JPS60191255A - レジスト膜除去方法 - Google Patents
レジスト膜除去方法Info
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- JPS60191255A JPS60191255A JP4654184A JP4654184A JPS60191255A JP S60191255 A JPS60191255 A JP S60191255A JP 4654184 A JP4654184 A JP 4654184A JP 4654184 A JP4654184 A JP 4654184A JP S60191255 A JPS60191255 A JP S60191255A
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- resist
- pattern
- thin film
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の属する技術分野］
本発明はレジスト膜の除去方法に係り、特に被加工物に
加工を施す際にレジスト膜が変性、変質する場合の除去
方法及び基板又は被加工物が熱的不安定性を有する場合
のレジスト＋１９．除去方法に関する。
加工を施す際にレジスト膜が変性、変質する場合の除去
方法及び基板又は被加工物が熱的不安定性を有する場合
のレジスト＋１９．除去方法に関する。
［従来技術とその問題点コ
従来レジストの除去は有機剥ｌ！ｌ１ｆｋ 、すなわち
レジスト剥離液、溶剤で処理するが無機剥離法、すなわ
ち硫酸と硝酸、硫酸と過酸化水素水、硝酸と沸化水素酸
の混合液等で処理するのが一般的である。又薬品を使用
しない方法として、酸素（０２）ガスと高周波による酸
素プラズマ法による除去法が用いられている。
レジスト剥離液、溶剤で処理するが無機剥離法、すなわ
ち硫酸と硝酸、硫酸と過酸化水素水、硝酸と沸化水素酸
の混合液等で処理するのが一般的である。又薬品を使用
しない方法として、酸素（０２）ガスと高周波による酸
素プラズマ法による除去法が用いられている。
集積回路１％に光集積回路に於いて、回路パターンは１
μｍ程度からザブミクロンとなっている。
μｍ程度からザブミクロンとなっている。
このためレジストとしてはポジティブなフォトレジスト
、′電子線レジスト等が用いられるように１つている。
、′電子線レジスト等が用いられるように１つている。
従来方法である有機剥離法では、剥離が完全でなく、又
再付着により、歩留り向上への問題点となっている。又
無機剥離法は、有機法より剥離能力がより大きいが、煮
沸が必要である。特に無機剥離法では、被加工物或いは
基板が熱的に不安定な材料を用いた場合煮沸を行なうこ
とができないため、一層レシスト除去能力が低下し有機
法より剥−１１能力が不足する。
再付着により、歩留り向上への問題点となっている。又
無機剥離法は、有機法より剥離能力がより大きいが、煮
沸が必要である。特に無機剥離法では、被加工物或いは
基板が熱的に不安定な材料を用いた場合煮沸を行なうこ
とができないため、一層レシスト除去能力が低下し有機
法より剥−１１能力が不足する。
又最ｊＬ使用され始めているイオンエツチングにより、
被加工物に加工を施した場合レジストが変件、震質しさ
らに除去しにくくなることがある。
被加工物に加工を施した場合レジストが変件、震質しさ
らに除去しにくくなることがある。
近年盛んに用いられている酸素プラズマによる剥離方法
は、上記いずれのレジストも除去が可能であるが、前記
のようにイオンエツチングを施したレジストは、除去が
完全でない場合があり、又処坤時［司が１時間以上必要
であり、基板等被加工物表面にも悪影響を与える可能性
がある。
は、上記いずれのレジストも除去が可能であるが、前記
のようにイオンエツチングを施したレジストは、除去が
完全でない場合があり、又処坤時［司が１時間以上必要
であり、基板等被加工物表面にも悪影響を与える可能性
がある。
さらに、無機物の異物が付着していた場合除去しきれな
いという問題点がある。
いという問題点がある。
［発明の目的］
本発明は上述した従来方法の問題点を改良し、さらにレ
ジスト膜が変性、変質した場合或いは熱的不安定性を有
する基板を用いた場合等におけるレジストｉ除去方法を
提供することを目的とする。
ジスト膜が変性、変質した場合或いは熱的不安定性を有
する基板を用いた場合等におけるレジストｉ除去方法を
提供することを目的とする。
［発明の概賛］
本発明においては、波加工物上全面に、金〃；。
酸化珪素等の厚さ数１００ｘ程度の中間層を形成し、上
部にレジス１１を配偶する。この中間層なる薄膜は最終
段階で溶解或いは浸蝕する。従って溶解或いは浸蝕に用
いるエツチング液もしくはガスに対して、前記被加工物
及び基板よりも、＆解或いは浸蝕速度が大なる物質を用
いて、中間層なる薄膜を形成しなければならない。
部にレジス１１を配偶する。この中間層なる薄膜は最終
段階で溶解或いは浸蝕する。従って溶解或いは浸蝕に用
いるエツチング液もしくはガスに対して、前記被加工物
及び基板よりも、＆解或いは浸蝕速度が大なる物質を用
いて、中間層なる薄膜を形成しなければならない。
レジストに可視光、紫外縁、゛１１子？ＩＭ、ＸｉＷ他
により微細パターンを形成し、中間層である博ｊ挨及び
被加工物にエツチングによりパターンを転写せしめる。
により微細パターンを形成し、中間層である博ｊ挨及び
被加工物にエツチングによりパターンを転写せしめる。
中間層なる薄膜と仮加工物へパターンを成す際に用いる
エツチング方法は、同一方法としても良く、又、中間層
なるＮ膜にパターンを成した後、被加工物へ他の異なる
エツチング方法を用いてパターンを成しても良い。軸；
いて仮加工１勿。
エツチング方法は、同一方法としても良く、又、中間層
なるＮ膜にパターンを成した後、被加工物へ他の異なる
エツチング方法を用いてパターンを成しても良い。軸；
いて仮加工１勿。
基板が溶解せず中間層をなす薄膜を溶解又は浸蝕すル酸
、アルカリ、ガス等の前記エツチング液。
、アルカリ、ガス等の前記エツチング液。
ガスを用いて、中間層なる薄膜を溶解・浸蝕し、中間層
なる薄膜と共に残存レジスト膜の除去を行なう。
なる薄膜と共に残存レジスト膜の除去を行なう。
［発明の効果］
本発明によれば、中間ノーなる薄膜材料の選択により、
室温でのレジスト剥離が可能であり、熱的不安定性を氾
する被加工物又は基板或いは基板上に積載した被加工物
等を用いる場合の破損、歪み他の問題点が皆錯どなる。
室温でのレジスト剥離が可能であり、熱的不安定性を氾
する被加工物又は基板或いは基板上に積載した被加工物
等を用いる場合の破損、歪み他の問題点が皆錯どなる。
さらに、イオンエッチンク、イオンビームエツチング等
のドライエツチング法によるパターン形成においては、
レジストが炭化、損傷等により変性変質する場合があり
、従来方法では、完全なレジスト除去が困難であるが、
本発明によれば中間層なる薄膜を溶解或いは’Ｍ ｈｊ
＋しレジストを中間層と共に剥離するため、確実かつ完
全に残存レジストを除去することが可能となる。
のドライエツチング法によるパターン形成においては、
レジストが炭化、損傷等により変性変質する場合があり
、従来方法では、完全なレジスト除去が困難であるが、
本発明によれば中間層なる薄膜を溶解或いは’Ｍ ｈｊ
＋しレジストを中間層と共に剥離するため、確実かつ完
全に残存レジストを除去することが可能となる。
「発明の実施例」
本発明の第１の実施例を第１図を用いて説明する。第１
図（ａ）において被加工物１１としてＬ １Ｎｂｏ８を
用い中間層１２として金属アルミニウム（Ａ−ｔ）の薄
膜を用いる。さらにレジスト層１３として電子線レジス
） ＰＭＭＡを配置する。電子線描画装置によすＰＭＭ
Ａレジスト】３にパターンを描画し現像液ＭＩＢＫ等に
よりパターンを形成する（第１図（ｂ））。次に不活性
ガスアルゴン（Ａｒ）を用いたイオンビームエツチング
法により中間層なる薄膜及び被加工物ＬｉＮｂ０Ｂにレ
ジストＰＭＭＡをマスクとしてパターンを転写する（第
１図（Ｃ））。この後中間層なるＭ薄膜を溶解・浸蝕す
るＤｈ化水素岐、又は塩酸によって中間層Ａｔと共にレ
ジスト膜を剥離する（第１図（ｄ））。
図（ａ）において被加工物１１としてＬ １Ｎｂｏ８を
用い中間層１２として金属アルミニウム（Ａ−ｔ）の薄
膜を用いる。さらにレジスト層１３として電子線レジス
） ＰＭＭＡを配置する。電子線描画装置によすＰＭＭ
Ａレジスト】３にパターンを描画し現像液ＭＩＢＫ等に
よりパターンを形成する（第１図（ｂ））。次に不活性
ガスアルゴン（Ａｒ）を用いたイオンビームエツチング
法により中間層なる薄膜及び被加工物ＬｉＮｂ０Ｂにレ
ジストＰＭＭＡをマスクとしてパターンを転写する（第
１図（Ｃ））。この後中間層なるＭ薄膜を溶解・浸蝕す
るＤｈ化水素岐、又は塩酸によって中間層Ａｔと共にレ
ジスト膜を剥離する（第１図（ｄ））。
本実施例では被加工物が圧電性を有する強誘電体結晶で
あるため急激な温度変化（毎分１０℃以上）に対して大
きな歪みを生じて破損し、又、帯電するため異物の付着
等の問題があつ／ζが、すべての処理が室温でなされる
ため、上記のような不都合は発生しない。さらにパター
ン形成に際して、イオンビームエツチング法を用いると
、レジストＰＩＶＩＭＡは変性を起こす場合が多く、従
来法である有機剥離法、無機剥離法、酸素プラズマ法で
は完全にレジストを除去することが困難であるが本発明
では、レジスト層を溶解、浸蝕して除去するのではなく
、中間層なる薄膜を溶解或いは浸ｍ！Ｉ１． して中間
層と共にレジスト層を除去するため、完全にレジスト層
を除去することができる。又本実施例では、中間層とし
ての金属Ａｔ＃は導電性膜であり、電子線描画時の導電
膜として利用が可能である。
あるため急激な温度変化（毎分１０℃以上）に対して大
きな歪みを生じて破損し、又、帯電するため異物の付着
等の問題があつ／ζが、すべての処理が室温でなされる
ため、上記のような不都合は発生しない。さらにパター
ン形成に際して、イオンビームエツチング法を用いると
、レジストＰＩＶＩＭＡは変性を起こす場合が多く、従
来法である有機剥離法、無機剥離法、酸素プラズマ法で
は完全にレジストを除去することが困難であるが本発明
では、レジスト層を溶解、浸蝕して除去するのではなく
、中間層なる薄膜を溶解或いは浸ｍ！Ｉ１． して中間
層と共にレジスト層を除去するため、完全にレジスト層
を除去することができる。又本実施例では、中間層とし
ての金属Ａｔ＃は導電性膜であり、電子線描画時の導電
膜として利用が可能である。
なお、本発明によれば、多層レジスト構成による枦加工
物、基板に対しても充分適用可能である。
物、基板に対しても充分適用可能である。
次に本発明による第２の実施例を第２図を用いて説明す
る。縞２図（ａ）において、基板２１としてＬ ＋ Ｔ
ａ Ｏａを用い被加工物２２としてＮｂ２Ｏ５の層を
、さらに中間層２３としてＭｇＯの薄膜を用い、レジス
ト２４としてポジ型フォトレジストマイクロポジット２
４φφ（シプレー社製）を用いる。フォトリングラフィ
な用いてパターンをレジスト層に形成しＡｒイオンビー
ムエツチング法によって中間層２３ 、被加工物２２に
パターンを転写する（第２図（ｂ））。この後中間層な
るＭｇＯ薄膜を硝酸、塩０〉、知ｆ酸を用い＃解・浸蝕
させ中間層と共にレジスト膜を剥離する。
る。縞２図（ａ）において、基板２１としてＬ ＋ Ｔ
ａ Ｏａを用い被加工物２２としてＮｂ２Ｏ５の層を
、さらに中間層２３としてＭｇＯの薄膜を用い、レジス
ト２４としてポジ型フォトレジストマイクロポジット２
４φφ（シプレー社製）を用いる。フォトリングラフィ
な用いてパターンをレジスト層に形成しＡｒイオンビー
ムエツチング法によって中間層２３ 、被加工物２２に
パターンを転写する（第２図（ｂ））。この後中間層な
るＭｇＯ薄膜を硝酸、塩０〉、知ｆ酸を用い＃解・浸蝕
させ中間層と共にレジスト膜を剥離する。
本実施例でｔ／Ｊ 、被加工物の基板が圧電性をイ〕す
る強誘電体結晶であり、急激な温度変化（毎分１０℃以
上）に対して、歪み生じて破損し、又、帯電。
る強誘電体結晶であり、急激な温度変化（毎分１０℃以
上）に対して、歪み生じて破損し、又、帯電。
するため異物の付着等の問題点があったが、すべての処
理が室温でなされる１こめ上記のような不都合は発生し
ない。さらにパターン形成に除してイオンビームエツチ
ング法を用いると、レジストが変性を引き起こす場合が
あり、従来のレジスト剥離法ではレジスト除去が不完全
であったが本発明より完全にレジスト層を除去すること
ができる。
理が室温でなされる１こめ上記のような不都合は発生し
ない。さらにパターン形成に除してイオンビームエツチ
ング法を用いると、レジストが変性を引き起こす場合が
あり、従来のレジスト剥離法ではレジスト除去が不完全
であったが本発明より完全にレジスト層を除去すること
ができる。
さらに本発明の第３の実施例を第３図を用いて説明する
。第３図ａにおいて基板３１としてＬｉＴａ０Ｂ、を用
い被加工物３２としてＬｉＮｂＯ３の薄膜さらに中間層
３３としてＳ １Ｏ）Ｈの薄膜を用い、レジスト３４と
してネガ型レジストＣＭＳ−ＤＵ（東洋曹達ＫＫ）を用
いる。
。第３図ａにおいて基板３１としてＬｉＴａ０Ｂ、を用
い被加工物３２としてＬｉＮｂＯ３の薄膜さらに中間層
３３としてＳ １Ｏ）Ｈの薄膜を用い、レジスト３４と
してネガ型レジストＣＭＳ−ＤＵ（東洋曹達ＫＫ）を用
いる。
パターンをレジスト層に形成しＡｒイオンビームエツチ
ング法によって中間層３３．被加工物層３２にパターン
を転写する（第３図（ｂ））。この後中間層なる８ ｉ
０２薄膜な沸化水素酸を用いて溶解させ中間層と共にレ
ジスト膜を除去することにより、ＬｉＴａ０Ｂ上にリッ
ジ型の三次元光導波路をＬｉＮｂＯ３で形成することが
できる（第３図（Ｃ））。
ング法によって中間層３３．被加工物層３２にパターン
を転写する（第３図（ｂ））。この後中間層なる８ ｉ
０２薄膜な沸化水素酸を用いて溶解させ中間層と共にレ
ジスト膜を除去することにより、ＬｉＴａ０Ｂ上にリッ
ジ型の三次元光導波路をＬｉＮｂＯ３で形成することが
できる（第３図（Ｃ））。
本実施例では、被加工物・基板共に圧電性をＭする強誘
電体結晶であり、急減な温度変化（毎分１０℃以上）に
対して歪みを生じて、破損し又帯電による異物の付着等
の問題点がめったが、すべての処理が室温でな嘔れるた
め上記のような不都合は発生しない。さらにパターン形
成に際してイオンエツチング法を用いると、レジストが
変性を引き起こす場合があり従来のレジスト剥離法では
レジスト除去が不完全であったが本発明により完全にレ
ジスト７ｍを除去することができる〇これらの実施例で
は強誘電体結晶を基板又は、被加工物とし７た場合につ
いて述べたが、ガリウムヒ素、シリコン等の半導体を用
いた場合にも本発明は適用でき、さらに、エツチング法
としては。
電体結晶であり、急減な温度変化（毎分１０℃以上）に
対して歪みを生じて、破損し又帯電による異物の付着等
の問題点がめったが、すべての処理が室温でな嘔れるた
め上記のような不都合は発生しない。さらにパターン形
成に際してイオンエツチング法を用いると、レジストが
変性を引き起こす場合があり従来のレジスト剥離法では
レジスト除去が不完全であったが本発明により完全にレ
ジスト７ｍを除去することができる〇これらの実施例で
は強誘電体結晶を基板又は、被加工物とし７た場合につ
いて述べたが、ガリウムヒ素、シリコン等の半導体を用
いた場合にも本発明は適用でき、さらに、エツチング法
としては。
ハロゲン化炭化水素等を用いたドライエツチング法も適
用可能である。
用可能である。
第１図は本発明の第１の実施例を示す図、第２図は本発
明の第２の実施例を示す図、第３図は本発明の第３の実
施例を示す図である。 １１ 、２２．３２・・・被加工物 １２．２３．３３・・・中間層なる薄膜＋３．２４．３
４・・・レジスト族 ２ｔ、３］・・・基板 代理人 弁理士 則 近 憲 佑（ほか１名）１ ＠ ２図 ３図
明の第２の実施例を示す図、第３図は本発明の第３の実
施例を示す図である。 １１ 、２２．３２・・・被加工物 １２．２３．３３・・・中間層なる薄膜＋３．２４．３
４・・・レジスト族 ２ｔ、３］・・・基板 代理人 弁理士 則 近 憲 佑（ほか１名）１ ＠ ２図 ３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）被加工物上に溶解液若しくＦｉ溶解ガスによる溶
解速度が前記被加工物より大なる薄膜を形成し、該薄膜
上にレジスト膜を設けて該レジスト膜にパターンを形成
しエツチングにより被加工物にパターンを転写した後、
前記薄膜を前記溶解＊ｂしくけ溶解ガスにより溶解して
前記薄膜とともに前記レジス）Ｍを除去することを特徴
とするレジスト膜除去方法。 （２）被加工物は熱的不安定性を有する第１の物質、又
は前記８ｉ４１の物質を基板とした第２の物質、又は前
記第１の物質を基板上に積載した第３の物質であること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載のレジスト膜除
去方法。 （８） レジスト膜へのパターン形成は、光により行な
うことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のレジス
ト膜除去方法。 （４） レジスト膜へのパターン形成は、電子線により
行なうことを特徴とする特許請求の範囲８１４１項記載
のレジス）Ｊｉｌ＋？除去方法。 （６） レジスト膜へのパターン形成は、Ｘ線により行
なうことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のレジ
スト膜除去方法０ （６） レジスト膜へのパターン形成は、粒子線により
行なうことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のレ
ジスト膜除去方法。 （γ）薄膜にパターンを形成する際のエツチング方法と
被加工物にパターンを形成する除のエツチング方法とは
同一であることを特徴とする特ｔ’Ｆ 請求の範囲第１
項記載のレジスト膜除去方法０（８） ４１１１＆にパ
ターンを形成する際のエツチング方法と被加工物にパタ
ーンを形成する際のエツチング方法とは異なることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載のレジスト膜除去方
法。−（９）第１の物質は強誘電体結晶又は該強誘電体
結晶からなる化合物であることを特徴とする特許請求の
範囲第２ｍ記載のレジス）！除去方法。 （１０１強銹市、体結晶はＬ １Ｎｂｏｓ若しくはＬｉ
Ｔａ０Ｂであることを特徴とする特許請求の範囲第９項
記載のレジスト膜除去方法。 （１１）薄膜は金属であることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載のレジスト膜除去方法。 （１２１金属はＴ１為しくはＡｔであることを特徴とす
る特許請求の範囲第１１項記載のレジスト膜除去方法。 （１Ｂ）薄膜は誘電体化合物であることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載のレジスト膜除去方法。 ｆＫ＋ 誘電体化合物は酸化珪素若しくは酸化マグネシ
ウムであることを特徴とする特許請求の範囲第１３項記
載のレジスト膜除去方法。 （Ｌ５） エツチングは不活性ガス若しくは反応性ガス
を含有する不活性ガスを用いたトライエツチング法であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第７項若しくは＊８
項記載のレジスト膜除去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4654184A JPS60191255A (ja) | 1984-03-13 | 1984-03-13 | レジスト膜除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4654184A JPS60191255A (ja) | 1984-03-13 | 1984-03-13 | レジスト膜除去方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60191255A true JPS60191255A (ja) | 1985-09-28 |
Family
ID=12750152
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4654184A Pending JPS60191255A (ja) | 1984-03-13 | 1984-03-13 | レジスト膜除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60191255A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63240551A (ja) * | 1987-03-27 | 1988-10-06 | Res Dev Corp Of Japan | 完全ドライリソグラフィー方法 |
| US6465352B1 (en) | 1999-06-11 | 2002-10-15 | Nec Corporation | Method for removing dry-etching residue in a semiconductor device fabricating process |
-
1984
- 1984-03-13 JP JP4654184A patent/JPS60191255A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63240551A (ja) * | 1987-03-27 | 1988-10-06 | Res Dev Corp Of Japan | 完全ドライリソグラフィー方法 |
| US6465352B1 (en) | 1999-06-11 | 2002-10-15 | Nec Corporation | Method for removing dry-etching residue in a semiconductor device fabricating process |
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