JPS60200202A - レ−ザメス用ハンドピ−スの冷却装置 - Google Patents
レ−ザメス用ハンドピ−スの冷却装置Info
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- JPS60200202A JPS60200202A JP59057074A JP5707484A JPS60200202A JP S60200202 A JPS60200202 A JP S60200202A JP 59057074 A JP59057074 A JP 59057074A JP 5707484 A JP5707484 A JP 5707484A JP S60200202 A JPS60200202 A JP S60200202A
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- hand piece
- laser
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- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4296—Coupling light guides with opto-electronic elements coupling with sources of high radiant energy, e.g. high power lasers, high temperature light sources
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/26—Optical coupling means
- G02B6/32—Optical coupling means having lens focusing means positioned between opposed fibre ends
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/44—Mechanical structures for providing tensile strength and external protection for fibres, e.g. optical transmission cables
- G02B6/4439—Auxiliary devices
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- Laser Beam Processing (AREA)
- Optical Fibers, Optical Fiber Cores, And Optical Fiber Bundles (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の技術分野]
本発明はハンドピース部分を冷却素子を用いた冷却手段
で冷却可能にしたレーザメス用ハンドピースの冷却装置
に関する。
で冷却可能にしたレーザメス用ハンドピースの冷却装置
に関する。
[発明の技術的背景とその問題点]
近年、刃先を鋭利にした通常の機械的メスの代りに、レ
ーザ光をメスとして利用するレーザメス(装置)が広く
用いられる状況にある。上記レーザメスは、これまでの
メスで切開した等場合に出血するのと異り、多くの場合
止面作用を伴うため切開等の手術に適している。又、極
めて細く収束できるので、より細部にわたる手術を行う
ことができる。
ーザ光をメスとして利用するレーザメス(装置)が広く
用いられる状況にある。上記レーザメスは、これまでの
メスで切開した等場合に出血するのと異り、多くの場合
止面作用を伴うため切開等の手術に適している。又、極
めて細く収束できるので、より細部にわたる手術を行う
ことができる。
用する場合、レーザ光を多関節型導光路(いわゆるマニ
ピュレータ)、或いはフレキシブルな光ファイバで患部
(被照射部)に導き、レーザ光を照射して生体組織を切
開、凝固するものである。
ピュレータ)、或いはフレキシブルな光ファイバで患部
(被照射部)に導き、レーザ光を照射して生体組織を切
開、凝固するものである。
この場合、術者はハンドピース(装置)と呼ばれる操作
部(把持部)を把持操作してハンドピース内部のレンズ
により集光したレーザ光を患部に確実に照射する必要が
ある。
部(把持部)を把持操作してハンドピース内部のレンズ
により集光したレーザ光を患部に確実に照射する必要が
ある。
第1図は実−際のレーザメスの外観を示す。
上記レーザメス1において、レーザ光伝送用(導光用)
光ファイバ2は、第1図の円内に拡大して示すように内
装被覆3.外装被覆4により保護され、その基部側に形
成したレーザ(発振器)5に挿着可能になるコネクタ6
と、先端側に形成したハンドピース7とで、いわゆるレ
ーザ(メス用)プローブ8を構成している。
光ファイバ2は、第1図の円内に拡大して示すように内
装被覆3.外装被覆4により保護され、その基部側に形
成したレーザ(発振器)5に挿着可能になるコネクタ6
と、先端側に形成したハンドピース7とで、いわゆるレ
ーザ(メス用)プローブ8を構成している。
′ 上記レーザプローブ8の先端に設けたハンドピース
7は術者が把持操作する部分である。このレーザプロー
ブ8の内部は、光ファイバ2を冷却するための冷却ガス
G/[F通面鮨であるように、光ファイバ2と内装被覆
3の間に、すき間を設けである。冷却ガスGは、通常レ
ーザ電源9内の気体源(例えばガスボンベ等)から送気
管1oを経て、レーザプローブ8内の光ファイバ2と内
装被覆3のすき間を流通する。しかして先端のハンドピ
ース7の直前に設けである排気管11がら、冷却ガスG
が排出されるようになっている。術者はハンドピース7
を把持操作し、ハンドピース7の内部の集光レンズを経
て光ファイバ2の出射端から出射されるレーザ光を患部
(被照射部)上に集光してレーザ光による切除等を行い
得るようになっている。
7は術者が把持操作する部分である。このレーザプロー
ブ8の内部は、光ファイバ2を冷却するための冷却ガス
G/[F通面鮨であるように、光ファイバ2と内装被覆
3の間に、すき間を設けである。冷却ガスGは、通常レ
ーザ電源9内の気体源(例えばガスボンベ等)から送気
管1oを経て、レーザプローブ8内の光ファイバ2と内
装被覆3のすき間を流通する。しかして先端のハンドピ
ース7の直前に設けである排気管11がら、冷却ガスG
が排出されるようになっている。術者はハンドピース7
を把持操作し、ハンドピース7の内部の集光レンズを経
て光ファイバ2の出射端から出射されるレーザ光を患部
(被照射部)上に集光してレーザ光による切除等を行い
得るようになっている。
ところでハンドピースの従来例は第2図に示すような構
造になっている。
造になっている。
即ち、光ファイバ2(第1図と同符号で示す。)は、内
装被覆3.外装被覆4により保護されている。光ファイ
バ2はハンドピース7内壁を径方向内側に突出して形成
したファイバ保持部(ファイバホルダ)13のファイバ
保持孔13aに挿通して保持固定されている。冷却ガス
Gはレーザプロー18内の光ファイバ2と内装被覆3と
のすき間を流通し、排気口15からそのまま排気される
か、該排気口15と図示しないチューブ等で連結した冷
却ガス入口16を経て集光レンズ17の前方に吹き出さ
れ、レーザ光被照射部面上に吹きかけられる。
装被覆3.外装被覆4により保護されている。光ファイ
バ2はハンドピース7内壁を径方向内側に突出して形成
したファイバ保持部(ファイバホルダ)13のファイバ
保持孔13aに挿通して保持固定されている。冷却ガス
Gはレーザプロー18内の光ファイバ2と内装被覆3と
のすき間を流通し、排気口15からそのまま排気される
か、該排気口15と図示しないチューブ等で連結した冷
却ガス入口16を経て集光レンズ17の前方に吹き出さ
れ、レーザ光被照射部面上に吹きかけられる。
上記第2図に示す従来例では、光ファイバ2の光伝送部
分は冷却できるが、光ファイバ2の出射端面2a近傍の
空間は、冷却ガスGと遮断されているため、殆んど冷却
できない構造゛となっている。
分は冷却できるが、光ファイバ2の出射端面2a近傍の
空間は、冷却ガスGと遮断されているため、殆んど冷却
できない構造゛となっている。
従って、高パワーの伝送時における光ファイバ2におい
て、最も発熱の著しい光ファイバ2の出射端を有効に冷
却できず、そのため光ファイバ2の熱損傷が生じ、きわ
めて危険な状態に至るという問題点を有していた。
て、最も発熱の著しい光ファイバ2の出射端を有効に冷
却できず、そのため光ファイバ2の熱損傷が生じ、きわ
めて危険な状態に至るという問題点を有していた。
又、ファイバ保持部13も冷却可能な構造となっていな
いのでファイバ保持部13がきわめて高温になり、術者
が把持する際熱損傷等を生じさせる虞れがあり安全性に
欠けるものであった。
いのでファイバ保持部13がきわめて高温になり、術者
が把持する際熱損傷等を生じさせる虞れがあり安全性に
欠けるものであった。
ところで、レーザ光を伝送する光ファイバにおける発熱
を抑制するために、実開昭57−105605号に開示
されている従来例がある。
を抑制するために、実開昭57−105605号に開示
されている従来例がある。
この従来例は、第3図に示すようにレーザ光を導光(伝
送)する光ファイバのコア部31の外周に冷却ガス通路
22を形成し、その外周に形成したクラッド部23を介
して外装波N24で覆われている。上記コア部21の光
の入口側及び出口側端部21 +、21oは金属チップ
25.25でそれぞれ固定され、各金属チップ25の外
周には前記冷却ガス通路22に連通する各空隙26が形
成されると共に、それぞれ熱電冷却素子群27が設けら
れている。しかして入口側の端部21i側に冷却ガスが
矢符で示すように送気され、出口側の拡径にされた外層
被覆24内側の空気出口28から放出されるようになっ
ている。
送)する光ファイバのコア部31の外周に冷却ガス通路
22を形成し、その外周に形成したクラッド部23を介
して外装波N24で覆われている。上記コア部21の光
の入口側及び出口側端部21 +、21oは金属チップ
25.25でそれぞれ固定され、各金属チップ25の外
周には前記冷却ガス通路22に連通する各空隙26が形
成されると共に、それぞれ熱電冷却素子群27が設けら
れている。しかして入口側の端部21i側に冷却ガスが
矢符で示すように送気され、出口側の拡径にされた外層
被覆24内側の空気出口28から放出されるようになっ
ている。
上記出口側における熱雷冷却素子群27は、第4図に示
すように、湾曲片のP型半導体pとN型半導体nを絶縁
物29を介装したものを一組として、多数組を円環状に
配設し各外側の電極片30゜30から直流電圧を印加し
、各−組の半導体装置nにおける内側の面に接合された
接合板31を通って電流を流すことによって、内側の接
合板31側を冷却し、外側の電極片30.30側で発生
した熱を冷却ガスで冷却するようにしていた。この場合
接合板31側が熱雷冷却素子群27で冷却されるが、こ
の冷却によって、コア部21の出口側は直接冷却されな
いで、その内側の空隙26内の冷却ガスを介して間接的
に冷却していたため、冷却ガスとして用いられる空気、
N 2. Ar等は熱伝導率が低いため、冷却効率が
低くなるという欠点があった。このため、多量のガスを
流す必要があり、外径が大径になり操作しにくいと共に
、直接的に冷却する場合に比べて冷却効率が低いという
欠点がある。又、冷却ガスに含まれる水分が冷却素子に
よって露結し、光ファイバに悪影響を及ぼすという不都
合があった。
すように、湾曲片のP型半導体pとN型半導体nを絶縁
物29を介装したものを一組として、多数組を円環状に
配設し各外側の電極片30゜30から直流電圧を印加し
、各−組の半導体装置nにおける内側の面に接合された
接合板31を通って電流を流すことによって、内側の接
合板31側を冷却し、外側の電極片30.30側で発生
した熱を冷却ガスで冷却するようにしていた。この場合
接合板31側が熱雷冷却素子群27で冷却されるが、こ
の冷却によって、コア部21の出口側は直接冷却されな
いで、その内側の空隙26内の冷却ガスを介して間接的
に冷却していたため、冷却ガスとして用いられる空気、
N 2. Ar等は熱伝導率が低いため、冷却効率が
低くなるという欠点があった。このため、多量のガスを
流す必要があり、外径が大径になり操作しにくいと共に
、直接的に冷却する場合に比べて冷却効率が低いという
欠点がある。又、冷却ガスに含まれる水分が冷却素子に
よって露結し、光ファイバに悪影響を及ぼすという不都
合があった。
[発明の目的]
本発明は上述した点にかんがみてなされたもので、光フ
ァイバの出射端付近を有効に冷却することができ、熱損
傷等を防止管るレーザメス用ハンドピースの冷却装置を
提供することを目的とする。
ァイバの出射端付近を有効に冷却することができ、熱損
傷等を防止管るレーザメス用ハンドピースの冷却装置を
提供することを目的とする。
[発明の概要]
本発明は、レーザメス用ハンドピースにおけるファイバ
保持部に、ベルチェ効果を用いた冷却手段を形成するこ
とによって、光ファイバの出射端付近を冷却し、光ファ
イバ及びハンドピース構成物の熱損傷を防止している。
保持部に、ベルチェ効果を用いた冷却手段を形成するこ
とによって、光ファイバの出射端付近を冷却し、光ファ
イバ及びハンドピース構成物の熱損傷を防止している。
〆
[発明の実施例]
以下、図面を参照して本発明を具体的に説明する。
第5図ないし第8図は本発明の1実施例に係り、第5図
は1実施例を備えたハンドピースを示し、第6図は第1
実施例に用いた冷却素子の基本構成を示し、第7図は第
1実施例の機能を備えたファイバ保持部を示し、第8図
は第5図にお【プるB−B線断面構造を示す。
は1実施例を備えたハンドピースを示し、第6図は第1
実施例に用いた冷却素子の基本構成を示し、第7図は第
1実施例の機能を備えたファイバ保持部を示し、第8図
は第5図にお【プるB−B線断面構造を示す。
第5図に示すようにレーザプローブ41の先端には第1
実施例が適用されたハンドピース42が形成されている
。
実施例が適用されたハンドピース42が形成されている
。
上記プローブ41内の光伝送部材となる光ファイバ43
は、その外周に沿って形成した空隙によって冷却ガスの
流通路24が形成され、この空隙を覆うようにして内装
被覆45によって光ファイバ43は保護されており、該
内装被覆45のさらに外側は外装被覆46で覆われてい
る。
は、その外周に沿って形成した空隙によって冷却ガスの
流通路24が形成され、この空隙を覆うようにして内装
被覆45によって光ファイバ43は保護されており、該
内装被覆45のさらに外側は外装被覆46で覆われてい
る。
上記光ファイバ43は、その先端近傍がその外周のハン
ドピース42における冷却素子を用いて構成されたファ
イバ保持部48で保持されている。
ドピース42における冷却素子を用いて構成されたファ
イバ保持部48で保持されている。
このファイバ保持部48のファイバ保持孔48aの内径
は、光フアイバ保持43の外径よりもわずかに大きな径
に設定され、このファイバ保持孔48a1%:嵌9合す
る状態で光ファイバ43は保持されるようになっている
。このファイバ保持部48aと、光ファイバ43の出射
端面43a前方のハンドピース42内壁面に形成したレ
ンズ支持部49にて固定された集光レンズ50との間の
ハンドピース42内周には、前記出射端面43aからレ
ンズ50側に次第に拡径となる円錐状反射面51aを有
する反射鏡51が該反射1151の外周面を接着する等
して取付けられている。この反射面51aには、レーザ
メスとして用いるCO2レーザ等のレーザ光、つまり赤
外域の波長の光に対して反射率の高いAI 、Au 、
Aa 、Cu等の金属が蒸着されており、出射端面43
aから出射されたレーザ光で拡開したものを反射面51
aで効率良く反射して、平行光束にしてレンズ50側に
導き、該レンズ50を経て開口端から出射されるレーザ
光を十分集束して被照射部に照射できるようになってい
る。
は、光フアイバ保持43の外径よりもわずかに大きな径
に設定され、このファイバ保持孔48a1%:嵌9合す
る状態で光ファイバ43は保持されるようになっている
。このファイバ保持部48aと、光ファイバ43の出射
端面43a前方のハンドピース42内壁面に形成したレ
ンズ支持部49にて固定された集光レンズ50との間の
ハンドピース42内周には、前記出射端面43aからレ
ンズ50側に次第に拡径となる円錐状反射面51aを有
する反射鏡51が該反射1151の外周面を接着する等
して取付けられている。この反射面51aには、レーザ
メスとして用いるCO2レーザ等のレーザ光、つまり赤
外域の波長の光に対して反射率の高いAI 、Au 、
Aa 、Cu等の金属が蒸着されており、出射端面43
aから出射されたレーザ光で拡開したものを反射面51
aで効率良く反射して、平行光束にしてレンズ50側に
導き、該レンズ50を経て開口端から出射されるレーザ
光を十分集束して被照射部に照射できるようになってい
る。
ところで、上記ファイバ保持部48は、第6図に示すベ
ルチェ効果の冷却素子を基本構成に用いている。
ルチェ効果の冷却素子を基本構成に用いている。
即ち、P型半導体pとN型半導体nとを金属の接合部材
Sを介して接合し、P型半導体pの他端側の金属電極D
N型半導体nの他端側の金属1う の電極D211にP型半導体p側が負になるように直流
電源Vを印加することよって矢符で示すように電流Iを
流し、この電流■によって接合部材Sで吸熱現象が生じ
、その温度が下がり(例えばそのI!痕をTc)、一方
金属電極D 、D で放熱、12 現象が生じ、その温度が上昇する(例えばそれぞれの温
度がTh Th 2となり、この場合TC1 <Th Th 2)、上記吸熱あるいは発熱の量1゜ Qはベルチェ係数をπとするとQ−πlとなる。
Sを介して接合し、P型半導体pの他端側の金属電極D
N型半導体nの他端側の金属1う の電極D211にP型半導体p側が負になるように直流
電源Vを印加することよって矢符で示すように電流Iを
流し、この電流■によって接合部材Sで吸熱現象が生じ
、その温度が下がり(例えばそのI!痕をTc)、一方
金属電極D 、D で放熱、12 現象が生じ、その温度が上昇する(例えばそれぞれの温
度がTh Th 2となり、この場合TC1 <Th Th 2)、上記吸熱あるいは発熱の量1゜ Qはベルチェ係数をπとするとQ−πlとなる。
上記ベルチェ効果を有する冷却素子で形成した第1実施
例の冷却装置を形成するファイバ保持部48は第5図・
あるいは斜視図で示す第7図あるいは第5図のB−B線
断面で示す第8図に示すようになっている。
例の冷却装置を形成するファイバ保持部48は第5図・
あるいは斜視図で示す第7図あるいは第5図のB−B線
断面で示す第8図に示すようになっている。
即ち、半円環状なしいは半円筒状(半円環状と記す。)
のものをその長手方向にさらに2等分(1/4円環と記
す)したP型半導体pとN型半導体nとを間にそれぞれ
薄い絶縁板53が介装されるようにして交互に並べて円
環状にし、一対のP型半導体pとN型半導体nとはその
内側の面にそれぞれ共通の半円環状の金II(等の導体
材料の)接合部材54に接合されている。2つの半円環
状の接合部材54は周方向半円環の両端にそれぞれ絶縁
板53を介して光ファイバ43を囲む所定の内径のファ
イバ保持孔48aを形成する円環となるよう互いに固着
され、その内側に光ファイバ43が挿通され、該光ファ
イバ43を保持できるようになっている。
のものをその長手方向にさらに2等分(1/4円環と記
す)したP型半導体pとN型半導体nとを間にそれぞれ
薄い絶縁板53が介装されるようにして交互に並べて円
環状にし、一対のP型半導体pとN型半導体nとはその
内側の面にそれぞれ共通の半円環状の金II(等の導体
材料の)接合部材54に接合されている。2つの半円環
状の接合部材54は周方向半円環の両端にそれぞれ絶縁
板53を介して光ファイバ43を囲む所定の内径のファ
イバ保持孔48aを形成する円環となるよう互いに固着
され、その内側に光ファイバ43が挿通され、該光ファ
イバ43を保持できるようになっている。
又、P型半導体p及びN型半導体nは、その外側の面に
それぞれ1/4円環状の金属(等の導体材料の)電極5
5a、55bが、第7図に示すように内側の半導体p、
nの長さ方向の両端を除いて覆うように固着されている
。尚、P型半導体pとN型半導体nとの境界の絶縁板5
3は、隣接する電極55a、55bl11部分にも介装
されてごみ等が入って絶縁不良事故が生じないようにし
である。尚、接合部材54および電極55a、55bの
材料としては、例えばB1−Cu材料が適している。
それぞれ1/4円環状の金属(等の導体材料の)電極5
5a、55bが、第7図に示すように内側の半導体p、
nの長さ方向の両端を除いて覆うように固着されている
。尚、P型半導体pとN型半導体nとの境界の絶縁板5
3は、隣接する電極55a、55bl11部分にも介装
されてごみ等が入って絶縁不良事故が生じないようにし
である。尚、接合部材54および電極55a、55bの
材料としては、例えばB1−Cu材料が適している。
上記各一対のP型半導体p及びN型半導体n外周面に取
付けた電極55a、55b間には、第8図に示すように
電極55b側に電流Iが流れる向きの定電流源56に接
続されており、該定電流源56から電極55b、N型半
導体n、接合部材54、P型半導体p、電極55aへと
流れる電流lによって、各接合部材54が冷却され、そ
の際多接合部材54に接する光ファイバ43の出射端面
43a近傍を有効に冷却できるようになっている。
付けた電極55a、55b間には、第8図に示すように
電極55b側に電流Iが流れる向きの定電流源56に接
続されており、該定電流源56から電極55b、N型半
導体n、接合部材54、P型半導体p、電極55aへと
流れる電流lによって、各接合部材54が冷却され、そ
の際多接合部材54に接する光ファイバ43の出射端面
43a近傍を有効に冷却できるようになっている。
第7図に示すファイバ保持部48は、電極55a、55
a、55b、55b (及び各絶縁板53)の外周面が
、ハトピース42本体の外周に同一外径で露出するよう
に取付けである。つまり、略円筒状ないし円管状のハン
ドピース42本体は、その長手方向の略中央でファイバ
保持部48の両端の外形に嵌合する形状で2分割されて
おり、この分割した部分の外周から各ねじ57にてその
内側の半導体(例えばP型半導体p)を固着することに
よって、光ファイバ43の出射端面43a近傍の外周に
冷却素子を用いたファイバ保持部48が設けられた一体
化されたハンドピース42を形成している。又、上記各
ねじ57をはずすことによって、ファイバ保持部48は
もとより反射ll51を取り外したり、組立てたりする
ことを容易にできるようになっている。
a、55b、55b (及び各絶縁板53)の外周面が
、ハトピース42本体の外周に同一外径で露出するよう
に取付けである。つまり、略円筒状ないし円管状のハン
ドピース42本体は、その長手方向の略中央でファイバ
保持部48の両端の外形に嵌合する形状で2分割されて
おり、この分割した部分の外周から各ねじ57にてその
内側の半導体(例えばP型半導体p)を固着することに
よって、光ファイバ43の出射端面43a近傍の外周に
冷却素子を用いたファイバ保持部48が設けられた一体
化されたハンドピース42を形成している。又、上記各
ねじ57をはずすことによって、ファイバ保持部48は
もとより反射ll51を取り外したり、組立てたりする
ことを容易にできるようになっている。
さらに、光ファイバ43の外径の異るものに対しては、
ファイバ保持孔48aの異るファイバ保持部48を交換
して使用することもできるようになっている。
ファイバ保持孔48aの異るファイバ保持部48を交換
して使用することもできるようになっている。
尚、P型半導体p及びN型半導体n間に介装される絶縁
板53は、一対内の半導体p、n間ではその内側端部が
接合部材54外周で固定され、対間ではその内側端部が
接合部材5C54を絶縁するように取付けである。
板53は、一対内の半導体p、n間ではその内側端部が
接合部材54外周で固定され、対間ではその内側端部が
接合部材5C54を絶縁するように取付けである。
尚、第5図の縦断面図は、第8図における対向するP型
半導体p、pを通るように切断した場合のものである。
半導体p、pを通るように切断した場合のものである。
このように構成された本発明の第1実施例によれば、高
出力のレーザ光を光ファイバ43で伝送して被照射部に
向けて出射する場合に、光ファイバ43の出射端面43
a付近から生じる多量の熱による光ファイバ43の温度
上野を冷却ガスを用いないで、定電流源56からファイ
バ保持部48におけるベルチェ効果を利用した冷却素子
に電流を流すことによって、光ファイバ43外周の接合
部材54.54で直接的に吸熱させて冷却する手段を設
けであるので、光ファイバ43を有効に冷却でき、光フ
ァイバ及びハンドピース42の構成材料が熱損傷するの
を有効に防、止できる。又、上記定電流源56から供給
する電流■を加減することによって、その電流Iに比例
した冷却能力に設定できるので、伝送するレーザ光量に
応じた電流にすることによって、熱損傷を有効に防止で
きる。
出力のレーザ光を光ファイバ43で伝送して被照射部に
向けて出射する場合に、光ファイバ43の出射端面43
a付近から生じる多量の熱による光ファイバ43の温度
上野を冷却ガスを用いないで、定電流源56からファイ
バ保持部48におけるベルチェ効果を利用した冷却素子
に電流を流すことによって、光ファイバ43外周の接合
部材54.54で直接的に吸熱させて冷却する手段を設
けであるので、光ファイバ43を有効に冷却でき、光フ
ァイバ及びハンドピース42の構成材料が熱損傷するの
を有効に防、止できる。又、上記定電流源56から供給
する電流■を加減することによって、その電流Iに比例
した冷却能力に設定できるので、伝送するレーザ光量に
応じた電流にすることによって、熱損傷を有効に防止で
きる。
さらに、上記第1実施例においては、円錐面状の反射鏡
51を設けであるので、出射端面43aから出射される
し−ザ光における拡開するものを殆んど吸収することな
く反射させて平行光束にでき、レンズ50による集光効
率を高くできる。この場合、吸収を少くできるので、ハ
ンドピース42における温度上昇を小さくできる。
51を設けであるので、出射端面43aから出射される
し−ザ光における拡開するものを殆んど吸収することな
く反射させて平行光束にでき、レンズ50による集光効
率を高くできる。この場合、吸収を少くできるので、ハ
ンドピース42における温度上昇を小さくできる。
第9図は本発明の第2実施例におけるファイバ保持部の
断面図を示し、第10図はファイバ保持部の斜視図を示
す。
断面図を示し、第10図はファイバ保持部の斜視図を示
す。
この第2実施例におけるファイバ保持部61においては
、上記第1実施例におけるファイバ保持部48の接合部
材54を半円環状にしないで、隣接するP型半導体pと
N型半導体nとの境界に接合した板状の接合部材62と
し、各板状の接合部材62とし、各板状の接合部材62
を径方向内側に突出させて、対向する端部間の間隔を光
ファイバ43の外径よりわずかに大きくして、光ファイ
バ43の出射端面43a近傍の外周を小さい接触面積で
保持できるようにしである。
、上記第1実施例におけるファイバ保持部48の接合部
材54を半円環状にしないで、隣接するP型半導体pと
N型半導体nとの境界に接合した板状の接合部材62と
し、各板状の接合部材62とし、各板状の接合部材62
を径方向内側に突出させて、対向する端部間の間隔を光
ファイバ43の外径よりわずかに大きくして、光ファイ
バ43の出射端面43a近傍の外周を小さい接触面積で
保持できるようにしである。
尚、各接合部材62の径方向外側となる端部外周で、電
極55a、55bの間となる部分には絶縁部材63が介
装され各絶縁部材63によって、電極55a、55b間
が導通しないようにしである。
極55a、55bの間となる部分には絶縁部材63が介
装され各絶縁部材63によって、電極55a、55b間
が導通しないようにしである。
しかして第9図に示すように8対のP型半導体pとN型
半導体nには定電流源64.64からN型半導体n側が
正電位となる向ぎの電流が流れ、その際各接合部材62
で吸熱現象を生じさせて、該接合部材62に接する光フ
ァイバ43を冷却できるようにしである。
半導体nには定電流源64.64からN型半導体n側が
正電位となる向ぎの電流が流れ、その際各接合部材62
で吸熱現象を生じさせて、該接合部材62に接する光フ
ァイバ43を冷却できるようにしである。
尚、第9図において、例えば電極55a、55a間ある
いは電極55b、55b間の少くとも一方が導線等で導
通されており、(−個の定1i1源としても良い)、左
右の両接合部材62.62のみならず上下の両接合部材
62.62も光ファイバ43の冷却に機能するようにし
である。
いは電極55b、55b間の少くとも一方が導線等で導
通されており、(−個の定1i1源としても良い)、左
右の両接合部材62.62のみならず上下の両接合部材
62.62も光ファイバ43の冷却に機能するようにし
である。
この第2実施例によれば、光ファイバ43の出射端面4
3近傍は、その外周が小さな接触面積で保持されている
ので、保持部における光吸収を少くして、熱の発生を抑
制でき、殆んど光ファイバ43による光吸収に伴って発
生する熱のみを冷却すれば良く、上記第1実施例の場合
に比べて熱の発生を少くできる。
3近傍は、その外周が小さな接触面積で保持されている
ので、保持部における光吸収を少くして、熱の発生を抑
制でき、殆んど光ファイバ43による光吸収に伴って発
生する熱のみを冷却すれば良く、上記第1実施例の場合
に比べて熱の発生を少くできる。
第11図は本発明の第3実施例に係るハンドピースを示
す。
す。
この実施例におけるハンドピース71においては、上記
第2実施例におけるファイバ保持部61が用いられてお
り、上記第11図は第9図におけるC−C線で切断した
断面を示す。
第2実施例におけるファイバ保持部61が用いられてお
り、上記第11図は第9図におけるC−C線で切断した
断面を示す。
上記ハンドピース71は第5図に示すハンドピース22
と略同形状をなしているが、さらにファイバ保持部61
を取付けた部分の後方のハンドピース71内壁面に径方
向の透孔72が形成されると共に、電極55a、55b
外周面を空隙を形成するようにしてカバ一部4173に
よって覆うようにしである。又、このカバ一部材73に
おけるファイバ保持部61より前方となる外周にガス排
出ロア4を形成し、プローブ41における内に被覆45
内周と光ファイバ43の外周との間の空隙の流通路44
を経て送られる冷却ガスによって、矢符で示すように透
孔72を経て冷却ガスを電極55a、55b外周に導き
、ガス排出ロア4を経て排気する経路によって、発熱し
た電極55a、55b及びその周辺のハンドピース17
外周を冷却できるようにしである。尚、カバ一部材73
は、ハンドピース71の前部側から着脱自在に螺着して
取付けることができる。
と略同形状をなしているが、さらにファイバ保持部61
を取付けた部分の後方のハンドピース71内壁面に径方
向の透孔72が形成されると共に、電極55a、55b
外周面を空隙を形成するようにしてカバ一部4173に
よって覆うようにしである。又、このカバ一部材73に
おけるファイバ保持部61より前方となる外周にガス排
出ロア4を形成し、プローブ41における内に被覆45
内周と光ファイバ43の外周との間の空隙の流通路44
を経て送られる冷却ガスによって、矢符で示すように透
孔72を経て冷却ガスを電極55a、55b外周に導き
、ガス排出ロア4を経て排気する経路によって、発熱し
た電極55a、55b及びその周辺のハンドピース17
外周を冷却できるようにしである。尚、カバ一部材73
は、ハンドピース71の前部側から着脱自在に螺着して
取付けることができる。
その他は上記第1実施例と同様である。この第3実施例
に係るハンドピース71によれば、上記第1あるいは第
2実施例の略同様に冷却素子にて光ファイバ43の出射
端面43a近傍を有効に冷却できる他に、プローブ41
の途中の光ファイバ43を冷却ガスで冷却でき、且つこ
の冷却ガスを透孔72を経て発熱する電極55a、55
aを冷却するようにしであるので、把持操作する場合、
ハンドピース71外周が熱くな擾すきることもなく、操
作できる。
に係るハンドピース71によれば、上記第1あるいは第
2実施例の略同様に冷却素子にて光ファイバ43の出射
端面43a近傍を有効に冷却できる他に、プローブ41
の途中の光ファイバ43を冷却ガスで冷却でき、且つこ
の冷却ガスを透孔72を経て発熱する電極55a、55
aを冷却するようにしであるので、把持操作する場合、
ハンドピース71外周が熱くな擾すきることもなく、操
作できる。
第12図は本発明の第4実施例である。この実施例に係
るハンドピース81においては、上記第3実施例のハン
ドピース71における反射鏡51が円錐状反射面51a
でなく、放物面状反射面51bに形成しである。この他
は上記第3実施例と同様の構成であり、同一部材には同
符号がつけである。
るハンドピース81においては、上記第3実施例のハン
ドピース71における反射鏡51が円錐状反射面51a
でなく、放物面状反射面51bに形成しである。この他
は上記第3実施例と同様の構成であり、同一部材には同
符号がつけである。
尚、上記第3あるいは第4実施例において、ファイバ保
持部として第2実施例のものを用いるものに限らず、第
1実施例のものを用いても良いことは明らかである。
持部として第2実施例のものを用いるものに限らず、第
1実施例のものを用いても良いことは明らかである。
又、ファイバ保持部としては図示したものに限らずP型
半導体pとN型半導体を2組用いてベルチェ効果を有す
る冷却素子を形成したものに限定されるものでなく、1
組あるいは3組以上で形成したものであっても良い。
半導体pとN型半導体を2組用いてベルチェ効果を有す
る冷却素子を形成したものに限定されるものでなく、1
組あるいは3組以上で形成したものであっても良い。
尚、反射1151は、ハンドピース42.71等に一体
的に形成したものであっても良い。又、本発明は反射鏡
51を有しないものにも適用できる。
的に形成したものであっても良い。又、本発明は反射鏡
51を有しないものにも適用できる。
又、上記第3あるいは第4実施例においては冷却ガスを
光ファイバ43の出射端面43a近傍より後方側から透
孔72を経て電極55a、55b外周側に導くようにし
であるが、ファイバ保持部61の光ファイバ43外周と
なる空隙(接合部材62.62間)を通した後、透孔等
で電極55a。
光ファイバ43の出射端面43a近傍より後方側から透
孔72を経て電極55a、55b外周側に導くようにし
であるが、ファイバ保持部61の光ファイバ43外周と
なる空隙(接合部材62.62間)を通した後、透孔等
で電極55a。
55bの外周に導くようにして、冷却すると共に、冷却
ガスでも出射端近傍を冷却するようにしても良い。
ガスでも出射端近傍を冷却するようにしても良い。
尚、ガス排出ロア4の口金にチューブを接続して、吸引
することによって、送気されるガスの冷却をより高める
こともできる。
することによって、送気されるガスの冷却をより高める
こともできる。
尚、本発明は上述のものを部分的に組合わせる等したも
の等も本発明に属するものである。
の等も本発明に属するものである。
又、本発明はレーザ光伝送部材としてマニピュレータを
用いた場合にも利用できるものである。
用いた場合にも利用できるものである。
[発明の効果]
以上述べたように本発明によれば光ファイバの出射端近
傍をベルチェ効果を利用した冷却素子で直接冷却するよ
うにしであるので、伝送するレーザ光量に応じた電流を
流すことによって、出射端面付近を十分に冷却すること
ができる。従って、光ファイバ及びハンドピース構成物
が熱損傷するのを有効に防止できると共に、光ファイバ
等の耐久性を高めることができ、高出力のレーザ光を安
全に照射することを可能にする。
傍をベルチェ効果を利用した冷却素子で直接冷却するよ
うにしであるので、伝送するレーザ光量に応じた電流を
流すことによって、出射端面付近を十分に冷却すること
ができる。従って、光ファイバ及びハンドピース構成物
が熱損傷するのを有効に防止できると共に、光ファイバ
等の耐久性を高めることができ、高出力のレーザ光を安
全に照射することを可能にする。
第1図は一般的なレーザメス装置を示す斜′lR図、第
2図は従来のハンドピースを示す断面図、第3図は光フ
ァイバを伝送部材に用いた場合における従来の冷却装置
を示す縦断面図、第4図は第3図におけるA−Alll
i面図、第5図ないし第8図は本発明の第1実施例に係
り、第5図は第1実施例を備えたハンドピースを示す縦
断面図、第6図は第1実施例に用いた冷却素子の基本構
成による動作原理図、第7図は第1実施例のファイバ保
持部を示す斜視図、第8図は第5図におけるB−B縮拡
大断面図、第9図及び第10図は本発明の第2実施例に
係り、第9図は第2実施例におけるファイバ保持部を示
す断面図、第10図はファイバ保持部を拡大して示す斜
視図、第11図は本発明の第3実施例に係るハンドピー
スを示す縦断面図、第12図は本発明の第4実施例に係
るハンドピースを示す縦断面図である。 41・・・プローブ 42.71.81・・・ハンドピース 43・・・光ファイバ 43a・・・出射端面45・・
・内装被覆 48.61・・・ファイバ保持部 50・・・レンズ 51・・・反射鏡 51a、5’lb−・・反射面 53・・・絶縁板 54.62・・・接合部材 55a、55b−’l極 56.64・・・定電流源 63・・・絶縁部材72・
・・透孔 73・・・カバ一部材74・・・ガス排出口 代理人 弁理士 伊 藤 進 第2図 第5図 第8図 第9図 第10図
2図は従来のハンドピースを示す断面図、第3図は光フ
ァイバを伝送部材に用いた場合における従来の冷却装置
を示す縦断面図、第4図は第3図におけるA−Alll
i面図、第5図ないし第8図は本発明の第1実施例に係
り、第5図は第1実施例を備えたハンドピースを示す縦
断面図、第6図は第1実施例に用いた冷却素子の基本構
成による動作原理図、第7図は第1実施例のファイバ保
持部を示す斜視図、第8図は第5図におけるB−B縮拡
大断面図、第9図及び第10図は本発明の第2実施例に
係り、第9図は第2実施例におけるファイバ保持部を示
す断面図、第10図はファイバ保持部を拡大して示す斜
視図、第11図は本発明の第3実施例に係るハンドピー
スを示す縦断面図、第12図は本発明の第4実施例に係
るハンドピースを示す縦断面図である。 41・・・プローブ 42.71.81・・・ハンドピース 43・・・光ファイバ 43a・・・出射端面45・・
・内装被覆 48.61・・・ファイバ保持部 50・・・レンズ 51・・・反射鏡 51a、5’lb−・・反射面 53・・・絶縁板 54.62・・・接合部材 55a、55b−’l極 56.64・・・定電流源 63・・・絶縁部材72・
・・透孔 73・・・カバ一部材74・・・ガス排出口 代理人 弁理士 伊 藤 進 第2図 第5図 第8図 第9図 第10図
Claims (3)
- (1)光ファイバをレーザメス用の導光部材に用いたレ
ーザプローブの先端に形成したハンドピースにおいて、
光ファイバの外周を、N型半導体及びP型半導体が接合
された導体で囲み、前記N型半導体と前記P型半導体の
それぞれの外周に電極を設けたファイバ保持部でイ先持
したことを特徴とするレーザメス用ハンドピースの冷却
装置。 - (2)前記ファイバ保持部は、ハンドピース外周の固定
用ねじにて脱着自在としたことを特徴とする特許請求の
範囲第1項記載のレーザメス用ハンドピースの冷却装置
。 - (3)前記電極は、プローブ内を送気される冷却ガスで
その外周面を冷却可能にしたことを特徴とする特許請求
の範囲第1項記載のレーザメス用ハンドピースの冷却装
置。 面と、該出射端面前方に配設した集光レンズとの間に拡
開するレーザ光を反射して前記集光レンズに導く反射鏡
を設けたことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の
64メス用ハンドピースの冷却装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59057074A JPS60200202A (ja) | 1984-03-23 | 1984-03-23 | レ−ザメス用ハンドピ−スの冷却装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59057074A JPS60200202A (ja) | 1984-03-23 | 1984-03-23 | レ−ザメス用ハンドピ−スの冷却装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60200202A true JPS60200202A (ja) | 1985-10-09 |
Family
ID=13045308
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59057074A Pending JPS60200202A (ja) | 1984-03-23 | 1984-03-23 | レ−ザメス用ハンドピ−スの冷却装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60200202A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02134480A (ja) * | 1988-11-11 | 1990-05-23 | Hitachi Ltd | 流体自体の相変化を利用した流路の開閉制御弁及び開閉制御方法 |
| JP2020537758A (ja) * | 2017-10-17 | 2020-12-24 | オプトスカンド エービー | 光電子集成装置 |
| US11611029B2 (en) * | 2020-05-21 | 2023-03-21 | Saudi Arabian Oil Company | Methods to harvest thermal energy during subsurface high power laser transmission |
-
1984
- 1984-03-23 JP JP59057074A patent/JPS60200202A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02134480A (ja) * | 1988-11-11 | 1990-05-23 | Hitachi Ltd | 流体自体の相変化を利用した流路の開閉制御弁及び開閉制御方法 |
| JP2020537758A (ja) * | 2017-10-17 | 2020-12-24 | オプトスカンド エービー | 光電子集成装置 |
| US11611029B2 (en) * | 2020-05-21 | 2023-03-21 | Saudi Arabian Oil Company | Methods to harvest thermal energy during subsurface high power laser transmission |
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