JPS60194067A - 硬質膜の形成方法 - Google Patents
硬質膜の形成方法Info
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- JPS60194067A JPS60194067A JP4926884A JP4926884A JPS60194067A JP S60194067 A JPS60194067 A JP S60194067A JP 4926884 A JP4926884 A JP 4926884A JP 4926884 A JP4926884 A JP 4926884A JP S60194067 A JPS60194067 A JP S60194067A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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- C23C14/24—Vacuum evaporation
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
[発明の技術分野]
本発明は基板上に耐摩耗性、耐熱性、耐食性などが優れ
た硬質膜を形成する方法に関し、更に詳しくは、複数の
物質からなる蒸発源に大出力レーザ光を照射することに
より、合金、単一化合物、複合化合物、固溶体又はこれ
らが積層してなる硬質膜を形成する方法に関する。
た硬質膜を形成する方法に関し、更に詳しくは、複数の
物質からなる蒸発源に大出力レーザ光を照射することに
より、合金、単一化合物、複合化合物、固溶体又はこれ
らが積層してなる硬質膜を形成する方法に関する。
[発明の技術的背景とその問題点]
従来から、基板上に硬質膜を形成する方法としては、プ
ラズマスプレー法、化学蒸着法、物理蒸着法が知られて
いる。
ラズマスプレー法、化学蒸着法、物理蒸着法が知られて
いる。
これらのうち、プラズマスプレー法は成膜速度が大きい
という利点を有する反面、一方では緻密で強固な膜を形
成することが困難であるという欠点がある。
という利点を有する反面、一方では緻密で強固な膜を形
成することが困難であるという欠点がある。
また、化学蒸着法において、例えば積層した硬質膜を基
板に形成する際には積層すべきそれぞれの11りの析出
温度が異なる場合があり、このため、積層膜を1つの容
器内で同時に形成することは製造工程上での温度抑制が
煩雑になり、また複合硬質膜を形成する場合に、該層を
構成するそれぞれの物質が合成される化学反応は相互に
異なるので、相互の化学反応が共存し得るときにのみ成
膜可能となるため、形成できる複合硬質膜の種類が限定
されてしまう、しかもこの化学蒸着法にあっては、膜構
成物質の基板への堆積速度が小さいという欠点がある。
板に形成する際には積層すべきそれぞれの11りの析出
温度が異なる場合があり、このため、積層膜を1つの容
器内で同時に形成することは製造工程上での温度抑制が
煩雑になり、また複合硬質膜を形成する場合に、該層を
構成するそれぞれの物質が合成される化学反応は相互に
異なるので、相互の化学反応が共存し得るときにのみ成
膜可能となるため、形成できる複合硬質膜の種類が限定
されてしまう、しかもこの化学蒸着法にあっては、膜構
成物質の基板への堆積速度が小さいという欠点がある。
一方、物理蒸着法において、その代表的方法であるイオ
ンブレーティング法、スパッタリング法を適用すれば緻
密で強固な硬質膜を形成することは可能であるが、しか
し一般に膜構成物質の基板への堆積速度は小さいという
欠点がある。
ンブレーティング法、スパッタリング法を適用すれば緻
密で強固な硬質膜を形成することは可能であるが、しか
し一般に膜構成物質の基板への堆積速度は小さいという
欠点がある。
そのため最近では、真空容器内に配置された膜構成物質
の被照射試料に大出力のレーザ光を照射して該試料を蒸
発させ、この蒸発粒子を基板上に堆積させるという方法
が提案されている。
の被照射試料に大出力のレーザ光を照射して該試料を蒸
発させ、この蒸発粒子を基板上に堆積させるという方法
が提案されている。
この方法で用いる従来のレーザ蒸着装置は、しかしなが
ら、いずれも支持板に載置されている被照射試料の表面
に垂直方向からレーザ光を照射して該レーザ光をスキャ
ンニングさせるか、又は被照射試料を支持板の法線軸の
まわりに回転さ・せるかして照射点位置を移動させる構
造のものであり、また適用される照射エネルギーもCO
2レーザでtoo−w以下であった。
ら、いずれも支持板に載置されている被照射試料の表面
に垂直方向からレーザ光を照射して該レーザ光をスキャ
ンニングさせるか、又は被照射試料を支持板の法線軸の
まわりに回転さ・せるかして照射点位置を移動させる構
造のものであり、また適用される照射エネルギーもCO
2レーザでtoo−w以下であった。
このような従来のレーザ蒸着装置を用いた方法では、蒸
発粒子の基板への堆積速度は必ずしも大きくなく、また
形成された膜強度はあまり高くない。そのため、この方
法は光学部品、電子部品用の膜形成にその適用が限られ
ている。
発粒子の基板への堆積速度は必ずしも大きくなく、また
形成された膜強度はあまり高くない。そのため、この方
法は光学部品、電子部品用の膜形成にその適用が限られ
ている。
そこで、本発明者らは、上記レーザ蒸着装置において被
照射試料を真空容器内で軸回転する例えば円筒形状の回
転体として構成し、該回転体の外周面に接線方向から収
束レーザ光を照射することを主要な特徴点とする装置を
開発し、すでに特願昭57−225587号として出願
した。この装置を用いると、蒸発粒子は高密度でかつ安
定して基板に供給されるので試料の基板への堆積速度は
上昇゛し、形成された膜も緻密、強固であり、しかも基
板と膜との密着性も向上して各種の有用な機能材料の製
造が可能となった。
照射試料を真空容器内で軸回転する例えば円筒形状の回
転体として構成し、該回転体の外周面に接線方向から収
束レーザ光を照射することを主要な特徴点とする装置を
開発し、すでに特願昭57−225587号として出願
した。この装置を用いると、蒸発粒子は高密度でかつ安
定して基板に供給されるので試料の基板への堆積速度は
上昇゛し、形成された膜も緻密、強固であり、しかも基
板と膜との密着性も向上して各種の有用な機能材料の製
造が可能となった。
そして、その後も、更に有用性に富む硬質膜を上記レー
ザ蒸着装置と方法を適用することによって製造する努力
が重ねられてきている。
ザ蒸着装置と方法を適用することによって製造する努力
が重ねられてきている。
〔発明の目的]
本発明は、レーザ蒸着装置を用いて各種の硬質膜を簡単
に基板状に形成する方法の提供を目的とする。
に基板状に形成する方法の提供を目的とする。
[発明の概要]
本発明の硬質膜の形成方法は、容器内で軸回転する回転
体に収束レーザ光を照射し、該回転体から蒸発した粒子
を基板に堆積させて成る膜の形成方法において、該回転
体が黒鉛、炭素、金属、合金、金属化合物又はセラミッ
クスの群から選ばれる少なくとも2種の物質から成るこ
とを特徴とする。
体に収束レーザ光を照射し、該回転体から蒸発した粒子
を基板に堆積させて成る膜の形成方法において、該回転
体が黒鉛、炭素、金属、合金、金属化合物又はセラミッ
クスの群から選ばれる少なくとも2種の物質から成るこ
とを特徴とする。
以下に本発明方法を図面に例示した装置を参考にして詳
細に説明する。
細に説明する。
第1図は、本発明方法で用いるレーザ蒸着装置の1例を
示す概略図で、lはレーザ発振器(図示しない)から放
射された平行なレーザ光である。
示す概略図で、lはレーザ発振器(図示しない)から放
射された平行なレーザ光である。
レーザ光lは平面鏡2で水平方向に光路変換され、集光
レンズ3を通過して収束されたのち、透過窓4から容器
5に導入される。
レンズ3を通過して収束されたのち、透過窓4から容器
5に導入される。
容器5の中には、中心軸6の回転に対応して例えば矢印
P方向に軸回転するように、回転体7が配置されている
0回転体7は、形成すべき硬質膜の構成物質から成って
いて被照射試料である。
P方向に軸回転するように、回転体7が配置されている
0回転体7は、形成すべき硬質膜の構成物質から成って
いて被照射試料である。
容器5内に導入された収束レーザ光は、平面鏡8によっ
て再び光路変換され、回転体7の外周面に図の如く該回
転体の接線方向から照射される。
て再び光路変換され、回転体7の外周面に図の如く該回
転体の接線方向から照射される。
集光レンズ、3については、収束レーザ光が回転体7の
照射点付近Qで焦点を結ぶように、その焦点距離及び配
置位置を適宜に選定する。
照射点付近Qで焦点を結ぶように、その焦点距離及び配
置位置を適宜に選定する。
収束レーザ光が照射される間、回転体7は適宜な速度で
軸6を中心にして軸回転させる。更にこの回転体が円柱
体、円筒体1円錐体又は湾曲凸面体の構造の場合その回
転体の中心軸方向の長さに相当する距離だけ揺動運動が
可能である構造にしておけば、回転体7の外周面全体は
均一加熱されてその熱割れ現象が防止されるとともに回
転体7の外周面の被照射試料全体を一様に蒸発させるこ
とができる。又、回転体がリング体又は円板体のような
板体の場合は、板面に照射する収束レーザ光が板面の半
径に相当する距離だけスキャンニングできるようにして
おけば同様の効果が得られる。
軸6を中心にして軸回転させる。更にこの回転体が円柱
体、円筒体1円錐体又は湾曲凸面体の構造の場合その回
転体の中心軸方向の長さに相当する距離だけ揺動運動が
可能である構造にしておけば、回転体7の外周面全体は
均一加熱されてその熱割れ現象が防止されるとともに回
転体7の外周面の被照射試料全体を一様に蒸発させるこ
とができる。又、回転体がリング体又は円板体のような
板体の場合は、板面に照射する収束レーザ光が板面の半
径に相当する距離だけスキャンニングできるようにして
おけば同様の効果が得られる。
収束レーザ光が照射されることにより照射点付近Qの外
周面試料は蒸発し、その蒸発粒子は矢印R方向に放出さ
れて基板9の上に蒸着して堆積する。10は、基板9の
前面に配設される可動シャッタで蒸発粒子の基板9への
蒸着時間を任意に調整するためのものである。
周面試料は蒸発し、その蒸発粒子は矢印R方向に放出さ
れて基板9の上に蒸着して堆積する。10は、基板9の
前面に配設される可動シャッタで蒸発粒子の基板9への
蒸着時間を任意に調整するためのものである。
なお、回転体7を構成する被照射試料が極めて熱割れを
生じやすい材質である場合には、回転体7の外周面近傍
に図のような予熱ヒータ11を配置し、回転体7を予熱
しておけば収束レーザ光の照射時に回転体7の損壊を防
止することができる。
生じやすい材質である場合には、回転体7の外周面近傍
に図のような予熱ヒータ11を配置し、回転体7を予熱
しておけば収束レーザ光の照射時に回転体7の損壊を防
止することができる。
さて、本発明は1以上例示した装置において、回転体7
が、黒鉛、炭素、金属、合金、金属化合物、セラミック
スからなる物質の少なくとも2種以上からなることを特
徴とする。すなわち、本発明にかかる回転体は2種類以
上の異種物質がそれぞれその特性を独立させた状態で混
在する構造体である。
が、黒鉛、炭素、金属、合金、金属化合物、セラミック
スからなる物質の少なくとも2種以上からなることを特
徴とする。すなわち、本発明にかかる回転体は2種類以
上の異種物質がそれぞれその特性を独立させた状態で混
在する構造体である。
具体的には次のような態様のものを好適例としてあげる
ことができる。
ことができる。
第1は、2種類以上の異種物質が混合してなる回転体で
ある0回転体の構造としては、第2図に示すような円柱
体、第3図に示すような円筒体。
ある0回転体の構造としては、第2図に示すような円柱
体、第3図に示すような円筒体。
第4図に示すような円錐体、第5図に示すような湾曲凸
面体、第6図に示すような円板体、第7図に示すような
リング体等種々の形態をあげることができる。このよう
な構造の回転体は、例えば金属チタンと炭素との混合粉
末からなる回転体から炭化チタンの硬質膜を形成する場
合、炭化チタンと窒化チタンとの混合粉末からなる回転
体から炭窒化チタンの硬質膜を形成する場合、窒化ケイ
素と酸化アルミニウムと酸化イツトリウムの混合粉末か
らなる回転体から窒化ケイ素を主体とした物質又はサイ
アロンと称する固溶体の硬質膜を形成する場合に適用し
て有効である。
面体、第6図に示すような円板体、第7図に示すような
リング体等種々の形態をあげることができる。このよう
な構造の回転体は、例えば金属チタンと炭素との混合粉
末からなる回転体から炭化チタンの硬質膜を形成する場
合、炭化チタンと窒化チタンとの混合粉末からなる回転
体から炭窒化チタンの硬質膜を形成する場合、窒化ケイ
素と酸化アルミニウムと酸化イツトリウムの混合粉末か
らなる回転体から窒化ケイ素を主体とした物質又はサイ
アロンと称する固溶体の硬質膜を形成する場合に適用し
て有効である。
なお、ここで第3図に示すような円筒体を回転体として
使用する場合、円筒体の外周面に対して接線方向から収
束レーザ光を外周面に照射すれば円柱体(第2図)、円
錐体(第4図)、湾曲凸面体(第5図)を用いた場合と
同様の効果を得ることができるが、特に、円筒体の内側
壁面に対して接線方向(回転軸方向)から収束レーザ光
を該壁面に照射すれば、粒子の蒸発方向が一定にそろう
ため蒸発粒子を基板に堆積させることが容易となり、又
、蒸発粒子が容器内に飛散して容器内壁全体を汚染する
ことを抑制できるなどの更なる効果を得ることも可能と
なる。
使用する場合、円筒体の外周面に対して接線方向から収
束レーザ光を外周面に照射すれば円柱体(第2図)、円
錐体(第4図)、湾曲凸面体(第5図)を用いた場合と
同様の効果を得ることができるが、特に、円筒体の内側
壁面に対して接線方向(回転軸方向)から収束レーザ光
を該壁面に照射すれば、粒子の蒸発方向が一定にそろう
ため蒸発粒子を基板に堆積させることが容易となり、又
、蒸発粒子が容器内に飛散して容器内壁全体を汚染する
ことを抑制できるなどの更なる効果を得ることも可能と
なる。
第2は、2種類以上の異種物質をそれぞれ別々に1つの
構造体として形成し、これらを組合わせてなる回転体で
ある0例えば、異種物質で形成した断面扇状の柱体を、
2個以上、求心的に合体させて円柱体、円筒体、円錐体
又は湾曲凸面体にしたり(第8図:円柱体の場合)、異
種物質で形成した断面扇状の板体を、2個以上、求心的
に合体させてリング体又は円板体にしたり(第9図:円
板体の場合)、異種物質で形成した円柱体、円筒体、円
錐体又は湾曲凸面体を、2個以上、回転体の軸方向に一
体的に連設したり(第10図:連設円柱体の場合)、異
種物質で形成し直径の異なるリング体又は円板体を、2
個以上、同心円状に合体させてリング体又は円板体にし
たり(第11図二同心円状リング体の場合)、その他、
1つの物質で形成した回転体の中に少なくとも1種の他
の異種物質を適当な形状にして合体させたり(第12図
、第13図)した種々の回転体である。
構造体として形成し、これらを組合わせてなる回転体で
ある0例えば、異種物質で形成した断面扇状の柱体を、
2個以上、求心的に合体させて円柱体、円筒体、円錐体
又は湾曲凸面体にしたり(第8図:円柱体の場合)、異
種物質で形成した断面扇状の板体を、2個以上、求心的
に合体させてリング体又は円板体にしたり(第9図:円
板体の場合)、異種物質で形成した円柱体、円筒体、円
錐体又は湾曲凸面体を、2個以上、回転体の軸方向に一
体的に連設したり(第10図:連設円柱体の場合)、異
種物質で形成し直径の異なるリング体又は円板体を、2
個以上、同心円状に合体させてリング体又は円板体にし
たり(第11図二同心円状リング体の場合)、その他、
1つの物質で形成した回転体の中に少なくとも1種の他
の異種物質を適当な形状にして合体させたり(第12図
、第13図)した種々の回転体である。
これらの回転体は、硬質膜を形成する目的やその用途に
よって種々使い分けることができる0例えば第1で示し
た2種以上の異種物質が混合してなる回転体では粉末の
状態で混合成形して回転体にしたり又はその回転体を予
備焼結によって適当な硬さ及び強度を持たせたりして使
用することができる。このような混合状の回転体は、例
えば2種以上の金属からなる回転体によって合金からな
る硬質膜を形成したり、2種以上の単一化合物からなる
回転体によって複合化合物、固溶体又は混合物からなる
硬質膜を形成することもできる。第2で示した2種以上
の異種物質をそれぞれ別々に1つの構造体として形成し
、これらの構造体を組合わせてなる回転体では、第1で
示した混合状の回転体と同様の硬質膜の形成が可能であ
るのみならず、更に組合わせによって、例えば第1θ図
や第11図の様な構造体からなる回転体を使用すること
によって積層状の硬質膜の形成ができる。
よって種々使い分けることができる0例えば第1で示し
た2種以上の異種物質が混合してなる回転体では粉末の
状態で混合成形して回転体にしたり又はその回転体を予
備焼結によって適当な硬さ及び強度を持たせたりして使
用することができる。このような混合状の回転体は、例
えば2種以上の金属からなる回転体によって合金からな
る硬質膜を形成したり、2種以上の単一化合物からなる
回転体によって複合化合物、固溶体又は混合物からなる
硬質膜を形成することもできる。第2で示した2種以上
の異種物質をそれぞれ別々に1つの構造体として形成し
、これらの構造体を組合わせてなる回転体では、第1で
示した混合状の回転体と同様の硬質膜の形成が可能であ
るのみならず、更に組合わせによって、例えば第1θ図
や第11図の様な構造体からなる回転体を使用すること
によって積層状の硬質膜の形成ができる。
本発明方法において、被照射試料の基板への堆積方向は
ほぼ一方向となるので、基板を回転又は揺動させること
により、複雑形状の基板であってもその全面に目的の硬
質膜を形成することができる。また、複数本の収束レー
ザ光を導入すれば、各種の被照射試料の同時蒸着又は積
層蒸着が可能となり新しい機能材料開発の可能性を孕む
。
ほぼ一方向となるので、基板を回転又は揺動させること
により、複雑形状の基板であってもその全面に目的の硬
質膜を形成することができる。また、複数本の収束レー
ザ光を導入すれば、各種の被照射試料の同時蒸着又は積
層蒸着が可能となり新しい機能材料開発の可能性を孕む
。
また、基板を水、液体窒素などで冷却したり、ヒータ加
熱、レーザ加熱などによって加熱したりすることもでき
、基板上の硬質膜を目的用途に応じて非晶質又は結晶性
のよいものにすることができる。とくに、基板を加熱し
たとき、形成された硬質膜と基板との間の密着性を向上
せしめることができる。基板の冷却又は加熱方法は真空
中又は雰囲気中で冷却又は加熱する方法であれば従来か
ら行なわれているいかなる方法であってもよい。
熱、レーザ加熱などによって加熱したりすることもでき
、基板上の硬質膜を目的用途に応じて非晶質又は結晶性
のよいものにすることができる。とくに、基板を加熱し
たとき、形成された硬質膜と基板との間の密着性を向上
せしめることができる。基板の冷却又は加熱方法は真空
中又は雰囲気中で冷却又は加熱する方法であれば従来か
ら行なわれているいかなる方法であってもよい。
更に、本発明方法にあっては、被照射試料の蒸発粒子を
基板に堆積させると同時に、そこにイオン照射したり、
高周波若しくはマイクロ波を照射して該堆積物質をイオ
ン化したり、又は蒸発粒子をバイアス電圧で加速させた
りすることができる。このような処置を施すと、蒸発粒
子が活性化して基板との密着性に優れた硬質膜を形成す
ることができる。
基板に堆積させると同時に、そこにイオン照射したり、
高周波若しくはマイクロ波を照射して該堆積物質をイオ
ン化したり、又は蒸発粒子をバイアス電圧で加速させた
りすることができる。このような処置を施すと、蒸発粒
子が活性化して基板との密着性に優れた硬質膜を形成す
ることができる。
また、本発明方法は、真空中のみならず各種の不活性ガ
ス、反応性ガス又はこれらの混合ガス中で行なうことも
できる0例えば、被照射試料として各種の金属を用い、
これを窒素雰囲気中で収束レーザ光を用いて蒸発させ、
同時に例えば窒素ガスイオンを照射すれば、基板上にこ
れら金属の窒化物の硬質膜を形成することができる。
ス、反応性ガス又はこれらの混合ガス中で行なうことも
できる0例えば、被照射試料として各種の金属を用い、
これを窒素雰囲気中で収束レーザ光を用いて蒸発させ、
同時に例えば窒素ガスイオンを照射すれば、基板上にこ
れら金属の窒化物の硬質膜を形成することができる。
ここで使用する基板としては、金属、合金、工具鋼、超
硬合金、サーメット又はセラミックス等積々のものを用
途によって使い分けることができる。
硬合金、サーメット又はセラミックス等積々のものを用
途によって使い分けることができる。
[発明の実施例]
実施例1
金属チタン粉末80wt%と炭素粉末20wt%との混
合粉末を円柱体に成形した後、真空中で1200℃に予
備焼結して回転体とした。この回転体と一〇−10%C
O合金からなる基板を容器にセットした。器内を IX
10′Tartに排気した後、回転体を3Orpm
テ回転させながら1000℃に予熱し、基体を700℃
に予熱した。次にレーザ発振器から7001i1のC1
11C02収束レーザ光を回転体の外周面に接線方向か
ら照射して蒸発させ、この蒸発粒子を基板表面に堆積さ
せた。得られた硬質膜の硬さはマイクロビッカースで2
800〜3000kg/ rats2であった。硬質膜
の厚さは、107を腸であり、このときの堆積速度は約
lkm/l1inであった。この硬質膜をX線回折によ
って解析した結果TiCであることが認められた。
合粉末を円柱体に成形した後、真空中で1200℃に予
備焼結して回転体とした。この回転体と一〇−10%C
O合金からなる基板を容器にセットした。器内を IX
10′Tartに排気した後、回転体を3Orpm
テ回転させながら1000℃に予熱し、基体を700℃
に予熱した。次にレーザ発振器から7001i1のC1
11C02収束レーザ光を回転体の外周面に接線方向か
ら照射して蒸発させ、この蒸発粒子を基板表面に堆積さ
せた。得られた硬質膜の硬さはマイクロビッカースで2
800〜3000kg/ rats2であった。硬質膜
の厚さは、107を腸であり、このときの堆積速度は約
lkm/l1inであった。この硬質膜をX線回折によ
って解析した結果TiCであることが認められた。
実施例2
S + 02を微量含有したS r a Na粉末から
成り、中心角60度の断面扇状の柱体を4本、A文、、
03−2oマo1%Y2O3の混合粉末から成り、中心
角30度の断面扇状の柱体を2本及びAffiN−20
マo1%Y2O3の混合物から成り、中心角30度の断
面扇状の柱体2本を作成した。これら8木の柱体な異種
物質が相互に隣接するように心的に合体させて回転体と
した。基板はAll 203−Si02系セラミフクス
を用いた。これらの回転体と基板を容器にセットして実
施例1と同様にして基板の表面に蒸発粒子を堆積させた
。
成り、中心角60度の断面扇状の柱体を4本、A文、、
03−2oマo1%Y2O3の混合粉末から成り、中心
角30度の断面扇状の柱体を2本及びAffiN−20
マo1%Y2O3の混合物から成り、中心角30度の断
面扇状の柱体2本を作成した。これら8木の柱体な異種
物質が相互に隣接するように心的に合体させて回転体と
した。基板はAll 203−Si02系セラミフクス
を用いた。これらの回転体と基板を容器にセットして実
施例1と同様にして基板の表面に蒸発粒子を堆積させた
。
得られた硬質膜の硬さはマイクロビッカースで1800
kg/ am2でその膜厚は5ル層であった。このとき
の堆積速度は約0.5 #L m/winであった。こ
の硬質膜をX線回折したところサイアロンと考えられる
固溶体を含むSi3N4主体の物質であることが認めら
れた。
kg/ am2でその膜厚は5ル層であった。このとき
の堆積速度は約0.5 #L m/winであった。こ
の硬質膜をX線回折したところサイアロンと考えられる
固溶体を含むSi3N4主体の物質であることが認めら
れた。
実施例3
六方晶型窒化ホウ素からなる円筒体(外形50tw、内
径10m腸、長さ30■−)と窒化チタンからなる円筒
体(外形50m1、内径lO謹鵬、長さaO鵬層)とを
軸方向に合体させて連設円筒体(外形50膳■、内径l
O腸■、長さ80mm)を形成して回転体とした。基板
はSi3N、系セラミックスを用いた。回転体と基板を
容器にセットして、容器内を IX 10” 丁orr
に排気した後、回転体を15rpmに回転させながら5
00℃に予熱し、基体を1000℃に予熱した0次にレ
ーザ光発振器から 100OWのcwco、、収束レー
ザ光を回転体の外周面に接線方向から照射してまず窒化
チタンの回転体を蒸発させた後に六方晶型窒化ホウ素の
回転体を蒸発させて基板表面に蒸発粒子を堆積させた。
径10m腸、長さ30■−)と窒化チタンからなる円筒
体(外形50m1、内径lO謹鵬、長さaO鵬層)とを
軸方向に合体させて連設円筒体(外形50膳■、内径l
O腸■、長さ80mm)を形成して回転体とした。基板
はSi3N、系セラミックスを用いた。回転体と基板を
容器にセットして、容器内を IX 10” 丁orr
に排気した後、回転体を15rpmに回転させながら5
00℃に予熱し、基体を1000℃に予熱した0次にレ
ーザ光発振器から 100OWのcwco、、収束レー
ザ光を回転体の外周面に接線方向から照射してまず窒化
チタンの回転体を蒸発させた後に六方晶型窒化ホウ素の
回転体を蒸発させて基板表面に蒸発粒子を堆積させた。
得られた硬質膜の硬さは4000ヌープであった。硬質
膜は、第1層が5IL園、第2層も5ル鵡の積層膜であ
った。この硬質膜をX線回折したところ内層である第1
層は窒化チタンであったけれども外層である第2層は非
晶質状のものであった。
膜は、第1層が5IL園、第2層も5ル鵡の積層膜であ
った。この硬質膜をX線回折したところ内層である第1
層は窒化チタンであったけれども外層である第2層は非
晶質状のものであった。
[発明の効果]
以上の説明で明らかなように、本発明方法は基板上に緻
密で強固な硬質膜を基板との密着性よく大きな堆積速度
で形成することができる。したがって、被照射試料を適
宜に選択し、また基板との組合わせを選択することによ
り、新しい機能材料を製造することができるのでその工
業的価値は大である。
密で強固な硬質膜を基板との密着性よく大きな堆積速度
で形成することができる。したがって、被照射試料を適
宜に選択し、また基板との組合わせを選択することによ
り、新しい機能材料を製造することができるのでその工
業的価値は大である。
第1図は本発明方法を行なうときに用いるレーザ蒸着装
置の1例を示す概略図であり、第2図〜第13図はいず
れも本発明にかかる回転体の具体例を示す概念的斜視図
である。 l−レーザ光 2.8一平面鏡 3−集光レンズ 4−透過窓 5−真空容器 6−中心軸 7−回転体(被照射試料) 9一基板 lO−シャッタ 11−子熱ヒータ 指定代理人 等々力 達 復代理人 津 国 肇 第1図 第4 If 第7図 第1o図 第13図 第1頁の続き [相]発明者安永 暢男茨朋1 究所内 −0発 明 者 樽 見 昇 茨城系1究所内 [相]発 明 者 小 原 明 茨城系1究所内 @発明者 池1)正幸茨朋1 究所内 0発 明 者 佐 藤 純 −横浜市ネ@発明者 真贋
古史 用崎市う 斤治郡桜村梅園1丁目1番4号 工業技術院総合研斤治
郡杉 斤治郡杉 斤治郡し 申奈用ト
置の1例を示す概略図であり、第2図〜第13図はいず
れも本発明にかかる回転体の具体例を示す概念的斜視図
である。 l−レーザ光 2.8一平面鏡 3−集光レンズ 4−透過窓 5−真空容器 6−中心軸 7−回転体(被照射試料) 9一基板 lO−シャッタ 11−子熱ヒータ 指定代理人 等々力 達 復代理人 津 国 肇 第1図 第4 If 第7図 第1o図 第13図 第1頁の続き [相]発明者安永 暢男茨朋1 究所内 −0発 明 者 樽 見 昇 茨城系1究所内 [相]発 明 者 小 原 明 茨城系1究所内 @発明者 池1)正幸茨朋1 究所内 0発 明 者 佐 藤 純 −横浜市ネ@発明者 真贋
古史 用崎市う 斤治郡桜村梅園1丁目1番4号 工業技術院総合研斤治
郡杉 斤治郡杉 斤治郡し 申奈用ト
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1)容器内で軸回転する回転体に収束レーザ光を照射
し、該回転体から蒸発した粒子を基板に堆積させて成る
膜の形成方法において、 該回転体が黒鉛、炭素、金属、合金、金属化合物又はセ
ラミックスの群から選ばれる少なくとも2種の物質から
成ることを特徴とする硬質膜の形成方法。 (2)該回転体が円柱体、円筒体、円錐体又は湾曲凸面
体の構造からなる特許請求の範囲第1項記載の硬質膜の
形成方法。 (3)該回転体がリング体又は円板体の構造からなる特
許請求の範囲第1項記載の硬質膜の形成方法。 (4)該回転体が断面扇状の柱体又は板体の2個以上を
心的に合体させてなる特許請求の範囲第1項、第2項又
は第3項記載の硬質膜の形成方法。 (5)該回転体が円柱体、円筒体又は円錐体の2個以上
を該回転体の軸方向に一体的に連設してなる特許請求の
範jllJ#1項又は第2項記載の硬質膜の形成方法。 (8)該回転体が直径の異なるリング体又は円板体の2
(l1以上を同心円状に合体させてなる特許請求の範囲
第1項又は第3項記載の硬質膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4926884A JPS60194067A (ja) | 1984-03-16 | 1984-03-16 | 硬質膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4926884A JPS60194067A (ja) | 1984-03-16 | 1984-03-16 | 硬質膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60194067A true JPS60194067A (ja) | 1985-10-02 |
| JPS6338428B2 JPS6338428B2 (ja) | 1988-07-29 |
Family
ID=12826085
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4926884A Granted JPS60194067A (ja) | 1984-03-16 | 1984-03-16 | 硬質膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60194067A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6320454A (ja) * | 1986-07-14 | 1988-01-28 | Nippon Kokan Kk <Nkk> | 蒸着装置 |
| WO1996010324A1 (en) * | 1994-09-26 | 1996-04-04 | Fom-Instituut Voor Plasmafysica Rijnhuizen | Laser target for use in an apparatus for generating radiation and atomic particles |
| US5786129A (en) * | 1997-01-13 | 1998-07-28 | Presstek, Inc. | Laser-imageable recording constructions utilizing controlled, self-propagating exothermic chemical reaction mechanisms |
| JP2004238701A (ja) * | 2003-02-07 | 2004-08-26 | Dainippon Printing Co Ltd | イオンプレーティング装置およびこれを用いた成膜方法 |
| JP2008255481A (ja) * | 2007-03-09 | 2008-10-23 | Mitsubishi Materials Corp | 蒸着材 |
| JP2009041219A (ja) * | 2007-08-07 | 2009-02-26 | Toyoda Gosei Co Ltd | 車両用小物入れのロック装置 |
| WO2017025662A1 (en) * | 2015-08-10 | 2017-02-16 | Picodeon Ltd Oy | Method for manufacturing thin films by laser ablation by applying laser pulses with a rotating target |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57158377A (en) * | 1981-03-27 | 1982-09-30 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | Plating device for inside surface of pipe utilizing laser beam |
-
1984
- 1984-03-16 JP JP4926884A patent/JPS60194067A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57158377A (en) * | 1981-03-27 | 1982-09-30 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | Plating device for inside surface of pipe utilizing laser beam |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6320454A (ja) * | 1986-07-14 | 1988-01-28 | Nippon Kokan Kk <Nkk> | 蒸着装置 |
| WO1996010324A1 (en) * | 1994-09-26 | 1996-04-04 | Fom-Instituut Voor Plasmafysica Rijnhuizen | Laser target for use in an apparatus for generating radiation and atomic particles |
| NL9401560A (nl) * | 1994-09-26 | 1996-05-01 | Rijnhuizen Plasmafysica | Werkwijze en inrichting voor het generen van straling en atomaire deeltjes. |
| US5786129A (en) * | 1997-01-13 | 1998-07-28 | Presstek, Inc. | Laser-imageable recording constructions utilizing controlled, self-propagating exothermic chemical reaction mechanisms |
| JP2004238701A (ja) * | 2003-02-07 | 2004-08-26 | Dainippon Printing Co Ltd | イオンプレーティング装置およびこれを用いた成膜方法 |
| JP2008255481A (ja) * | 2007-03-09 | 2008-10-23 | Mitsubishi Materials Corp | 蒸着材 |
| JP2009041219A (ja) * | 2007-08-07 | 2009-02-26 | Toyoda Gosei Co Ltd | 車両用小物入れのロック装置 |
| WO2017025662A1 (en) * | 2015-08-10 | 2017-02-16 | Picodeon Ltd Oy | Method for manufacturing thin films by laser ablation by applying laser pulses with a rotating target |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6338428B2 (ja) | 1988-07-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |