JPS60202902A - セラミツクバリスタ - Google Patents
セラミツクバリスタInfo
- Publication number
- JPS60202902A JPS60202902A JP59061436A JP6143684A JPS60202902A JP S60202902 A JPS60202902 A JP S60202902A JP 59061436 A JP59061436 A JP 59061436A JP 6143684 A JP6143684 A JP 6143684A JP S60202902 A JPS60202902 A JP S60202902A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ceramic varistor
- varistor
- ceramic
- view
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はセラミックバリスタ、特に小形でプリント配線
板に直接装着し得るリードレスのサージ電圧吸収素子に
関する。
板に直接装着し得るリードレスのサージ電圧吸収素子に
関する。
従来例の構成とその問題点
電子機器の小形・軽量・薄形化指向に対応して構成部品
の高密度実装が行われて、高密度実装を容易にするため
に、各種部品のチップ化が進展している。サージ電圧吸
収用素子についてもリード端子のないチップ素子が望ま
れている。
の高密度実装が行われて、高密度実装を容易にするため
に、各種部品のチップ化が進展している。サージ電圧吸
収用素子についてもリード端子のないチップ素子が望ま
れている。
第１図（−）は従来のセラミックバリスタの平面図、第
１図（ロ）はその正面断面図である。同図に示すセラミ
ックバリスタは酸化亜鉛などを主成分とする角板状の電
圧非直線抵抗素子１に端面を介して、対面の一部まで連
接するように設けられた電極２を形成したものである。
１図（ロ）はその正面断面図である。同図に示すセラミ
ックバリスタは酸化亜鉛などを主成分とする角板状の電
圧非直線抵抗素子１に端面を介して、対面の一部まで連
接するように設けられた電極２を形成したものである。
この場合、第１図におけるｉｌ＞ｔｌの関係を成立する
必要がある。つまシ、これが逆の関係になった場合はバ
リスタ特性はＩ！、１間のみしか機能しない結果になり
、サージ吸収能力が低くなる。
必要がある。つまシ、これが逆の関係になった場合はバ
リスタ特性はＩ！、１間のみしか機能しない結果になり
、サージ吸収能力が低くなる。
ところで、酸化亜鉛を主成分とする焼結体のセラミック
バリスタは、優れた非直線性とサージ吸収性能を有する
ところから、サージ電圧吸収用素子として広く実用され
ているが、焼結体が脆く、チップ部品とする場合は実用
に則した厚みを確保しなければならない。しかし、第１
図におけるＣ、＞ｔｌの関係、即ち同一面で相対する電
極の間隔を素子の厚みよりも大きくする必要があり、結
果として焼結体がバリスタとして機能する有効面積は少
なくなる。これはり−ドレスのチップ素子が小形で高密
度実装を意図することから、その目的を十分に果してい
るとはいえないため、最近では第２図に示すように、素
子の面積をより有効に活用し、角板状のセラミックバリ
スタ素子の相対向する面に電極を配設し、かつ同一面で
相対する電極間部分に溝を形成し、前記同一面での電極
間をセラミックバリスタ素子の厚みより小さくしたもの
がある。
バリスタは、優れた非直線性とサージ吸収性能を有する
ところから、サージ電圧吸収用素子として広く実用され
ているが、焼結体が脆く、チップ部品とする場合は実用
に則した厚みを確保しなければならない。しかし、第１
図におけるＣ、＞ｔｌの関係、即ち同一面で相対する電
極の間隔を素子の厚みよりも大きくする必要があり、結
果として焼結体がバリスタとして機能する有効面積は少
なくなる。これはり−ドレスのチップ素子が小形で高密
度実装を意図することから、その目的を十分に果してい
るとはいえないため、最近では第２図に示すように、素
子の面積をより有効に活用し、角板状のセラミックバリ
スタ素子の相対向する面に電極を配設し、かつ同一面で
相対する電極間部分に溝を形成し、前記同一面での電極
間をセラミックバリスタ素子の厚みより小さくしたもの
がある。
第２図体）は前記セラミックバリスタの平面図、第２図
（ｂ）はその正面断面図で、第１図と同一部分は同一番
号を付する。このセラミックバリスタは酸化亜鉛に、ビ
スマス、コバルト、マンガン、アンチモンなどの酸化物
を微量添加し、混合し、油圧成形して１１００〜１４ｏ
Ｏ°Ｃで焼成し、切断加工して所定厚みの角板状素子１
を得る。この素子１の表面及び裏面に第２図に示すよう
に一端部を少し残して表裏が対称になる位置に溝３を設
け／こ。溝３はダイヤモンド刃を高速回転させて切削し
設けた。このようにして得た素子１の表面および裏面に
、銀ペーストを所定のパターンで印刷し、１だ端面には
銀ペーストを転写法によって塗着して電極２を得た。こ
れを７００〜９００ ’Ｃで熱処理して第２図に示すよ
うなチップ状セラミソ゛クバリスタを作る。このように
して作られたセラミックバリスタは小形化という点につ
いては十分であるけれども、価格を考えると焼結体の切
断加工及びダイヤモンド刃による溝切り加工等の工程が
有り、量産性が満足なものとはいえない。
（ｂ）はその正面断面図で、第１図と同一部分は同一番
号を付する。このセラミックバリスタは酸化亜鉛に、ビ
スマス、コバルト、マンガン、アンチモンなどの酸化物
を微量添加し、混合し、油圧成形して１１００〜１４ｏ
Ｏ°Ｃで焼成し、切断加工して所定厚みの角板状素子１
を得る。この素子１の表面及び裏面に第２図に示すよう
に一端部を少し残して表裏が対称になる位置に溝３を設
け／こ。溝３はダイヤモンド刃を高速回転させて切削し
設けた。このようにして得た素子１の表面および裏面に
、銀ペーストを所定のパターンで印刷し、１だ端面には
銀ペーストを転写法によって塗着して電極２を得た。こ
れを７００〜９００ ’Ｃで熱処理して第２図に示すよ
うなチップ状セラミソ゛クバリスタを作る。このように
して作られたセラミックバリスタは小形化という点につ
いては十分であるけれども、価格を考えると焼結体の切
断加工及びダイヤモンド刃による溝切り加工等の工程が
有り、量産性が満足なものとはいえない。
発明の目的
本発明は従来例の問題点に鑑み、素子の面積をより有効
に活用し、より小形で同等の性能を確保した、小形高性
能のチップ状サージのセラミックバリスタを安価に供給
することを目的とするものである。
に活用し、より小形で同等の性能を確保した、小形高性
能のチップ状サージのセラミックバリスタを安価に供給
することを目的とするものである。
発明の構成
上記目的を達成するために、本発明はシートを積層後切
断した角板状のセラミックバリスタ素子と、前記セラミ
ックバリスタ素子の相対面に形成されだ第１．第２の電
極を有し、前記セラミックバリスタ素子の同一面で相対
する前記第１．第２の電極の間隔部分に溝をシートの切
れめで設け、前記溝が前記バリスタ素子の厚みよりも小
さくしたものである。
断した角板状のセラミックバリスタ素子と、前記セラミ
ックバリスタ素子の相対面に形成されだ第１．第２の電
極を有し、前記セラミックバリスタ素子の同一面で相対
する前記第１．第２の電極の間隔部分に溝をシートの切
れめで設け、前記溝が前記バリスタ素子の厚みよりも小
さくしたものである。
実施例の説明
以下本発明の一実施例について、第３図（ａ） 、 （
ｂ）と第４図（ａ） 、 （ｂ）を参照して説明する。
ｂ）と第４図（ａ） 、 （ｂ）を参照して説明する。
第３図（−）はシートで積層したセラミックバリスタの
平面図で、第３図（ｂ）はその正面断面図である。第３
図は酸化亜鉛ＶＣ、ビスマス、コバルト、マンガン、ア
ンチモンなどの酸化物を微量添加し、混合し、溶剤に溶
かし、湿式でシート状に成形し、寸法℃３に切断したも
のを最上段部と最下段部に溝寸法℃２の間隔をとり配置
する。積層後、寸法１３と同寸法でＡ舎Ｂ、Ｃの箇所で
切断して１１００°Ｃ〜１４００°Ｃで焼成して角板状
の素子４を得る。この素子４０表面及び裏面に第４図に
示すように銀ペーストを所定のパターンで印刷し、また
端面には銀ペーストを転写法によって塗着して電極２を
得る。これを７００〜９００°Ｃで熱処理して第４図に
示すようなチップ状セラミックバリスタを得る。この時
の素子４の厚みｔｌは１．５鴎、溝３の中１．０關。
平面図で、第３図（ｂ）はその正面断面図である。第３
図は酸化亜鉛ＶＣ、ビスマス、コバルト、マンガン、ア
ンチモンなどの酸化物を微量添加し、混合し、溶剤に溶
かし、湿式でシート状に成形し、寸法℃３に切断したも
のを最上段部と最下段部に溝寸法℃２の間隔をとり配置
する。積層後、寸法１３と同寸法でＡ舎Ｂ、Ｃの箇所で
切断して１１００°Ｃ〜１４００°Ｃで焼成して角板状
の素子４を得る。この素子４０表面及び裏面に第４図に
示すように銀ペーストを所定のパターンで印刷し、また
端面には銀ペーストを転写法によって塗着して電極２を
得る。これを７００〜９００°Ｃで熱処理して第４図に
示すようなチップ状セラミックバリスタを得る。この時
の素子４の厚みｔｌは１．５鴎、溝３の中１．０關。
溝３の深さ０．５ｍｍである。この素子４に所定電圧を
印加した時のもれ電流は素子厚みｔｌ の特性に相当す
るものであった。またインパルスを加えた時も溝３（相
対する電極間）で放電することなく、負荷を増大した時
は素子部で破壊した。これは、表裏面の対向電極２間で
バリスタが機能していることを証明するものである。
印加した時のもれ電流は素子厚みｔｌ の特性に相当す
るものであった。またインパルスを加えた時も溝３（相
対する電極間）で放電することなく、負荷を増大した時
は素子部で破壊した。これは、表裏面の対向電極２間で
バリスタが機能していることを証明するものである。
発明の効果
上記詳述した通り、本発明によれば角板状の素子面積を
有効に活用し、より小形のり−ドレスバリスタ（サージ
吸収素子）を安価に供給することができる。
有効に活用し、より小形のり−ドレスバリスタ（サージ
吸収素子）を安価に供給することができる。
第１図（ａ）は従来のセラミックバリスタの平面図、第
１図山）はその正面断面図、第２図（ａ）は他の従来の
セラミックバリスタの平面図、第２図（ｂ）はその正面
断面図、第３図０は本発明の一実施例の積層バリスタ素
子の平面図、第３図（ｂ）はその正面図、第４図（−）
は本発明の一実施例のセラミツクツ（リスクの平面図、
第４図（ｂ）はその正面断面図である。 １ ・・セラミックバリスタ素子、２・・・・・・電極
、３−・−溝、４・・・・積層セラミツクツ（リスク素
子。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図
１図山）はその正面断面図、第２図（ａ）は他の従来の
セラミックバリスタの平面図、第２図（ｂ）はその正面
断面図、第３図０は本発明の一実施例の積層バリスタ素
子の平面図、第３図（ｂ）はその正面図、第４図（−）
は本発明の一実施例のセラミツクツ（リスクの平面図、
第４図（ｂ）はその正面断面図である。 １ ・・セラミックバリスタ素子、２・・・・・・電極
、３−・−溝、４・・・・積層セラミツクツ（リスク素
子。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図
Claims (1)
- シートを積層後切断した角板状のセラミックバリスタ素
子と、前記セラミックバリスタ素子の相対面に形成され
た第１．第２の電極を有し、前記セラミックバリスタ素
子の同一面で相対する前記第１．第２の電極の間隔部分
に溝をシートの切れめで設け、前記溝が前記バリスタ素
子の厚みよりも小さくなるよう構成したセラミックバリ
スタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59061436A JPS60202902A (ja) | 1984-03-28 | 1984-03-28 | セラミツクバリスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59061436A JPS60202902A (ja) | 1984-03-28 | 1984-03-28 | セラミツクバリスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60202902A true JPS60202902A (ja) | 1985-10-14 |
Family
ID=13171011
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59061436A Pending JPS60202902A (ja) | 1984-03-28 | 1984-03-28 | セラミツクバリスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60202902A (ja) |
-
1984
- 1984-03-28 JP JP59061436A patent/JPS60202902A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA1186758A (en) | Compliant termination for ceramic chip capacitors | |
| JP3045531B2 (ja) | 積層型変位素子 | |
| JPS60202902A (ja) | セラミツクバリスタ | |
| JPH0124883Y2 (ja) | ||
| JPS62282411A (ja) | 電圧依存性非直線抵抗器 | |
| JPH04125902A (ja) | 三端子積層チップバリスタ | |
| JPH10199709A (ja) | 積層型バリスタ | |
| JPH0322883Y2 (ja) | ||
| JPH08153606A (ja) | 積層バリスタ | |
| JPS62242324A (ja) | チツプコンデンサ− | |
| JPH0722210A (ja) | 複合機能素子 | |
| JPS60202907A (ja) | チツプバリスタ | |
| JPS58154211A (ja) | 角形チツプ部品の製造方法 | |
| JPH04243173A (ja) | 電歪効果素子 | |
| JPH0319203Y2 (ja) | ||
| JPS60151988A (ja) | チツプ型バリスタ | |
| JPS6022310A (ja) | 多機能チツプ部品 | |
| JPS5951514A (ja) | 還元再酸化型半導体磁器コンデンサの製造方法 | |
| JPH02246299A (ja) | 多層セラミック回路基板及びその製造方法 | |
| JPS63146409A (ja) | 積層チツプバリスタ | |
| JPS63301502A (ja) | 厚膜バリスタ | |
| JP2001284667A (ja) | 積層型圧電アクチュエータ | |
| JPS60202908A (ja) | チツプ形サ−ジ吸収器 | |
| JPS602805U (ja) | サ−ジ吸収器 | |
| JPS61236103A (ja) | 金属酸化物チツプバリスタ |