JPS6018571A - 液晶性化合物及び液晶組成物 - Google Patents
液晶性化合物及び液晶組成物Info
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- JPS6018571A JPS6018571A JP12551883A JP12551883A JPS6018571A JP S6018571 A JPS6018571 A JP S6018571A JP 12551883 A JP12551883 A JP 12551883A JP 12551883 A JP12551883 A JP 12551883A JP S6018571 A JPS6018571 A JP S6018571A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、低粘度で屈折率異方性（Δｎ）が／Ｊ％さな
液晶性化合物及びそれを用いた液晶組成物に関する。
液晶性化合物及びそれを用いた液晶組成物に関する。
表示素子の分野において、低消費電力、高速応答の電気
および／又は熱光学素子が望まれている液晶表示素子は
、液晶のネマチック相、スメクチック相、コレステリッ
ク相の電気および／又は熱による変化を光学的に利用し
たものであり、そのような要求にかなうものとして注目
されている。、しかし、従来用いられている液晶では、
そのΔｎが大きいために視野角が狭く、また、粘度が高
いために十分な高速応答性が得られず、従って△ｎがよ
り小さく、そして粘度がより低い液晶性化合物の開発が
待たれていた。
および／又は熱光学素子が望まれている液晶表示素子は
、液晶のネマチック相、スメクチック相、コレステリッ
ク相の電気および／又は熱による変化を光学的に利用し
たものであり、そのような要求にかなうものとして注目
されている。、しかし、従来用いられている液晶では、
そのΔｎが大きいために視野角が狭く、また、粘度が高
いために十分な高速応答性が得られず、従って△ｎがよ
り小さく、そして粘度がより低い液晶性化合物の開発が
待たれていた。
本発明者らは、そのような液晶性化合物な種舎−はトラ
ンス−１，４−ジ置換シクロヘキサ７項をあられし、Ｒ
およびＲ′は炭素数２〜８のアルキル基をあられす）で
表わされる液晶性化合物がきわめて低粘度であり、しが
も△ｎが小さいことを見出した。従って該化合物を含有
する液晶表か素子ではきわめて速い応答性と広い視野角
を有する表示が可能である。
ンス−１，４−ジ置換シクロヘキサ７項をあられし、Ｒ
およびＲ′は炭素数２〜８のアルキル基をあられす）で
表わされる液晶性化合物がきわめて低粘度であり、しが
も△ｎが小さいことを見出した。従って該化合物を含有
する液晶表か素子ではきわめて速い応答性と広い視野角
を有する表示が可能である。
式 ＝＠（い−Ｒ’ （Ｉ）で表わされる化合物におい
て、ＲおよびＲ′はともに炭素数２〜８のアルキル基で
あるが、炭素数が少ないと一般に液晶相から等方性液体
相に転移する温度（クリアリングポイント、以下Ｔｃと
略す〕が低いが又は該化合物を１種以上含有する液晶組
成物のＴｃが低く、一方、炭素数が多いと一般に粘度が
高いので、ＲとＲ′の炭素数は夫々２以上、８以下でな
らなく、中でもその合計は５以上が好ましく、又、炭素
数が多いと一般に粘性が高いので、炭素数の合計は１２
以下が好ましく、特には１０以下が好ましい。このＲと
Ｒ′の炭素数が２未満では、液晶性を示さなかったり、
この化合物を他の液晶組成物に混入した場合、Ｔｃの低
下が大きく液晶組成物として高温側の特性が悪くなると
ともに、この化合物の佛点がかなり低くなることから液
晶組成物を減圧注入する場合にこの化合物のみがはげし
く揮発し、液晶組成物の組成が変化しやすくなるという
欠点も有しており、炭素数は夫々２以上とされる。
て、ＲおよびＲ′はともに炭素数２〜８のアルキル基で
あるが、炭素数が少ないと一般に液晶相から等方性液体
相に転移する温度（クリアリングポイント、以下Ｔｃと
略す〕が低いが又は該化合物を１種以上含有する液晶組
成物のＴｃが低く、一方、炭素数が多いと一般に粘度が
高いので、ＲとＲ′の炭素数は夫々２以上、８以下でな
らなく、中でもその合計は５以上が好ましく、又、炭素
数が多いと一般に粘性が高いので、炭素数の合計は１２
以下が好ましく、特には１０以下が好ましい。このＲと
Ｒ′の炭素数が２未満では、液晶性を示さなかったり、
この化合物を他の液晶組成物に混入した場合、Ｔｃの低
下が大きく液晶組成物として高温側の特性が悪くなると
ともに、この化合物の佛点がかなり低くなることから液
晶組成物を減圧注入する場合にこの化合物のみがはげし
く揮発し、液晶組成物の組成が変化しやすくなるという
欠点も有しており、炭素数は夫々２以上とされる。
また、ＲまたはＲ′が分枝鎖を有するアルキル基である
場合には同数の縦索を有する直鎖状のアルキル基の場合
に比べ、一般にＴｃが低いので、ＲおよびＲ′は直鎖状
のアルキル基が好ましい。
場合には同数の縦索を有する直鎖状のアルキル基の場合
に比べ、一般にＴｃが低いので、ＲおよびＲ′は直鎖状
のアルキル基が好ましい。
本発明の液晶性化合物は１種あるいは１種以上を他の液
晶性化合物と混合して、所望の液晶温度範囲を有する液
晶組成物として使用するのが好ましく、その場合、本発
明の化合物は混合物中１〜９０ ｗｔ％、好ましくは３
〜５０％使用される。
晶性化合物と混合して、所望の液晶温度範囲を有する液
晶組成物として使用するのが好ましく、その場合、本発
明の化合物は混合物中１〜９０ ｗｔ％、好ましくは３
〜５０％使用される。
本発明の式（１）の液晶性化合物以外の液晶組成物の成
分は、用途、要求性能等により異なるが、高温で液晶性
を示す成分、低温用の低粘性成分、他の誘電異方性を向
上させる成分、コレステリック性を付与する成分、２色
性を有する成分、４９Ｌ性を付与する成分、その他各種
添加剤等を適宜混入して用いれば良い。
分は、用途、要求性能等により異なるが、高温で液晶性
を示す成分、低温用の低粘性成分、他の誘電異方性を向
上させる成分、コレステリック性を付与する成分、２色
性を有する成分、４９Ｌ性を付与する成分、その他各種
添加剤等を適宜混入して用いれば良い。
具体的には以下のような化合物がある。
以下の式でのＲ，Ｒ’は本発明でのＲとは異なり、アル
キル基、アルコキク基、ハロゲン原子、シアノ基等の基
を表わす。
キル基、アルコキク基、ハロゲン原子、シアノ基等の基
を表わす。
Ｒ罎べ◇−Ｒ／ ＝
Ｒ＋ＣｏＯ＋ Ｒ’
なお、これらの化合物は単なる例示にすぎなく、水素原
子のハ四ゲン原子、シアノ基、メチル基等への置換、シ
クロヘキサン環、ベンゼン環の他の六員環、五員環等へ
の置換、猿の間の結合基の変更等種々の材料が選択使用
される。
子のハ四ゲン原子、シアノ基、メチル基等への置換、シ
クロヘキサン環、ベンゼン環の他の六員環、五員環等へ
の置換、猿の間の結合基の変更等種々の材料が選択使用
される。
本発明の組成物は、液晶セルに注入されて用いられる。
代表的な液晶セルとしては、ツイストネマチック（ＴＮ
）型液晶セルがあり、ガラス、プラスチック等の透明基
板内面にＩｎｘｏｓ−８ｎｏ２等の透明電極を所望のパ
ターン状に形成して、必要ニ応シてａｔｏｍ ｓ ポリ
イミド等のオーバーコートをし、横配向層を形成した基
板を相対向せしめ周辺をシールし、液晶を注入し注入口
を封止したものであり、この両外面に偏光板を積層して
使用される。又、この外相転移型、ゲストホスト型、動
的散乱型又はそれらを組み合せて用いられても良い。
）型液晶セルがあり、ガラス、プラスチック等の透明基
板内面にＩｎｘｏｓ−８ｎｏ２等の透明電極を所望のパ
ターン状に形成して、必要ニ応シてａｔｏｍ ｓ ポリ
イミド等のオーバーコートをし、横配向層を形成した基
板を相対向せしめ周辺をシールし、液晶を注入し注入口
を封止したものであり、この両外面に偏光板を積層して
使用される。又、この外相転移型、ゲストホスト型、動
的散乱型又はそれらを組み合せて用いられても良い。
さらにセルの構造としては透明基板と透明電極の間に、
ＳｉＯ露、 Ａｍ、Ｏｎ等のアンダーコート層を設ける
、反射性電極を用いる、２層電極を用いる、カラー偏光
板を用いる、カラーフィルターを用いる、半導体基板を
用いる、２Ｎ素子とする等種々の応用が可能であり、時
計、電卓、計測器、自動車用計器、ゲーム、コンピュー
タ一端末機等種々の用途に使用ＤＪ能である。
ＳｉＯ露、 Ａｍ、Ｏｎ等のアンダーコート層を設ける
、反射性電極を用いる、２層電極を用いる、カラー偏光
板を用いる、カラーフィルターを用いる、半導体基板を
用いる、２Ｎ素子とする等種々の応用が可能であり、時
計、電卓、計測器、自動車用計器、ゲーム、コンピュー
タ一端末機等種々の用途に使用ＤＪ能である。
本発明によれば、式トＣ−４９−Ｒ’の化合物は次の方
法によって製造することができる。
法によって製造することができる。
Ｒ０，＝〇−Ｒ’ （１）
（式中Ｒ“はＲ′よりも炭素数が１つ少ないアルキル基
である。） 即ち、式ω）のカルボン酸を塩化チオニル、オキシ塩化
リン等の塩素化剤と反応させて、式＠）のカルボン酸塩
化物を得る。一方、式（ｍＶ）の化合物と金属マグネシ
ウムとから常法により調製した式（Ｖ）のグリニヤール
試薬と塩化亜鉛と反応させて、式（Ｗ）の亜鉛試薬を調
製し、次いで先に得た式（１）のカルボン酸塩化物と反
応させて、式（■）のケトンを得る。このケトンをウオ
ルフ拳キシュナー法ある」１はクレメンゼン法等の既知
の方法により還元し、目的とする式（Ｉ）の化合物を得
る。抽出、蒸留、カラムクロマトグラフィー、再結晶等
の一連の精製処理を施すことにより目的とする式（１）
の化合物を得ることができる。
である。） 即ち、式ω）のカルボン酸を塩化チオニル、オキシ塩化
リン等の塩素化剤と反応させて、式＠）のカルボン酸塩
化物を得る。一方、式（ｍＶ）の化合物と金属マグネシ
ウムとから常法により調製した式（Ｖ）のグリニヤール
試薬と塩化亜鉛と反応させて、式（Ｗ）の亜鉛試薬を調
製し、次いで先に得た式（１）のカルボン酸塩化物と反
応させて、式（■）のケトンを得る。このケトンをウオ
ルフ拳キシュナー法ある」１はクレメンゼン法等の既知
の方法により還元し、目的とする式（Ｉ）の化合物を得
る。抽出、蒸留、カラムクロマトグラフィー、再結晶等
の一連の精製処理を施すことにより目的とする式（１）
の化合物を得ることができる。
次に実施例をもって本発明を具体的に説明する。
実施例１
式ｎ−ＯｍＨｙ Ｑ−Ｊｉ９− ｃｏｏＨの化合物１０
．１１Ｆ（ｏ、 ｏ ａモル）と塩化チオニ／Ｉ／１０
ｗ１ｔとを四塩化炭素６０−に混ぜ、触媒としてＨ，Ｈ
−ジメチルアニリンを２滴加えて、室温にて６時間攪拌
した後、ロータリーエバポレーターで過剰の塩化チオニ
ルと溶媒とを留去すると、式ｎｏｓｓｙべＪ−（・−ｃ
ｏｏｌの化合物が黄色の液体として得られた。一方、式
ｐ（！３Ｈ７Ｂｒの化合物４．９Ｐ（ｏ、ｏ４モル）と
金属マグネシウム１．Ｏｆ （０，０４１一原子）とか
らグリニヤール試薬をジエチルエーテル３５ｄ中に調製
する。このグリニヤール試薬を、ベンゼンとの共沸によ
り乾燥させた塩化亜鉛６．ｏ ｆ （０，０４４−Ｅ−
／ｌ／）とジエチルエーテル３５−との混合物に室温に
て滴下し、有機亜鉛試薬を調製した。次いでこの有機亜
鉛試薬に先に得られた式ｎ（！１Ｈｙ−■・※◇−００
０１の化合物をベンゼン５０−に溶かしたものを室温に
て滴下し、滴下後−晩攪拌した。反応混合物を２０チの
塩酸にあけエーテルで抽出し、無水硫酸マグネシウムで
乾燥したのち溶媒を留去した。残った油状の粗生成物を
メタノール５０１Ｒｔにて３回再結晶を行ない、式ｎ−
ａｓａｙ−■・（◇−ＣＯ−ｎ−ＯｓＨγの化合物を無
色の固体として得た。
．１１Ｆ（ｏ、 ｏ ａモル）と塩化チオニ／Ｉ／１０
ｗ１ｔとを四塩化炭素６０−に混ぜ、触媒としてＨ，Ｈ
−ジメチルアニリンを２滴加えて、室温にて６時間攪拌
した後、ロータリーエバポレーターで過剰の塩化チオニ
ルと溶媒とを留去すると、式ｎｏｓｓｙべＪ−（・−ｃ
ｏｏｌの化合物が黄色の液体として得られた。一方、式
ｐ（！３Ｈ７Ｂｒの化合物４．９Ｐ（ｏ、ｏ４モル）と
金属マグネシウム１．Ｏｆ （０，０４１一原子）とか
らグリニヤール試薬をジエチルエーテル３５ｄ中に調製
する。このグリニヤール試薬を、ベンゼンとの共沸によ
り乾燥させた塩化亜鉛６．ｏ ｆ （０，０４４−Ｅ−
／ｌ／）とジエチルエーテル３５−との混合物に室温に
て滴下し、有機亜鉛試薬を調製した。次いでこの有機亜
鉛試薬に先に得られた式ｎ（！１Ｈｙ−■・※◇−００
０１の化合物をベンゼン５０−に溶かしたものを室温に
て滴下し、滴下後−晩攪拌した。反応混合物を２０チの
塩酸にあけエーテルで抽出し、無水硫酸マグネシウムで
乾燥したのち溶媒を留去した。残った油状の粗生成物を
メタノール５０１Ｒｔにて３回再結晶を行ない、式ｎ−
ａｓａｙ−■・（◇−ＣＯ−ｎ−ＯｓＨγの化合物を無
色の固体として得た。
融点８３．０℃、収量Ｉｓ、 ２ ｆ ｓ収率４フチ。
次に、得られた式ｎ−０ｓＨｙ−■；ｉ Ｃｏ−ｎｏｌ
Ｈｆの化合物５．２ｔ（０，０１９モル）を水酸化カリ
ラム５ｔ、抱水ヒドラジン５ｔｄ１ ジエチレングリコ
ール７０−と共に１９０℃に８時間加熱した。反応混合
物を２０％塩酸にあけ、クロロホルムで抽出し、無水硫
酸マグネシウムで乾燥したのち、溶媒を留去すると、ワ
ックス状の固体が残ったのでクーゲルロア蒸留装置を用
いて蒸留したのち、エタノール４０ Ｗｌｔより再結晶
をして目的とする式ｎ−Ｃｓ Ｈｙ Ｘ０号−ｎ−ｃｔ
Ｈｓの化合物を得た。収Ｍ ４． Ｏｙ ｓ収率８１％
、ホットステージ付の偏光顕微鏡下での観察により、こ
の化合物は室温においてスメクチック相を示し、９３．
５℃においてスメクチック相から等方性液体相に転移す
ることがわかった。
Ｈｆの化合物５．２ｔ（０，０１９モル）を水酸化カリ
ラム５ｔ、抱水ヒドラジン５ｔｄ１ ジエチレングリコ
ール７０−と共に１９０℃に８時間加熱した。反応混合
物を２０％塩酸にあけ、クロロホルムで抽出し、無水硫
酸マグネシウムで乾燥したのち、溶媒を留去すると、ワ
ックス状の固体が残ったのでクーゲルロア蒸留装置を用
いて蒸留したのち、エタノール４０ Ｗｌｔより再結晶
をして目的とする式ｎ−Ｃｓ Ｈｙ Ｘ０号−ｎ−ｃｔ
Ｈｓの化合物を得た。収Ｍ ４． Ｏｙ ｓ収率８１％
、ホットステージ付の偏光顕微鏡下での観察により、こ
の化合物は室温においてスメクチック相を示し、９３．
５℃においてスメクチック相から等方性液体相に転移す
ることがわかった。
この化合物の工Ｒスペクトルを第１図に、ＯＤＯＩｇ溶
媒ＴＭ８内部標準のＮＭＲスペクトルを第２図に示す。
媒ＴＭ８内部標準のＮＭＲスペクトルを第２図に示す。
実施例２
実施例１において式ｎ−ＯｇＨｙＢｒに代えて式ｎ−０
＠Ｈ１１Ｂｒ ６．６ ｔ （０，０４モ／Ｌ／）を用
い以下一連の操作を同実施例と同様に施すことにより式
ｎ−ＯｍＨｙ℃ｐ号−ｎ−０７Ｈ１６の化合物を得た。
＠Ｈ１１Ｂｒ ６．６ ｔ （０，０４モ／Ｌ／）を用
い以下一連の操作を同実施例と同様に施すことにより式
ｎ−ＯｍＨｙ℃ｐ号−ｎ−０７Ｈ１６の化合物を得た。
収量４．３ｒ、ホットステージ付の偏光顕微鏡下での観
察により、この化合物は室温においてス、メクチツク相
を示し、９７．８℃においてスメクチック相から等方性
液体相に転移することがわかった。
察により、この化合物は室温においてス、メクチツク相
を示し、９７．８℃においてスメクチック相から等方性
液体相に転移することがわかった。
この化合物の工Ｒスペクトルを第３図に、ＣＤ０１ｇ溶
媒ＴＭＢ内部標準のＮＭＲスペクトルを第４図に示す。
媒ＴＭＢ内部標準のＮＭＲスペクトルを第４図に示す。
実施例３〜１５
実施例１と同様にして下記の化合物を得た。
トランス、トランス−４−エチル−４′−ｎ−プロピル
ビシクロヘキシル トランス、トランス−４−エチル−４′−ｎ−プチルビ
シク四ヘキシル トランス、トランス−４−エチル−４′−ｎ−ペンチル
ビシクロヘキシル トランス、トランス−４−エチル−４′−ｎ−へキシル
ビシクロヘキシル トランス、トランス−４−エチル−４′−ｎ−ペンチル
ビシクロヘキシル トランス、トランス−４−エチル−４′−ｎ−オクチル
ビシクロヘキシル トランス、トランス−４，４′−ジ−コープ四ビルビシ
クロヘキシル トランス、トランス−４−ｎ−プロピ／Ｉ／ −４’
−ｎ−ペンチルビシクロヘキシル トランス、トランス−４−ｎ−プロピ／Ｉ／−４’ −
ｎ−へキシルビシクキヘキシル トランス、トランス−４，４′−ジ−ｎ−ブチルビシク
ロヘキシル トランス、トランス−４−ｎ−ブチＡ／ −４’ −ｎ
−ペンチルビシクロヘキシル トランス、トランス−４−ｎ−ブチ／ｌ／ −４’ −
ｎ−へキシルビシクロヘキシル トランス、トランス−４，４′−ジ−ｎ−ペンチルビシ
クロヘキシル 実施例１６ ｎ−Ｏｓ Ｈｙ ４ ００ ！べＣ・−ｎｏ１Ｈ工１の
化合物の等重量混合物（以下比較液晶Ａと称す）を比較
例として実施例１の化合物の粘度およびΔｎを比較した
。式ｎ−Ｃ５Ｈｔ℃・舎０Ｃ２Ｈｂの化合物２５ｗｔ％
、式ｎ−Ｏｓ ’ｉｌｒ （公舎０−ｎＣ！ ４ Ｈ
ｅの化合物２０ ｗｔチおよびメルク社液晶ｚＬニー１
０８３５５ｗｔ％の混合物（以下母体液晶Ａと称す）の
０℃の粘度、母体液晶Ａ ８８ ｗｔチと実施例１の化
合物１２ｗｔ％の混合物００℃の粘度および母体液晶Ａ
８８ ｗｔ％と比較液晶Ａ１２ｗｔ％の混合物００℃
の粘度を第１表に示した。また、各混合物のネマチック
相から等方性液体相への転移温度（Ｔｃ）も第１表に示
した。
ビシクロヘキシル トランス、トランス−４−エチル−４′−ｎ−プチルビ
シク四ヘキシル トランス、トランス−４−エチル−４′−ｎ−ペンチル
ビシクロヘキシル トランス、トランス−４−エチル−４′−ｎ−へキシル
ビシクロヘキシル トランス、トランス−４−エチル−４′−ｎ−ペンチル
ビシクロヘキシル トランス、トランス−４−エチル−４′−ｎ−オクチル
ビシクロヘキシル トランス、トランス−４，４′−ジ−コープ四ビルビシ
クロヘキシル トランス、トランス−４−ｎ−プロピ／Ｉ／ −４’
−ｎ−ペンチルビシクロヘキシル トランス、トランス−４−ｎ−プロピ／Ｉ／−４’ −
ｎ−へキシルビシクキヘキシル トランス、トランス−４，４′−ジ−ｎ−ブチルビシク
ロヘキシル トランス、トランス−４−ｎ−ブチＡ／ −４’ −ｎ
−ペンチルビシクロヘキシル トランス、トランス−４−ｎ−ブチ／ｌ／ −４’ −
ｎ−へキシルビシクロヘキシル トランス、トランス−４，４′−ジ−ｎ−ペンチルビシ
クロヘキシル 実施例１６ ｎ−Ｏｓ Ｈｙ ４ ００ ！べＣ・−ｎｏ１Ｈ工１の
化合物の等重量混合物（以下比較液晶Ａと称す）を比較
例として実施例１の化合物の粘度およびΔｎを比較した
。式ｎ−Ｃ５Ｈｔ℃・舎０Ｃ２Ｈｂの化合物２５ｗｔ％
、式ｎ−Ｏｓ ’ｉｌｒ （公舎０−ｎＣ！ ４ Ｈ
ｅの化合物２０ ｗｔチおよびメルク社液晶ｚＬニー１
０８３５５ｗｔ％の混合物（以下母体液晶Ａと称す）の
０℃の粘度、母体液晶Ａ ８８ ｗｔチと実施例１の化
合物１２ｗｔ％の混合物００℃の粘度および母体液晶Ａ
８８ ｗｔ％と比較液晶Ａ１２ｗｔ％の混合物００℃
の粘度を第１表に示した。また、各混合物のネマチック
相から等方性液体相への転移温度（Ｔｃ）も第１表に示
した。
この表から明らかなように本発明の化合物を含有する混
合液晶Ｔｏを下げることなく粘度を低下させることがわ
かる。また、式 ｎＣ！ｓＨｙ ヘＣａ−００ｚ＋０−ｎｏｉｓｅの化合
物、式ｎ−０４１ｓヘリ・−ＣＯｔ＜←ＯＣ山の化合物
および式ｎｏ山１ ヘリ嗜−００ｚ ４刊ＣＨ３の化合
物の等重量混合物（以下母体液晶Ｂと称す）は２５℃に
おいて０．０８６１の△ｎを有するが、母体液晶Ｂ８５
ｗｔ％と実施例１の化合物の混合物および母体液晶Ｂ
８５ ｗｔ％と比較液晶Ａ １５ ｗｔ％の混合物は２
５℃において、それぞれ９．０７６０，０．０７８３の
Δｎを有し、本発明の化合物のΔｎが小さいことがわか
る。
合液晶Ｔｏを下げることなく粘度を低下させることがわ
かる。また、式 ｎＣ！ｓＨｙ ヘＣａ−００ｚ＋０−ｎｏｉｓｅの化合
物、式ｎ−０４１ｓヘリ・−ＣＯｔ＜←ＯＣ山の化合物
および式ｎｏ山１ ヘリ嗜−００ｚ ４刊ＣＨ３の化合
物の等重量混合物（以下母体液晶Ｂと称す）は２５℃に
おいて０．０８６１の△ｎを有するが、母体液晶Ｂ８５
ｗｔ％と実施例１の化合物の混合物および母体液晶Ｂ
８５ ｗｔ％と比較液晶Ａ １５ ｗｔ％の混合物は２
５℃において、それぞれ９．０７６０，０．０７８３の
Δｎを有し、本発明の化合物のΔｎが小さいことがわか
る。
本発明の化合物は１種あるいは１種以上を、他のネマチ
ック、コレステリック、スメクチック液晶、二色性液晶
染料、特には二色性染料等に混合した液晶として所望形
状の電極を有する透明基板間に封入して液晶表示素子と
して使用される。
ック、コレステリック、スメクチック液晶、二色性液晶
染料、特には二色性染料等に混合した液晶として所望形
状の電極を有する透明基板間に封入して液晶表示素子と
して使用される。
また、この素子は、必要に応じて各種アンダ゛−コート
、配向制御用オーバーコート、偏光板、フィルター、反
射層等を有していてもよく、多層セルとしたり、他の表
示素子と組みあわせたり、半尭体基板を用いたり、ある
いは光源を用いたりする種々のものが使用できる。
、配向制御用オーバーコート、偏光板、フィルター、反
射層等を有していてもよく、多層セルとしたり、他の表
示素子と組みあわせたり、半尭体基板を用いたり、ある
いは光源を用いたりする種々のものが使用できる。
また、液晶表示素子の駆動方式としては、ダイナミック
スキャタリング（ＤＳＭ）方式、ツィステッドネマチッ
ク（ＴＮ）方式、ゲストホスト（ＧＨ）方式、二周波方
式、スメクチック相の電気および／又は熱光学方式等液
晶表示素子の分野で公知の方式を採用することができる
。
スキャタリング（ＤＳＭ）方式、ツィステッドネマチッ
ク（ＴＮ）方式、ゲストホスト（ＧＨ）方式、二周波方
式、スメクチック相の電気および／又は熱光学方式等液
晶表示素子の分野で公知の方式を採用することができる
。
本発明の液晶性化合物は粘度が低く、屈折率異方性が／
」・さく、また、化学的にもきわめて安定であるなどの
特長を有するので、本発明の液晶性化合物を含有する液
晶表示素子は速い応答性を示す表示が可能である。
」・さく、また、化学的にもきわめて安定であるなどの
特長を有するので、本発明の液晶性化合物を含有する液
晶表示素子は速い応答性を示す表示が可能である。
第１図および第３図は、本発明実施例の液晶性化合物の
工Ｒスペクトル図であり、第２図および第４図は本発明
実施例の化合物のＨＮＭＲスペクトル図である。 矛／Ａ 午 ３ 用
工Ｒスペクトル図であり、第２図および第４図は本発明
実施例の化合物のＨＮＭＲスペクトル図である。 矛／Ａ 午 ３ 用
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ｕ） 一般式 ＲΦ号−Ｒ’ （１） （式中、へＤ・−はトランス−１，４−ジ置換シクロヘ
キサ７項を表わし、ＲおよびＲ′は炭素数２〜８のアル
キル基である）で表わされる液晶性化合物。 （２） （１）式において、ＲおよびＲ′の少なくとも
一方は直鎖状のアルキル基であり、かつ両者の炭素数の
合計が１２以下であるところの特許請求の範囲第１項記
載の液晶性化合物。 （８４（１）式において、ＲおよびＲ′がいずれも直鎖
状のアルキル基であり、かつ両者の炭素数の合計が５以
上ｌＯ以下であるところの特許請求の範囲第１項記載の
液晶性化合物。 （荀 一般式 ＲΦ号−Ｒ’ （１） （式中、Φ−はトランス−１，４−ジ置換シクロヘキサ
７項を表わし、ＲおよびＲ′は炭素数２〜８のアルキル
基である）で表わされる液晶化合物の少なくとも１種を
組成物中１ ９０ｗｔ％混合したことを特徴とする液晶
組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12551883A JPS6018571A (ja) | 1983-07-12 | 1983-07-12 | 液晶性化合物及び液晶組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12551883A JPS6018571A (ja) | 1983-07-12 | 1983-07-12 | 液晶性化合物及び液晶組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6018571A true JPS6018571A (ja) | 1985-01-30 |
Family
ID=14912129
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12551883A Pending JPS6018571A (ja) | 1983-07-12 | 1983-07-12 | 液晶性化合物及び液晶組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6018571A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01198434A (ja) * | 1988-02-02 | 1989-08-10 | Fujikura Ltd | 金属線の酸化防止方法および酸化防止装置 |
-
1983
- 1983-07-12 JP JP12551883A patent/JPS6018571A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01198434A (ja) * | 1988-02-02 | 1989-08-10 | Fujikura Ltd | 金属線の酸化防止方法および酸化防止装置 |
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