JPS60202684A - 薄膜ｅｌデイスプレイパネルの発光膜形成方法 - Google Patents
薄膜ｅｌデイスプレイパネルの発光膜形成方法Info
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- JPS60202684A JPS60202684A JP59058439A JP5843984A JPS60202684A JP S60202684 A JPS60202684 A JP S60202684A JP 59058439 A JP59058439 A JP 59058439A JP 5843984 A JP5843984 A JP 5843984A JP S60202684 A JPS60202684 A JP S60202684A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明はＩｌａ族の硫化物を発光膜母材として用いた薄
膜エレクトロルミネッセンス（以下、ＥＬと記す）ディ
スプレイパネルの形成法に関し、特に薄膜ＥＬディスグ
レイパネルの発光膜の形成方法に関する。
膜エレクトロルミネッセンス（以下、ＥＬと記す）ディ
スプレイパネルの形成法に関し、特に薄膜ＥＬディスグ
レイパネルの発光膜の形成方法に関する。
（従来技術）
薄膜ＥＬディスルイノやネルの形成方法は第１図に示す
ように発光膜下地基板１０として・ぐターニングされた
透明電極１１をもつガラス基板Ｉ２上忙絶縁膜１３（例
えば５ｉＯ７＋ Ｓ Ｉ ５Ｎ４＋ Ａｔ２０３ ｒＹ
２０５等）を膜厚１００〜５００ｎｍにスパッタリング
法により形成する。この発光膜下地基板１．０上に発光
膜母材としてのｌａ族硫化物（例えばＣａＳ ）と発光
中心としての希土類ノ・ロケ゛ン化物（例えばＣｅＣ１
５）とを混合した発光膜材料を発光膜下地基板ｌＯを１
５０℃に加熱しながら膜厚３００〜１１０００ｎに電子
ビーム蒸着法で蒸着することにより発光膜１４を形成し
た後真空中５５０℃、１時間程度の熱処理を施し前記発
光膜１４上に再び絶縁膜ノ５を前記絶縁膜１３と同等の
方法で形成し最後に背面電極ノロとしてＡｔを蒸着する
。
ように発光膜下地基板１０として・ぐターニングされた
透明電極１１をもつガラス基板Ｉ２上忙絶縁膜１３（例
えば５ｉＯ７＋ Ｓ Ｉ ５Ｎ４＋ Ａｔ２０３ ｒＹ
２０５等）を膜厚１００〜５００ｎｍにスパッタリング
法により形成する。この発光膜下地基板１．０上に発光
膜母材としてのｌａ族硫化物（例えばＣａＳ ）と発光
中心としての希土類ノ・ロケ゛ン化物（例えばＣｅＣ１
５）とを混合した発光膜材料を発光膜下地基板ｌＯを１
５０℃に加熱しながら膜厚３００〜１１０００ｎに電子
ビーム蒸着法で蒸着することにより発光膜１４を形成し
た後真空中５５０℃、１時間程度の熱処理を施し前記発
光膜１４上に再び絶縁膜ノ５を前記絶縁膜１３と同等の
方法で形成し最後に背面電極ノロとしてＡｔを蒸着する
。
ここで、従来の発光膜ノ４の形成方法は第２図に詳細に
示すように蒸着されるガラス基板２ノが基板背面のヒー
タ２２または基板前面の加熱ラング２３等により基板温
度１５０℃に保たれており、該ガラス基板２１面上に電
子銃２ｏによる電子ビーム２４によりルツボ２５に置か
れた前記発光膜材料２６を加熱し蒸発させて・発光中心
Ｃｅ Ｃ７３をビークしたＣａＳ （以下、ＣａＳ ：
ＣｅＣ６３と記す）の発光膜１４を形成していた。
示すように蒸着されるガラス基板２ノが基板背面のヒー
タ２２または基板前面の加熱ラング２３等により基板温
度１５０℃に保たれており、該ガラス基板２１面上に電
子銃２ｏによる電子ビーム２４によりルツボ２５に置か
れた前記発光膜材料２６を加熱し蒸発させて・発光中心
Ｃｅ Ｃ７３をビークしたＣａＳ （以下、ＣａＳ ：
ＣｅＣ６３と記す）の発光膜１４を形成していた。
しかし、発光膜母料として硫化カルシウムＣａＳを用い
た場合基板温度１５０℃以下で電子ビーム加熱法を用い
て蒸着された発光膜１４は蒸着中に分解し硫黄が失なわ
れたり蒸着後の分解・反応等によりＸ線回析しても第３
図に示すようにＣａＳに由来しない回折角２θり３２°
の回折ピークが現われ２θ夕３１°のＣａＳの（２００
）回折ピークは得られず、そのため良好なＣａＳ膜とな
らずまた該発光膜１４を用いて第１図に示す薄膜ＥＬパ
ネルを形成しても不安定で低輝度の発光しか得られない
という欠点があった。更に１５０℃以上に基板加熱して
前述と同様に発光膜１４を形成しても同様の結果しか得
られなかった。
た場合基板温度１５０℃以下で電子ビーム加熱法を用い
て蒸着された発光膜１４は蒸着中に分解し硫黄が失なわ
れたり蒸着後の分解・反応等によりＸ線回析しても第３
図に示すようにＣａＳに由来しない回折角２θり３２°
の回折ピークが現われ２θ夕３１°のＣａＳの（２００
）回折ピークは得られず、そのため良好なＣａＳ膜とな
らずまた該発光膜１４を用いて第１図に示す薄膜ＥＬパ
ネルを形成しても不安定で低輝度の発光しか得られない
という欠点があった。更に１５０℃以上に基板加熱して
前述と同様に発光膜１４を形成しても同様の結果しか得
られなかった。
（発明の目的）
本発明の目的は安定した硫化物の発光膜を得るととてあ
シ、ひいては安定した高輝度のＥＬ発光を行い得る薄膜
ＥＬディスプレイパネルの発光膜形成方法を提供するこ
とにある。
シ、ひいては安定した高輝度のＥＬ発光を行い得る薄膜
ＥＬディスプレイパネルの発光膜形成方法を提供するこ
とにある。
（発明の構成）
この目的の達成を図るため、本発明は■ａ族の硫ｆＢ物
の発光膜母材に発光中心として希土類のハロケ゛ン化合
物を混合した発光膜材料を蒸着源を用いて発光膜下地基
板に蒸着すると同時に蒸着中に化学量論的組成からずれ
て欠乏する硫黄を別の蒸着源を用いて同時蒸着すること
で硫黄を補いながら発光膜を形成することを特徴とする
。
の発光膜母材に発光中心として希土類のハロケ゛ン化合
物を混合した発光膜材料を蒸着源を用いて発光膜下地基
板に蒸着すると同時に蒸着中に化学量論的組成からずれ
て欠乏する硫黄を別の蒸着源を用いて同時蒸着すること
で硫黄を補いながら発光膜を形成することを特徴とする
。
（実施例）
第４図は本発明の第１の実施例であって透明電極１ノ及
び絶縁膜ノ３まで形成した発光膜下地基板２ノは基板背
面のヒータ２２または基板前面に設置された加熱用ラン
グ２３等によシ基板温度１５０℃以上に保たれている。
び絶縁膜ノ３まで形成した発光膜下地基板２ノは基板背
面のヒータ２２または基板前面に設置された加熱用ラン
グ２３等によシ基板温度１５０℃以上に保たれている。
電子銃２０による電子ビーム２４によりルツボ２５に置
かれた発光膜母材ＣａＳに発光中心としてＣｅ Ｃ１３
を混合した発光膜材料２６を加熱し蒸発させると同時に
抵抗線４７を巻いた石英ルツボ４８の中に硫黄４９を入
れ蒸発量を制御するために石英ルツボ４８上部を覆った
例えばＴａの板５０にあけられた小穴より硫黄４９を加
熱蒸発させることにより、ルッカ２５より蒸発しガラス
基板２１Ｔｆ：、蒸着形成される発光膜（ＣａＳ ：
ＣｅＣＬ３’）に硫黄を補充し、ガラス基板２１面上に
硫黄の欠損しないＣａＳ 、’ ＣｅＣｌ３の発光膜１
４を形成させる。次に前記発光膜１４上に再び絶縁Ｈａ
Ｊｓを形成し最後に背面電極１６とじてＡｔヲ、蒸着さ
せ、薄膜ＥＩ、ディスグレイ・ぐネルを形成する。
かれた発光膜母材ＣａＳに発光中心としてＣｅ Ｃ１３
を混合した発光膜材料２６を加熱し蒸発させると同時に
抵抗線４７を巻いた石英ルツボ４８の中に硫黄４９を入
れ蒸発量を制御するために石英ルツボ４８上部を覆った
例えばＴａの板５０にあけられた小穴より硫黄４９を加
熱蒸発させることにより、ルッカ２５より蒸発しガラス
基板２１Ｔｆ：、蒸着形成される発光膜（ＣａＳ ：
ＣｅＣＬ３’）に硫黄を補充し、ガラス基板２１面上に
硫黄の欠損しないＣａＳ 、’ ＣｅＣｌ３の発光膜１
４を形成させる。次に前記発光膜１４上に再び絶縁Ｈａ
Ｊｓを形成し最後に背面電極１６とじてＡｔヲ、蒸着さ
せ、薄膜ＥＩ、ディスグレイ・ぐネルを形成する。
このように発光膜母材ＣａＳに発光中心Ｃｅ Ｃ１０を
混合した発光膜材料２６を電子ビーム加熱法により蒸発
させると同時に抵抗線加熱法により硫黄を補っているた
め第５図に示すように基板温度１５０℃で従来の電子ビ
ーム加熱法のみによる発光膜形成法では得られなかった
ＣａＳＯＸ線回折・ぞターンに回折角２０勺３１°のＣ
ａＳの（２００）面からの回折ビーンが現われ、硫黄の
不足しない安定したＣ ａＳ ’ Ｃｅ ＣＺ５の発光
膜１４が得られている。さらに第６図に示すように基板
温度２００℃の場合では回折角２θり３２°のＣａＳに
由来しない回折ぎ−りは消失しＣａＳの２θり３１°の
（２００）面からの回折ピークが明確となり、さらに優
れたＣａＳの発光膜１４が得られる。このように基板温
度１５０℃以上で、本発明の方法によシ発光膜（ＣａＳ
： ＣｅＣ１３）１４を形成すれば安定した高輝度発
光が得られる。
混合した発光膜材料２６を電子ビーム加熱法により蒸発
させると同時に抵抗線加熱法により硫黄を補っているた
め第５図に示すように基板温度１５０℃で従来の電子ビ
ーム加熱法のみによる発光膜形成法では得られなかった
ＣａＳＯＸ線回折・ぞターンに回折角２０勺３１°のＣ
ａＳの（２００）面からの回折ビーンが現われ、硫黄の
不足しない安定したＣ ａＳ ’ Ｃｅ ＣＺ５の発光
膜１４が得られている。さらに第６図に示すように基板
温度２００℃の場合では回折角２θり３２°のＣａＳに
由来しない回折ぎ−りは消失しＣａＳの２θり３１°の
（２００）面からの回折ピークが明確となり、さらに優
れたＣａＳの発光膜１４が得られる。このように基板温
度１５０℃以上で、本発明の方法によシ発光膜（ＣａＳ
： ＣｅＣ１３）１４を形成すれば安定した高輝度発
光が得られる。
本発明の方法により形成したＣａＳ 、’ Ｃ，ｅｃＺ
ｓの発光膜を有する薄膜ＥＬパネルの輝度−電圧特性を
第７図に示す。また、第８図の発光スペクトルは横軸に
波長を縦軸に発光強度をとっており波長５１５ ｎｒ、
１にピークをもつＣｅ６＋からのＥＬ発光であることを
示している。第７図、第８図の如〈従来の電子ビーム加
熱法のみによるＣａＳ ： ＣｅＣｌ−５の発光膜ノ４
では得られなかった安定した高輝度の１発光が得られる
。
ｓの発光膜を有する薄膜ＥＬパネルの輝度−電圧特性を
第７図に示す。また、第８図の発光スペクトルは横軸に
波長を縦軸に発光強度をとっており波長５１５ ｎｒ、
１にピークをもつＣｅ６＋からのＥＬ発光であることを
示している。第７図、第８図の如〈従来の電子ビーム加
熱法のみによるＣａＳ ： ＣｅＣｌ−５の発光膜ノ４
では得られなかった安定した高輝度の１発光が得られる
。
なお、通常の板ガラスをガラス基板１２として用いる時
発光膜１４の形成時の基板温度は６００℃以上に加熱し
ても本発明の効果は得られるが、基板が板ガラスである
だめ熱による歪や光の透過率の減少等が生じない６００
℃以下とする方が良い。
発光膜１４の形成時の基板温度は６００℃以上に加熱し
ても本発明の効果は得られるが、基板が板ガラスである
だめ熱による歪や光の透過率の減少等が生じない６００
℃以下とする方が良い。
また発光膜形成後の熱処理も基板温度を上昇させること
と同等にＣａＳ膜の膜質改善の効果が得られる。同様に
パイレックスをガラス基板１２として用いる時は８００
℃以下とするのが良い。
と同等にＣａＳ膜の膜質改善の効果が得られる。同様に
パイレックスをガラス基板１２として用いる時は８００
℃以下とするのが良い。
第９図は本発明の第２の実施例であって第１の実施例の
抵抗線加熱法にかわって電子銃による蒸着源６０．６１
を２基用いて１基に発光膜材料２６をもう１基に硫黄４
９を蒸発でき為ようにしている。
抵抗線加熱法にかわって電子銃による蒸着源６０．６１
を２基用いて１基に発光膜材料２６をもう１基に硫黄４
９を蒸発でき為ようにしている。
このようにしても第１の実施例と同等の発光膜を形成で
きる。
きる。
また第１０図は本発明を用いた薄膜ＥＬパネルの膜の構
成を第１図に示した２つの絶縁膜に挾持された発光膜１
４をもつ膜構成に代ってガラス基板１２側の絶縁膜１３
を省いた膜構成としたもので透明電極１１付ガラス基板
１２上に前述の形成法で発光膜１４を形成しその上に絶
縁膜１５と背室電極１６を重ねた、いわゆるルモセンタ
イプの薄膜ＥＬパネルであるが、このルモセンタイプの
薄膜ＥＬディスプレイ・ぞネルの発光膜の形成について
も本発明は当然適用されるものである。なお、第１の実
施例では発光膜母材としてＣａＳを用いて説明したがＩ
ｌａ族の他の硫化物ＳｒＳに対しても本発明は適用でき
る。まだ第１の実施例では発光中心としてＣｅ ＣＬ
３を用いて説明したが、ＣｅのＣｔ以外のハロゲン化合
物、あるいはＥｕのハロゲン化合物を用い、発光色を変
えることも可能である。
成を第１図に示した２つの絶縁膜に挾持された発光膜１
４をもつ膜構成に代ってガラス基板１２側の絶縁膜１３
を省いた膜構成としたもので透明電極１１付ガラス基板
１２上に前述の形成法で発光膜１４を形成しその上に絶
縁膜１５と背室電極１６を重ねた、いわゆるルモセンタ
イプの薄膜ＥＬパネルであるが、このルモセンタイプの
薄膜ＥＬディスプレイ・ぞネルの発光膜の形成について
も本発明は当然適用されるものである。なお、第１の実
施例では発光膜母材としてＣａＳを用いて説明したがＩ
ｌａ族の他の硫化物ＳｒＳに対しても本発明は適用でき
る。まだ第１の実施例では発光中心としてＣｅ ＣＬ
３を用いて説明したが、ＣｅのＣｔ以外のハロゲン化合
物、あるいはＥｕのハロゲン化合物を用い、発光色を変
えることも可能である。
（発明の効果）
以上の如く、本発明によれば硫黄の欠乏がない安定した
発光膜を形成することができるため、本発明を適用して
形成される薄膜ＥＬディスプレイノｅネルは安定に高輝
度発光を行い得るものである。
発光膜を形成することができるため、本発明を適用して
形成される薄膜ＥＬディスプレイノｅネルは安定に高輝
度発光を行い得るものである。
第１図は二重絶縁構造を有する薄膜ＥＬディスプレイパ
ネルの膜構成の断面図、 第２図は従来の電子ビーム加熱法のみを用いた薄膜ＥＬ
ディスプレイｄ’ネルの発光膜の形成方法の説明図、 第３図は電子ビーム加熱法のみ用いた基板温度１５０℃
での発光膜（ＣａＳ ： ＣｅＣｌ３）のＸ線回折ノリ
−ン 、 第４図は本発明の第１の実施例の薄膜ＥＬディスプレイ
ノｅネルの発光膜の形成方法の説明図、第５図は本発明
の第１の実施例による方法を用いて形成した基板温度１
５０℃のときの発光膜（ＣａＳ ： ＣｅＣ１５）のＸ
線回折ノ４ターンを示しだ図、第６図は本発明の第１の
実施例による方法を用いて形成した基板温度２００℃の
ときの発光膜（ＣａＳ ： ＣｅＣＺｓ ）のＸ線回折
ノぐターンを示しだ図、第７図は本発明の第１の実施例
による方法を用い薄膜ＥＬディスプレイパネルを形成し
たときの輝度−電圧特性を示した図、 第８図は本発明の第１の実施例による方法を用い薄膜Ｅ
Ｌディスグレイパネルを形成したときの発光スペクトル
を示した図、 第９図は本発明の第２の実施例の薄膜ＥＬディスプレイ
パネルの発光膜の形成方法の説明図、第１Ｏ図はルモセ
ンタイプの薄膜ＥＬディスプレイハネルの膜構成の断面
図である。 １０・・・発光膜下地基板、１１・・・透明電極、１２
・・・ガラス基板、１３・・・絶縁膜、１４・・・発光
膜、１５・・・絶縁膜、１６・・・背面電極、２ｏ・・
電子銃、２１・・・絶縁膜まで形成したガラス基板、２
２・・ヒータ、２３・・・加熱用ランプ、２４・・・電
子ビーム、２５・・ルツボ、２６・・・発光膜材料、４
７・・・抵抗線、４８・・・石英ルツボ、４９・・・硫
黄、５ｏ・・・Ｔａ板、６０．６１・・・電子銃。 第１図 第２図 １辻２２ ＝：＝ツー２１ 第４図 −１２２ ３２１ 第５図 ３０ ４０ コ（Ｊ ｂＬｌ 第７図 電、Ｊｌｉ（） 第８図 波長（ｎｍ） 第９図 第１０図 手続補正書（自制 御、事件の表示 白和５９年 特 許 願第０５８４３９号２ 発明の名
称 薄膜ＥＬディスプレイパネルの発光膜形成方法３ 補正
をする者 事件との関係 特許出願人
ネルの膜構成の断面図、 第２図は従来の電子ビーム加熱法のみを用いた薄膜ＥＬ
ディスプレイｄ’ネルの発光膜の形成方法の説明図、 第３図は電子ビーム加熱法のみ用いた基板温度１５０℃
での発光膜（ＣａＳ ： ＣｅＣｌ３）のＸ線回折ノリ
−ン 、 第４図は本発明の第１の実施例の薄膜ＥＬディスプレイ
ノｅネルの発光膜の形成方法の説明図、第５図は本発明
の第１の実施例による方法を用いて形成した基板温度１
５０℃のときの発光膜（ＣａＳ ： ＣｅＣ１５）のＸ
線回折ノ４ターンを示しだ図、第６図は本発明の第１の
実施例による方法を用いて形成した基板温度２００℃の
ときの発光膜（ＣａＳ ： ＣｅＣＺｓ ）のＸ線回折
ノぐターンを示しだ図、第７図は本発明の第１の実施例
による方法を用い薄膜ＥＬディスプレイパネルを形成し
たときの輝度−電圧特性を示した図、 第８図は本発明の第１の実施例による方法を用い薄膜Ｅ
Ｌディスグレイパネルを形成したときの発光スペクトル
を示した図、 第９図は本発明の第２の実施例の薄膜ＥＬディスプレイ
パネルの発光膜の形成方法の説明図、第１Ｏ図はルモセ
ンタイプの薄膜ＥＬディスプレイハネルの膜構成の断面
図である。 １０・・・発光膜下地基板、１１・・・透明電極、１２
・・・ガラス基板、１３・・・絶縁膜、１４・・・発光
膜、１５・・・絶縁膜、１６・・・背面電極、２ｏ・・
電子銃、２１・・・絶縁膜まで形成したガラス基板、２
２・・ヒータ、２３・・・加熱用ランプ、２４・・・電
子ビーム、２５・・ルツボ、２６・・・発光膜材料、４
７・・・抵抗線、４８・・・石英ルツボ、４９・・・硫
黄、５ｏ・・・Ｔａ板、６０．６１・・・電子銃。 第１図 第２図 １辻２２ ＝：＝ツー２１ 第４図 −１２２ ３２１ 第５図 ３０ ４０ コ（Ｊ ｂＬｌ 第７図 電、Ｊｌｉ（） 第８図 波長（ｎｍ） 第９図 第１０図 手続補正書（自制 御、事件の表示 白和５９年 特 許 願第０５８４３９号２ 発明の名
称 薄膜ＥＬディスプレイパネルの発光膜形成方法３ 補正
をする者 事件との関係 特許出願人
Claims (3)
- （１）２つの絶縁膜に挾持された発光膜を有する二重絶
縁構造タイプの薄膜ＥＬディスプレイパネルもしくは発
光膜と１つの絶縁膜を重ねたルモセンクイノの薄膜ＥＬ
ディスプレイツクネルの発光膜形成方法において、発光
膜下地基板上にＩｌａ族の硫化物の発光膜母材と希土類
の・・ロケ゛ン化合物の発光中心とを混合した発光膜材
料を−の蒸着源で蒸着すると共に、硫黄を他の蒸着源に
より同時蒸着することにより硫黄を補充しなが９発光膜
を形成することを特徴とする薄膜ＥＬディスプレイ・ぐ
ネルの発光膜形成方法。 - （２）発光膜母材がＣａＳであって発光中心がＣｅ Ｃ
ｌ３であることを特徴とする特許請求の範囲第（１）項
記載゛の薄膜ＥＬディスプレイ・やネルの発光膜形成方
法。 - （３）発光膜下地基板を１５０℃以上に加熱しながら発
光膜を形成することを特徴とする特許請求の範囲第（２
）項記載の薄膜ＥＬディスプレイ・ぞネルの発光膜形成
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59058439A JPS60202684A (ja) | 1984-03-28 | 1984-03-28 | 薄膜ｅｌデイスプレイパネルの発光膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59058439A JPS60202684A (ja) | 1984-03-28 | 1984-03-28 | 薄膜ｅｌデイスプレイパネルの発光膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60202684A true JPS60202684A (ja) | 1985-10-14 |
| JPS63915B2 JPS63915B2 (ja) | 1988-01-09 |
Family
ID=13084427
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59058439A Granted JPS60202684A (ja) | 1984-03-28 | 1984-03-28 | 薄膜ｅｌデイスプレイパネルの発光膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60202684A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5482603A (en) * | 1992-05-07 | 1996-01-09 | Fuji Electric Co., Ltd. | Method of producing electroluminescence emitting film |
| JPH0845666A (ja) * | 1995-08-11 | 1996-02-16 | Komatsu Ltd | 薄膜ｅｌ素子 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57102983A (en) * | 1980-12-19 | 1982-06-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Electroluminescent element |
-
1984
- 1984-03-28 JP JP59058439A patent/JPS60202684A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57102983A (en) * | 1980-12-19 | 1982-06-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Electroluminescent element |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5482603A (en) * | 1992-05-07 | 1996-01-09 | Fuji Electric Co., Ltd. | Method of producing electroluminescence emitting film |
| JPH0845666A (ja) * | 1995-08-11 | 1996-02-16 | Komatsu Ltd | 薄膜ｅｌ素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63915B2 (ja) | 1988-01-09 |
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