JPH0770632B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0770632B2 JPH0770632B2 JP62264975A JP26497587A JPH0770632B2 JP H0770632 B2 JPH0770632 B2 JP H0770632B2 JP 62264975 A JP62264975 A JP 62264975A JP 26497587 A JP26497587 A JP 26497587A JP H0770632 B2 JPH0770632 B2 JP H0770632B2
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/10—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
- H10W74/131—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition the semiconductor body being only partially enclosed
- H10W74/142—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition the semiconductor body being only partially enclosed the encapsulations exposing the passive side of the semiconductor body
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Non-Volatile Memory (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特にイメージ
センサ装置など、モールドパッケージが施される半導体
装置の製造方法に関するものである。
センサ装置など、モールドパッケージが施される半導体
装置の製造方法に関するものである。
［従来の技術］ 半導体装置の発達においては、半導体チップの製造方法
の発達とともに、半導体パッケージの製造方法の発達も
重要視されている。そして、この半導体パッケージの製
造分野においては、生産性や経済性の面からパッケージ
の材料として従来から用いられていたセラミックなどに
代わって樹脂が用いられるようになってきた。中でも、
イメージセンサ装置やEPROM装置などでは、そのパッケ
ージに光透過窓を必要とするために、パッケージ材料に
樹脂を用いることは困難であったが、近年樹脂を用いた
パッケージの製造方法が開発された。これは、たとえば
特開昭60−83337号公報に示されているが、以下にこの
方法を説明する。
の発達とともに、半導体パッケージの製造方法の発達も
重要視されている。そして、この半導体パッケージの製
造分野においては、生産性や経済性の面からパッケージ
の材料として従来から用いられていたセラミックなどに
代わって樹脂が用いられるようになってきた。中でも、
イメージセンサ装置やEPROM装置などでは、そのパッケ
ージに光透過窓を必要とするために、パッケージ材料に
樹脂を用いることは困難であったが、近年樹脂を用いた
パッケージの製造方法が開発された。これは、たとえば
特開昭60−83337号公報に示されているが、以下にこの
方法を説明する。
第4A図、第4B図、第4C図、第4D図、第4E図および第4F図
は、イメージセンサ装置などのモールドパッケージの製
造方法をその製造工程に従って示した断面図である。
は、イメージセンサ装置などのモールドパッケージの製
造方法をその製造工程に従って示した断面図である。
まず第4A図に示すように、リードフレーム１はイメージ
センサなどの半導体チップを搭載するダイボンド部1a
と、配線部1bとから構成される。なお、配線部1bのダイ
ボンド部1aに近接した部分を特にワイボンド部1cと称
す。
センサなどの半導体チップを搭載するダイボンド部1a
と、配線部1bとから構成される。なお、配線部1bのダイ
ボンド部1aに近接した部分を特にワイボンド部1cと称
す。
そして第4B図に示すように、まずリードフレーム１はモ
ールド成形用上型２とモールド成形用下型３との間に装
填される。モールド成形用上型２とモールド成形用下型
３にはリードフレーム１と接する面側に各々成形用の空
洞部４および５が形成されている。また、モールド成形
用下型３の空洞部５にはリードフレーム１を支持するフ
レーム支持台６が装填されている。
ールド成形用上型２とモールド成形用下型３との間に装
填される。モールド成形用上型２とモールド成形用下型
３にはリードフレーム１と接する面側に各々成形用の空
洞部４および５が形成されている。また、モールド成形
用下型３の空洞部５にはリードフレーム１を支持するフ
レーム支持台６が装填されている。
次に、第4C図に示すように、モールド成形用上型２とモ
ールド成形用下型３とを閉じ、両者の成形用空洞部４、
５に樹脂などのモールド材を充填する。このモールド成
形用上型２と下型３とを閉じたときには、モールド成形
用下型３の空洞部５に装填されたフレーム支持台６がリ
ードフレーム１の特にダイボンド部1a近傍をモールド成
形用上型２の平坦部７に密着するように押しつけ、この
ダイボンド部1a近傍とモールド成形用上型２の平坦部７
との隙間にモールド樹脂が流れ込むのを妨げる働きをす
る。
ールド成形用下型３とを閉じ、両者の成形用空洞部４、
５に樹脂などのモールド材を充填する。このモールド成
形用上型２と下型３とを閉じたときには、モールド成形
用下型３の空洞部５に装填されたフレーム支持台６がリ
ードフレーム１の特にダイボンド部1a近傍をモールド成
形用上型２の平坦部７に密着するように押しつけ、この
ダイボンド部1a近傍とモールド成形用上型２の平坦部７
との隙間にモールド樹脂が流れ込むのを妨げる働きをす
る。
また、フレーム支持台６はモールド材と同じ材料で構成
されているため、モールド材を注入し成形した後は、第
4D図に示すようにモールド材と一体化する。
されているため、モールド材を注入し成形した後は、第
4D図に示すようにモールド材と一体化する。
次に第4E図に示すように、半導体チップ８をリードフレ
ーム１のダイボンド部1a上に装着し、その後、チップ８
のボンディングパッドとモールド成形体９内にあるリー
ドフレーム１の配線部1bのワイヤボンド部1cとをワイヤ
配線10を用いて配線する。
ーム１のダイボンド部1a上に装着し、その後、チップ８
のボンディングパッドとモールド成形体９内にあるリー
ドフレーム１の配線部1bのワイヤボンド部1cとをワイヤ
配線10を用いて配線する。
そして最後に、第4F図に示すように、透光性の窓材11を
モールド成形体９の表面に接着して半導体装置を完成す
る。
モールド成形体９の表面に接着して半導体装置を完成す
る。
なお本例では示していないが、半導体チップ８と窓材11
との中空部12には、柔軟性を有し、かつ透光性のある樹
脂を封入して成形する場合もある。
との中空部12には、柔軟性を有し、かつ透光性のある樹
脂を封入して成形する場合もある。
［発明が解決しようとする問題点］ ところが、従来の製造方法では第4C図に示すモールド樹
脂成形工程において、モールド成形用上型２とリードフ
レーム１との接触面の間にわずかな隙間でもあれば型に
注入したモールド材が回り込み、成形後にリードフレー
ム１の露出しているべき面上に薄く形成されてしまう。
なお、前記の製造方法においてもモールド成形用上型２
とリードフレーム１との接触面に隙間を生じさせないた
めに、リードフレーム１の下部にフレーム支持台６を設
けてリードフレーム１をモールド成形用上型２に密着さ
せる工夫を図っている。しかしの効果を完全にするため
にはフレーム支持台６の厚みを正確に形成する必要があ
り、これを実現することはかなり困難であった。このた
めに、このモールド樹脂成形工程の後に、リードフレー
ム１上に形成された薄いモールド材のバリを機械的に取
除くためのバリ取り作業が必要となり、製造工程が複雑
になるという問題があった。このようなバリは、除去せ
ずに放置すると、リードフレーム１んへのワイヤボイド
が不可能になる。また、光を用いて動作させる素子の場
合には、そのようなバリが光を遮るという問題が生じ
る。したがって、バリが生じた場合には、それを取除く
ことは不可欠であった。
脂成形工程において、モールド成形用上型２とリードフ
レーム１との接触面の間にわずかな隙間でもあれば型に
注入したモールド材が回り込み、成形後にリードフレー
ム１の露出しているべき面上に薄く形成されてしまう。
なお、前記の製造方法においてもモールド成形用上型２
とリードフレーム１との接触面に隙間を生じさせないた
めに、リードフレーム１の下部にフレーム支持台６を設
けてリードフレーム１をモールド成形用上型２に密着さ
せる工夫を図っている。しかしの効果を完全にするため
にはフレーム支持台６の厚みを正確に形成する必要があ
り、これを実現することはかなり困難であった。このた
めに、このモールド樹脂成形工程の後に、リードフレー
ム１上に形成された薄いモールド材のバリを機械的に取
除くためのバリ取り作業が必要となり、製造工程が複雑
になるという問題があった。このようなバリは、除去せ
ずに放置すると、リードフレーム１んへのワイヤボイド
が不可能になる。また、光を用いて動作させる素子の場
合には、そのようなバリが光を遮るという問題が生じ
る。したがって、バリが生じた場合には、それを取除く
ことは不可欠であった。
したがって本発明は、半導体装置のモールドパッケージ
をモールド成形した後、リードフレーム上のバリ取り作
業を必要としない簡単な半導体装置の製造方法を提供す
ることを目的とする。
をモールド成形した後、リードフレーム上のバリ取り作
業を必要としない簡単な半導体装置の製造方法を提供す
ることを目的とする。
［問題点を解決するための手段］ 上記目的を達成する、特許請求の範囲第１項に記載の本
発明の半導体装置の製造方法は、半導体装置のモールド
パッケージの製造方法であって、半導体チップ搭載部
と、この半導体チップ搭載部の近傍から周囲に延びた複
数の配線部とを有するリードフレームに対して、前記半
導体チップ搭載部と、前記配線部のうちの半導体チップ
に接続されるチップ接続領域とに、柔軟性を有する樹脂
材を塗布し、被覆膜を形成する。次に、リードフレーム
を、モールド成形用上型と下型との間に、上型の型面が
被覆膜の上面に密着するように密着装填し、モールド成
形用上型と下型とに形成された成形用空洞部にモールド
樹脂を注入し、リードフレームの被覆膜を形成した領域
の周囲をモールド樹脂で包囲する。
発明の半導体装置の製造方法は、半導体装置のモールド
パッケージの製造方法であって、半導体チップ搭載部
と、この半導体チップ搭載部の近傍から周囲に延びた複
数の配線部とを有するリードフレームに対して、前記半
導体チップ搭載部と、前記配線部のうちの半導体チップ
に接続されるチップ接続領域とに、柔軟性を有する樹脂
材を塗布し、被覆膜を形成する。次に、リードフレーム
を、モールド成形用上型と下型との間に、上型の型面が
被覆膜の上面に密着するように密着装填し、モールド成
形用上型と下型とに形成された成形用空洞部にモールド
樹脂を注入し、リードフレームの被覆膜を形成した領域
の周囲をモールド樹脂で包囲する。
次に、被覆膜を除去した後、リードフレームの半導体チ
ップ搭載部に半導体チップを搭載し、半導体チップとリ
ードフレームのチップ接続領域とを配線する。
ップ搭載部に半導体チップを搭載し、半導体チップとリ
ードフレームのチップ接続領域とを配線する。
特許請求の範囲第２項に記載の本発明の半導体装置の製
造方法においては、まず、半導体チップ搭載部と、この
半導体チップ搭載部の近傍から周囲に延びた複数の配線
部とを有するリードフレームに対して、リードフレーム
の半導体チップ搭載部の周辺領域のみと、配線部の半導
体チップ接続領域の周辺領域のみとに、柔軟性を有する
樹脂材を塗布し、被覆膜を形成する。その後、リードフ
レームを、モールド成形用上型と下型との間に、上型の
型面が被覆膜の上面に密着するように密着装填し、モー
ルド成形用上型と下型とに形成された成形用空洞部にモ
ールド樹脂を注入し、リードフレームの被覆膜を形成し
た領域の周囲をモールド樹脂で包囲する。
造方法においては、まず、半導体チップ搭載部と、この
半導体チップ搭載部の近傍から周囲に延びた複数の配線
部とを有するリードフレームに対して、リードフレーム
の半導体チップ搭載部の周辺領域のみと、配線部の半導
体チップ接続領域の周辺領域のみとに、柔軟性を有する
樹脂材を塗布し、被覆膜を形成する。その後、リードフ
レームを、モールド成形用上型と下型との間に、上型の
型面が被覆膜の上面に密着するように密着装填し、モー
ルド成形用上型と下型とに形成された成形用空洞部にモ
ールド樹脂を注入し、リードフレームの被覆膜を形成し
た領域の周囲をモールド樹脂で包囲する。
その後、被覆膜を残したままの状態で、リードフレーム
の半導体チップ搭載部のうちの被覆膜が形成されていな
い領域に半導体チップを搭載し、半導体チップとリード
フレームのチップ接続領域のうちの被覆膜が形成されて
いない領域とを配線接続する。
の半導体チップ搭載部のうちの被覆膜が形成されていな
い領域に半導体チップを搭載し、半導体チップとリード
フレームのチップ接続領域のうちの被覆膜が形成されて
いない領域とを配線接続する。
［作用］ 特許請求の範囲第１項記載の本発明の半導体装置の製造
方法によれば、リードフレームの非モールド成形領域、
すなわち、半導体チップ搭載部と、配線部のうちのチッ
プ接続領域とに、柔軟性を有する樹脂材を塗布して被覆
膜を形成し、この被覆膜の表面に上型の型面が密着する
ように、リードフレームをモールド成形用上型と下型と
の間に密着装填してモールド樹脂を注入することによ
り、リードフレームの非モールド成形領域にモールド樹
脂が回り込むことがなくなるため、被覆膜を除去した後
において、非モールド成形領域におけるバリなどの発生
が防止される。
方法によれば、リードフレームの非モールド成形領域、
すなわち、半導体チップ搭載部と、配線部のうちのチッ
プ接続領域とに、柔軟性を有する樹脂材を塗布して被覆
膜を形成し、この被覆膜の表面に上型の型面が密着する
ように、リードフレームをモールド成形用上型と下型と
の間に密着装填してモールド樹脂を注入することによ
り、リードフレームの非モールド成形領域にモールド樹
脂が回り込むことがなくなるため、被覆膜を除去した後
において、非モールド成形領域におけるバリなどの発生
が防止される。
また、特許請求の範囲第２項に記載の本発明の半導体装
置の製造方法によれば、非モールド成形領域の周辺領域
のみに、柔軟性を有する樹脂材を塗布して被覆膜を形成
し、モールド成形用上型の型面が被覆膜の表面に密着す
るように、リードフレームを上型と下型との間に密着装
填してモールド樹脂を注入するため、被覆膜を除去する
ことなく残したまま、半導体チップ搭載部の被覆膜が形
成されていない領域に半導体チップを搭載するととも
に、半導体チップと、リードフレームのチップ接続領域
のうちの被覆膜が形成されていない領域とを配線接続す
ることが可能となる。したがって、エッチングなどによ
って被覆膜を除去する工程が省かれるために、生産性の
向上を図ることができる。
置の製造方法によれば、非モールド成形領域の周辺領域
のみに、柔軟性を有する樹脂材を塗布して被覆膜を形成
し、モールド成形用上型の型面が被覆膜の表面に密着す
るように、リードフレームを上型と下型との間に密着装
填してモールド樹脂を注入するため、被覆膜を除去する
ことなく残したまま、半導体チップ搭載部の被覆膜が形
成されていない領域に半導体チップを搭載するととも
に、半導体チップと、リードフレームのチップ接続領域
のうちの被覆膜が形成されていない領域とを配線接続す
ることが可能となる。したがって、エッチングなどによ
って被覆膜を除去する工程が省かれるために、生産性の
向上を図ることができる。
［実施例］ 以下、本発明における実施例を図を用いて説明する。
なお、本発明における半導体装置の製造方法は、従来の
方法に比べてリードフレームの非モールド成形領域、ま
たはその周辺にモールド材シール用壁材を形成したこと
を特徴としている。したがって以下では本特徴点につい
て詳細に説明し、従来の方法と同一の部分については前
記の「従来の技術」の説明を参照することとして簡略に
説明する。
方法に比べてリードフレームの非モールド成形領域、ま
たはその周辺にモールド材シール用壁材を形成したこと
を特徴としている。したがって以下では本特徴点につい
て詳細に説明し、従来の方法と同一の部分については前
記の「従来の技術」の説明を参照することとして簡略に
説明する。
第1A図、第1B図、第1C図、第1D図、第1E図、第1F図およ
び第1G図は、本発明における半導体装置の製造方法をそ
の製造工程に従って示した断面図である。
び第1G図は、本発明における半導体装置の製造方法をそ
の製造工程に従って示した断面図である。
まず第1A図は、リードフレーム１の断面図を示してい
る。そしてこのリードフレーム１のダイボンド部1aと、
リードフレーム１の配線部1bのダイボンド部1aの近傍領
域すなわち、ワイヤボンド部1cにスクリーン印刷の手法
を用いて、第1B図に示すようにモールド材シール材壁材
13を印刷塗布する。ここで第２図および第３図は壁材13
が印刷塗布されたリードフレーム１の平面図を示してい
る。壁材13の材料としてシリコンゴムなどの比較的柔ら
かい材質のものを用い、ダイボンド部1aやワイヤボンド
部1cに厚さ数μｍ〜数百μｍ程度印刷塗布する。この印
刷塗布領域は、第２図のようにモールド材をシールすべ
き領域全面であってもよいし、また、第３図のようにモ
ールド材をシールすべき領域の周縁全周であってもよ
い。以下では、まずシール領域全面に塗布した場合につ
いて説明する。
る。そしてこのリードフレーム１のダイボンド部1aと、
リードフレーム１の配線部1bのダイボンド部1aの近傍領
域すなわち、ワイヤボンド部1cにスクリーン印刷の手法
を用いて、第1B図に示すようにモールド材シール材壁材
13を印刷塗布する。ここで第２図および第３図は壁材13
が印刷塗布されたリードフレーム１の平面図を示してい
る。壁材13の材料としてシリコンゴムなどの比較的柔ら
かい材質のものを用い、ダイボンド部1aやワイヤボンド
部1cに厚さ数μｍ〜数百μｍ程度印刷塗布する。この印
刷塗布領域は、第２図のようにモールド材をシールすべ
き領域全面であってもよいし、また、第３図のようにモ
ールド材をシールすべき領域の周縁全周であってもよ
い。以下では、まずシール領域全面に塗布した場合につ
いて説明する。
第1C図ないし第1E図に示すように、モールド材シール用
壁材13が印刷塗布されたリードフレーム１をモールド成
形用上型２とモールド成形用下型３との間に装填する。
モールド成形用上型２およびモールド成形用下型３に
は、上述した従来例の場合と同様に、リードフレーム１
と接する面側に各々成形用の空洞部４および５が形成さ
れ、空洞部５には、リードフレーム１を支持するフレー
ム支持台６が装填される。モールド材を注入しモールド
成形体14を形成する。モールド成形用上型２と下型３と
を閉じた場合には、第1D図に示すようにモールド材シー
ル用壁材13がリードフレーム１とモールド成形用上型２
の平坦部７との間に密着される。この壁材13は弾力性を
有しているので、この弾性力によりリードフレーム１と
モールド成形用上型２の平坦面７とに密着し、注入され
たモールド材がリードフレーム１とモールド成形用上型
２の平坦面７との隙間にまわり込むのを防止する。
壁材13が印刷塗布されたリードフレーム１をモールド成
形用上型２とモールド成形用下型３との間に装填する。
モールド成形用上型２およびモールド成形用下型３に
は、上述した従来例の場合と同様に、リードフレーム１
と接する面側に各々成形用の空洞部４および５が形成さ
れ、空洞部５には、リードフレーム１を支持するフレー
ム支持台６が装填される。モールド材を注入しモールド
成形体14を形成する。モールド成形用上型２と下型３と
を閉じた場合には、第1D図に示すようにモールド材シー
ル用壁材13がリードフレーム１とモールド成形用上型２
の平坦部７との間に密着される。この壁材13は弾力性を
有しているので、この弾性力によりリードフレーム１と
モールド成形用上型２の平坦面７とに密着し、注入され
たモールド材がリードフレーム１とモールド成形用上型
２の平坦面７との隙間にまわり込むのを防止する。
次に第1F図に示すように、壁材13をエッチングなどを用
いて除去した後、半導体チップ８をリードフレーム１の
ダイボンド部1aに装着し、さらに半導体チップ８とリー
ドフレーム１のワイヤボンド部1cとをワイヤ配線10を用
いて配線する。
いて除去した後、半導体チップ８をリードフレーム１の
ダイボンド部1aに装着し、さらに半導体チップ８とリー
ドフレーム１のワイヤボンド部1cとをワイヤ配線10を用
いて配線する。
最後に第1G図に示すように、モールド成形体14の表面に
透光性を有する窓材11を接着して半導体装置を完成す
る。
透光性を有する窓材11を接着して半導体装置を完成す
る。
このような製造方法では、リードフレーム１のダイボン
ド部1aや配線部1bのワイヤボンド部1cにモールド材のバ
リが形成されないので、従来の方法に比べてこのバリを
機械的に除去する工程を省略することができ、製造工程
の簡略化が図れる。
ド部1aや配線部1bのワイヤボンド部1cにモールド材のバ
リが形成されないので、従来の方法に比べてこのバリを
機械的に除去する工程を省略することができ、製造工程
の簡略化が図れる。
次に、本発明における第２の実施例について説明する。
この例は前述したように、モールド材シール用壁材13の
印刷塗布領域を第３図に示すようにリードフレーム１の
モールド材をシールすべき領域の周縁全周としたもので
ある。また第３図のリードフレームのワイヤボンド部1c
の壁材13を印刷塗布した部分の拡大図を第3A図に示す。
本図に示す壁材13の幅ｗは、モールド材をシールするた
めに数十μｍ〜200μｍ程度必要であり、また半導体チ
ップ８と配線されるリードフレーム１のワイヤボンド部
1cの流さｌは100μｍ程度必要である。したがってこの
方法を実現するために必要とされるリードフレーム１の
配線部1bの最低長さは500μｍ程度あればよく、実際に
は配線部1bの長さは十分な余裕がある。
この例は前述したように、モールド材シール用壁材13の
印刷塗布領域を第３図に示すようにリードフレーム１の
モールド材をシールすべき領域の周縁全周としたもので
ある。また第３図のリードフレームのワイヤボンド部1c
の壁材13を印刷塗布した部分の拡大図を第3A図に示す。
本図に示す壁材13の幅ｗは、モールド材をシールするた
めに数十μｍ〜200μｍ程度必要であり、また半導体チ
ップ８と配線されるリードフレーム１のワイヤボンド部
1cの流さｌは100μｍ程度必要である。したがってこの
方法を実現するために必要とされるリードフレーム１の
配線部1bの最低長さは500μｍ程度あればよく、実際に
は配線部1bの長さは十分な余裕がある。
そしてこの方法によれば第1E図に示すモールド成形加工
後、リードフレーム１のダイボンド部1aの表面と、半導
体チップ８と配線されるリードフレーム１のワイヤボン
ド部1cの表面とが露出したままとなっているので、モー
ルド材シール用壁材13をエッチングなどで除去すること
なく半導体チップ８とリードフレーム１のワイヤボンド
部1cとを配線することができる。
後、リードフレーム１のダイボンド部1aの表面と、半導
体チップ８と配線されるリードフレーム１のワイヤボン
ド部1cの表面とが露出したままとなっているので、モー
ルド材シール用壁材13をエッチングなどで除去すること
なく半導体チップ８とリードフレーム１のワイヤボンド
部1cとを配線することができる。
したがってこの方法では第１の実施例に比べてさらに壁
材13の除去工程をも省略することができ、さらに簡便な
製造方法を得ることができる。
材13の除去工程をも省略することができ、さらに簡便な
製造方法を得ることができる。
なお、上記に示した本発明における半導体装置の製造方
法では、半導体チップ８と窓材11の中空部12に柔軟性を
有し、かつ透光性のある樹脂を封入して成形することも
できる。
法では、半導体チップ８と窓材11の中空部12に柔軟性を
有し、かつ透光性のある樹脂を封入して成形することも
できる。
［発明の効果］ 以上のように、本発明によれば半導体装置のモールドパ
ッケージの製造時に、非モールド成形領域にバリが生じ
ないようにしたので、機械的なバリ取り作業の工程を省
略することができ、半導体装置の製造コストを引き下げ
ることができる。
ッケージの製造時に、非モールド成形領域にバリが生じ
ないようにしたので、機械的なバリ取り作業の工程を省
略することができ、半導体装置の製造コストを引き下げ
ることができる。
第1A図、第1B図、第1C図、第1D図、第1E図、第1F図およ
び第1G図は、本発明の一実施例を示す半導体装置の製造
方法をその工程に従って示した半導体装置の断面図であ
る。第２図は、第1B図に示すリードフレームの第１の実
施例の平面図であり、第３図は第２の実施例の平面図で
ある。そして、第3A図は、第３図に示したリードフレー
ムのワイヤボンド部の拡大図を示している。 第4A図、第4B図、第4C図、第4D図、第4E図および第4F図
は、従来の半導体装置の製造方法をその工程に従って示
した半導体装置の断面図である。 図において、１はリードフレーム、1aはリードフレーム
のダイボンド部、1bはリードフレームの配線部、1cはリ
ードフレームのワイヤボンド部、８は半導体チップ、10
は配線ワイヤ、11は窓材、13はモールド材シール用壁
材、14はモールド成形体を示す。 なお、各図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
び第1G図は、本発明の一実施例を示す半導体装置の製造
方法をその工程に従って示した半導体装置の断面図であ
る。第２図は、第1B図に示すリードフレームの第１の実
施例の平面図であり、第３図は第２の実施例の平面図で
ある。そして、第3A図は、第３図に示したリードフレー
ムのワイヤボンド部の拡大図を示している。 第4A図、第4B図、第4C図、第4D図、第4E図および第4F図
は、従来の半導体装置の製造方法をその工程に従って示
した半導体装置の断面図である。 図において、１はリードフレーム、1aはリードフレーム
のダイボンド部、1bはリードフレームの配線部、1cはリ
ードフレームのワイヤボンド部、８は半導体チップ、10
は配線ワイヤ、11は窓材、13はモールド材シール用壁
材、14はモールド成形体を示す。 なお、各図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (5)
- 【請求項１】半導体装置のモールドパッケージの製造方
法であって、 半導体チップ搭載部と、この半導体チップ搭載部の近傍
から周囲に延びた複数の配線部とを有するリードフレー
ムに対して、前記半導体チップ搭載部と、前記配線部の
うちの半導体チップに接続されるチップ接続領域とに、
柔軟性を有する樹脂材を塗布し、被覆膜を形成する工程
と、 前記リードフレームを、モールド成形用上型と下型との
間に、前記上型の型面が前記被覆膜の上面に密着するよ
うに密着装填し、前記モールド成形用上型と下型とに形
成された成形用空洞部にモールド樹脂を注入し、前記リ
ードフレームの前記被覆膜を形成した領域の周囲をモー
ルド樹脂で包囲する工程と、 前記被覆膜を除去する工程と、 前記被覆膜が除去された前記リードフレームの前記半導
体チップ搭載部に半導体チップを搭載し、半導体チップ
と前記被覆膜が除去された前記リードフレームのチップ
接続領域とを配線する工程と、 を備えた半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】半導体装置のモールドパッケージの製造方
法であって、 半導体チップ搭載部と、この半導体チップ搭載部の近傍
から周囲に延びた複数の配線部とを有するリードフレー
ムに対して、前記リードフレームの前記半導体チップ搭
載部の周辺領域のみと、前記配線部の半導体チップ接続
領域の周辺領域のみとに、柔軟性を有する樹脂材を塗布
し、被覆膜を形成する工程と、 前記リードフレームを、モールド成形用上型と下型との
間に、前記上型の型面が前記被覆膜の上面に密着するよ
うに密着装填し、前記モールド成形用上型と下型とに形
成された成形用空洞部にモールド樹脂を注入し、前記リ
ードフレームの前記被覆膜を形成した領域の周囲をモー
ルド樹脂で包囲する工程と、 前記被覆膜を残したままの状態で、前記リードフレーム
の前記半導体チップ搭載部のうちの前記被覆膜が形成さ
れていない領域に半導体チップを搭載し、半導体チップ
と前記リードフレームのチップ接続領域のうちの前記被
覆膜が形成されていない領域とを配線する工程と、 を備えた半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】前記柔軟性を有する樹脂材がシリコンゴム
である特許請求の範囲第１項または第２項のいずれかに
記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】前記柔軟性を有する樹脂材を塗布する方法
がスクリーン印刷法である特許請求の範囲第１項ないし
第３項のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】前記リードフレームを前記モールド成形用
上型と下型との間に密着装填する工程において、前記モ
ールド成形用下型と前記リードフレームとの間に、前記
リードフレームを支持し、このリードフレームを前記モ
ールド成形用上型に圧着させるフレーム支持台が装填さ
れている、特許請求の範囲第１項ないし第４項のいずれ
かに記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62264975A JPH0770632B2 (ja) | 1987-10-20 | 1987-10-20 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62264975A JPH0770632B2 (ja) | 1987-10-20 | 1987-10-20 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01107560A JPH01107560A (ja) | 1989-04-25 |
| JPH0770632B2 true JPH0770632B2 (ja) | 1995-07-31 |
Family
ID=17410812
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62264975A Expired - Fee Related JPH0770632B2 (ja) | 1987-10-20 | 1987-10-20 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0770632B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109716745B (zh) * | 2016-08-01 | 2020-12-18 | 宁波舜宇光电信息有限公司 | 摄像模组及其模塑电路板组件和模塑感光组件和制造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4812420A (en) | 1986-09-30 | 1989-03-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of producing a semiconductor device having a light transparent window |
-
1987
- 1987-10-20 JP JP62264975A patent/JPH0770632B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4812420A (en) | 1986-09-30 | 1989-03-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of producing a semiconductor device having a light transparent window |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01107560A (ja) | 1989-04-25 |
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