JPS60200819A - 水素化ケイ素の製造法及びこれに用いる装置 - Google Patents
水素化ケイ素の製造法及びこれに用いる装置Info
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- JPS60200819A JPS60200819A JP59266563A JP26656384A JPS60200819A JP S60200819 A JPS60200819 A JP S60200819A JP 59266563 A JP59266563 A JP 59266563A JP 26656384 A JP26656384 A JP 26656384A JP S60200819 A JPS60200819 A JP S60200819A
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- C01B33/04—Hydrides of silicon
- C01B33/043—Monosilane
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
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- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/04—Hydrides of silicon
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/20—Manufacture of screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored; Applying coatings to the vessel
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は三元ケイ素会金の酸加水分解により水素化ケイ
素の製造法及びその製造用装置に関する。
素の製造法及びその製造用装置に関する。
発明の背景
シラン(即ちモノシラン即ち四水素化ケイ素二5IH4
)は蒸気相からの沈着技術においてケイ素の部門に主に
用いられる。半導体の製造には、特にVL8I(超大型
集積回路)技術では、多結晶質ケイ素、シリカ、窒化ケ
イ素の沈着物はケイ素部門としてシランを用いることに
よシ形成される。
)は蒸気相からの沈着技術においてケイ素の部門に主に
用いられる。半導体の製造には、特にVL8I(超大型
集積回路)技術では、多結晶質ケイ素、シリカ、窒化ケ
イ素の沈着物はケイ素部門としてシランを用いることに
よシ形成される。
シランから得られた多結晶質ケイ素の薄層沈着物は、4
%より大きいエネルギー出力を有する太陽電池を製造す
ることができる。酸による腐蝕に耐性である被覆層會シ
ランの分解により金属上に得ることができる。最後にシ
ランケ不飽和炭化水素の多重給仕に添加してオルガノシ
ラン全生成し得る。
%より大きいエネルギー出力を有する太陽電池を製造す
ることができる。酸による腐蝕に耐性である被覆層會シ
ランの分解により金属上に得ることができる。最後にシ
ランケ不飽和炭化水素の多重給仕に添加してオルガノシ
ラン全生成し得る。
多数のシラン合成法が提案されているが、現在では3つ
の方法のみが工業的発展を遂げていると思われる。その
うち溶融塩法は塩化リチウム−塩化カリウム溶融浴中で
≠SO℃程度の温度で水素化リチウムにニジクロロシラ
ンを還元することより成る。この技術は純度の良好なシ
ランを直接製造するという利点欠与えるが、他方では高
経費でありしかも溶融塩の取扱いが一般には容易でない
という欠点がある。この溶融塩技術の変更例はSund
emeyer 、 Glemserに工りAngew、
Ohem、 70 。
の方法のみが工業的発展を遂げていると思われる。その
うち溶融塩法は塩化リチウム−塩化カリウム溶融浴中で
≠SO℃程度の温度で水素化リチウムにニジクロロシラ
ンを還元することより成る。この技術は純度の良好なシ
ランを直接製造するという利点欠与えるが、他方では高
経費でありしかも溶融塩の取扱いが一般には容易でない
という欠点がある。この溶融塩技術の変更例はSund
emeyer 、 Glemserに工りAngew、
Ohem、 70 。
A21頁(lりsr)に記載されている。該変更例は塩
化リチウム全その場で電解してリチウム全製造しこれ全
反応器に水素を導入することによシ水素化リチウムに変
化させることに在る。この方法は主として技術上の支障
の故に工業的には実施されなうλつた。
化リチウム全その場で電解してリチウム全製造しこれ全
反応器に水素を導入することによシ水素化リチウムに変
化させることに在る。この方法は主として技術上の支障
の故に工業的には実施されなうλつた。
水素化リチウムアルミニウムにより塩化ケイ素の還元ケ
利用する方法によると、該反応はジグリム又はテトラグ
リムの如き重質溶剤中で室温付近で行う。この製造法は
それが余りにも高経費でし75=も溶剤が分解される故
にもはや用いられず、前記溶剤の分解は炭化水素によっ
てシラン合成法1それ酸生成物の徹底的な精製を必要と
する。
利用する方法によると、該反応はジグリム又はテトラグ
リムの如き重質溶剤中で室温付近で行う。この製造法は
それが余りにも高経費でし75=も溶剤が分解される故
にもはや用いられず、前記溶剤の分解は炭化水素によっ
てシラン合成法1それ酸生成物の徹底的な精製を必要と
する。
ケイ素置金欠加水分解する方法圧おいては。
Cadi 、 0aS12・、 Mf?Si及びMf’
2Siの如き種々の三元合金がJJIされている。E、
WibergのHydrides 。
2Siの如き種々の三元合金がJJIされている。E、
WibergのHydrides 。
Elsevler N、Y、 <173頁(/り7/)
によると。
によると。
これらの合金のうちのケイ化マグネシウムのみが若干興
味のある収率紮生起する。しかしながらこの化会物の加
水分解反応は操作条件により変化し得るシラン転化率全
与える。シランの収率はケイ化マグネシウム粒子の寸法
、該化会物粉末の導入率1反応温度及び反応剤全接触さ
せる方法に太きく関連していると思われる。
味のある収率紮生起する。しかしながらこの化会物の加
水分解反応は操作条件により変化し得るシラン転化率全
与える。シランの収率はケイ化マグネシウム粒子の寸法
、該化会物粉末の導入率1反応温度及び反応剤全接触さ
せる方法に太きく関連していると思われる。
この加水分解法の変更例によると、ケイ素に関して?θ
係程度のシラン収率は液体アンモニア媒質中でケイ化マ
グネシウムを塩化アンモニウムで作用させることにより
得られる。
係程度のシラン収率は液体アンモニア媒質中でケイ化マ
グネシウムを塩化アンモニウムで作用させることにより
得られる。
ケイ化マグネシウムの加水分解反応用する原理は簡単な
薬剤に応じて決まりしかも主たる不純物が除去容易な水
であるシランを製造するという利点會与える。他方、ケ
イ化マグネシウムの加水分解全工業的な規模にまで移行
させるとλつの主たる経済的且つ技術的欠点がある。こ
のケイ化マグネシウムの調製にはシランの製造にしか今
や応用されるに過ぎない特別な装置を必要とし、原料の
ケイ化マグネシウムは高価な化会物である。他方。
薬剤に応じて決まりしかも主たる不純物が除去容易な水
であるシランを製造するという利点會与える。他方、ケ
イ化マグネシウムの加水分解全工業的な規模にまで移行
させるとλつの主たる経済的且つ技術的欠点がある。こ
のケイ化マグネシウムの調製にはシランの製造にしか今
や応用されるに過ぎない特別な装置を必要とし、原料の
ケイ化マグネシウムは高価な化会物である。他方。
良好な収率全書るには液体アンモニアの存在下に反応の
性能に応じて決まるので、を気圧程度の圧、カニに実施
し次いできわめて有効なシラン/アンモニアの分離全行
うのが必要である。
性能に応じて決まるので、を気圧程度の圧、カニに実施
し次いできわめて有効なシラン/アンモニアの分離全行
うのが必要である。
/り、tJ年に0hretlen 、 Freundl
ich 及びDeschanvresは三元合金0a3
At6Si2及び(:h2/’−148i5について研
究中に、dれらの散散感化合物は希塩酸で作用させた時
には、空気中で自然発火性のガス(シラン)全放出する
こと全見出した(ORAcad。
ich 及びDeschanvresは三元合金0a3
At6Si2及び(:h2/’−148i5について研
究中に、dれらの散散感化合物は希塩酸で作用させた時
には、空気中で自然発火性のガス(シラン)全放出する
こと全見出した(ORAcad。
5ciences 7♂a〜を頁(/り11))。これ
らの実験室での実験報告では経済的に引合う方法全具体
化するに必要な条件ケ与えておらず、−F:れ故工業的
な発展に遂げなかった。
らの実験室での実験報告では経済的に引合う方法全具体
化するに必要な条件ケ与えておらず、−F:れ故工業的
な発展に遂げなかった。
発明の要約
安価な原料欠周いてしかも工業的な収率で水素化ケイ素
ケ製造する簡単な方法を見出した。二元合金を用いる代
りに本発明によると次式:%式% (式中Mはアルミニウム又はマグネシウムの如き還元性
金属であり1Mは水素化物を容易に形成するカルシウム
の如きアルカリ又はアルカリ土類金属であるンの工業用
三元合金i、、2N、7Nの濃度で水素酸及びオルト燐
酸から選んだ希酸と反応させるものであり;工業用三元
合金はせいぜいO1≠otmnに等しい粒度分布の微粉
末の形で前記の酸に添加し、前記の反応は室温と2θ℃
との間の温度で行うものとする。
ケ製造する簡単な方法を見出した。二元合金を用いる代
りに本発明によると次式:%式% (式中Mはアルミニウム又はマグネシウムの如き還元性
金属であり1Mは水素化物を容易に形成するカルシウム
の如きアルカリ又はアルカリ土類金属であるンの工業用
三元合金i、、2N、7Nの濃度で水素酸及びオルト燐
酸から選んだ希酸と反応させるものであり;工業用三元
合金はせいぜいO1≠otmnに等しい粒度分布の微粉
末の形で前記の酸に添加し、前記の反応は室温と2θ℃
との間の温度で行うものとする。
発明の詳細な記載
三元合金例えばAzXsi、oa、の式において、値X
。
。
)・、2は合金中に存在する各々の元素の重量1?表わ
す。各々の数値は0〜100%の殆んど全範囲で理論上
変化し得るけれども、実際は3元素全ては少くとも約t
〜10重葉上で存在せねばならないことは理解されよう
。
す。各々の数値は0〜100%の殆んど全範囲で理論上
変化し得るけれども、実際は3元素全ては少くとも約t
〜10重葉上で存在せねばならないことは理解されよう
。
選択したAt/Si/Ca@−金は現在入手し得る安価
な鋳造合金である。入手し得る合金のうち、At、30
〜31%、813j S、113%、Oa/j 〜コt
%の合金が挙げられ、これは特に高性能であってきわめ
て良好な結果を与える。好ましい工業用付合(At3J
%、Oa/r%及び5IuO%)は合金10kf当り/
kgのシランを与える。同じ条件下で別の工業用合金
(At/ / %、 81j r %、 Ca21%)
は合金/rkq当りノ陽のシラン欠与え、該合金の使用
も本発明の範囲内である。
な鋳造合金である。入手し得る合金のうち、At、30
〜31%、813j S、113%、Oa/j 〜コt
%の合金が挙げられ、これは特に高性能であってきわめ
て良好な結果を与える。好ましい工業用付合(At3J
%、Oa/r%及び5IuO%)は合金10kf当り/
kgのシランを与える。同じ条件下で別の工業用合金
(At/ / %、 81j r %、 Ca21%)
は合金/rkq当りノ陽のシラン欠与え、該合金の使用
も本発明の範囲内である。
合金粉末及び希酸全添加する方法(方向)はシランの収
率に決定的な因子となる。同じ条件下に17.33チ1
0a/ざチ/St弘Qチの合金について行った試験が示
す所によれば、合金粉末に#全添加することにより粉末
上で酸を反応させる時には/ kfのシランを製造する
のに/l’kgの合金が必要であり:然るに合金粉末耐
酸に添加することによりわずか10kgの合金から1k
gのシランが製造される。試験条件下では、より大きな
供給率程反応系の反応性全増大させるのは判明している
けれども会合粉末ケ攪拌酸溶液に添加させるのはt〜r
kf/時の割付で成し得る。
率に決定的な因子となる。同じ条件下に17.33チ1
0a/ざチ/St弘Qチの合金について行った試験が示
す所によれば、合金粉末に#全添加することにより粉末
上で酸を反応させる時には/ kfのシランを製造する
のに/l’kgの合金が必要であり:然るに合金粉末耐
酸に添加することによりわずか10kgの合金から1k
gのシランが製造される。試験条件下では、より大きな
供給率程反応系の反応性全増大させるのは判明している
けれども会合粉末ケ攪拌酸溶液に添加させるのはt〜r
kf/時の割付で成し得る。
用いる水素酸のうちでは、2N−INの濃度で好ましく
は約3Nの濃度で希フッ化水素酸、塩化水素酸及びオル
ト燐酸を選ぶことができる。
は約3Nの濃度で希フッ化水素酸、塩化水素酸及びオル
ト燐酸を選ぶことができる。
希酸の種類及び濃度が台金のシラン収率に作用する影響
は1合金粉末を希酸に添加することによりAl−33%
/ Oa/ lr %/ 8i弘0 %の合金について
研究され、他の条件は全て同様である。3Nオルト燐酸
を用いるとl吟のシランが/弘袷の合金から得られ、j
Nm化水素酸を作用させると/IQのシラン欠製造する
のにわずかiokgの合金が必要である。7N塩化水素
酸欠用いると121kgの会合全反応させることによシ
わずか/吟のシランが得られるに過ぎず、然るに4N及
びj N Hot 耐用イると/に9のシランを放出さ
せるのにそれぞれわずか/Jkf及び/θ梅の合金が必
要とされるに過ぎない。合金に関して、塩化水素酸は会
金粉末/kf当り/ 0..2t tの酸の相対的割付
で用いられ、供試条件下では/!、/ltのHO2’l
r選択するのが良好な妥協欠成す。
は1合金粉末を希酸に添加することによりAl−33%
/ Oa/ lr %/ 8i弘0 %の合金について
研究され、他の条件は全て同様である。3Nオルト燐酸
を用いるとl吟のシランが/弘袷の合金から得られ、j
Nm化水素酸を作用させると/IQのシラン欠製造する
のにわずかiokgの合金が必要である。7N塩化水素
酸欠用いると121kgの会合全反応させることによシ
わずか/吟のシランが得られるに過ぎず、然るに4N及
びj N Hot 耐用イると/に9のシランを放出さ
せるのにそれぞれわずか/Jkf及び/θ梅の合金が必
要とされるに過ぎない。合金に関して、塩化水素酸は会
金粉末/kf当り/ 0..2t tの酸の相対的割付
で用いられ、供試条件下では/!、/ltのHO2’l
r選択するのが良好な妥協欠成す。
合金粉末を酸に反応させるのは室温で実施し得るが、温
度及び塩化水素酸と共に増大する反応速 度(kine
tics)が上昇すると反応ケ少くとも30℃の温度で
行わせることを必要とする。反応速度を促進させるには
加熱は約70℃までであるべきである。最高作業温度は
溶液の沸騰温度によって制限され、実際には約70℃に
制限され1反応源度がりo′C2越えないような割付で
会金粉末紮導入する。
度及び塩化水素酸と共に増大する反応速 度(kine
tics)が上昇すると反応ケ少くとも30℃の温度で
行わせることを必要とする。反応速度を促進させるには
加熱は約70℃までであるべきである。最高作業温度は
溶液の沸騰温度によって制限され、実際には約70℃に
制限され1反応源度がりo′C2越えないような割付で
会金粉末紮導入する。
合金粉末の粒度分布が反応速度に影響し従って収率に影
響することも見出された。粒度が減少する時に反応速度
は上昇する。フオームの形成は粒度全制限する因子であ
る。工業用三元合金粉末の粒度分布は少くともO,aθ
喘程小さくあるべきである。0..2.より小さい粒度
分布が反応に良く適している。全ての条件が他の点では
等しく0粒度をio倍だけ分割した時には同じ粉末ケ用
いて製造されるシランの量は約/j倍だけ増大する。
響することも見出された。粒度が減少する時に反応速度
は上昇する。フオームの形成は粒度全制限する因子であ
る。工業用三元合金粉末の粒度分布は少くともO,aθ
喘程小さくあるべきである。0..2.より小さい粒度
分布が反応に良く適している。全ての条件が他の点では
等しく0粒度をio倍だけ分割した時には同じ粉末ケ用
いて製造されるシランの量は約/j倍だけ増大する。
金属間化合物の合金化ケイ素5i3At40a2の使用
量の重要性は確認されている。全ての条件が同等である
とし合金中の「合金化ケイ素J (alloyedsi
licon)の量が多ければ多い程、収率は大きく。
量の重要性は確認されている。全ての条件が同等である
とし合金中の「合金化ケイ素J (alloyedsi
licon)の量が多ければ多い程、収率は大きく。
即ち形成される全生成物の量は増大する。「合金化ケイ
素」分含有する会金會選ぶのが好ましく;、20%の程
度で「合金化ケイ素」の量衛用いて開始すると水素化ケ
イ素の生成収率に目立つ程の増大が認められる。「合金
化ケイ素」の量がj(7〜30%変化すると形成される
全水素化ケイ素の30係以上の増大に対応し得る。「合
金化ケイ素」の量の影響はジシラン含量には決定的であ
り、この含量は約go%だけ増大する。<10%さえの
合金の「合金化ケイ素」含量の上昇は水素化ケイ素の形
成に有利にあり得るに過ぎず、「合金化ケイ素」高含量
の台金ケ用いる利点は多大であり、この使用は合金製造
の技術上の可能性によってのみ制限される。
素」分含有する会金會選ぶのが好ましく;、20%の程
度で「合金化ケイ素」の量衛用いて開始すると水素化ケ
イ素の生成収率に目立つ程の増大が認められる。「合金
化ケイ素」の量がj(7〜30%変化すると形成される
全水素化ケイ素の30係以上の増大に対応し得る。「合
金化ケイ素」の量の影響はジシラン含量には決定的であ
り、この含量は約go%だけ増大する。<10%さえの
合金の「合金化ケイ素」含量の上昇は水素化ケイ素の形
成に有利にあり得るに過ぎず、「合金化ケイ素」高含量
の台金ケ用いる利点は多大であり、この使用は合金製造
の技術上の可能性によってのみ制限される。
ケイ素とカルシウムとアルミニウムとに基材とする何れ
かの工業用合金であって、その#I成中に一定の元素S
t 30a2At4 又はケイ化マグネシウムMf28
1即ち加水分解欠受ける全ての合金の少くとも10重量
葉上且つjO係以下を成す量で導入した添加剤ケ示す工
業用合金を用いると1本法の収率をかなり増大させ得る
。換言すれば、工業用合金が金属間化合物8130a2
AL4 k含有するならば又は1O−JiO%のMg2
S i及び/又はS t50a2 At4 k工業用
合金に添加するならば収率が改良される。
かの工業用合金であって、その#I成中に一定の元素S
t 30a2At4 又はケイ化マグネシウムMf28
1即ち加水分解欠受ける全ての合金の少くとも10重量
葉上且つjO係以下を成す量で導入した添加剤ケ示す工
業用合金を用いると1本法の収率をかなり増大させ得る
。換言すれば、工業用合金が金属間化合物8130a2
AL4 k含有するならば又は1O−JiO%のMg2
S i及び/又はS t50a2 At4 k工業用
合金に添加するならば収率が改良される。
反応帯域から出て来る粗ガスは水素と水素化シラン、シ
ラン5IH4,ジシラン5t2T(6,)ジシランSi
3H8とポリシラン即ち高級シラン5ioH2n+2
(但しn>3)とよりなる。
ラン5IH4,ジシラン5t2T(6,)ジシランSi
3H8とポリシラン即ち高級シラン5ioH2n+2
(但しn>3)とよりなる。
場合によっては氷と水の如き冷却用混合物中に捕捉する
ことにより又は液体窒素の如き極低温冷却剤中に捕捉す
ることにより、水素化ケイ素を固体形で凝縮させる。部
分真空下で分別蒸発により分離すると3つのフラクショ
ン欠得ることができ。
ことにより又は液体窒素の如き極低温冷却剤中に捕捉す
ることにより、水素化ケイ素を固体形で凝縮させる。部
分真空下で分別蒸発により分離すると3つのフラクショ
ン欠得ることができ。
次いで各々を例えば気相中で分取りロマトグラフイーの
技術により精製させる。シランS i H4に対応する
第7のフラクションf300ミリバール。
技術により精製させる。シランS i H4に対応する
第7のフラクションf300ミリバール。
J、/ 0’Pa (パスカルン−の真空下[−7J”
Cの温度で蒸発により単離する。
Cの温度で蒸発により単離する。
ジシランに対応する第λのフラクション即ち♂Oチのジ
シランと少くとも/!係の量でのトリシランと殆んどシ
ランである残部とより実際上なる第2のフラクションケ
タ00 mbar 、夕、/ OPaの真空下に0℃で
分離する。重質高級シラン即ちポリシランS都H2n+
2(但しn>3)に対応する第3のフラクション、特に
少くとも7!係の開会でのトリシランと、2.2%程度
のジシラン及び約/俤程度のシランの残部とに対応する
第3のフラクション′5c/ 0 (7mbar 、
/、/ OPa下に十ざ0℃で加熱することにエリ分離
する。
シランと少くとも/!係の量でのトリシランと殆んどシ
ランである残部とより実際上なる第2のフラクションケ
タ00 mbar 、夕、/ OPaの真空下に0℃で
分離する。重質高級シラン即ちポリシランS都H2n+
2(但しn>3)に対応する第3のフラクション、特に
少くとも7!係の開会でのトリシランと、2.2%程度
のジシラン及び約/俤程度のシランの残部とに対応する
第3のフラクション′5c/ 0 (7mbar 、
/、/ OPa下に十ざ0℃で加熱することにエリ分離
する。
反応帯域を空気から遮蔽し1反応の終了時に反応しなか
った合金を中和する。反応帯域とその付属部品と分別帯
域とを窒素で掃気する。反応で生成した水素及びガス生
成物會水素化シランの分離後に収集し、濾過後に回収又
は燃焼させる。
った合金を中和する。反応帯域とその付属部品と分別帯
域とを窒素で掃気する。反応で生成した水素及びガス生
成物會水素化シランの分離後に収集し、濾過後に回収又
は燃焼させる。
添附図面は本発明の方法を実施するに適当な装置の流れ
図解図である。
図解図である。
図面を参照するに、水素化ケイ素全製造する方法は二重
水循環装置の如き加熱手段2全備えた液密反応器/中で
行ない1反応器の上部は板3で閉鎖されており1反応器
中に攪拌機≠と酸欠供給する管jとを液密な要領で挿入
し、酸の供給は弁2により調節する。反応器は温度計の
針7と付会粉末供給系り、io、iiも備えている。背
金粉末fは液密な分配用ホラ4−2次いで管10Kより
反応器に向けられ1合金粉末の導入速度は弁装置系//
により調節、制御する。合金粉末は攪拌しながら希釈濃
度の酸浴/、2に添加する。スチーム及びガス生成物は
排気管13により水凝縮器/弘に逃出する。反応器で過
剰圧力の場合には、水の噴射ポンプに接続した圧力放出
系/!がある。
水循環装置の如き加熱手段2全備えた液密反応器/中で
行ない1反応器の上部は板3で閉鎖されており1反応器
中に攪拌機≠と酸欠供給する管jとを液密な要領で挿入
し、酸の供給は弁2により調節する。反応器は温度計の
針7と付会粉末供給系り、io、iiも備えている。背
金粉末fは液密な分配用ホラ4−2次いで管10Kより
反応器に向けられ1合金粉末の導入速度は弁装置系//
により調節、制御する。合金粉末は攪拌しながら希釈濃
度の酸浴/、2に添加する。スチーム及びガス生成物は
排気管13により水凝縮器/弘に逃出する。反応器で過
剰圧力の場合には、水の噴射ポンプに接続した圧力放出
系/!がある。
ガス生成物に関しては、水素及び水素化ケイ素は水凝縮
器/4tの上部から逃出し、管/lで循環後にこれら全
フィルター/7で沖過してコン跡量の金属粉末を除去し
次いで回路/♂により一連の気密な極低温トラップ/り
1.20及び−17に通送し、そこで水素化ケイ素老液
体窒素の温度で凝縮させる。水素化ケイ素の大部分全第
7のトラップで凝縮させ、最後のλつのトラップは特に
安全弁の役割を果たす。トラップは各々圧力調節弁を備
えている。
器/4tの上部から逃出し、管/lで循環後にこれら全
フィルター/7で沖過してコン跡量の金属粉末を除去し
次いで回路/♂により一連の気密な極低温トラップ/り
1.20及び−17に通送し、そこで水素化ケイ素老液
体窒素の温度で凝縮させる。水素化ケイ素の大部分全第
7のトラップで凝縮させ、最後のλつのトラップは特に
安全弁の役割を果たす。トラップは各々圧力調節弁を備
えている。
トラップ/り中で水素化ケイ素の凝縮後に、管22Af
介してトラップの上部から水素排気用の回路、23に水
素を排気し1次いで可燃ガス燃焼バーナーに排気し又は
水素全収集する。他のトラップケ通過した後に、非凝縮
物を沖過し、管、2λB全通して排気回路コ3に回収す
る。最後のトラップの出口からフィルター/7の回路/
♂は各々の部分で弁の如き開放、閉鎖手段ケ備えており
、各々のトラップ全遮断でき且つトラップに入来する又
はトラップから逃出するガス生成物の導入量及び産出量
を制御できる。水素化ケイ素の凝縮及び非凝縮物の排出
後に1次いで極低温トラップを外部から熱?加えること
により加熱し真空下に置き。
介してトラップの上部から水素排気用の回路、23に水
素を排気し1次いで可燃ガス燃焼バーナーに排気し又は
水素全収集する。他のトラップケ通過した後に、非凝縮
物を沖過し、管、2λB全通して排気回路コ3に回収す
る。最後のトラップの出口からフィルター/7の回路/
♂は各々の部分で弁の如き開放、閉鎖手段ケ備えており
、各々のトラップ全遮断でき且つトラップに入来する又
はトラップから逃出するガス生成物の導入量及び産出量
を制御できる。水素化ケイ素の凝縮及び非凝縮物の排出
後に1次いで極低温トラップを外部から熱?加えること
により加熱し真空下に置き。
温度及び圧力は分別蒸発後にフラクションの精製前にビ
ンに貯蔵される各々のフラクションに対応する精確な値
に調節する。
ンに貯蔵される各々のフラクションに対応する精確な値
に調節する。
前記の装置は更に反応の終了後に全ての装置;反応器、
ホッパー、フィルター及び種々のトラップ全掃気し且つ
フラッシュ洗浄するのに意図した窒素υ1路、24ti
包含してなる。種々の部分、24t、j。
ホッパー、フィルター及び種々のトラップ全掃気し且つ
フラッシュ洗浄するのに意図した窒素υ1路、24ti
包含してなる。種々の部分、24t、j。
24#、2410 及び、2μBは弁紮備えている。前
記装置はまた揚台によっては水素化ケイ素欠連行するこ
とがないように極低温トラップ、2乙により保護した真
空ポンプコt6包含してなる。トラップ2乙で凝縮しな
かったガス生成物は管、2.20により例えば燃焼バー
ナーに導通する水素回収回路23に運送される。更に反
応器/の下部は管λgにより中和用タンクコアに接続し
ており1反応媒質會空にしこのタンクで中和する。
記装置はまた揚台によっては水素化ケイ素欠連行するこ
とがないように極低温トラップ、2乙により保護した真
空ポンプコt6包含してなる。トラップ2乙で凝縮しな
かったガス生成物は管、2.20により例えば燃焼バー
ナーに導通する水素回収回路23に運送される。更に反
応器/の下部は管λgにより中和用タンクコアに接続し
ており1反応媒質會空にしこのタンクで中和する。
本発明全欠の実施例により説明するが1本発明はこれに
限定されるものではない。
限定されるものではない。
実施例/
反応剤:
台金粉末: /’h、t3 ! 110a/♂%/5i
4tO係粒度分布: 0..2喘 3、グN塩酸(/コ重量葉上 相対的な割合:@金の/ kf当りislの酸操作条件 攪拌した酸溶液に台金粉末を添加する:反応混付物の初
期温度:zo℃ 反応の平衡温度: 7j℃ 台金の添加速度: lrkり7時 反応器から出る粗ガスは次の容量組成:水素Xt%、無
機の水素化物35% を有する。
4tO係粒度分布: 0..2喘 3、グN塩酸(/コ重量葉上 相対的な割合:@金の/ kf当りislの酸操作条件 攪拌した酸溶液に台金粉末を添加する:反応混付物の初
期温度:zo℃ 反応の平衡温度: 7j℃ 台金の添加速度: lrkり7時 反応器から出る粗ガスは次の容量組成:水素Xt%、無
機の水素化物35% を有する。
部分真空下での分別蒸発によ9次の物質組成の3つのフ
ラクションを与える。
ラクションを与える。
第1のフラクション
(−71℃、 3.I O’Pa) SiH4タッチ5
t2H6,!J憾 他の不純物 θ、jチ 第一のフラクション (0℃、 j、/ 0’Pa) SiH44L、! %
5III蕾6 7り% 8+3Ha / A% 他の不純物 Oj% 第3のフラクション (ざθ℃、八/へO’Pa) 5IH4/−j %5i
2)16.! 、2% 5jnH2n+2 7 A、夕係 分離及び精製後に得られた生成物は次の通りである: ン即ち高級シランとが製造される。
t2H6,!J憾 他の不純物 θ、jチ 第一のフラクション (0℃、 j、/ 0’Pa) SiH44L、! %
5III蕾6 7り% 8+3Ha / A% 他の不純物 Oj% 第3のフラクション (ざθ℃、八/へO’Pa) 5IH4/−j %5i
2)16.! 、2% 5jnH2n+2 7 A、夕係 分離及び精製後に得られた生成物は次の通りである: ン即ち高級シランとが製造される。
最初の2つのフラクション?処理してエレクトロニクス
品質のシラン及びジシランを得る。
品質のシラン及びジシランを得る。
第3のフラクションは乾式法による乳白電球の処理に用
いたシランの代用品として有用である。
いたシランの代用品として有用である。
水素化シランは電子部品工業、光電池及びフォトコピア
ドラムの如き他の部門にも用い得る。
ドラムの如き他の部門にも用い得る。
実施例コ
反応剤
合金粉末:At3/、り%10a、23J%/843g
、、2%/Fe 、2.り係 分会化ケイ素の割合:3.2.タチ 粒度分布:o、4t。
、、2%/Fe 、2.り係 分会化ケイ素の割合:3.2.タチ 粒度分布:o、4t。
3N塩酸(/、2重量%〕
相対的な割合:合金の/ kg当り/Atの酸操作条件
攪拌した酸溶液に合金粉末を添加する:反応媒質の初期
温度:夕O℃ 反応の平衡温度:ざO〜り0℃ 合金の添加速度:l?kg1時 反応器の、出口からの粗ガスは次の容量組成:水素約3
!係、無機水素化物乙3tり 勿有する。
温度:夕O℃ 反応の平衡温度:ざO〜り0℃ 合金の添加速度:l?kg1時 反応器の、出口からの粗ガスは次の容量組成:水素約3
!係、無機水素化物乙3tり 勿有する。
実施例/と同じ条件により部分真空下での分別蒸発によ
りII kgの原料合金から次の3つのフラクション老
得る。
りII kgの原料合金から次の3つのフラクション老
得る。
第1のフラクション 3.2jf/
(−71”℃、 3./ 0’pa)
第一のフラクション /j4tf
(0℃、j、/ 04Pa)
第3のフラクション /6!2
110℃、 /、10’Pa) ” ’v実施例3
反応剤
会合粉末:へl、、30.り%/Ca、2/%/19i
4t、2%/Fe 3./係 分会化ケイ素の割合: 、23./% 粒度分布:0.2@@ 3.4tN塩酸(72重量%) 相対的な割合二合金/陽当り/Al−の酸操作条件 攪拌した酸溶液に合金粉末を添加する:反応混合物の初
期温度:50℃ 反応の平衡温度:♂Q〜り0℃ 合金の添加速度:Jr陽/時 反応器から出る粗ガスは次の容量組成:水素約job、
無機水素化物10% 會有する。
4t、2%/Fe 3./係 分会化ケイ素の割合: 、23./% 粒度分布:0.2@@ 3.4tN塩酸(72重量%) 相対的な割合二合金/陽当り/Al−の酸操作条件 攪拌した酸溶液に合金粉末を添加する:反応混合物の初
期温度:50℃ 反応の平衡温度:♂Q〜り0℃ 合金の添加速度:Jr陽/時 反応器から出る粗ガスは次の容量組成:水素約job、
無機水素化物10% 會有する。
この実施例の条件により部分真空下に分別蒸発させると
4tkfの原料合金から3つのフラクションを得る。
4tkfの原料合金から3つのフラクションを得る。
@/のフラクション 2732
C−71℃、3×10’Pa)
第2のフラクション 10り2
(θ℃、3×10 Pa)
第3のフラクション i、2ty
<to℃、 /×IO’Pa) ” ’?2つの実施例
2及び3について精製することなく製造産出時の3つの
フラクション全代表的に分析すると次の如くである。
2及び3について精製することなく製造産出時の3つの
フラクション全代表的に分析すると次の如くである。
1へ 厭
へ
)
本発明は例示のため与えた開示具体例に限定されるもの
ではなくまた本発明の範囲全逸脱することなく変更を行
い得ることは理解すべきである。
ではなくまた本発明の範囲全逸脱することなく変更を行
い得ることは理解すべきである。
図面は本発明の方法全実施するに適当な装置の流れ図解
図であり0図中7は液密反応器、コは加熱手段、グは攪
拌機、夕は酸の供給管、7は温度計、!は合金粉末、P
は分配用ホラA−,/、2は酸浴、/4tは水凝縮器、
/7はフィルター、/り。 −〇、2/は極低温トラップ1.23は水素排気用回路
、−2グは窒素回路1.2jは真空ポンプ6.2tはト
ラップ1.27は中和用タンフケそれぞれ表わす。 第1頁の続き @発明者 ジャン・イベ・ラド 0発 明 者 ジャン・フランソワ・ ピッアル ■発明者 クリスチアン・ラルケ @発明者 フィリップ・コルヌ フランス国、ル・シエナイ、コレグ・セ・ペグイ・アブ
ニュ・シャルル・ド・ゴール・23 フランス国、スルネ、リュ・デュ・ドクトウール・エミ
ルφルー3 フランス国、グヤンクール、リュ・ブノアφフラコンΦ
55フランス国、う・セル拳サン・クロー、レジタ゛ン
ス、ブオールガル。アブニュ・デュ・ソー・デュΦルー
、13手続補正書(方式) %式% 1、事件の表示 昭和 59 年特許願第266563号2、発明の名称 水素化ケイ素の製造法及びこれに用いる装置 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 任 所 フランス国、パリ市、7.ケ、ド、オルセイ、
75番−′′:1 1 1、A・ 物産ビル別館 電話(591) 02615、−1m正
命令の日付 昭和60年3月6日ム補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 2補正の内容 (1) 明細書第4頁第17行のr Angew、 C
hem、Jを[アンゲバント ヘミ−(Angewan
dteChernie ) J と補正する・121
同1!第5頁第13行のr Hydrides J を
[ハイドライド(Hydrides )J と補正する
0(3)同省第7頁第6行のr 5cience+s
J を「サイエンス(5ciencea ) J と補
正する。
図であり0図中7は液密反応器、コは加熱手段、グは攪
拌機、夕は酸の供給管、7は温度計、!は合金粉末、P
は分配用ホラA−,/、2は酸浴、/4tは水凝縮器、
/7はフィルター、/り。 −〇、2/は極低温トラップ1.23は水素排気用回路
、−2グは窒素回路1.2jは真空ポンプ6.2tはト
ラップ1.27は中和用タンフケそれぞれ表わす。 第1頁の続き @発明者 ジャン・イベ・ラド 0発 明 者 ジャン・フランソワ・ ピッアル ■発明者 クリスチアン・ラルケ @発明者 フィリップ・コルヌ フランス国、ル・シエナイ、コレグ・セ・ペグイ・アブ
ニュ・シャルル・ド・ゴール・23 フランス国、スルネ、リュ・デュ・ドクトウール・エミ
ルφルー3 フランス国、グヤンクール、リュ・ブノアφフラコンΦ
55フランス国、う・セル拳サン・クロー、レジタ゛ン
ス、ブオールガル。アブニュ・デュ・ソー・デュΦルー
、13手続補正書(方式) %式% 1、事件の表示 昭和 59 年特許願第266563号2、発明の名称 水素化ケイ素の製造法及びこれに用いる装置 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 任 所 フランス国、パリ市、7.ケ、ド、オルセイ、
75番−′′:1 1 1、A・ 物産ビル別館 電話(591) 02615、−1m正
命令の日付 昭和60年3月6日ム補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 2補正の内容 (1) 明細書第4頁第17行のr Angew、 C
hem、Jを[アンゲバント ヘミ−(Angewan
dteChernie ) J と補正する・121
同1!第5頁第13行のr Hydrides J を
[ハイドライド(Hydrides )J と補正する
0(3)同省第7頁第6行のr 5cience+s
J を「サイエンス(5ciencea ) J と補
正する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 / 三元ケイ素合金の酸加水分解により水素化ケイ素ケ
製造する方法において、少くともO0弘簡程に小さい粒
度分布の微細粉末の形で次式二M1M2S・ xy+z C式中Ml−を還元性金属であplMは水素化物全容易
に形成するアルカリ金属又はアルカリ土類金属であり、
x、y及び2の各々は少くとも10%である)の工業用
三元ケイ素合金’(z、2N−ANの濃度の水素酸及び
オルト燐酸から選んだ希酸に添加することにより、三元
ケイ素置金欠希酸と反応させ、この反応は室温とり0℃
との間の温度で行なうとと欠特徴とする水素化ケイ素の
製造法。 コ 工業用台金は式AtxSizOayで表わされる特
許請求の範囲第1項記載の方法。 3 工業用台金は/’t130〜j J’ % 、 O
a / j 〜2j%、5iJj−4’!%である特許
請求の範囲第1項記載の方法。 4t@−金は合金化ケイ素を含有する特許請求の範囲第
1項記載の方法。 よ 合金は少くとも一0%のケイ素ケ含有する特許請求
の範囲第1項記載の方法。 t シラン、ジシラン、トリシラン及びポリシラン衛製
造し、固体形で凝縮させ1次いで部分真空下で分別蒸発
により分離し、各々のフラクション會次いで精製させる
特許請求の範囲第7項記載の方法。 7 シランに対応する第1のフラクション衛!、/ 0
4Aスカル下[−7r℃で蒸発に工り単離し。 ・ジシランに対応する第2のフラクション’773,1
04パスカル下に0℃で蒸発により単離し1次式5in
H2rl+2 (但しn>3)のポリシランに対応する
第3のフラクションy /、/ o’Aスカル下に+t
ro℃で分離する特許請求の範囲第2項記載の方法。 ? 反応帯域ケ空気から遮蔽し1反応の終了時に反応し
なかっりせ金衛中和し1反応帯域とその全ての付属部分
と分別帯域と全窒素で掃気する特許請求の範囲第1項記
載の方法。 タ 三元ケイ素合金の酸加水分解により水素化ケイ素の
製造用装置において、加熱手段]を備えた液密反応器l
と、液密の分配用ホンA−タによる合金粉末の導入部と
、水の凝縮器7μと、水素化ケイ素の一連の極低温トラ
ップ/り、20及びコ/と、極低温トラップにより保護
される真空ポンプ2よと、窒素でフラッシュ洗浄し且つ
掃気する回路λ弘と、中和用タンク27と老包含して成
る水素化ケイ素の製造用装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8320267A FR2556708B1 (fr) | 1983-12-19 | 1983-12-19 | Procede de production d'hydrures de silicium, application et appareil de mise en oeuvre |
| FR8320267 | 1983-12-19 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60200819A true JPS60200819A (ja) | 1985-10-11 |
| JPS6236966B2 JPS6236966B2 (ja) | 1987-08-10 |
Family
ID=9295297
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59266563A Granted JPS60200819A (ja) | 1983-12-19 | 1984-12-19 | 水素化ケイ素の製造法及びこれに用いる装置 |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4698218A (ja) |
| EP (1) | EP0146456B1 (ja) |
| JP (1) | JPS60200819A (ja) |
| AT (1) | ATE46492T1 (ja) |
| CA (1) | CA1256269A (ja) |
| DE (1) | DE3479795D1 (ja) |
| ES (1) | ES8601797A1 (ja) |
| FR (1) | FR2556708B1 (ja) |
| HK (1) | HK25090A (ja) |
| SG (1) | SG11090G (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011520754A (ja) * | 2008-05-22 | 2011-07-21 | レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード | 珪素およびアルカリ土類金属の合金のまたはアルカリ土類金属シリサイドの酸加水分解によるシランの製造 |
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|---|---|---|---|---|
| US5057751A (en) * | 1990-07-16 | 1991-10-15 | General Electric Company | Protective coating for high-intensity metal halide discharge lamps |
| RU2174950C1 (ru) * | 2000-08-15 | 2001-10-20 | Общество с ограниченной ответственностью "Ц.Е.С. - Украина" | Способ получения силана |
| US6858196B2 (en) * | 2001-07-19 | 2005-02-22 | Asm America, Inc. | Method and apparatus for chemical synthesis |
| RU2245299C2 (ru) * | 2003-02-11 | 2005-01-27 | Открытое акционерное общество "Новосибирский завод химконцентратов" | Способ получения силана |
| WO2006041272A1 (en) * | 2004-10-12 | 2006-04-20 | The Ministry Of Education And Sciences Of Republic Kazakhstan Republican State Enterprise 'center Of Chemical-Technological Researches' | Method of silane production |
| US7906094B2 (en) * | 2007-01-18 | 2011-03-15 | L'air Liquide Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Method for producing a high purity trisilane product from the pyrolysis of disilane |
| WO2009121170A1 (en) * | 2008-03-31 | 2009-10-08 | Et-Energy Corp. | Chemical process for generating energy |
| US8268046B2 (en) | 2008-05-16 | 2012-09-18 | Matheson Tri-Gas | Removal of impurities from hydrogen-containing materials |
| FR2948354B1 (fr) * | 2009-07-22 | 2011-09-30 | Air Liquide | Production de silanes a partir d'alliages de silicium et de metaux alcalino-terreux ou siliciures de metaux alcalino-terreux |
| FR2950335B1 (fr) | 2009-09-23 | 2011-10-07 | Air Liquide | Production de silanes par broyage de grains de silicium melange a un metal tel que mg, al, ca, zn sous atmosphere hydrogene |
| FR2950336B1 (fr) | 2009-09-23 | 2011-10-07 | Air Liquide | Production de silanes par broyage de grains d'alliage de silicium sous atmosphere hydrogene |
| FR2950337B1 (fr) | 2009-09-23 | 2011-10-21 | Air Liquide | Production de silanes par broyage de grains de silice melanges a un metal tel que mg ou al sous atmosphere hydrogene |
| FR2950334B1 (fr) | 2009-09-23 | 2011-10-07 | Air Liquide | Production de silanes par broyage de grains de silicium sous atmosphere hydrogene |
| FR2977579B1 (fr) * | 2011-07-08 | 2015-10-16 | Air Liquide Electronics Sys | Procede de preparation de monosilane electrochimiquement assiste |
| FR2989075B1 (fr) * | 2012-04-06 | 2014-05-16 | Air Liquide | Production de silanes a partir d'alliages de silicium de formule caxmgysiz |
| FR2989076B1 (fr) * | 2012-04-06 | 2014-05-16 | Air Liquide | Production de silanes a partir de cacl2 et d'alliages de silicium et de metaux alcalino-terreux ou siliciures de metaux alcalino-terreux |
| FR2989074B1 (fr) * | 2012-04-06 | 2014-09-26 | Air Liquide | Procede de production de germane et de silane |
| FR2989077B1 (fr) * | 2012-04-06 | 2014-07-04 | Air Liquide | Production de silanes a partir d'alliages broyes et fluidises de silicium et de metaux alcalino-terreux ou siliciures de metaux alcalino-terreux |
| FR2989073B1 (fr) * | 2012-04-06 | 2014-07-04 | Air Liquide | Production de silanes a partir d'alliages fluidises de silicium et de metaux alcalino-terreux ou siliciures de metaux alcalino-terreux |
| FR2989072B1 (fr) * | 2012-04-06 | 2014-09-26 | Air Liquide | Production de silanes a partir d'une poudre d'alliages de silicium et de metaux alcalino-terreux ou siliciures de metaux alcalino-terreux et d'acide chlorhydrique |
| US8865850B2 (en) | 2012-06-14 | 2014-10-21 | Dow Corning Corporation | Method of selectively forming a reaction product in the presence of a metal silicide |
| KR20190009806A (ko) | 2016-05-24 | 2019-01-29 | 엑손모빌 케미칼 패턴츠 인코포레이티드 | 촉매 금속을 포함하는 합성 제올라이트 |
| JP7449948B2 (ja) | 2019-01-16 | 2024-03-14 | エクソンモービル テクノロジー アンド エンジニアリング カンパニー | ゼオライトの中の焼結抵抗性金属種 |
| US10703986B1 (en) | 2019-01-30 | 2020-07-07 | Exxonmobil Research And Engineering Company | Selective oxidation using encapsulated catalytic metal |
| WO2025230715A1 (en) | 2024-05-03 | 2025-11-06 | ExxonMobil Technology and Engineering Company | Catalyst for alkane dehydrogenation |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CA498256A (en) * | 1953-12-08 | B. Culbertson James | Method of producing silanes | |
| US2551571A (en) * | 1949-01-14 | 1951-05-08 | Union Carbide & Carbon Corp | Method of producing silanes |
| US2915368A (en) * | 1958-12-22 | 1959-12-01 | Union Carbide Corp | Preparation of mono-silane |
| JPS4822918B1 (ja) * | 1967-10-31 | 1973-07-10 | ||
| JPS4998399A (ja) * | 1973-01-27 | 1974-09-18 |
-
1983
- 1983-12-19 FR FR8320267A patent/FR2556708B1/fr not_active Expired
-
1984
- 1984-12-03 EP EP84402474A patent/EP0146456B1/fr not_active Expired
- 1984-12-03 AT AT84402474T patent/ATE46492T1/de not_active IP Right Cessation
- 1984-12-03 DE DE8484402474T patent/DE3479795D1/de not_active Expired
- 1984-12-18 CA CA000470461A patent/CA1256269A/fr not_active Expired
- 1984-12-18 ES ES538717A patent/ES8601797A1/es not_active Expired
- 1984-12-19 JP JP59266563A patent/JPS60200819A/ja active Granted
- 1984-12-19 US US06/683,475 patent/US4698218A/en not_active Expired - Fee Related
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1990
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Non-Patent Citations (1)
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| CR ACAD SCIENCES=1956 * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011520754A (ja) * | 2008-05-22 | 2011-07-21 | レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード | 珪素およびアルカリ土類金属の合金のまたはアルカリ土類金属シリサイドの酸加水分解によるシランの製造 |
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