JPH0370330B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0370330B2 JPH0370330B2 JP56210000A JP21000081A JPH0370330B2 JP H0370330 B2 JPH0370330 B2 JP H0370330B2 JP 56210000 A JP56210000 A JP 56210000A JP 21000081 A JP21000081 A JP 21000081A JP H0370330 B2 JPH0370330 B2 JP H0370330B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- films
- sides
- photoresist
- resist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、透明な１枚の基板の両面に透明電
極を形成する両面電極基板の製造方法に関する。
極を形成する両面電極基板の製造方法に関する。
一般に、この種の両面電極基板は、例えば多層
構造の液晶表示セル等に用いられている。即ち、
上記液晶表示セルは、例えば第１図に示すよう
に、３枚の透明なガラス基板１，２，３を上下に
対向配置し、これら各ガラス基板１，２，３の各
対向面に夫々透明な電極４，５，６，７を形成す
ると共に、これら各ガラス基板１，２，３間に
夫々液晶材８，９を封入し、上記電極４，５間或
いは６，７間に電圧を印加することにより、所定
の情報を表示するようになつている。従つて、上
記のような液晶表示セルに用いられているガラス
基板１，２，３のうち、真中に位置するガラス基
板２は、その両面に透明電極５，６が各々形成さ
れている。
構造の液晶表示セル等に用いられている。即ち、
上記液晶表示セルは、例えば第１図に示すよう
に、３枚の透明なガラス基板１，２，３を上下に
対向配置し、これら各ガラス基板１，２，３の各
対向面に夫々透明な電極４，５，６，７を形成す
ると共に、これら各ガラス基板１，２，３間に
夫々液晶材８，９を封入し、上記電極４，５間或
いは６，７間に電圧を印加することにより、所定
の情報を表示するようになつている。従つて、上
記のような液晶表示セルに用いられているガラス
基板１，２，３のうち、真中に位置するガラス基
板２は、その両面に透明電極５，６が各々形成さ
れている。
しかしながら、従来、上記のような両面に透明
電極５，６を有するガラス基板２を製造する場合
には、予め、ガラス基板２の両面に酸化インジウ
ム（In2O3）、酸化スズ（SnO2）或いはこれらの
混合物からなる透明な導電膜を蒸着形成している
ので、両面にフオトレジストを塗布した状態で露
光することができず、片面ずつ露光、現像、エツ
チングを行なわなければならなかつた。即ち、第
２図に示すようにガラス基板２の両面に透明導電
膜を蒸着形成し洗浄した後、まず一方の面（以
下、Ａ面という）にフオトレジスト膜を塗布形成
し、プリベークによりフオトレジスト膜の溶剤を
飛ばして膜厚を均一化し、更にこのＡ面側を露光
し、現像によりＡ面側のフオトレジスト膜の不要
部分を除去して乾燥する。そして、他方の面（以
下、Ｂ面という）に導電膜を保護するレジスト膜
を塗布形成し、ポストベークによりレジスト膜を
硬化した後、化学的なエツチングによりＡ面側の
不要な部分の導電膜を除去する。この場合、Ｂ面
側の導電膜はその全面がレジスト膜により保護さ
れているのでエツチングされることはない。これ
により、Ａ面側には不要部分が除去された導電膜
により透明な電極５が形成され、Ｂ面側には全面
に導電膜が残る。そして、Ａ，Ｂ両面のレジスト
膜を剥離し洗浄した後、今度はＢ面側にフオトレ
ジスト膜を塗布形成し、プリベークによりフオト
レジスト膜の膜厚を均一化し、上述したＡ面側と
同様にＢ面側を露光し、現像により不要部分のレ
ジスト膜を除去し乾燥する。この後、Ａ面側に電
極５を保護するレジスト膜を塗布し、ポストベー
クにより硬化させる。そして、再び化学的なエツ
チングによりＢ面側の導電膜の不要部分を剥離
し、Ａ，Ｂ両面のレジスト膜を剥離して洗浄す
る。これにより、Ａ，Ｂ両面に不要部分が除去さ
れた導電膜により電極５，６が形成される。
電極５，６を有するガラス基板２を製造する場合
には、予め、ガラス基板２の両面に酸化インジウ
ム（In2O3）、酸化スズ（SnO2）或いはこれらの
混合物からなる透明な導電膜を蒸着形成している
ので、両面にフオトレジストを塗布した状態で露
光することができず、片面ずつ露光、現像、エツ
チングを行なわなければならなかつた。即ち、第
２図に示すようにガラス基板２の両面に透明導電
膜を蒸着形成し洗浄した後、まず一方の面（以
下、Ａ面という）にフオトレジスト膜を塗布形成
し、プリベークによりフオトレジスト膜の溶剤を
飛ばして膜厚を均一化し、更にこのＡ面側を露光
し、現像によりＡ面側のフオトレジスト膜の不要
部分を除去して乾燥する。そして、他方の面（以
下、Ｂ面という）に導電膜を保護するレジスト膜
を塗布形成し、ポストベークによりレジスト膜を
硬化した後、化学的なエツチングによりＡ面側の
不要な部分の導電膜を除去する。この場合、Ｂ面
側の導電膜はその全面がレジスト膜により保護さ
れているのでエツチングされることはない。これ
により、Ａ面側には不要部分が除去された導電膜
により透明な電極５が形成され、Ｂ面側には全面
に導電膜が残る。そして、Ａ，Ｂ両面のレジスト
膜を剥離し洗浄した後、今度はＢ面側にフオトレ
ジスト膜を塗布形成し、プリベークによりフオト
レジスト膜の膜厚を均一化し、上述したＡ面側と
同様にＢ面側を露光し、現像により不要部分のレ
ジスト膜を除去し乾燥する。この後、Ａ面側に電
極５を保護するレジスト膜を塗布し、ポストベー
クにより硬化させる。そして、再び化学的なエツ
チングによりＢ面側の導電膜の不要部分を剥離
し、Ａ，Ｂ両面のレジスト膜を剥離して洗浄す
る。これにより、Ａ，Ｂ両面に不要部分が除去さ
れた導電膜により電極５，６が形成される。
このように、上記従来の製造方法にあつては、
予め、ガラス基板２の両面に透明な導電膜を形成
しているため、製造工程数が多く複雑になり、し
かもレジスト剤、現像剤及びエツチング液等の使
用量が多く、適めて不経済である等の欠点があつ
た。
予め、ガラス基板２の両面に透明な導電膜を形成
しているため、製造工程数が多く複雑になり、し
かもレジスト剤、現像剤及びエツチング液等の使
用量が多く、適めて不経済である等の欠点があつ
た。
この発明は、上記のような事情に鑑みてなされ
たもので、その目的とするところは、製造工程を
簡略化し、且つレジスト剤、現像剤及びエツチン
グ液等の使用量を減少することができる両面電極
基板の製造方法を提供することである。
たもので、その目的とするところは、製造工程を
簡略化し、且つレジスト剤、現像剤及びエツチン
グ液等の使用量を減少することができる両面電極
基板の製造方法を提供することである。
以下、この発明に係る製造方法を第３図及び第
４図を参照して説明する。まず、第４図イに示す
ように、透明なガラス基板１０のＡ，Ｂ両面にス
パツタ法によりインジウム（In）とスズ（Sn）
とを混合してなる不透明な金属性の導電膜１１，
１２を約200Åの厚みで形成する。この導電膜１
１，１２は、インジウムが約90％でスズが約10％
の混合物であつて、酸化すると透明になるもので
ある。この場合光の透過率はＡ，Ｂ各面で10％程
度であり、Ａ，Ｂ両面の合計では約１％程度であ
る。そして、Ａ，Ｂ両面の導電膜１１，１２を洗
浄した後、これら両面に第４図ロに示すようにフ
オトレジスト膜１３，１４を各々塗布形成し、プ
リベークにより各フオトレジスト膜１３，１４の
溶剤を飛ばして膜厚を均一にする。この後、Ａ面
及びＢ面のフオトレジスト膜１３，１４をそれぞ
れ電極パターンに対応させて露光する。この場
合、上記導電膜１１，１２が不透明であるから、
Ａ面の露光時にＢ面のフオトレジストが露光され
たり或いはＢ面の露光時にＡ面のフオトレジスト
が露光されたりすることはない。この後、全体を
現像液に浸してＡ，Ｂ両面を現像し、第４図ハに
示すように、フオトレジスト膜１３，１４の不要
部分を除去する。この場合、上記各フオトレジス
ト膜１３，１４がネガタイプのフオトレジストで
ある場合には、未露光部のフオトレジストが除去
され、またポジタイプのフオトレジストである場
合には、露光部のフオトレジストが除去される。
このようにして不要な部分のフオトレジスト膜１
３，１４が除去された後には、まず、必要な部分
のフオトレジスト膜１３，１４を乾燥ポストベー
クにより硬化し、化学的なエツチングによりフオ
トレジスト膜１３，１４が取り除かれた箇所に対
応する導電膜１１，１２を除去する。この後、
Ａ，Ｂ両面のフオトレジスト膜１３，１４を剥離
し、洗浄すると第４図ニに示すように、ガラス基
板１０のＡ，Ｂ両面に不要部分が除去された導電
膜１１，１２が残る。この導電膜１１，１２は不
透明であるから、この後導電膜１１，１２を300
℃〜500℃程度で空中で焼成し、各導電膜１１，
１２を酸化する。これにより、導電膜１１，１２
の組成分であるインジウム（In）が酸化インジウ
ム（In2O3）となり、またスズ（Sn）が酸化スズ
（SnO2）となるため、各導電膜１１，１２が透明
になる。
４図を参照して説明する。まず、第４図イに示す
ように、透明なガラス基板１０のＡ，Ｂ両面にス
パツタ法によりインジウム（In）とスズ（Sn）
とを混合してなる不透明な金属性の導電膜１１，
１２を約200Åの厚みで形成する。この導電膜１
１，１２は、インジウムが約90％でスズが約10％
の混合物であつて、酸化すると透明になるもので
ある。この場合光の透過率はＡ，Ｂ各面で10％程
度であり、Ａ，Ｂ両面の合計では約１％程度であ
る。そして、Ａ，Ｂ両面の導電膜１１，１２を洗
浄した後、これら両面に第４図ロに示すようにフ
オトレジスト膜１３，１４を各々塗布形成し、プ
リベークにより各フオトレジスト膜１３，１４の
溶剤を飛ばして膜厚を均一にする。この後、Ａ面
及びＢ面のフオトレジスト膜１３，１４をそれぞ
れ電極パターンに対応させて露光する。この場
合、上記導電膜１１，１２が不透明であるから、
Ａ面の露光時にＢ面のフオトレジストが露光され
たり或いはＢ面の露光時にＡ面のフオトレジスト
が露光されたりすることはない。この後、全体を
現像液に浸してＡ，Ｂ両面を現像し、第４図ハに
示すように、フオトレジスト膜１３，１４の不要
部分を除去する。この場合、上記各フオトレジス
ト膜１３，１４がネガタイプのフオトレジストで
ある場合には、未露光部のフオトレジストが除去
され、またポジタイプのフオトレジストである場
合には、露光部のフオトレジストが除去される。
このようにして不要な部分のフオトレジスト膜１
３，１４が除去された後には、まず、必要な部分
のフオトレジスト膜１３，１４を乾燥ポストベー
クにより硬化し、化学的なエツチングによりフオ
トレジスト膜１３，１４が取り除かれた箇所に対
応する導電膜１１，１２を除去する。この後、
Ａ，Ｂ両面のフオトレジスト膜１３，１４を剥離
し、洗浄すると第４図ニに示すように、ガラス基
板１０のＡ，Ｂ両面に不要部分が除去された導電
膜１１，１２が残る。この導電膜１１，１２は不
透明であるから、この後導電膜１１，１２を300
℃〜500℃程度で空中で焼成し、各導電膜１１，
１２を酸化する。これにより、導電膜１１，１２
の組成分であるインジウム（In）が酸化インジウ
ム（In2O3）となり、またスズ（Sn）が酸化スズ
（SnO2）となるため、各導電膜１１，１２が透明
になる。
従つて、上記のような両面電極基板の製造方法
によれば、ガラス基板１０の両面に、予め不透明
な金属性の導電膜１１，１２を形成しているか
ら、Ａ，Ｂ両面にフオトレジスト膜１３，１４を
各々塗布形成した後、Ａ面及びＢ面を露光して
も、各光がガラス基板１０を通つて反対側の面に
透過することがなく、Ａ，Ｂ両面を連続して露光
することができ、またこれによつてＡ，Ｂ両面の
現像及びエツチングを同時に行なうことができ
る。そして、上記導電膜１１，１２の透明化は工
程の一番最後に焼成により行なえば良いので、製
造工程数が少なく、製造工程の簡略化を計ること
ができる。またフオトレジスト膜１３，１４の塗
布形成がＡ，Ｂ各面とも１回で済み、また現像及
びエツチングも１回で済むので、フオトレジスト
剤、現像剤及びエツチング液等の使用量を少なく
することができる。
によれば、ガラス基板１０の両面に、予め不透明
な金属性の導電膜１１，１２を形成しているか
ら、Ａ，Ｂ両面にフオトレジスト膜１３，１４を
各々塗布形成した後、Ａ面及びＢ面を露光して
も、各光がガラス基板１０を通つて反対側の面に
透過することがなく、Ａ，Ｂ両面を連続して露光
することができ、またこれによつてＡ，Ｂ両面の
現像及びエツチングを同時に行なうことができ
る。そして、上記導電膜１１，１２の透明化は工
程の一番最後に焼成により行なえば良いので、製
造工程数が少なく、製造工程の簡略化を計ること
ができる。またフオトレジスト膜１３，１４の塗
布形成がＡ，Ｂ各面とも１回で済み、また現像及
びエツチングも１回で済むので、フオトレジスト
剤、現像剤及びエツチング液等の使用量を少なく
することができる。
以上説明したように、本願発明の両面電極基板
の製造方法は、透明な基板の両面に酸化すると透
明になる不透明な金属膜を形成し、この金属膜が
不透明な状態でレジスト膜形成工程、露光・現像
工程、エツチング工程、及び剥離工程が行なわ
れ、その後の焼成工程により前記金属膜を酸化し
て金属酸化物からなる透明な導電膜を形成しよう
とするものである。そして、この発明の両面電極
基板の製造方法によればレジスト膜の露光・現像
工程を、基板の両面に形成された金属膜が不透明
の状態で行なつているので、基板の一方から他方
に透過する漏れ光が少なくなり、基板の裏面側に
形成されたレジスト膜を露光することがなくな
る。よつて、透明な基板の両面を連続して露光す
ることができ、これによつて現像及びエツチング
を両面同時に行なうことができる。この結果製造
工程の簡略化を計ることができると共に、レジス
ト膜及び現像に要するレジスト剤及び現像剤の使
用量を大幅に減少することができ、経済的にも優
れているという利点がある。
の製造方法は、透明な基板の両面に酸化すると透
明になる不透明な金属膜を形成し、この金属膜が
不透明な状態でレジスト膜形成工程、露光・現像
工程、エツチング工程、及び剥離工程が行なわ
れ、その後の焼成工程により前記金属膜を酸化し
て金属酸化物からなる透明な導電膜を形成しよう
とするものである。そして、この発明の両面電極
基板の製造方法によればレジスト膜の露光・現像
工程を、基板の両面に形成された金属膜が不透明
の状態で行なつているので、基板の一方から他方
に透過する漏れ光が少なくなり、基板の裏面側に
形成されたレジスト膜を露光することがなくな
る。よつて、透明な基板の両面を連続して露光す
ることができ、これによつて現像及びエツチング
を両面同時に行なうことができる。この結果製造
工程の簡略化を計ることができると共に、レジス
ト膜及び現像に要するレジスト剤及び現像剤の使
用量を大幅に減少することができ、経済的にも優
れているという利点がある。
第１図は多層構造の液晶表示セルを示す概略断
面図、第２図は従来の両面電極基板の製造工程を
示す工程図、第３図及び第４図はこの発明に係る
両面電極基板の製造方法に関し、第３図はその製
造工程図、第４図はその製造過程図である。 １０……ガラス基板、１１，１２……導電膜、
１３，１４……フオトレジスト膜。
面図、第２図は従来の両面電極基板の製造工程を
示す工程図、第３図及び第４図はこの発明に係る
両面電極基板の製造方法に関し、第３図はその製
造工程図、第４図はその製造過程図である。 １０……ガラス基板、１１，１２……導電膜、
１３，１４……フオトレジスト膜。
Claims (1)
- １ 透明な基板の両面それぞれに酸化により透明
となる不透明な金属膜を形成する金属膜形成工程
と、上記金属膜それぞれの上にレジスト膜を塗布
形成するレジスト膜形成工程と、上記両レジスト
膜をそれぞれの電極パターンに対応させて露光す
る露光工程と、この露光工程後上記両レジスト膜
のそれぞれの不要部分を除去する現像工程と、こ
の現像工程によつて上記レジスト膜が残存した部
分以外の不要な上記両金属膜の部分を除去するエ
ツチング工程と、このエツチング工程後の上記レ
ジスト膜を剥離する剥離工程と、上記両金属膜を
酸化させて導電性を有する透明な金属酸化膜にす
る焼成工程とを有してなる両面電極基板の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21000081A JPS58115707A (ja) | 1981-12-28 | 1981-12-28 | 両面電極基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21000081A JPS58115707A (ja) | 1981-12-28 | 1981-12-28 | 両面電極基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58115707A JPS58115707A (ja) | 1983-07-09 |
| JPH0370330B2 true JPH0370330B2 (ja) | 1991-11-07 |
Family
ID=16582189
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21000081A Granted JPS58115707A (ja) | 1981-12-28 | 1981-12-28 | 両面電極基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58115707A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0652703B2 (ja) * | 1984-04-10 | 1994-07-06 | 松下電器産業株式会社 | 二面露光方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5747522B2 (ja) * | 1973-12-24 | 1982-10-09 |
-
1981
- 1981-12-28 JP JP21000081A patent/JPS58115707A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58115707A (ja) | 1983-07-09 |
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