JPS60187067A - メモリ機能を有するフオトカプラ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の技術分野］ 本発明は、たとえば入出力回路の絶縁を要求される箇所
に使用されるメモリ機能を有するフォトカプララに関す
る。

［発明の技術的背景］ 従来、光結合によりメモリ回路を構成する場合、第１図
に示す回路方式が用いられていた。この回路方式は、既
存の２個のフォトカブラＰｉ　、　Ｒ２および５個の外
付抵抗Ｒ１−Ｒ５を図示のように接続することにより、
双安定マルチバイブレータ（フリップフロップ回路）を
構成し、メモリ機能を持たせる方式である。

［背景技術の問題点］ しかしながら、上述した従来の回路方式では次のような
問題があった。すなわち、メモリ機能を有しない個別の
フォトカブラを用いるため、外付素子を多数用いて回路
構成しなければならない。

また、回路構成のための所要面積を広く必要とする。ま
た、部品点数に比例してメモリ機能当りの価格が高価と
なる。さらに、外付素子が多くなることに伴い信頼性が
阻害される。

［発明の目的コ 本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、その目的と
するところは、部品点数の削減および低価格化が図れ、
信頼性も著しく向上するメモリ機能を有するフォトカブ
ラを提供することにある。

［発明の概要コ 本発明は、上記目的を達成するために、メモリ回路機能
を単一のフォトカプラに持たせるように構成したもので
ある。

［発明の実施例］ 以下、本発明の一実施例について図面を参照して説明す
る。

第２図において、破線で囲んだ部分は本発明に係るフォ
トカプラを示し、外付けされた抵抗Ｒ１゜Ｒ２は実使用
に際しての電流制限用抵抗である。

本フォトカブラは、セット信号の入力により発光動作す
る第１発光素子としての発光ダイオードＬＤ１、リセッ
ト信号の入力により発光動作する第２発光素子としての
発光ダイオード１０２、これら発光ダイオードＬＤ１．
ＬＤ２とそれぞれ光学的に結合され、それらからの光信
号によりオン動作する第１、第２受光素子としてのフォ
トトランジスタＰＴｓ　、ＰＴ２　、上記フォトトラン
ジスタＰＴ１と光学的に結合され、そのフォトトランジ
スタＰＴＩのコレクタに直列接続された第３発光素子と
しての発光ダイオードＬＤ３から構成されている。そし
て、上記フォトトランジスタＰＴ２がオンするとフォト
トランジスタＰＴ１がオフ動作するように回路接続され
ている。なお、図中のＰＤｓはフォトトランジスタＰＴ
ｔのフォトダイオードを、ＰＤ２はフォトトランジスタ
ＰＴ２のフォトダイオードをそれぞれ示す。

次に、このような構成において動作を説明すとる。

今、セット信号が発光ダイオードＬＤｓに印加されると
、発光ダイオードＬＤｒは発光動作し、その光信号は光
結合によりフォトダイオードＰＤ１に導かれ、フォトダ
イオードＰＤｌはオン動作し、よってフォトトランジス
タＰＴ工はオン動作する。

これにより、フォトトランジスタＰＴ１のコレクタ・エ
ミッタ間は低インピーダンス特性を示し、この結果、フ
ォトトランジスタＰＴ１のコレクタに直列接続されてい
る発光ダイオードＬＤ３は通電されて発光動作する。発
光ダイオードＬＤ３からの光信号は光結合によりフォト
ダイオードＰＤ！に導かれ、これによりフォトトランジ
スタＰＴ１のオン動作が保持される。この状態は、セッ
ト信号がオフとなった後も持続し、リセット、信号が入
力されるまで継続する。これがセットメモリの状態であ
り、出力信号は低レベル状態を維持する。

しかして、このセットメモリ状態はリセット信号を発光
ダイオードしＤ２に印加することによりクリアされる。

すなわち、発光ダイオードＬＤ２からの光信号は光結合
によりフォトダイオードＰＤ２に導かれ、フォトダイオ
ードＰＤ２はオン動作し、よってフォトトランジスタＰ
Ｔ２はオン動作する。このとき、フォトトランジスタＰ
Ｔ２のコレクタ・エミッタ間飽和電圧ガフオドトランジ
スタＰＴ１のベース・エミッタ間電圧よりも低いことに
より、フォトトランジスタＰＴＩのベースバイアス電流
をしゃ断させ、フォトトランジスタＰＴｓをオフ動作さ
せる。これに伴い発光ダイオードＬＤ３もオフとなって
発光を停止し、フォトトランジスタＰＴ１は完全にオフ
する。これがリセットメモリの状態で、出力信号は高レ
ベルとなり、再度セット信号が印加されるまで持続する
。

以上説明したような構成であれば、単一の素子でメモリ
機能を持たせることができるので、外付素子数の削減が
図れるとともに、従来のように回路構成のための所要面
積を広く必要としない。また、外付素子数の削減に伴い
信頼性も著しく向上し、かつメモリ機能当りの低価格化
が図れる。

［発明の効１］ 以上詳述したように本発明によれば、部品点数の削減お
よび低価格化が図れ、信頼性も著しく向上するメモリ機
能を有するフォトカプラを提供できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の光結合によるメモリ回路を示す構成図、
第２図は本発明の一実施例を示す構成図である。 ＬＤｌ・・・・・・発光ダイオード（第１発光素子）、
ＬＤ２・・・・・・発光ダイオード（第２発光素子）、
ＬＤａ・・・・・・発光ダイオード（第３発光素子）、
ＰＴｌ・・・・・・フォトトランジスタ（第１受光素子
）、ＰＴ２・・・・・・フォトトランジスタ（第２受光
素子）。 出願人代理人　弁理士　鈴江武彦 第１図 第２図

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）セット信号の入力により発光動作する第１発光素
   子と、この第１発光素子と光学的に結合され第１発光素
   子からの光信号によりオン動作する第１受光素子と、こ
   の第１受光素子と光学的に結合され第１受光素子がオン
   動作すると発光動作する第３発光素子と、リセット信号
   の入力により発光動作する第２発光素子と、この第２発
   光素子と光学的に結合され第２発光素子からの光信号に
   よりオン動作して前記第１受光素子をオフ動作せしめる
   第２受光素子とを具備したことを特徴とするメモリ機能
   を有するフォトカブラ。
2. （２）前記第１、第２、第３発光素子はそれぞれ発光ダ
   イオードである特許請求の範囲第１項記載のメモリ機能
   を有するフ）１トカブラ。
3. （３）前記第１、第２受光素子はそれぞれフォトトラン
   ジスタである特許請求の範囲第１項記載のメモリ機能を
   有するフォトカブラ。