
経て冷却体へ放熱される。このような半導体装置の樹脂
封止設備は、樹脂注型のための金型によって同一形状の
半導体装置の製造のみしか使用することができない。し
かし半導体装置は素子の種類、あるいは使用箇所によっ
て、それ［通した異なる形状、寸法の設計が行われねば
ならなし・。
に示すようなＪＥＤＥＣ外形Ｔｏ −２２０形のものが
知られている。この型では、図示しないが半導体素体、
例えばトランジスタチップが金属基板１の上にろう付け
され、チップ上面のエミッタおよびペース電極とリード
線によって接続されるエミクた端子２、ペース端子３お
よび金属基板に連結されたコレクタ端子４と、金属基板
のそれらの反対側の一部分とを露出させて樹脂５が注型
さねている。この半導体装置は六６を用いて冷却体に固
定され、半導体素体の熱の大部分は基板１の露出部分を
経て冷却体へ放熱される。このような半導体装置の樹脂
封止設備は、樹脂注型のための金型によって同一形状の
半導体装置の製造のみしか使用することができない。し
かし半導体装置は素子の種類、あるいは使用箇所によっ
て、それ［通した異なる形状、寸法の設計が行われねば
ならなし・。
例えば混成集積回路用素子ではそれ自体放熱板を必要と
七ず、基板面積を小さくして回路支持板への素子の実装
面積を小さくすることが望まれる。
七ず、基板面積を小さくして回路支持板への素子の実装
面積を小さくすることが望まれる。
従来はそのような放熱板の形状、寸法の異なる半導体装
置の製造にはその都度樹脂封止設備を用意しなければな
らなかった。
置の製造にはその都度樹脂封止設備を用意しなければな
らなかった。
本発明は基板の一部を両面露出させて放熱器として利用
する樹脂封止形半導体装置を、同一の樹脂封止設備を用
いて放熱器の寸法、形状を変更することができろ製造方
法を提供することを目的とする。
する樹脂封止形半導体装置を、同一の樹脂封止設備を用
いて放熱器の寸法、形状を変更することができろ製造方
法を提供することを目的とする。
本発明は、半導体素体を支持する金属基板の一部の両面
を露出させて半導体素体を樹脂で被覆したのち、基板の
露出部分を所定の形状、寸法の部分を残して切断するこ
とにより上記の目的を達成する。
を露出させて半導体素体を樹脂で被覆したのち、基板の
露出部分を所定の形状、寸法の部分を残して切断するこ
とにより上記の目的を達成する。
第３図、第４図は本発明の実施例によりでき上がった樹
脂封止形半導体装Ｎ′？：示し、第１図、第２図と共通
の部分には同一の符号が付されている。
脂封止形半導体装Ｎ′？：示し、第１図、第２図と共通
の部分には同一の符号が付されている。
この半導体装置は第１図、第２図に示す半導体装置と同
一の設備を用いて製造されるもので、従って金属基板は
第１図、第２図の場合の基板１と同一の寸法、形状を有
していたが、封止後最後の工程で放熱器１１を残して切
断されている。このようにして第１図、第２図に示す半
導体装置を異なる放熱器形状の樹脂封止形半導体装置が
得られた。
一の設備を用いて製造されるもので、従って金属基板は
第１図、第２図の場合の基板１と同一の寸法、形状を有
していたが、封止後最後の工程で放熱器１１を残して切
断されている。このようにして第１図、第２図に示す半
導体装置を異なる放熱器形状の樹脂封止形半導体装置が
得られた。
切断は油圧プレスなどを用いて簡単にできる。
本発明は同一形状、寸法の金属基板上に半導体素体を固
着し、同一の樹脂封止設備を用いて樹脂により半導体素
体を被覆したのち、金属基板を任意の形状、寸法の部分
を残して切断することにより放熱器の形状、寸法の異な
る樹脂封止形半導体装置を同−設備で製造可能にしたも
ので、半導体装置製造設備使用効率の向上、生産管理の
簡易化、製造原価の低減などの効果を収めることがてぎ
た。
着し、同一の樹脂封止設備を用いて樹脂により半導体素
体を被覆したのち、金属基板を任意の形状、寸法の部分
を残して切断することにより放熱器の形状、寸法の異な
る樹脂封止形半導体装置を同−設備で製造可能にしたも
ので、半導体装置製造設備使用効率の向上、生産管理の
簡易化、製造原価の低減などの効果を収めることがてぎ
た。
第１図はＴｏ−２２Ｑ形半導体装置の平面図、第２図は
その側面図、第３図は本発明の一実施例による半導体装
置のでき上がり後の平面図、第４図はその側面図である
。 ｌ・・・金属基板、１１・・・切断後の金属基板（放効
器）、５・・・樹脂。 第１図 第３図 第２［！１ 第４図
その側面図、第３図は本発明の一実施例による半導体装
置のでき上がり後の平面図、第４図はその側面図である
。 ｌ・・・金属基板、１１・・・切断後の金属基板（放効
器）、５・・・樹脂。 第１図 第３図 第２［！１ 第４図
Claims (1)
- １）半導体素体を金属基板上に固着し、該金属基板の一
部の両面を露出させて前記半導体素体を樹脂によって被
覆した後、前記金属基板の露出部分を所定の形状、寸法
の部分を残して切断することを特徴とする樹脂封止形半
導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58110474A JPS601855A (ja) | 1983-06-20 | 1983-06-20 | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58110474A JPS601855A (ja) | 1983-06-20 | 1983-06-20 | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS601855A true JPS601855A (ja) | 1985-01-08 |
Family
ID=14536621
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58110474A Pending JPS601855A (ja) | 1983-06-20 | 1983-06-20 | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS601855A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02129952A (ja) * | 1988-11-09 | 1990-05-18 | Fuji Electric Co Ltd | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4911794A (ja) * | 1972-04-28 | 1974-02-01 | ||
| JPS5384560A (en) * | 1976-12-29 | 1978-07-26 | Fujitsu Ltd | Manufacture for mould type semiconductor device |
-
1983
- 1983-06-20 JP JP58110474A patent/JPS601855A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4911794A (ja) * | 1972-04-28 | 1974-02-01 | ||
| JPS5384560A (en) * | 1976-12-29 | 1978-07-26 | Fujitsu Ltd | Manufacture for mould type semiconductor device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02129952A (ja) * | 1988-11-09 | 1990-05-18 | Fuji Electric Co Ltd | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
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