JPH052779A - スタンパーの製造方法 - Google Patents
スタンパーの製造方法Info
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- JPH052779A JPH052779A JP15704291A JP15704291A JPH052779A JP H052779 A JPH052779 A JP H052779A JP 15704291 A JP15704291 A JP 15704291A JP 15704291 A JP15704291 A JP 15704291A JP H052779 A JPH052779 A JP H052779A
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- stamper
- electroforming
- glass
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 電鋳後の研磨工程において、反りがなく、板
厚の均一なスタンパーを容易に得ることのできるスタン
パーの製造方法を提供する。 【構成】 ガラス基板１１の表面にフォトレジスト層を
塗布形成し、この上に凹凸の微細パターンを形成するこ
とによりガラス原盤１３を得る。次に、ガラス原盤１３
の成膜面に導電化膜１４を形成する。導電化膜１４を形
成したガラス原盤１３の成膜面が凸面となるように、取
り付け面が凸面状の形状を有する原盤ホルダー１８でガ
ラス原盤１３を保持し、電鋳液中で通電させ、導電化膜
１４を形成したガラス原盤１３上にガラス原盤１３に電
鋳を行なうことにより、導電化膜１４上に金属膜１５を
形成させる。これを取り出して、室温中に所定時間放置
し研磨した後、これら導電化膜１４および金属膜１５を
一体として同時にガラス原盤１３から剥離させ、スタン
パーを製造する。
厚の均一なスタンパーを容易に得ることのできるスタン
パーの製造方法を提供する。 【構成】 ガラス基板１１の表面にフォトレジスト層を
塗布形成し、この上に凹凸の微細パターンを形成するこ
とによりガラス原盤１３を得る。次に、ガラス原盤１３
の成膜面に導電化膜１４を形成する。導電化膜１４を形
成したガラス原盤１３の成膜面が凸面となるように、取
り付け面が凸面状の形状を有する原盤ホルダー１８でガ
ラス原盤１３を保持し、電鋳液中で通電させ、導電化膜
１４を形成したガラス原盤１３上にガラス原盤１３に電
鋳を行なうことにより、導電化膜１４上に金属膜１５を
形成させる。これを取り出して、室温中に所定時間放置
し研磨した後、これら導電化膜１４および金属膜１５を
一体として同時にガラス原盤１３から剥離させ、スタン
パーを製造する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光学的に情報の記録、
再生を行なう光記録媒体を成型するスタンパーの製造方
法に関する。
再生を行なう光記録媒体を成型するスタンパーの製造方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、多種多様の情報を効率良く取り扱
う手段として、光記録媒体による光学的情報記録方法が
提案され、そのための光学的情報記録担体、記録再生方
法および記録再生装置が提案されている。かかる情報記
録担体としての光記録媒体は、一般にレーザー光を用い
て情報記録担体上の光記録層の一部を揮散させるか、反
射率の変化を生じさせるか、あるいは変形を生じさせ
て、光学的な反射率や透過率の差によって情報を記録
し、あるいは再生を行なっている。この場合、光記録層
は、情報を書き込んだ後、現像処理などの必要がなく、
「書いた後に直読する」ことのできる、いわゆるＤＲＡ
Ｗ（ダイレクトリードアフターライト）媒体であり、高
密度記録が可能であり、また追加書き込みも可能である
ことから、情報の記録・保存媒体として有効である。
う手段として、光記録媒体による光学的情報記録方法が
提案され、そのための光学的情報記録担体、記録再生方
法および記録再生装置が提案されている。かかる情報記
録担体としての光記録媒体は、一般にレーザー光を用い
て情報記録担体上の光記録層の一部を揮散させるか、反
射率の変化を生じさせるか、あるいは変形を生じさせ
て、光学的な反射率や透過率の差によって情報を記録
し、あるいは再生を行なっている。この場合、光記録層
は、情報を書き込んだ後、現像処理などの必要がなく、
「書いた後に直読する」ことのできる、いわゆるＤＲＡ
Ｗ（ダイレクトリードアフターライト）媒体であり、高
密度記録が可能であり、また追加書き込みも可能である
ことから、情報の記録・保存媒体として有効である。
【０００３】一般的な光記録媒体では、熱可塑性樹脂で
あるポリカーボネート樹脂やポリメチルメタクリル樹脂
をトラックや情報に対応する凹凸パターンが記録されて
いるスタンパーを用いて、その凹凸パターンを転写して
溝部を形成している。特開昭６１−２８４８４３号公
報、実開昭５８−１４１４３５号公報および「光ディス
クプロセス技術の要点Ｎｏ．５」（昭和６０年３月１５
日、日本工業技術センター発行）には、従来の情報記録
媒体成型用のスタンパーの製造方法が記載されている。
あるポリカーボネート樹脂やポリメチルメタクリル樹脂
をトラックや情報に対応する凹凸パターンが記録されて
いるスタンパーを用いて、その凹凸パターンを転写して
溝部を形成している。特開昭６１−２８４８４３号公
報、実開昭５８−１４１４３５号公報および「光ディス
クプロセス技術の要点Ｎｏ．５」（昭和６０年３月１５
日、日本工業技術センター発行）には、従来の情報記録
媒体成型用のスタンパーの製造方法が記載されている。
【０００４】これらの製造方法は、図５の（Ａ）〜
（Ｄ）に示すように、まずガラス基板の表面にフォトレ
ジスト層を塗布形成し、この上に、トラッキング用溝、
情報用ビット等の凹凸の微細なパターンを形成すること
によりガラス原盤５３を得る（Ａ）。次に、ガラス原盤
５３の成膜面（微細なパターンが形成された面）に導電
化膜５４を膜厚が５００Å〜１０００Å4となるように
形成する。この導電化膜５４は、真空中での金属の蒸
着、もしくは、スパッターリング等の方法により成膜さ
れ、材料には銀、多くはニッケル（Ｎｉ）がよく用いら
れている（Ｂ）。導電化膜５４を形成したガラス原盤５
３を原盤ホルダー５８で保持し、２０〜３０ｒｐｍの回
転速度で回転させながら、スルファミン酸ニッケル等の
電鋳液中で通電させ、導電化膜５４を形成したガラス原
盤５３上にニッケル等の金属を析出させて電鋳を行なう
ことにより、導電化膜５４上に金属膜５５を形成させ
（Ｃ）、これを取り出して（Ｄ）研磨した後、これら導
電化膜５４および金属膜５５を一体として同時にガラス
原盤５３から剥離させ、スタンパーを製造している。
（Ｄ）に示すように、まずガラス基板の表面にフォトレ
ジスト層を塗布形成し、この上に、トラッキング用溝、
情報用ビット等の凹凸の微細なパターンを形成すること
によりガラス原盤５３を得る（Ａ）。次に、ガラス原盤
５３の成膜面（微細なパターンが形成された面）に導電
化膜５４を膜厚が５００Å〜１０００Å4となるように
形成する。この導電化膜５４は、真空中での金属の蒸
着、もしくは、スパッターリング等の方法により成膜さ
れ、材料には銀、多くはニッケル（Ｎｉ）がよく用いら
れている（Ｂ）。導電化膜５４を形成したガラス原盤５
３を原盤ホルダー５８で保持し、２０〜３０ｒｐｍの回
転速度で回転させながら、スルファミン酸ニッケル等の
電鋳液中で通電させ、導電化膜５４を形成したガラス原
盤５３上にニッケル等の金属を析出させて電鋳を行なう
ことにより、導電化膜５４上に金属膜５５を形成させ
（Ｃ）、これを取り出して（Ｄ）研磨した後、これら導
電化膜５４および金属膜５５を一体として同時にガラス
原盤５３から剥離させ、スタンパーを製造している。
【０００５】図５（Ｃ）に示す電鋳工程において、電鋳
液の温度は、内部応力や限界電流密度を考慮して設定さ
れており、標準的には４５〜５０℃である。
液の温度は、内部応力や限界電流密度を考慮して設定さ
れており、標準的には４５〜５０℃である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、４５〜
５０℃の電鋳液中で形成されたスタンパーを、例えば２
５℃の室温に取り出すとき、その温度差は、２０〜２５
℃であるから、ガラス原盤とニッケルとの熱膨張率の違
い（ガラスは９〜１０×１０-6／℃、ニッケルは１５．
１×１０-6／℃）により、図５（Ｄ）に示すように、バ
イメタルのような状態となり、この結果、反り量（ガラ
ス原盤の成膜面の中心点と接する接線と該成膜面の縁部
との距離）ｃの反りを生ずる。そのため、電鋳後の研磨
工程において、スタンパーの板厚が均一となるように研
磨を行なうことが非常に困難であった。また、反りを抑
えるためには、ガラス原盤を厚いものにしなくてはなら
ず、作業性、コスト等に問題があった。
５０℃の電鋳液中で形成されたスタンパーを、例えば２
５℃の室温に取り出すとき、その温度差は、２０〜２５
℃であるから、ガラス原盤とニッケルとの熱膨張率の違
い（ガラスは９〜１０×１０-6／℃、ニッケルは１５．
１×１０-6／℃）により、図５（Ｄ）に示すように、バ
イメタルのような状態となり、この結果、反り量（ガラ
ス原盤の成膜面の中心点と接する接線と該成膜面の縁部
との距離）ｃの反りを生ずる。そのため、電鋳後の研磨
工程において、スタンパーの板厚が均一となるように研
磨を行なうことが非常に困難であった。また、反りを抑
えるためには、ガラス原盤を厚いものにしなくてはなら
ず、作業性、コスト等に問題があった。
【０００７】本発明は、上記従来の技術の有する問題点
に鑑みなされたものであり、その目的は、電鋳後の研磨
工程において、反りがなく、板厚の均一なスタンパーを
容易に得ることのできるスタンパーの製造方法を提供す
ることにある。
に鑑みなされたものであり、その目的は、電鋳後の研磨
工程において、反りがなく、板厚の均一なスタンパーを
容易に得ることのできるスタンパーの製造方法を提供す
ることにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明のスタンパーの製
造方法は、表面に微細なパターンを有するガラス原盤上
に導電化膜を形成し、電鋳により前記導電化膜上に金属
膜を成膜して、光学的に情報の記録、再生を行なう光記
録媒体を成型するスタンパーを製造するスタンパーの製
造方法において、前記ガラス原盤の成膜面が凸面となる
状態で電鋳を行なうことを特徴とするものである。
造方法は、表面に微細なパターンを有するガラス原盤上
に導電化膜を形成し、電鋳により前記導電化膜上に金属
膜を成膜して、光学的に情報の記録、再生を行なう光記
録媒体を成型するスタンパーを製造するスタンパーの製
造方法において、前記ガラス原盤の成膜面が凸面となる
状態で電鋳を行なうことを特徴とするものである。
【０００９】本発明のスタンパーの製造方法では、成膜
面が凸面となるようにガラス原盤を変形させた状態で電
鋳を行なってもよいし、ガラス原盤として成膜面が凸面
状の曲面を有するガラス原盤を用いてもよい。
面が凸面となるようにガラス原盤を変形させた状態で電
鋳を行なってもよいし、ガラス原盤として成膜面が凸面
状の曲面を有するガラス原盤を用いてもよい。
【００１０】
【作用】本発明によれば、成膜面が凸面の状態で電鋳を
行なうため、形成されたスタンパーを室温に取り出した
時に、ガラス原盤と金属膜との熱膨張率の違いから生じ
る反りが相殺され、反りの無い状態でスタンパーの研磨
を行なうことができ、板厚の均一なスタンパーを容易に
得ることができる。
行なうため、形成されたスタンパーを室温に取り出した
時に、ガラス原盤と金属膜との熱膨張率の違いから生じ
る反りが相殺され、反りの無い状態でスタンパーの研磨
を行なうことができ、板厚の均一なスタンパーを容易に
得ることができる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明を図面を用いて詳細に説明す
る。図１（Ａ）〜（Ｄ）は本発明の第１の実施態様を示
す工程図、図２（Ａ）〜（Ｅ）は本実施態様のより詳細
な工程図、図３は本実施態様で用いられる電鋳装置の一
例を示す概略構成図である。
る。図１（Ａ）〜（Ｄ）は本発明の第１の実施態様を示
す工程図、図２（Ａ）〜（Ｅ）は本実施態様のより詳細
な工程図、図３は本実施態様で用いられる電鋳装置の一
例を示す概略構成図である。
【００１２】図３に示す電鋳装置は、電鋳液１７中で、
ニッケル等の成膜用の金属を主成分とする金属チップ１
９を陽極、回転軸１０の軸回りに回転し、ガラス原盤１
３が取り付けられる原盤ホルダー１８を陰極とする公知
の構成のものである。ただし、原盤ホルダー１８は、ガ
ラス原盤１３が取り付けられる取り付け面が凸面状の形
状を有している点が公知のものと異なる。
ニッケル等の成膜用の金属を主成分とする金属チップ１
９を陽極、回転軸１０の軸回りに回転し、ガラス原盤１
３が取り付けられる原盤ホルダー１８を陰極とする公知
の構成のものである。ただし、原盤ホルダー１８は、ガ
ラス原盤１３が取り付けられる取り付け面が凸面状の形
状を有している点が公知のものと異なる。
【００１３】電鋳は、この図３に示す電鋳装置を用い、
原盤ホルダー１８を回転数５０ｒｐｍ以下、より好まし
くは２０〜３０ｒｐｍに設定する。通電量および通電時
間は、通電電流の時間積分値で１５０〜３００ＡＨとし
て金属膜を厚さ１００〜２００μｍに析出させる。電鋳
液１７としては、成膜する金属膜によって異なるが、例
えばニッケル金属膜を成膜する場合、スルファミン酸ニ
ッケル電鋳液等が用いられる。電鋳液１７の液温は２０
℃〜７０℃程度の範囲が用いられる。３０℃以下の低い
温度では導電化膜への密着性が悪く、また６０℃以上の
高温になると、スルファミン酸の分解を生じ安定して用
いにくい。したがって、標準的には４５〜５０℃の液温
が好ましい。
原盤ホルダー１８を回転数５０ｒｐｍ以下、より好まし
くは２０〜３０ｒｐｍに設定する。通電量および通電時
間は、通電電流の時間積分値で１５０〜３００ＡＨとし
て金属膜を厚さ１００〜２００μｍに析出させる。電鋳
液１７としては、成膜する金属膜によって異なるが、例
えばニッケル金属膜を成膜する場合、スルファミン酸ニ
ッケル電鋳液等が用いられる。電鋳液１７の液温は２０
℃〜７０℃程度の範囲が用いられる。３０℃以下の低い
温度では導電化膜への密着性が悪く、また６０℃以上の
高温になると、スルファミン酸の分解を生じ安定して用
いにくい。したがって、標準的には４５〜５０℃の液温
が好ましい。
【００１４】次に、本実施態様の製造方法の工程につい
て図１の（Ａ）〜（Ｄ）および図２（Ａ）〜（Ｅ）を参
照して説明する。まず、図２（Ａ）に示すように、ガラ
ス基板１１の表面にフォトレジスト層１２を塗布形成
し、この上に、トラッキング用溝、情報用ビット等の凹
凸の微細パターン１２Ａを形成することによりガラス原
盤１３を得る（図１（Ａ），図２（Ｂ））。次に、ガラ
ス原盤１３の成膜面（微細なパターンが形成された面）
に導電化膜１４を膜厚が５００Å〜１０００Åとなるよ
うに形成する。この導電化膜１４は、真空中での金属の
蒸着、もしくは、スパッターリング等の方法により成膜
され、材料には銀、多くはニッケル（Ｎｉ）がよく用い
られる（図１（Ｂ），図２（Ｃ））。導電化膜１４を形
成したガラス原盤１３の成膜面が凸面となるように、取
り付け面が凸面状の形状を有する原盤ホルダー１８でガ
ラス原盤１３を保持し（図１（ｃ））、２０〜３０ｒｐ
ｍの回転速度で回転させながら、スルファミン酸ニッケ
ルを主成分とする電鋳液１７（図３参照）中で通電さ
せ、導電化膜１４を形成したガラス原盤１３上にニッケ
ルを主成分とする金属チップ１９（図３参照）を溶解さ
せながらガラス原盤１３上に析出させて電鋳を行なうこ
とにより、導電化膜１４上に金属膜１５を形成させる
（図２（Ｄ））。これを取り出して、室温中に所定時間
放置し（図１（Ｄ））、研磨した後、これら導電化膜１
４および金属膜１５を一体として同時にガラス原盤１３
から剥離させ、スタンパー１６を製造する（図２
（Ｅ））。
て図１の（Ａ）〜（Ｄ）および図２（Ａ）〜（Ｅ）を参
照して説明する。まず、図２（Ａ）に示すように、ガラ
ス基板１１の表面にフォトレジスト層１２を塗布形成
し、この上に、トラッキング用溝、情報用ビット等の凹
凸の微細パターン１２Ａを形成することによりガラス原
盤１３を得る（図１（Ａ），図２（Ｂ））。次に、ガラ
ス原盤１３の成膜面（微細なパターンが形成された面）
に導電化膜１４を膜厚が５００Å〜１０００Åとなるよ
うに形成する。この導電化膜１４は、真空中での金属の
蒸着、もしくは、スパッターリング等の方法により成膜
され、材料には銀、多くはニッケル（Ｎｉ）がよく用い
られる（図１（Ｂ），図２（Ｃ））。導電化膜１４を形
成したガラス原盤１３の成膜面が凸面となるように、取
り付け面が凸面状の形状を有する原盤ホルダー１８でガ
ラス原盤１３を保持し（図１（ｃ））、２０〜３０ｒｐ
ｍの回転速度で回転させながら、スルファミン酸ニッケ
ルを主成分とする電鋳液１７（図３参照）中で通電さ
せ、導電化膜１４を形成したガラス原盤１３上にニッケ
ルを主成分とする金属チップ１９（図３参照）を溶解さ
せながらガラス原盤１３上に析出させて電鋳を行なうこ
とにより、導電化膜１４上に金属膜１５を形成させる
（図２（Ｄ））。これを取り出して、室温中に所定時間
放置し（図１（Ｄ））、研磨した後、これら導電化膜１
４および金属膜１５を一体として同時にガラス原盤１３
から剥離させ、スタンパー１６を製造する（図２
（Ｅ））。
【００１５】スパッターリングおよび電鋳により導電化
膜１４および金属膜１５（以降、Ｎｉ膜１４，１５と記
す）が形成されたガラス原盤１３を室温中に取り出す
と、従来の方法では、ガラス原盤１３とＮｉ膜１４，１
５との熱膨張率の違いから図５（Ｄ）に示すような反り
が生じる。ガラス原盤１３用のガラスの熱膨張率が９〜
１０×１０-6／℃、Ｎｉ膜１４，１５用のニッケルの熱
膨張率が１５．１×１０-6／℃であるから、電鋳液１７
の液温をＴ℃、液温におけるガラス原盤の直径（すなわ
ちＮｉ膜の直径）をｄとすると、室温（２５℃とする）
におけるＮｉ膜の直径ａおよびガラス原盤の直径ｂは、
それぞれ ａ＝｛１−１５．１×１０-6・（Ｔ−２５）｝・ｄ ｂ＝｛１−１０．０×１０-6・（Ｔ−２５）｝・ｄ となり、Ｎｉ膜１４，１５の厚み中心からガラス原盤１
３の厚み中心までの長さをｔとすると、反り量（ガラス
原盤の成膜面の中心点と接する接線と該成膜面の縁部と
の距離）ｃは、近似的に下記式（１）により求められ
る。
膜１４および金属膜１５（以降、Ｎｉ膜１４，１５と記
す）が形成されたガラス原盤１３を室温中に取り出す
と、従来の方法では、ガラス原盤１３とＮｉ膜１４，１
５との熱膨張率の違いから図５（Ｄ）に示すような反り
が生じる。ガラス原盤１３用のガラスの熱膨張率が９〜
１０×１０-6／℃、Ｎｉ膜１４，１５用のニッケルの熱
膨張率が１５．１×１０-6／℃であるから、電鋳液１７
の液温をＴ℃、液温におけるガラス原盤の直径（すなわ
ちＮｉ膜の直径）をｄとすると、室温（２５℃とする）
におけるＮｉ膜の直径ａおよびガラス原盤の直径ｂは、
それぞれ ａ＝｛１−１５．１×１０-6・（Ｔ−２５）｝・ｄ ｂ＝｛１−１０．０×１０-6・（Ｔ−２５）｝・ｄ となり、Ｎｉ膜１４，１５の厚み中心からガラス原盤１
３の厚み中心までの長さをｔとすると、反り量（ガラス
原盤の成膜面の中心点と接する接線と該成膜面の縁部と
の距離）ｃは、近似的に下記式（１）により求められ
る。
【００１６】
ｃ＝η・（η／ｃｏｓθ−η）／（η／ｃｏｓθ） …（１）
ただし、η＝ａ・ｔ／（ｂ−ａ）＋ｔ
θ＝（ｂ−ａ）／（２・ｔ）
例えば、直径ｄ＝３００ｍｍ、厚さ１０ｍｍのガラス原
盤１３上に電鋳液温４５℃で厚み０．２ｍｍのＮｉ膜１
４，１５を形成した場合に生じる反り量ｃを求めると、
約２００μｍとなる。実際には、電鋳時の歪やガラス原
盤の剛性等が加わり、生じる反り量は１００〜１６０μ
ｍである。
盤１３上に電鋳液温４５℃で厚み０．２ｍｍのＮｉ膜１
４，１５を形成した場合に生じる反り量ｃを求めると、
約２００μｍとなる。実際には、電鋳時の歪やガラス原
盤の剛性等が加わり、生じる反り量は１００〜１６０μ
ｍである。
【００１７】したがって、生じる反り量に応じて、ガラ
ス原盤に力を加え、該ガラス原盤の成膜面が凸面となる
ように反らせた状態にして電鋳を行なうことにより、電
鋳により形成されたスタンパーを室温中に取り出した際
に生じる反り量を相殺することができる。図４（Ａ）〜
（Ｄ）は本発明の第２の実施態様を示す工程図である。
ス原盤に力を加え、該ガラス原盤の成膜面が凸面となる
ように反らせた状態にして電鋳を行なうことにより、電
鋳により形成されたスタンパーを室温中に取り出した際
に生じる反り量を相殺することができる。図４（Ａ）〜
（Ｄ）は本発明の第２の実施態様を示す工程図である。
【００１８】図４（Ａ）に示すように、ガラス表面をあ
らかじめ生じる反り量に応じた曲率を有する曲面に研磨
加工したガラス原盤２３を用いることにより、電鋳によ
り形成されたスタンパーを室温中に取り出した際に生じ
る反り量を相殺することができる。図４（Ａ）〜（Ｄ）
に示す導電化膜２４，金属膜２５および原盤ホルダー２
８ならびに各工程は、従来の技術の欄で説明した図５
（Ａ）〜（Ｄ）に示す導電化膜５４，金属膜５５および
原盤ホルダー５８ならびに各工程とそれぞれ同様である
ので、説明を省略する。
らかじめ生じる反り量に応じた曲率を有する曲面に研磨
加工したガラス原盤２３を用いることにより、電鋳によ
り形成されたスタンパーを室温中に取り出した際に生じ
る反り量を相殺することができる。図４（Ａ）〜（Ｄ）
に示す導電化膜２４，金属膜２５および原盤ホルダー２
８ならびに各工程は、従来の技術の欄で説明した図５
（Ａ）〜（Ｄ）に示す導電化膜５４，金属膜５５および
原盤ホルダー５８ならびに各工程とそれぞれ同様である
ので、説明を省略する。
【００１９】以下、実施例を示し、本発明をさらに具体
的に説明する。 実施例１ 表面にピッチ１２μｍ、幅３．０μｍ、深さ３０００Å
の凹凸パターンが形成されたフォトマスク（ＨＯＹＡ
製）の凹凸パターン形成面に、紫外線硬化樹脂（日本化
薬製、ＩＮＣ１１８）を適量滴下した。次に、厚さ１０
ｍｍ、直径ｄ＝３００ｍｍのガラス基板を用い、滴下し
た紫外線硬化樹脂を挟み込むようにして、自重により適
当な圧力を加えながら紫外線硬化樹脂が均一に５０μｍ
の厚さになった状態で硬化させた。硬化後にフォトマス
クを外してガラス原盤を得た。次に、ニッケルを１００
０Åの厚さにスパッターすることにより、導電化膜を形
成したガラス原盤を得た。得られたガラス原盤を直径ｄ
＝３００ｍｍにおける反り量が１２０μｍである凸形状
の曲面を有する原盤ホルダーに真空チャックにより取り
付けた。
的に説明する。 実施例１ 表面にピッチ１２μｍ、幅３．０μｍ、深さ３０００Å
の凹凸パターンが形成されたフォトマスク（ＨＯＹＡ
製）の凹凸パターン形成面に、紫外線硬化樹脂（日本化
薬製、ＩＮＣ１１８）を適量滴下した。次に、厚さ１０
ｍｍ、直径ｄ＝３００ｍｍのガラス基板を用い、滴下し
た紫外線硬化樹脂を挟み込むようにして、自重により適
当な圧力を加えながら紫外線硬化樹脂が均一に５０μｍ
の厚さになった状態で硬化させた。硬化後にフォトマス
クを外してガラス原盤を得た。次に、ニッケルを１００
０Åの厚さにスパッターすることにより、導電化膜を形
成したガラス原盤を得た。得られたガラス原盤を直径ｄ
＝３００ｍｍにおける反り量が１２０μｍである凸形状
の曲面を有する原盤ホルダーに真空チャックにより取り
付けた。
【００２０】次に、ガラス原盤を取り付けた原盤ホルダ
ーを２０〜３０ｒｐｍの回転速度で回転させながらスル
ファミン酸ニッケル電鋳液中で通電させ、電鋳液温度５
０℃、通電電流の時間積分値３００ＡＨの条件で約２５
０μｍのニッケル金属膜を形成した。このようにして、
複数枚のガラス原盤に対し電鋳を行なった。使用した電
鋳液は、以下の組成のものである。
ーを２０〜３０ｒｐｍの回転速度で回転させながらスル
ファミン酸ニッケル電鋳液中で通電させ、電鋳液温度５
０℃、通電電流の時間積分値３００ＡＨの条件で約２５
０μｍのニッケル金属膜を形成した。このようにして、
複数枚のガラス原盤に対し電鋳を行なった。使用した電
鋳液は、以下の組成のものである。
【００２１】
スルファミン酸ニッケル・４水塩［Ｎｉ（ＮＨ2 ＳＯ3 ）2 ・４Ｈ2 Ｏ］
５００ｇ／リットル
硼酸（Ｈ3 ＢＯ3 ） ３５〜３８ｇ／リットル
ピット防止剤 ２．５ミリリットル／リットル
電鋳膜の形成された各ガラス原盤を取り出し、室温（２
５℃）中にそれぞれ１時間放置した後、各ガラス原盤の
端部における反り量を測定したところ、いずれも５〜８
μｍであり、実質的に平坦であった。
５℃）中にそれぞれ１時間放置した後、各ガラス原盤の
端部における反り量を測定したところ、いずれも５〜８
μｍであり、実質的に平坦であった。
【００２２】次に、スタンパーの板厚が２００μｍとな
るように電鋳膜の表面（スタンパーの裏面）をアルミナ
と水を混合した研磨液を用いて研磨した後、各ガラス原
盤から剥離し、それぞれスタンパーを得た。得られた各
スタンパーの板厚を測定したところ、板厚のばらつきは
１０μｍ以下であった。 実施例２ 厚さ１０ｍｍ、直径ｄ＝３００ｍｍのガラス基板を、直
径ｄ＝３００ｍｍにおける反り量が１００μｍである図
２に示すような凸形状の曲面となるように鏡面研磨しガ
ラス原盤を作成した。
るように電鋳膜の表面（スタンパーの裏面）をアルミナ
と水を混合した研磨液を用いて研磨した後、各ガラス原
盤から剥離し、それぞれスタンパーを得た。得られた各
スタンパーの板厚を測定したところ、板厚のばらつきは
１０μｍ以下であった。 実施例２ 厚さ１０ｍｍ、直径ｄ＝３００ｍｍのガラス基板を、直
径ｄ＝３００ｍｍにおける反り量が１００μｍである図
２に示すような凸形状の曲面となるように鏡面研磨しガ
ラス原盤を作成した。
【００２３】次に、ガラス原盤表面にフォトレジスト
（ＡＺ−１３００，ヘキストジャパン社製）を３０００
Å塗布し、レーザー光を用いてピッチ１２μｍ、幅３．
０μｍ深さ３０００Åの凹凸パターンの露光を行なっ
た。次いで現像を行ない上記凹凸パターンを有するガラ
ス原盤を得た。次に、ニッケルを１０００Åの厚さにス
パッターすることにより、導電化膜を形成したガラス原
盤を得た。
（ＡＺ−１３００，ヘキストジャパン社製）を３０００
Å塗布し、レーザー光を用いてピッチ１２μｍ、幅３．
０μｍ深さ３０００Åの凹凸パターンの露光を行なっ
た。次いで現像を行ない上記凹凸パターンを有するガラ
ス原盤を得た。次に、ニッケルを１０００Åの厚さにス
パッターすることにより、導電化膜を形成したガラス原
盤を得た。
【００２４】得られたガラス原盤を原盤ホルダーに取り
付け、２０〜３０ｒｐｍの回転速度で回転させながらス
ルファミン酸ニッケル電鋳液中で通電させ、電鋳液温度
５０℃、通電電流の時間積分値２５０ＡＨの条件で約２
２０μｍのニッケル金属膜を形成した。このようにし
て、複数枚のガラス原盤に対し電鋳を行なった。使用し
た電鋳液は、以下の組成のものである。
付け、２０〜３０ｒｐｍの回転速度で回転させながらス
ルファミン酸ニッケル電鋳液中で通電させ、電鋳液温度
５０℃、通電電流の時間積分値２５０ＡＨの条件で約２
２０μｍのニッケル金属膜を形成した。このようにし
て、複数枚のガラス原盤に対し電鋳を行なった。使用し
た電鋳液は、以下の組成のものである。
【００２５】
スルファミン酸ニッケル・４水塩［Ｎｉ（ＮＨ2 ＳＯ3 ）2 ・４Ｈ2 Ｏ］
５００ｇ／リットル
硼酸（Ｈ3 ＢＯ3 ） ３５〜３８ｇ／リットル
ピット防止剤 ２．５ミリリットル／リットル
電鋳膜の形成された各ガラス原盤を取り出し、室温（２
５℃）中にそれぞれ１時間放置したところ、各ガラス原
盤はほぼ平坦となった。次に、スタンパーの板厚が１８
０μｍとなるように電鋳膜の表面をアルミナと水を混合
した研磨液を用いて研磨した後、各ガラス原盤から剥離
し、それぞれスタンパーを得た。得られた各スタンパー
の板厚を測定したところ、板厚のばらつきは１０μｍ以
下であった。
５℃）中にそれぞれ１時間放置したところ、各ガラス原
盤はほぼ平坦となった。次に、スタンパーの板厚が１８
０μｍとなるように電鋳膜の表面をアルミナと水を混合
した研磨液を用いて研磨した後、各ガラス原盤から剥離
し、それぞれスタンパーを得た。得られた各スタンパー
の板厚を測定したところ、板厚のばらつきは１０μｍ以
下であった。
【００２６】比較例
実施例１と同様にして導電化膜を形成したガラス原盤を
得た。得られたガラス原盤を図３に示すように取り付け
面が平坦である原盤ホルダーに、真空チャックにより取
り付けた。次に、実施例１と同条件で電鋳を行ない約２
５０μｍのニッケル金属膜を形成した。このようにし
て、複数枚のガラス原盤に対し電鋳を行なった。
得た。得られたガラス原盤を図３に示すように取り付け
面が平坦である原盤ホルダーに、真空チャックにより取
り付けた。次に、実施例１と同条件で電鋳を行ない約２
５０μｍのニッケル金属膜を形成した。このようにし
て、複数枚のガラス原盤に対し電鋳を行なった。
【００２７】電鋳膜の形成された各ガラス原盤を取り出
し、室温（２５℃）中にそれぞれ１時間放置した後、各
ガラス原盤の端部における反り量を測定したところいず
れも１４０〜１６０μｍであった。次に、スタンパーの
板厚が中心部で２４０μｍとなるように電鋳膜の表面の
裏面）をアルミナと水を混合した研磨液を用いて研磨し
た後、各ガラス原盤から剥離し、それぞれスタンパーを
得た。得られた各スタンパーの板厚を測定したところ、
中心部と端部で板厚に１００〜１２０μｍ程度の差があ
った。
し、室温（２５℃）中にそれぞれ１時間放置した後、各
ガラス原盤の端部における反り量を測定したところいず
れも１４０〜１６０μｍであった。次に、スタンパーの
板厚が中心部で２４０μｍとなるように電鋳膜の表面の
裏面）をアルミナと水を混合した研磨液を用いて研磨し
た後、各ガラス原盤から剥離し、それぞれスタンパーを
得た。得られた各スタンパーの板厚を測定したところ、
中心部と端部で板厚に１００〜１２０μｍ程度の差があ
った。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ガラス原盤の成膜面が凸面の状態で電鋳を行なうため、
形成されたスタンパーを室温中に取り出した時にガラス
原盤と金属膜との熱膨張率の違いから生じる反りが相殺
され、反りのないスタンパーを得ることができる。この
ため、反りのない状態でスタンパーの研磨を行なうこと
ができ、板厚の均一なスタンパーを容易に得ることがで
きる。
ガラス原盤の成膜面が凸面の状態で電鋳を行なうため、
形成されたスタンパーを室温中に取り出した時にガラス
原盤と金属膜との熱膨張率の違いから生じる反りが相殺
され、反りのないスタンパーを得ることができる。この
ため、反りのない状態でスタンパーの研磨を行なうこと
ができ、板厚の均一なスタンパーを容易に得ることがで
きる。
【図１】（Ａ）〜（Ｄ）は本発明の第１の実施態様を示
す工程図である。
す工程図である。
【図２】（Ａ）〜（Ｅ）は第１の実施態様のより詳細な
工程図である。
工程図である。
【図３】第１の実施態様に用いられる電鋳装置の概略図
である。
である。
【図４】（Ａ）〜（Ｄ）は本発明の第２の実施態様を示
す工程図である。
す工程図である。
【図５】（Ａ）〜（Ｄ）は従来例を示す工程図である。
１１ ガラス基板
１２ フォトレジスト層
１３ ガラス原盤
１４ 導電化膜
１５ 金属膜
１６ スタンパー
１７ 電鋳液
１８ 原盤ホルダー
１９ 金属チップ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 鹿目 修
東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ
ノン株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 表面に微細なパターンを有するガラス原
盤上に導電化膜を形成し、電鋳により前記導電化膜上に
金属膜を成膜して、光学的に情報の記録、再生を行なう
光記録媒体を成型するスタンパーを製造するスタンパー
の製造方法において、前記ガラス原盤の成膜面が凸面と
なる状態で電鋳を行なうことを特徴とするスタンパーの
製造方法。 - 【請求項２】 成膜面が凸面となるようにガラス原盤を
変形させた状態で電鋳を行なう請求項１記載のスタンパ
ーの製造方法。 - 【請求項３】 ガラス原盤として成膜面が凸面状の曲面
を有するガラス原盤を用いる請求項１記載のスタンパー
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15704291A JPH052779A (ja) | 1991-06-27 | 1991-06-27 | スタンパーの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15704291A JPH052779A (ja) | 1991-06-27 | 1991-06-27 | スタンパーの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH052779A true JPH052779A (ja) | 1993-01-08 |
Family
ID=15640926
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15704291A Pending JPH052779A (ja) | 1991-06-27 | 1991-06-27 | スタンパーの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH052779A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000002294A (ja) * | 1998-06-18 | 2000-01-07 | Nissan Motor Co Ltd | 能動型騒音振動制御装置及び車両用能動型振動制御装置 |
| US6631586B1 (en) | 1998-02-27 | 2003-10-14 | Asahi Glass Company Ltd. | Opening and closing structure of window member |
| KR100987456B1 (ko) * | 2008-08-06 | 2010-10-14 | 엘지전자 주식회사 | 곡면스탬퍼의 제작방법 |
| AT516722B1 (de) * | 2015-07-27 | 2016-08-15 | Berndorf Band Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines Metallbands gleichmäßiger Dicke |
| CN117305918A (zh) * | 2022-06-24 | 2023-12-29 | 苏州维业达科技有限公司 | 电铸版的制作方法和电铸版 |
-
1991
- 1991-06-27 JP JP15704291A patent/JPH052779A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6631586B1 (en) | 1998-02-27 | 2003-10-14 | Asahi Glass Company Ltd. | Opening and closing structure of window member |
| JP2000002294A (ja) * | 1998-06-18 | 2000-01-07 | Nissan Motor Co Ltd | 能動型騒音振動制御装置及び車両用能動型振動制御装置 |
| KR100987456B1 (ko) * | 2008-08-06 | 2010-10-14 | 엘지전자 주식회사 | 곡면스탬퍼의 제작방법 |
| AT516722B1 (de) * | 2015-07-27 | 2016-08-15 | Berndorf Band Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines Metallbands gleichmäßiger Dicke |
| AT516722A4 (de) * | 2015-07-27 | 2016-08-15 | Berndorf Band Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines Metallbands gleichmäßiger Dicke |
| CN117305918A (zh) * | 2022-06-24 | 2023-12-29 | 苏州维业达科技有限公司 | 电铸版的制作方法和电铸版 |
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