JPS60201658A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JPS60201658A JPS60201658A JP59059111A JP5911184A JPS60201658A JP S60201658 A JPS60201658 A JP S60201658A JP 59059111 A JP59059111 A JP 59059111A JP 5911184 A JP5911184 A JP 5911184A JP S60201658 A JPS60201658 A JP S60201658A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solid
- amorphous silicon
- state imaging
- transparent conductive
- imaging device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/191—Photoconductor image sensors
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、固体撮像装置の構造に関する。
近年、固体撮像装置の製作が盛んであり、ＭＯ８型固体
撮像装置として、単結晶シリコン基板にスイッチング用
ＭＯ８）ランジスタアレイ及び光電変換素子アレイを設
けて成るものが、数多く発表されている。′また、絶縁
基板上に薄膜トランジスタアレイ及び光電変換素子アレ
イを設けて成る固体撮像装置も、実現が試みられている
。
撮像装置として、単結晶シリコン基板にスイッチング用
ＭＯ８）ランジスタアレイ及び光電変換素子アレイを設
けて成るものが、数多く発表されている。′また、絶縁
基板上に薄膜トランジスタアレイ及び光電変換素子アレ
イを設けて成る固体撮像装置も、実現が試みられている
。
従来、絶縁基板上に薄膜トランジスタアレイ及び光電変
換用アそルファスシリコン層を設けて成る固体撮像装置
においては、該アモルファスシリコン層の下側電極がア
ルミニウムであった。第１図にその例を示す。
換用アそルファスシリコン層を設けて成る固体撮像装置
においては、該アモルファスシリコン層の下側電極がア
ルミニウムであった。第１図にその例を示す。
同図において１０１は絶縁基板、１０２，１０５ 、１
０４は薄膜半導体層であり、１０２及び１０３は不純物
拡散領域で薄膜トランジスタのソースドレイン領域とな
り、１０４は不純物のドープされていない領域で薄膜ト
ランジスタのチャネル領域となる。１０５はゲート絶縁
膜、１０６はゲート電極であり、１０１乃至１０６でス
イッチング用薄膜トランジスタが形成される。１０７乃
至１０９は層間絶縁膜、１１０及び１１１はアルミニウ
ムで、１１０は信号読み出しｉ、１１１は光電変換素子
とスイッチング用薄膜トランジスタを結ぶ配線で、光電
変換素子の電極も兼ねる。１１２はアモルファスシリコ
ン層、１１３は透明導’を膜（例えば工Ｔｏ）で、光電
変換素子の上側電極となっている。１１１乃至１１３で
光電変換素子が形成される。上部から当てる光の強度に
よりアモルファスシリコン層１１２の電気抵抗が変化す
るが、これを上下電極１１３及び１１１間を流れる電流
の変化として、電気信号に変換する様になっている。
０４は薄膜半導体層であり、１０２及び１０３は不純物
拡散領域で薄膜トランジスタのソースドレイン領域とな
り、１０４は不純物のドープされていない領域で薄膜ト
ランジスタのチャネル領域となる。１０５はゲート絶縁
膜、１０６はゲート電極であり、１０１乃至１０６でス
イッチング用薄膜トランジスタが形成される。１０７乃
至１０９は層間絶縁膜、１１０及び１１１はアルミニウ
ムで、１１０は信号読み出しｉ、１１１は光電変換素子
とスイッチング用薄膜トランジスタを結ぶ配線で、光電
変換素子の電極も兼ねる。１１２はアモルファスシリコ
ン層、１１３は透明導’を膜（例えば工Ｔｏ）で、光電
変換素子の上側電極となっている。１１１乃至１１３で
光電変換素子が形成される。上部から当てる光の強度に
よりアモルファスシリコン層１１２の電気抵抗が変化す
るが、これを上下電極１１３及び１１１間を流れる電流
の変化として、電気信号に変換する様になっている。
ところで、アルミニウムの表面には凹凸が存在し、その
上にアモルファスシリコンをデポジットすると、アモル
ファスシリコンが部分的に単結晶化する。その例を第２
図に示す。同図において、２０１はアル４江ウムによる
下側電極、２０２はアモルファスシリコン層、２０３は
透明導電膜（例えばＩＴＯ）による上側電極で、２０４
及び２０５はアモルファスシリコンがアルミニウム表面
の凸部に対応して単結晶化した部分である。単結晶化し
た部分は暗抵抗が減少するため、電極２０１．２０３間
には均一なアモルファス膜の場合より大きな暗電流が流
れる。よって、′暗”レベルの信号が読み出し不可能と
なり、撮像装置としては使用できない。
上にアモルファスシリコンをデポジットすると、アモル
ファスシリコンが部分的に単結晶化する。その例を第２
図に示す。同図において、２０１はアル４江ウムによる
下側電極、２０２はアモルファスシリコン層、２０３は
透明導電膜（例えばＩＴＯ）による上側電極で、２０４
及び２０５はアモルファスシリコンがアルミニウム表面
の凸部に対応して単結晶化した部分である。単結晶化し
た部分は暗抵抗が減少するため、電極２０１．２０３間
には均一なアモルファス膜の場合より大きな暗電流が流
れる。よって、′暗”レベルの信号が読み出し不可能と
なり、撮像装置としては使用できない。
以上の如き欠点を補うため、現在アル、Ｂ ＝ラムの膜
厚を薄くシ、表面の凹凸が小さい状態で試作を行ってい
るが、ステップカバレッジが悪い、はがれ易い、ボンデ
ィングがやりにくい等の問題点がある。
厚を薄くシ、表面の凹凸が小さい状態で試作を行ってい
るが、ステップカバレッジが悪い、はがれ易い、ボンデ
ィングがやりにくい等の問題点がある。
本発明の目的は、前述の如き問題点を一挙に解決し、高
性能かつ高歩留りの固体撮像装置を実現することにある
。
性能かつ高歩留りの固体撮像装置を実現することにある
。
本発明の概要は、絶縁基板上にスイッチング用薄膜トラ
ンジスタアレイ及び光電変換用アモルファスシリコン薄
膜を設けた固体撮像装置において、透明導電膜配線を２
層にし、アモルファスシリコン薄膜を設けた固体撮像装
置において、透明導電膜配線を２層にし、アモルファス
シリコンの単結晶化を防ぐため、少なくともアモルファ
スシリコン層の上下電極が透明導電膜（例えば工Ｔｏ）
より成るようにした事である。
ンジスタアレイ及び光電変換用アモルファスシリコン薄
膜を設けた固体撮像装置において、透明導電膜配線を２
層にし、アモルファスシリコン薄膜を設けた固体撮像装
置において、透明導電膜配線を２層にし、アモルファス
シリコンの単結晶化を防ぐため、少なくともアモルファ
スシリコン層の上下電極が透明導電膜（例えば工Ｔｏ）
より成るようにした事である。
第３図に本発明の実施例を示す。同図において、第１図
と同一の記号は第１図と同一のものを表わす。３０１は
透明導電膜（例えば工Ｔｏ）で形成した信号読み出し線
、３０２は透明導電膜（例−えば工Ｔｏ）で形成したア
モルファスシリコン層の下側電極及びスイッチング薄膜
トランジスタへの配線である。
と同一の記号は第１図と同一のものを表わす。３０１は
透明導電膜（例えば工Ｔｏ）で形成した信号読み出し線
、３０２は透明導電膜（例−えば工Ｔｏ）で形成したア
モルファスシリコン層の下側電極及びスイッチング薄膜
トランジスタへの配線である。
第４図に本発明の応用例を示す。同図において第１図及
び第６図と同一の記号は第１図及び第３図と同一のもの
を表わす。４０１はアルミニウム等の低抵抗配線材料に
よる信号読み出し線である〔効果〕 透明導電膜（例えば工Ｔｏ）の表面はアルミニウムの表
面はど凹凸がないため、これをアモルファスシリコン層
の下側電極とする事により、該アモルファスシリコン層
の部分的な単結晶化を防ぐ事が可能となり、上下電極間
の暗電流を小さなものに抑えることにより、１暗”レベ
ルの信号読み出しが可能となり、階調制御可能な範囲も
広くなる。また、従来例で述べた如く、アルミニウム膜
厚を薄くする事により起こっていたステップカバレッジ
、はがれ、ボンディング等の問題が消滅する。
び第６図と同一の記号は第１図及び第３図と同一のもの
を表わす。４０１はアルミニウム等の低抵抗配線材料に
よる信号読み出し線である〔効果〕 透明導電膜（例えば工Ｔｏ）の表面はアルミニウムの表
面はど凹凸がないため、これをアモルファスシリコン層
の下側電極とする事により、該アモルファスシリコン層
の部分的な単結晶化を防ぐ事が可能となり、上下電極間
の暗電流を小さなものに抑えることにより、１暗”レベ
ルの信号読み出しが可能となり、階調制御可能な範囲も
広くなる。また、従来例で述べた如く、アルミニウム膜
厚を薄くする事により起こっていたステップカバレッジ
、はがれ、ボンディング等の問題が消滅する。
また、第６図の如き構造にした場合、第１図におけるア
ルミニウム配線を全て透明導電膜配線に置き換えている
ため、工程数を従来のものと変えることなく、本発明を
行うことができる。信号読み出し線の時定数が問題とな
る場合は第４図の如く、信号読み出し線を低抵抗配線材
料とすることにより解決される。
ルミニウム配線を全て透明導電膜配線に置き換えている
ため、工程数を従来のものと変えることなく、本発明を
行うことができる。信号読み出し線の時定数が問題とな
る場合は第４図の如く、信号読み出し線を低抵抗配線材
料とすることにより解決される。
以上述べた如く、本発明を用いることにより、階調制御
可能な範囲の広い、高性能かつ高歩留りの固体撮像装置
が実現される。
可能な範囲の広い、高性能かつ高歩留りの固体撮像装置
が実現される。
第１図は絶縁基板上に設けた固体撮像装置の従来例を説
明するための図。 第２図は下ＯＩＩ！ｌ電極の凹■凸によりアモルファス
ラリコンが単結晶化した例を説明するための図。 第３図は本発明の詳細な説明するための図。 第４図は本発明の詳細な説明するための図。 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務 第１図 第２図
明するための図。 第２図は下ＯＩＩ！ｌ電極の凹■凸によりアモルファス
ラリコンが単結晶化した例を説明するための図。 第３図は本発明の詳細な説明するための図。 第４図は本発明の詳細な説明するための図。 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務 第１図 第２図
Claims (1)
- 絶縁基板上に薄膜トランジスタアレイ及びアモルファス
シリコンによる光電変換素子アレイを設けて成る固体撮
像装置において、透明導電膜配線を２層にし、アモルフ
ァスシリコン層の上下電極が共に透明導電膜より成るこ
とを特徴とする固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59059111A JPS60201658A (ja) | 1984-03-27 | 1984-03-27 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59059111A JPS60201658A (ja) | 1984-03-27 | 1984-03-27 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60201658A true JPS60201658A (ja) | 1985-10-12 |
Family
ID=13103872
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59059111A Pending JPS60201658A (ja) | 1984-03-27 | 1984-03-27 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60201658A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04129596U (ja) * | 1991-05-16 | 1992-11-26 | 株式会社高田工業所 | 漏洩検知溝付き裏当て金 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56135982A (en) * | 1980-03-28 | 1981-10-23 | Canon Inc | Array of photoelectric conversion element |
-
1984
- 1984-03-27 JP JP59059111A patent/JPS60201658A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56135982A (en) * | 1980-03-28 | 1981-10-23 | Canon Inc | Array of photoelectric conversion element |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04129596U (ja) * | 1991-05-16 | 1992-11-26 | 株式会社高田工業所 | 漏洩検知溝付き裏当て金 |
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