JPS60187952A - 光デイスク用スタンパの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （ａ）発明の技術分野 本発明は欠陥密度の少ない光デイスク用スタンパの製造
方法に関する。

（ｂ）技術の背景 光ディスクは大容量の情報記録が可能であり、情報の記
録と再生をディスク面と非接触の状態で行うことができ
、また塵埃の影響を受けにくいなどの特徴を備えたメモ
リである。

すなわち磁気ディスクや磁気テープでは１ビツトの情報
記録に数１０平方μｍの面積を要するのに対し、光ディ
スクの場合はレーザ光を直径約１μｍの微少スポットに
集光して記録を行うため、記録面積は１平方μｍ程度で
足りることになり、大容量記録が可能となる。

また対物レンズによって絞り込まれるレーザ光のレンズ
端面からディスク面までの距離は１乃至２ｍｍあるので
磁気ディスクで問題となるヘッドクラッシュの危険性は
避けることができ、従って長寿命化が可能となる。

また記録再生用のレーザ光は厚さが１鰭程度の透明なカ
バーを通して絞り込まれるため記録媒体が露出しておら
ず、そのため汚染が避けられると共に、直径が１μｍ程
度のスポットも透明カバー上では直径が１１麿程度の光
ビームであるため塵埃の存在が殆ど影響を及ぼさなくな
る。

本発明はかかる特徴をもつ光ディスクを製造する際に使
用するスタンパの製造方法に関するものである。

（Ｃ）従来技術と問題点 第１図は光デイスク用スタンバの製造工程を示すもので
ある。

すなわち良く研磨した厚さが約５１１で直径が２０乃至
４０ｃｍのガラス円板を基板とし、同図（Ａ）に示すよ
うにこの基板１の上にスピンコード法を用いてレジスト
膜２を形成する。

次にレーザ光をプリグループ位置およびトランク隘やセ
クタ階などのアドレス位置に選択照射してレジスト膜２
を感光せしめ、これを現像することにより同図（Ｂ）に
示すようなプリグループ原盤３ができあがる。

次に同図（Ｃ）に示すように真空蒸着法によりプリグル
ープ原盤３の上に厚さ数１００人のニッケル（Ｎｔ）蒸
着膜４を作り、更にこの蒸着膜４の上に同図（Ｄ）で示
すように電解鍍金（以下略してメッキ）法により厚さ約
３００　μｍのＮｉ層５を形成する。

このようにして作られたＮｉ層５を同図（Ｂ）に示すプ
リグループ原盤３から剥離することで同図（Ｅ）に示す
ようなスタンパ６が完成する。

このようにして作られたスタンパ６はこれを鋳型とし、
レコード製作と類似の方法で合成樹脂を成型し、この合
成樹脂板の上に記録媒体層を形成することにより光ディ
スクが作られている。

本発明はかかる光ディスクの形成に使用するスタンパの
製造法に関するものである。

ここでスタンパ６の必要条件は第１図／Ｂ）に示すよう
にレジスト膜２に形成されてい　７°リグルーブやアド
レスなどの情報が高精度　現されていると共に、これか
ら情報の書込・°　行われる位置例えばプリグループ位
置は平ｌ′ごあって欠陥の無いことが必要である。

その理由は記録媒体面に凹凸が存在すると読出しに当た
ってレーザ光が乱反射してノイズが増大すると共に情報
品質が著しく損なわれる。

そこでガラス基板１は平滑に研磨したものを使用すると
共に第１図（Ｃ）で示すレジスト膜２の上にＮｉ蒸着膜
４を形成する工程においてもレジスト膜２との密着性を
向上するために基板１を加熱することが行われている。

然し、このように基板加熱を行いつつＮｉの蒸着を行う
とレジスト膜２から揮発成分が発生してＮｉ蒸着膜４の
中に混入すること、レジスト膜２とＮｉ蒸着膜４とが何
らかの反応を起こすことなどが原因してＮｉ蒸着膜が撥
水性を帯び、その次のＮｉメソキ工程においてＮｉ層５
とＮｉ蒸着膜４との密着性が不完全となる。そのためス
タンパ６の形成のためにＮｔ層５をプリグループ原盤３
から剥離するに当たってＮｉ蒸着膜４の一部がレジスト
２の上に残存し、そのためスタンパ６の欠陥数が多いと
云う問題がある。

この解決法としてＮｉ蒸着膜４を形成した後に溶剤を使
用して膜面を洗浄することが考えられるが、Ｎｉ蒸着膜
４の厚さが薄く、またレジストが一般の溶剤に対し容易
に溶解するため、洗浄などの表面処理を行えないと云う
問題があった。

（ｄ）発明の目的 本発明の目的は光デイスク用スタンパの製作に当たって
プリグループ原盤の王に形成されているＮｉ蒸着膜の撥
水性を除去してＮｉメッキ層を形成する方法を提供する
にある。

（８）発明の構成 本発明の目的は光ディスクのプリグループ原盤上にニッ
ケル蒸着膜を形成したる後、該原盤をニッケル鍍金液に
浸漬して回転させ、前記ニッケル蒸着膜の濡れ性を回復
させる前処理を行って後、ニッケルの電気鍍金を行うこ
とを特徴とする光デイスク用スタンパの製造方法により
達成することができる。

（ｆ）発明の実施例 スタンパ６の製作に当たっては成型面における欠陥は出
来うる限り少なくすることが必要であり、この見地から
Ｎｉ蒸着膜４の形成に当たって密着性向上のための基板
１の加熱は必要である。

然しこの加熱処理によりＮｉ蒸着膜４に撥水性を生じて
しまう。

発明者等は溶剤処理を行うことなく撥水性を除去する方
法として第１図（Ｃ）に示すＮｉ蒸着膜４を形成したプ
リグループ原盤（以下略して蒸着基板）をＮｉメッキ液
の中に浸漬し、回転処理を行うことにより撥水性が除去
できることを見いだした。

然しこの撥水性の除去は本質的なものではなく、水洗洗
浄を行ったのち乾燥処理を施せば再び元の撥水性が現れ
て（る。この理由は明瞭ではないが恐ら（Ｎｉ蒸着膜と
メッキ液との電位差および回転による攪拌効果に依って
メッキ液に添加しである界面活性剤が蒸着基板の表面に
析出して１Ω水性を消失させていると思われる。

但し蒸着基板の液中での回転は短時間では効果はなく、
少なくとも数１０分に互って行うことが必要である。

この方法により、蒸着基板とＮｉ　メッキ層との密着性
は向上し、第１図（Ｄ）で示すＮｉ層５を剥離してスタ
ンパ６を作る際にＮｉ蒸着膜４の残存による欠陥を無く
することができる。

以下実施例に就い°て説明する。

プリグループ原盤にＮｉ蒸着膜を形成する際の基板加熱
温度を１４０℃とし、この条件で蒸着して厚さ５００人
のＮｉ蒸着膜４を形成した。

この蒸着基板をスルファミン酸ニッケルを主構成分とす
る市販のニッケルメッキ液に浸漬し１１００ＰＰの回転
数で４０分に互って回転させ、その後通常の方法でメッ
キを行ってスタンパ６を作ったが欠陥密度は１０程度で
あり、従来と較べると遥かに少ない。

第２図はスタンパの欠陥密度と浸漬時間との関係を示す
もので、欠陥数はスタンパの表面をレーザスポットで走
査する場合に反射光の異常から計測した。

ここで蒸着基板の回転は１００　ＰＰＭであるが、特性
曲線７より明らかなように欠陥密度は浸漬時間と共に減
少して一定値に近づく。

なおここで欠陥密度はスタンパ表面に生じている総ての
欠陥を計数したものであって、特性曲線７の飽和値にお
いてはＮｉ蒸着膜の剥離欠陥は見当たらない。

以上のように蒸着基板を液中で回転させると云う簡単な
処理を施すことにより、スタンパの欠陥を減らすことが
できる。

（ｇ）・発明の効果 本発明はＮｉ蒸着膜のプリグループ原盤への密着性向上
のために行う基板加熱に伴って生ずる撥水性を除去する
もので、本発明の実施により良質の光ディスクの製造が
可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図（Ａ）乃至（Ｅ）は光デイスク用スタンパの製造
工程を示す断面図また第２図はスタンパと浸漬時間の関
係図である。 図において　１は基板、２はレジスト、３はプリグルー
プ原盤、４はニッケル蒸着膜、５はニッケル層、６はス
タンパ。 一一一ノ　「七丁

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 光ディスクのプリグループ原盤上にニッケル蒸着膜を形
   成したる後、該原盤をニッケル鍍金液に浸漬して回転さ
   せ、前記ニッケル蒸着膜の濡れ性を回復させる前処理を
   行って後、ニッケルの電気鍍金を行うことを特徴とする
   光デイスク用スタンパの製造方法。