JPS60193301A - 抵抗体パタ−ン - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 イ、肢業上の利用分野 本発明は、混成集積回路などにおいて、該回路基板上に
形成され、該集積回路の所望の動作特性を得るために、
レーザビームによセ抵抗値調節（トリミングという）が
行なわれる抵抗体パターンに関する。

口、従来技術 混成集積回路に月」いられる抵抗体の抵抗イ（２）調節
は、レーザビームによシ抵抗体の一部を切断し、抵抗体
の電気的通路を長くすることによυ抵抗値を上昇させ、
所望抵抗値を得る方法が広く用いられている。このよう
なレーザビームによる抵抗値調節は、抵抗値調節後に製
品を洗浄するなどの後処理が不安であシ、さらに、電気
的に非接触なレーザビームで抵抗体を切断するため、回
路を動作させながら抵抗値を調節することが口」能など
のオリ点を有している。

第１−は、従来のレーザビームによる抵抗値調節用の抵
抗体パターンを示したものであシ、導体パターン、抵抗
体パターンは周知のフォトエツチング技術によシ形成し
たものである。図において、１は抵抗体の抵抗値測定端
子として用いる導体パターン、２は、抵抗値の調節が行
なわれない抵抗値非調節パターン、３は抵抗値を不連続
的に粗調節するだめの抵−抗値不連続調節パターン（粗
調）、４は、抵抗値の粗Ｖ＠節と微調節の中間の調節を
不連続的に行うだめの抵抗値不連続調節パターン（中ル
ロ、５は、ａ抗値を連続的に微ａ１４　ｊ２ｉｊするた
めの抵抗値連続調節パターン（微調）、６はレーザビー
ムにより切断された切断箇所である。

抵抗体パターンは、フォトエツチング技術でパターン形
成するか、フォトマスクのパターン幅やｊＲ造条件の変
動により、抵抗パターン幅は設計値通シに作成できない
のが実状である。この場合、抵抗値制動工程で問題とな
るのは、不連続調節パターンであシ、不連続調節パター
ンのパターン幅が細くなシすぎると、レーザビームによ
る切断の際に、抵抗値の上昇値が大きくなシすぎ、目標
抵抗値をオーバーして抵抗値不良に至ることである。

逆に、パターン幅が設計値よシも太くなシすぎた場合に
は、不連続調節パターンの切断による抵抗値の上昇値が
小さくなシ、連続調節パターンを実用上の範囲内で切断
しても、目標抵抗値に到達せず、抵抗値不良に至ること
がある。

上述した不良を避けるためには、抵抗体パターン幅の変
動の影舎を小さくするために、抵抗体のパターン幅を太
くする方法が考えられるが、この場合は、抵抗の長さを
長くする心機があり、小形化ができないという欠点があ
る。また、各抵抗体の抵抗値を実測し、不連続調節パタ
ーンの変化音をコンピュータで計算させながらトリミン
グする方法なども考えられるが、抵抗値１１１４節の作
業時間が長くなったシ、プログラム作成時間が長くなっ
たシして好ましくない。

ハ０発明の目的 本発明の目的は、レーザビームによるトリミングに際し
、抵抗値オーバー、抵抗値過小調節の恐れ少く、抵抗値
を不連続的ＫｖＩ４節可能な抵抗体パターンを提供する
Ｋある。

二０発明の楕成 本発明によれば、抵抗値調節が不連続に行なわれる部分
の抵抗体パターンの幅を、抵抗値′＃Ａ節が行なわれな
い非調節部の抵抗体パターンの幅よりも３μｍ以上太く
した抵抗体パターンが得られる。

ホ０発明の原理 本発明の抵抗体パターンでは、抵抗体の大半の面積を占
める非調節パターン部のパターン幅を太くしないため、
抵抗の占有面積は余シ大きくならず、また不連続制卸パ
ターンのパターン幅が３μｍ以上太いため、パターン幅
の変動の影舎を受けにくく抵抗値調節で設計値通りの抵
抗値増加をさせるため、抵抗値不良の発生は激減する。

ここで、上述した太くするパターン幅を３μｍと限定し
た理由は、通常のパターン形成工程のパターン幅変動が
３μｍ程度あシ、本発明罠よる効果を生かしていくため
には、３μｍ以上太くしないと意味がないためである。

へ、実施例 つぎに本発明を実施例により説明する。

第２図は本発明の一実施例の平面図である。第２図にお
いて、抵抗体はすべて、アルミナセラミック基板′上に
作製されたタンタル薄膜抵抗体であり、タンタル薄膜抵
抗及びニクロームー金からなる導体パターン１は通常の
マグネトロンスパッタリング装置で成膜し、周知のフォ
トエツチング技術によシ導体、抵抗体パターン形成した
後、３５０℃１時間の熱処理を施したものである。この
時の抵抗の面積抵抗値は３００Ω／口であり、非調節部
２のパターン幅は第１図の例と同様に２０μｍ１不連続
調節パターンｓ１３および１４の幅は４０μｍになるよ
うに設計している。

ト９発明の効果 以上の設計基準で作製した１００ＫΩ±０．１％の抵抗
体１万本の不良率は０．０１％以下めったが、従来方法
のように、不連続調節パターンも２０μｍＫ設計した場
合は、不良率が０．９１６と増大した。以上のように、
本発明は簡便（して七の効果も鵡著てあり、充分実用に
供せられるものである。

なお、当然のこととして、本発明の抵抗体材料は、実施
例で説明したタンタル薄膜材料に限定されるものでなく
、他の材料でも可能である。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の抵抗体パターン金示す平面図、第２図は
本発明の一実施例を示す平面図である。 １・・・・・・導体パターン、２・・・・・・抵抗値非
調節パターン、３．１３・・・・・・抵抗値不連続調節
パターン（粗ｖ！４）、４，１４・・・・・・抵抗値不
連続調節パター／（中ａ１６１）、５・・・・・・抵抗
値連続調節パターン（微？Ａ）、６・・・・・・レーザ
ビームによる切断箇所。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. レーザビームによる抵抗値調節が行なわれない非調節部
   と、前記調節の行ない得る調節部とを有する抵抗体パタ
   ーンにおいて、前記調節部のうち抵抗値調節が不連続に
   行なわれる抵抗体パターンのパターン幅を、前記非調節
   部の抵抗体パターン幅よりも３μｍ以上太くしたことを
   特徴とする抵抗体パターン。