JPS60186479A - 高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体の製造方法 - Google Patents
高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体の製造方法Info
- Publication number
- JPS60186479A JPS60186479A JP59041908A JP4190884A JPS60186479A JP S60186479 A JPS60186479 A JP S60186479A JP 59041908 A JP59041908 A JP 59041908A JP 4190884 A JP4190884 A JP 4190884A JP S60186479 A JPS60186479 A JP S60186479A
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- JP
- Japan
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- aluminum nitride
- sintered body
- carbon
- nitride sintered
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
し発明の技術分野〕
本発明は高熱伝導性を具備した窒化アルミニウム焼結体
の製造方法に関するものである。
の製造方法に関するものである。
窒化アルミニウムは絶縁性でありかつ熱伝導性に優れた
セラミックスとして知られている。
セラミックスとして知られている。
しかしながら窒化アルミニウム焼結体の原料の窒化アル
ミニウム粉末には通常は不純物として酸素をはじめとす
る不純物が含まれている。このため原料粉末をできるだ
け不純物の混入を防いだ工程で焼結、例えば１６００℃
〜１９００℃における加圧焼結で行なっても得られた焼
結体の熱伝導率は４０〜４５ ｗ／Ｉｍ−Ｋ程度の値に
止まってしまう問題があり、さらに高熱伝導化の要求が
あった。
ミニウム粉末には通常は不純物として酸素をはじめとす
る不純物が含まれている。このため原料粉末をできるだ
け不純物の混入を防いだ工程で焼結、例えば１６００℃
〜１９００℃における加圧焼結で行なっても得られた焼
結体の熱伝導率は４０〜４５ ｗ／Ｉｍ−Ｋ程度の値に
止まってしまう問題があり、さらに高熱伝導化の要求が
あった。
本発明は上述の問題を改善し、熱伝導性に優れた窒化ア
ルミニウム焼結体の製造方法を提供することを目的とし
ている。
ルミニウム焼結体の製造方法を提供することを目的とし
ている。
本発明者は上述の目的を達成するためには平均粒径３岬
以下の窒化アルミニウム原料粉末に０．０５〜２重量％
の炭素ないしは分解して同量の炭素を形成する化合物を
添加混合した粉末を加圧焼結することが極めて有効であ
ることを見い出した。
以下の窒化アルミニウム原料粉末に０．０５〜２重量％
の炭素ないしは分解して同量の炭素を形成する化合物を
添加混合した粉末を加圧焼結することが極めて有効であ
ることを見い出した。
焼結時の圧力は高い方が焼結体の緻密化、熱伝導率改善
及び焼結時に用いられる容器の強度を瑚慮して実際上５
０〜６００ψ−の範囲が好ましい。
及び焼結時に用いられる容器の強度を瑚慮して実際上５
０〜６００ψ−の範囲が好ましい。
焼結時の温度は１７００℃未満では焼結体が緻密化せず
、逆に２１００℃を超えると高温では窒化アルミニウム
の蒸発が顕著となり良好な焼結体が得られないので、１
７００℃−２１００℃の範囲とする。添加される炭素の
量が過剰であると焼結体中に残存して熱伝導度き下げる
原因ともなるので０．０５〜２＊量チの範囲とする必要
がある。又Ａ／Ｎ粉末は３μｍを超えると緻密性、熱伝
導性が低下する為３μｍ以下とする。
、逆に２１００℃を超えると高温では窒化アルミニウム
の蒸発が顕著となり良好な焼結体が得られないので、１
７００℃−２１００℃の範囲とする。添加される炭素の
量が過剰であると焼結体中に残存して熱伝導度き下げる
原因ともなるので０．０５〜２＊量チの範囲とする必要
がある。又Ａ／Ｎ粉末は３μｍを超えると緻密性、熱伝
導性が低下する為３μｍ以下とする。
本発明になる窒化アルミニウム焼結体は窒化アルミニウ
ム粉末に所定量の炭素ないしは分解して炭素となる化合
物を添加混合した粉末を焼結することによる簡単な操作
で焼結体の熱伝導性を改善することができる。また添加
物が炭素のみであり、かつ添加された炭素が窒化アルミ
ニウム粉末に含せれる酸素を除去するだめに焼結後の焼
結体は非常Ｉこ高純度となり高純度であることを要求さ
れるアルミ溶融用ルツボなどへの利用も可能であるなど
の効果が期待できる。
ム粉末に所定量の炭素ないしは分解して炭素となる化合
物を添加混合した粉末を焼結することによる簡単な操作
で焼結体の熱伝導性を改善することができる。また添加
物が炭素のみであり、かつ添加された炭素が窒化アルミ
ニウム粉末に含せれる酸素を除去するだめに焼結後の焼
結体は非常Ｉこ高純度となり高純度であることを要求さ
れるアルミ溶融用ルツボなどへの利用も可能であるなど
の効果が期待できる。
し発明の実施例〕
以下実施例によって詳細に説明する。
実施例１
平均粒径３μｍ以下の窒化アルミニウム粉末１００ｙ１
こ無定形炭素（粒径１μｍ以下） ０．ＩＰを添加しボ
ールミルで湿式混合を４時間行ない乾燥後金型プレスを
用い３ＱＱＫｙ’ｍ’の加圧成形を行ない約３Ｑ７ＷＸ
３０ｍＸ１２Ｍの圧粉体を得た。
こ無定形炭素（粒径１μｍ以下） ０．ＩＰを添加しボ
ールミルで湿式混合を４時間行ない乾燥後金型プレスを
用い３ＱＱＫｙ’ｍ’の加圧成形を行ない約３Ｑ７ＷＸ
３０ｍＸ１２Ｍの圧粉体を得た。
圧粉体をカーボン製モールド１こ入れ窒素ガス雰囲気下
で３００に６１，４’−１８００℃−１時間の加圧焼結
を行なった。得られた焼結体から直径１０調、厚さ４ｗ
Ｒの円板を切り出しレーザーフラッシュ法にて熱伝導率
を測定したところ５５ｗ／ｍ−にの値が得られた。
で３００に６１，４’−１８００℃−１時間の加圧焼結
を行なった。得られた焼結体から直径１０調、厚さ４ｗ
Ｒの円板を切り出しレーザーフラッシュ法にて熱伝導率
を測定したところ５５ｗ／ｍ−にの値が得られた。
焼結体の密度は３．２６Ｖ（ｌｄであった。
実施例２−９
実施例１と同じ窒化アルミニウム粉末と炭素を用いて炭
素濃度、焼結温度−圧力を変えて得られた窒化アルミニ
ウム焼結体の熱伝導率測定結果を第１表ｆこ示した。
素濃度、焼結温度−圧力を変えて得られた窒化アルミニ
ウム焼結体の熱伝導率測定結果を第１表ｆこ示した。
第１表
実施例工１
平均粒径２μｍの以下へ窒化アルミニウム粉末１００）
に炭素源として砂糖１ノを添加しボールミルで乾式混合
を２４時間行なった。この混合粉末を金型プレスを用い
て３ＱＱｖｄの加圧成形を行ない約３０ｍ ｘ ３Ｑｍ
ｘ １２ｍの圧粉体を得た。圧粉体をカーボン製モー
ルドに入れ窒素ガス雰囲気化で３００に９／ａｄ−１８
００℃−３０分間の加圧焼結を行なった。得られた焼結
体から直径ＩＱｍ、厚さ４ｍの円板を切り出しレーザー
フラッシュ法ｌこて熱伝導率を測定したところ５５ ｗ
／ｍＫの値が得られた。焼結体の密度は３．２６Ｐβで
あった。
に炭素源として砂糖１ノを添加しボールミルで乾式混合
を２４時間行なった。この混合粉末を金型プレスを用い
て３ＱＱｖｄの加圧成形を行ない約３０ｍ ｘ ３Ｑｍ
ｘ １２ｍの圧粉体を得た。圧粉体をカーボン製モー
ルドに入れ窒素ガス雰囲気化で３００に９／ａｄ−１８
００℃−３０分間の加圧焼結を行なった。得られた焼結
体から直径ＩＱｍ、厚さ４ｍの円板を切り出しレーザー
フラッシュ法ｌこて熱伝導率を測定したところ５５ ｗ
／ｍＫの値が得られた。焼結体の密度は３．２６Ｐβで
あった。
比較例１〜５
実施例１−９と同じ窒化アルミニウム粉末と炭素を用い
て炭素濃度、焼結温度−圧力を変えて得られた窒化アル
ミニウム焼結体の熱伝導率測定結果を第２表ｆこ示しだ
。
て炭素濃度、焼結温度−圧力を変えて得られた窒化アル
ミニウム焼結体の熱伝導率測定結果を第２表ｆこ示しだ
。
代理人 弁理士 則 近 憲 佑 （ほか１名）第１頁
の続き ０発 明 者 柘 植 章 彦 川崎市幸区４所内 １向東芝町１ 東京芝浦電気株式会社総合研究Ａ＾＾
の続き ０発 明 者 柘 植 章 彦 川崎市幸区４所内 １向東芝町１ 東京芝浦電気株式会社総合研究Ａ＾＾
Claims (2)
- （１） 平均粒径３ＩＪｒｎ以下のＡ／Ｎ粉末に炭素案
は分解して炭素になる化合物を炭素に換算して０．０５
重量％以上２重量％以下添加した混合粉末を焼結して得
られることを特徴とする高熱伝導性窒化アルミニウム焼
結体の製造方法。 - （２）焼結が１７００℃〜２１００℃の温度範囲でかつ
５０険−以上の加圧焼結であることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の高熱伝導性窒化アルミニウム焼結
体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59041908A JPS60186479A (ja) | 1984-03-07 | 1984-03-07 | 高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59041908A JPS60186479A (ja) | 1984-03-07 | 1984-03-07 | 高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60186479A true JPS60186479A (ja) | 1985-09-21 |
| JPH0567593B2 JPH0567593B2 (ja) | 1993-09-27 |
Family
ID=12621376
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59041908A Granted JPS60186479A (ja) | 1984-03-07 | 1984-03-07 | 高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60186479A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01242468A (ja) * | 1988-03-23 | 1989-09-27 | Japan Steel Works Ltd:The | 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 |
| JPH042663A (ja) * | 1990-04-17 | 1992-01-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 高熱伝導性着色窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法 |
| WO2001047831A1 (en) * | 1999-12-28 | 2001-07-05 | Ibiden Co., Ltd. | Carbon-containing aluminum nitride sintered compact, and ceramic substrate for use in apparatus for manufacturing and inspecting semiconductor |
| US6719931B2 (en) | 2000-01-10 | 2004-04-13 | Basf Aktiengesellschaft | Low-viscosity, melamine-formaldehyde resin microcapsule dispersions with reduced formaldehyde content |
| US6900149B1 (en) | 1999-09-06 | 2005-05-31 | Ibiden Co., Ltd. | Carbon-containing aluminum nitride sintered compact and ceramic substrate for use in equipment for manufacturing or inspecting semiconductor |
-
1984
- 1984-03-07 JP JP59041908A patent/JPS60186479A/ja active Granted
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01242468A (ja) * | 1988-03-23 | 1989-09-27 | Japan Steel Works Ltd:The | 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 |
| JPH042663A (ja) * | 1990-04-17 | 1992-01-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 高熱伝導性着色窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法 |
| US6900149B1 (en) | 1999-09-06 | 2005-05-31 | Ibiden Co., Ltd. | Carbon-containing aluminum nitride sintered compact and ceramic substrate for use in equipment for manufacturing or inspecting semiconductor |
| US6964812B2 (en) | 1999-09-06 | 2005-11-15 | Ibiden Co., Ltd. | Carbon-containing aluminum nitride sintered compact and ceramic substrate for use in equipment for manufacturing or inspecting semiconductor |
| US7015166B2 (en) | 1999-09-06 | 2006-03-21 | Ibiden Co., Ltd. | Carbon-containing aluminum nitride sintered compact and ceramic substrate for use in equipment for manufacturing or inspecting semiconductor |
| WO2001047831A1 (en) * | 1999-12-28 | 2001-07-05 | Ibiden Co., Ltd. | Carbon-containing aluminum nitride sintered compact, and ceramic substrate for use in apparatus for manufacturing and inspecting semiconductor |
| US6719931B2 (en) | 2000-01-10 | 2004-04-13 | Basf Aktiengesellschaft | Low-viscosity, melamine-formaldehyde resin microcapsule dispersions with reduced formaldehyde content |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0567593B2 (ja) | 1993-09-27 |
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