JPS60200552A - 樹脂封止型半導体装置に用いられるリ−ドフレ−ム - Google Patents

樹脂封止型半導体装置に用いられるリ−ドフレ−ム

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JPS60200552A
JPS60200552A JP59057904A JP5790484A JPS60200552A JP S60200552 A JPS60200552 A JP S60200552A JP 59057904 A JP59057904 A JP 59057904A JP 5790484 A JP5790484 A JP 5790484A JP S60200552 A JPS60200552 A JP S60200552A
Authority
JP
Japan
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resin
lead frame
lead
forcibly
gate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP59057904A
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English (en)
Inventor
Koichi Hirata
弘一 平田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
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Publication of JPS60200552A publication Critical patent/JPS60200552A/ja
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Landscapes

  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明はリードフレームに関し、とくに樹脂側止型半導
体集積回路装置に適するリードフレームに関するもので
ある。
（従来技術） 従来、第１図に示される如く、半導体集積回路素子ｌ（
以下、ダイという）がリードフレーム２のダイ搭載部３
に固着された後、金属剛線４でダイ電極部とリードフレ
ームＱ内端部間が接続され。
しかる後に第２図に下す如きトランスファーモールド金
型５ａ、５ｂ円にセットされ、高温加圧状態でこの金型
内に樹脂を注入する事によって樹脂ｍｌ止ＩＣは製造さ
れる。この時注入される樹脂は、金型の樹脂注入部６（
以下、ゲートという）から注入された後、ゲート部によ
って方向づけがなされているものの、金型内部（キャビ
ティ部）では比較的自由な流動をする為にゲート部極近
傍のキャビティー整面７，７′には樹脂９が充填されず
。
気泡８が残留する現象が発生しやすい、とくにこの気泡
８は下側キャビティに多くみられる。
この現象は、樹脂の注入条件だけでは解決する事が困難
で、ゲート部の位ｉｔ１寸法等と併せて考慮を要し、そ
れによって得られた最適条件を安定して艮時間維持する
事も又困難である。この様な気泡の残留は単に製品外観
を損なうのみならず。
樹脂厚を薄くする傾向にある昨今では、気泡近傍部の樹
脂充填密度の低下は製品信頼度低下の大きな原因となる
。
（発明の目的） 不発明の目的は上記気泡の発生のないリードフレームを
提供することである。
（発明の構成） 不発明は樹脂封止型半導体装置に用いられるリードフレ
ームにおいて、該リードフレームの樹脂注入部近傍に位
置するリード形状を注入される樹脂の流動方向を強制的
に変更させる様な形状にしたこと全特徴とする。とくに
、キャビティの樹脂注入口に近接して、その注入口の幅
および高さより大きな側面をもつ付加リード部を設けた
ことを特徴とする・ （実施例の説明） 以下、本発明に係る一実施例全図面を用いて説明する。
第３図においてダイ搭載、ワイヤボンディングを終、ｔ
たリードフレーム２′はトランス７アーモールド上下金
型間にクランプされる。ここで使用されるリードフレー
ム２′は、ゲート部６と対向する最端部リード１１が樹
脂流動方向を強：ＩｔｌＪ的に変向させる様な突起部１
２を有している。
この突起部１２は第３図に示すようにゲート部の極止傍
に設ける方がよい、この結果、第４図にボす如く、注入
樹脂は金型キャビティ部壁面７へ向けて強制的に上下へ
変向され、壁面付近に残留する気泡をエアベント１３側
へ強制的に移動させる。
不実施例の場合、突起部の大きさは樹脂流動を変向させ
るに充分な寸法、即ち、第５図Ａ、　Ｈにおいてその巾
ＷＬがゲート開口端巾ＷＧ以上あり、ゲート開口の両端
より外側まで延びている方がよい、又、その厚さＴＬが
ゲート開口端厚（深さ）ＴＧ　より薄くない孕、そして
、その端部とゲート開口端との相対距離りがゲート開口
端厚Ｔ。の２台１以下である事が望ましいことが実験に
よって確認された。この結果、第２図に示す気泡の発生
のないパッケージが得られた。
不実施例はチーアルインラインタイプ樹脂刺止型半導体
集積回路装置についてｎピ述したが、本発明は上記パッ
ケージについてのみならず、他のパッケージ、例えば、
シングルインラインタイプ。
フラットタイプ、その他各機のパッケージに対してＭ効
であり、従来方法にみられる気泡残留による品質、信頼
性の低下を防ぎ、更にはトランスファーモールド条件を
長期にわたって安定化し、容易に高品質の樹脂封止型半
導体集積回路装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図、第２図はそれぞれ従来方法にかかる半導体集積
回路装置のリードフレーム平面図と樹脂封止断面図、第
３図、第４図、第５図Ａ、　Ｂは不発明にかかるリード
フレーム平面図、ゲート部所面図、ゲート部付近拡大平
面図と断面図である。 １・・・・・半導体集積回路素子、　２．２’・・・・
・・リードフレーム、３・・・・・・ダイ搭載部、４・
・・・・金九細緋、５ａ・・・・・・トランスファーモ
ールド上：！ｊＬ５ｂ・・・・・　・トランスファーモ
ールド下型、６・・・・・・樹脂注入部。 ７．７′・・・・・・ゲート部近傍壁面、８・・・・気
泡、９・・・・・充填樹脂、１１・・・・・最端部リー
ド、１２・・・・最端部リード突起部、１３・・・・・
・エアベント部。 ＷＬ・・・・・・最端９１５　ＩＪ−ド突起部巾、Ｗｏ
・・・・・・ゲート開口端部巾　ｒｌｌＬ・・・・・・
最端部リード突起部属、′１゛。・・・・・ゲート開口
嬬部厚。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 （１１樹脂封止型半導体集積回路装置に用いられるリー
    ドフレームにおいて、樹脂注入部と近接せる位置に樹脂
    流動方向を強制的に変更させる様な形状の付加リード部
    を設けた事を特徴とする樹脂封止型半導体装置に用いら
    れるリードフレーム。 （２）前記付加リードの形状は注入部間口部に対して、
    厚さが開口部厚みと同寸法或いはそれ以上。 又そり巾が開口部巾と同寸法或いはそれ以上ある様に設
    計された事を特徴とする特許請求の範囲第１項記載のリ
    ードフレーム。
JP59057904A 1984-03-26 1984-03-26 樹脂封止型半導体装置に用いられるリ−ドフレ−ム Pending JPS60200552A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59057904A JPS60200552A (ja) 1984-03-26 1984-03-26 樹脂封止型半導体装置に用いられるリ−ドフレ−ム

Applications Claiming Priority (1)

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JP59057904A JPS60200552A (ja) 1984-03-26 1984-03-26 樹脂封止型半導体装置に用いられるリ−ドフレ−ム

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS60200552A true JPS60200552A (ja) 1985-10-11

Family

ID=13068973

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59057904A Pending JPS60200552A (ja) 1984-03-26 1984-03-26 樹脂封止型半導体装置に用いられるリ−ドフレ−ム

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JP (1) JPS60200552A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5371044A (en) * 1991-05-27 1994-12-06 Hitachi, Ltd. Method of uniformly encapsulating a semiconductor device in resin

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5371044A (en) * 1991-05-27 1994-12-06 Hitachi, Ltd. Method of uniformly encapsulating a semiconductor device in resin

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