JPS60204669A - 磁気ヘツド用非磁性セラミツク材料 - Google Patents
磁気ヘツド用非磁性セラミツク材料Info
- Publication number
- JPS60204669A JPS60204669A JP59059932A JP5993284A JPS60204669A JP S60204669 A JPS60204669 A JP S60204669A JP 59059932 A JP59059932 A JP 59059932A JP 5993284 A JP5993284 A JP 5993284A JP S60204669 A JPS60204669 A JP S60204669A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- weight
- ceramic material
- thermal expansion
- coefficient
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁気ヘッドの構成に用いられる非磁性セラミッ
ク材料に係り、特に金属磁性薄膜を蒸着あるいはスパッ
タリング等をするための薄膜磁気ヘッド用の非磁性セラ
ミック基板材料に関するものである。
ク材料に係り、特に金属磁性薄膜を蒸着あるいはスパッ
タリング等をするための薄膜磁気ヘッド用の非磁性セラ
ミック基板材料に関するものである。
磁気ヘッドはVTR(Video Tape Reco
rder ) 。
rder ) 。
コンピュータ、オーディオ機器の心臓部品として近年需
要が急拡大している。
要が急拡大している。
VTRやコンピュータ等の高密度記録が一段と進むにつ
れ、次世代の磁気ヘッドとして薄膜で構成する薄膜磁気
ヘッドの研究が最近活発に行なわれている。
れ、次世代の磁気ヘッドとして薄膜で構成する薄膜磁気
ヘッドの研究が最近活発に行なわれている。
薄膜ヘッドは記録、再生機能をパーマロイ(pg−N5
)、センダスト(P’g−At−Si )等の金属磁性
薄膜に持たせ、耐摩耗性等の摺動性能を非磁性基板に持
たせる複合ヘッドであり、基板自体にも重要な特性が要
求される。
)、センダスト(P’g−At−Si )等の金属磁性
薄膜に持たせ、耐摩耗性等の摺動性能を非磁性基板に持
たせる複合ヘッドであり、基板自体にも重要な特性が要
求される。
従来、この種の非磁性セラミック基板としてはチタン酸
バリウムBαIll iOs、チタン酸カルシウムCa
TiO3、アルミナ−炭化チタンAz、0.−TiO等
のセラミック材料が提案されていた。
バリウムBαIll iOs、チタン酸カルシウムCa
TiO3、アルミナ−炭化チタンAz、0.−TiO等
のセラミック材料が提案されていた。
ところかこのような材料で構成されたセラミック基板に
は次の如き問題があった、。
は次の如き問題があった、。
すなわち、金属磁性薄膜の特性を引き出すための蒸着、
スパッタリング等の膜形成の際、およびその後の熱処理
や、ギャップ部のガラスボンディング時に後述するよう
に基板との熱膨張率の相異から薄膜が剥離するという難
点かあった。
スパッタリング等の膜形成の際、およびその後の熱処理
や、ギャップ部のガラスボンディング時に後述するよう
に基板との熱膨張率の相異から薄膜が剥離するという難
点かあった。
また従来提案されていた前記セラミック基板はその熱膨
張係数が高々l0XIO−6/℃程度と小さく、又熱膨
張率か金属磁性薄膜と一致するガラスの場合には硬度が
低く、磁気テープとの摺動時の摩耗が大きい欠点があっ
た。
張係数が高々l0XIO−6/℃程度と小さく、又熱膨
張率か金属磁性薄膜と一致するガラスの場合には硬度が
低く、磁気テープとの摺動時の摩耗が大きい欠点があっ
た。
このためパーマロイ等の金属磁性薄膜の熱膨張率12〜
15X]07’/℃にほぼ合致し、フェライト並みの耐
摩耗性を有する非磁性基板の出現が強く要望されていた
。
15X]07’/℃にほぼ合致し、フェライト並みの耐
摩耗性を有する非磁性基板の出現が強く要望されていた
。
〔問題を解決するための手段〕
本発明者はかかる点に鑑み鋭意研究を進め、特定組成の
′r;O,−NiO−CaO−MpO複合酸化物がかか
る目的に合致することを見出したか、さらに改良を進め
た結果、Az、oa、zro、又は、Cr、Osの少な
くとも1種を添加することによりさらに好ましい耐摩耗
性を付与することを見出し、本発明をなすに至った。
′r;O,−NiO−CaO−MpO複合酸化物がかか
る目的に合致することを見出したか、さらに改良を進め
た結果、Az、oa、zro、又は、Cr、Osの少な
くとも1種を添加することによりさらに好ましい耐摩耗
性を付与することを見出し、本発明をなすに至った。
本発明の薄膜ヘッド用セラミック基板材料で形成された
非磁性基板の特徴は、Ti0.20〜60重量%、Ni
020〜60重量%、Cα0又はM2Oの少なくとも1
種が10〜40重量%で、At、0.。
非磁性基板の特徴は、Ti0.20〜60重量%、Ni
020〜60重量%、Cα0又はM2Oの少なくとも1
種が10〜40重量%で、At、0.。
ZrO2又はCr、O8の少なくとも1種が2.5〜1
0重量%を含むことにあり、これにより熱膨張率が11
〜14X10−6/℃と金属磁性薄膜にほぼ合致しフェ
ライト以上の耐摩耗性を有するものを提供する点にある
。
0重量%を含むことにあり、これにより熱膨張率が11
〜14X10−6/℃と金属磁性薄膜にほぼ合致しフェ
ライト以上の耐摩耗性を有するものを提供する点にある
。
前記範囲において、Tie、は20重量%以下では耐摩
耗性が悪く、60重量%以上では熱膨張率が小さくなる
。NiOは熱膨張率を高めるものであるが20重量%以
下では熱膨張率が小さく、60重量%以上では耐摩耗性
が悪くなる。CaO又はMyOの少なくとも1種が10
重量%以下では熱膨張率が小さく、40重量%以上では
耐摩耗性か低下する。そしてkl、 03.’lro、
又はCra’)sの少なくとも1種の量は2.5〜10
重量%である必要があり、これ以上では熱膨張率が小さ
くなる。
耗性が悪く、60重量%以上では熱膨張率が小さくなる
。NiOは熱膨張率を高めるものであるが20重量%以
下では熱膨張率が小さく、60重量%以上では耐摩耗性
が悪くなる。CaO又はMyOの少なくとも1種が10
重量%以下では熱膨張率が小さく、40重量%以上では
耐摩耗性か低下する。そしてkl、 03.’lro、
又はCra’)sの少なくとも1種の量は2.5〜10
重量%である必要があり、これ以上では熱膨張率が小さ
くなる。
本発明の磁気ヘッド用非磁性セラミック材料によりセラ
ミック基板を製造する方法について1例を示す。
ミック基板を製造する方法について1例を示す。
所定量の酸化チタン、酸化ニッケル、酸化カルシウム、
酸化マグネシウムあるいは焼成によりこれらの酸化物に
変換しうる化合物をボールミル等の混合機を用いて充分
混合したのち、この混合物を800〜1200℃の温度
で仮焼する。
酸化マグネシウムあるいは焼成によりこれらの酸化物に
変換しうる化合物をボールミル等の混合機を用いて充分
混合したのち、この混合物を800〜1200℃の温度
で仮焼する。
次にこの仮焼粉末にht、 0. 、 Z、0. 、
Cr、O,粉末を加え、ボールミル等の混合機を用いて
再混合粉砕し、乾燥後プレスバインダーを混ぜて成形し
、1250〜1400℃の温度範囲で大気中又は窒素中
で焼成する。この場合、各原料を独立粉末として用いて
もよいし、任意の組合せの仮焼粉末を用いてもよい。さ
らに共沈法やコロイド添加法等の公知の手段によって調
整した複合酸化物、複合酸化物粉末として用いてもよい
。成形後の焼成においては常圧焼結法以外にホットプレ
ス法などの高密度化焼成法を使用してもよい。
Cr、O,粉末を加え、ボールミル等の混合機を用いて
再混合粉砕し、乾燥後プレスバインダーを混ぜて成形し
、1250〜1400℃の温度範囲で大気中又は窒素中
で焼成する。この場合、各原料を独立粉末として用いて
もよいし、任意の組合せの仮焼粉末を用いてもよい。さ
らに共沈法やコロイド添加法等の公知の手段によって調
整した複合酸化物、複合酸化物粉末として用いてもよい
。成形後の焼成においては常圧焼結法以外にホットプレ
ス法などの高密度化焼成法を使用してもよい。
次に具体的な実施例により、本発明をさらに詳しく説明
する。
する。
なお熱膨張率はJIS法に準じ室温より500℃におけ
る平均線膨張よりめた。又耐摩耗性はピン−円板式摩耗
試験機を使用し、荷重50に9/cnl、周速150
cm / seCの条件で100時間運転し、試験片の
長さの変化よりめた。なおピンにサンプル、円板には鉄
を用いた。
る平均線膨張よりめた。又耐摩耗性はピン−円板式摩耗
試験機を使用し、荷重50に9/cnl、周速150
cm / seCの条件で100時間運転し、試験片の
長さの変化よりめた。なおピンにサンプル、円板には鉄
を用いた。
実施例
酸化チタン、酸化ニッケル、酸化マグネシウム及び炭酸
カルシウムの比率を変え、ボールミルで24時時間式混
合し、乾燥後大気中で1000℃で焼成し、各種仮焼粉
末を作成した。次に得られた各種粉末にAt、O,、Z
r2. 、 Cr、O,、各粉末を各種比率で加え、ボ
ールミルで24時時間式混合し、乾燥後プレスバインダ
ーとして得られた粉末に対してPVA(ポリビニルアル
コール)1重量%を加え、2toアL/cAで成形し、
1300℃1時間大気中焼成して表1に示すサンプル1
〜20を作成した。
カルシウムの比率を変え、ボールミルで24時時間式混
合し、乾燥後大気中で1000℃で焼成し、各種仮焼粉
末を作成した。次に得られた各種粉末にAt、O,、Z
r2. 、 Cr、O,、各粉末を各種比率で加え、ボ
ールミルで24時時間式混合し、乾燥後プレスバインダ
ーとして得られた粉末に対してPVA(ポリビニルアル
コール)1重量%を加え、2toアL/cAで成形し、
1300℃1時間大気中焼成して表1に示すサンプル1
〜20を作成した。
表 1
この表1より明らめ)な如く、特定量のA220s。
2r0.又はCr、O,の添加により耐摩耗性が向上す
ることかわかる。
ることかわかる。
本発明によれば、その熱膨張率が金属磁性薄膜にほぼ合
致し、しかも摩耗量が小さい、非磁性の薄膜ヘッド用セ
ラミック基板として好適なものを得ることができる。
致し、しかも摩耗量が小さい、非磁性の薄膜ヘッド用セ
ラミック基板として好適なものを得ることができる。
なお、本発明のセラミック材料は前記薄膜ヘッド用とし
て限定されるものではなく、かかる性能が適用しつる他
の磁気ヘッド用非磁性セラミック材料として当然に使用
し得るものである。
て限定されるものではなく、かかる性能が適用しつる他
の磁気ヘッド用非磁性セラミック材料として当然に使用
し得るものである。
特許出願人 ティーディーケイ株式会社代理人 弁理士
山 谷 晧 榮 手続補正書(自発) 昭和60年 1月76日 2、発明の名称 磁気へソド用非磁性セラミック材料3
、?ili正をする有 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都中央区日本橋−丁目13番1号氏 名
(306)ティーディーケ・C株工(会社代表者大成
寛 4、代理人 11゛ 所 東京都1代田区神田淡路町1 ’JL−1
19番8号6、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明
の欄7、補正の内容 別紙の通り 補正の内容 1、明細書第2頁第18行(D rAj!z 03 ・
T iO」をrAI1203 ・Ti CJと補正する
。
山 谷 晧 榮 手続補正書(自発) 昭和60年 1月76日 2、発明の名称 磁気へソド用非磁性セラミック材料3
、?ili正をする有 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都中央区日本橋−丁目13番1号氏 名
(306)ティーディーケ・C株工(会社代表者大成
寛 4、代理人 11゛ 所 東京都1代田区神田淡路町1 ’JL−1
19番8号6、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明
の欄7、補正の内容 別紙の通り 補正の内容 1、明細書第2頁第18行(D rAj!z 03 ・
T iO」をrAI1203 ・Ti CJと補正する
。
以」二
Claims (2)
- (1) Tjo、 20〜60重量%、N!:020〜
60重jt%、CaO又はMvOの少なくとも1種が1
0〜40重量%及びAt、03. ZrO,又はCra
bsの少なくとも1種か2.5〜10重量%よりなるこ
とを特徴とする磁気ヘッド用非磁性セラミック材料。 - (2)熱膨張率が11〜14 X 10−6/℃を有す
ることを特徴とする特許、請求の範囲第(1)項記載の
磁気ヘッド用セラミック材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59059932A JPS60204669A (ja) | 1984-03-28 | 1984-03-28 | 磁気ヘツド用非磁性セラミツク材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59059932A JPS60204669A (ja) | 1984-03-28 | 1984-03-28 | 磁気ヘツド用非磁性セラミツク材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60204669A true JPS60204669A (ja) | 1985-10-16 |
| JPH0459264B2 JPH0459264B2 (ja) | 1992-09-21 |
Family
ID=13127390
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59059932A Granted JPS60204669A (ja) | 1984-03-28 | 1984-03-28 | 磁気ヘツド用非磁性セラミツク材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60204669A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62143857A (ja) * | 1985-12-17 | 1987-06-27 | 株式会社トーキン | 磁気ヘツド用非磁性材料 |
| JPH04141810A (ja) * | 1990-10-01 | 1992-05-15 | Nec Corp | 磁気ヘッド |
-
1984
- 1984-03-28 JP JP59059932A patent/JPS60204669A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62143857A (ja) * | 1985-12-17 | 1987-06-27 | 株式会社トーキン | 磁気ヘツド用非磁性材料 |
| JPH04141810A (ja) * | 1990-10-01 | 1992-05-15 | Nec Corp | 磁気ヘッド |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0459264B2 (ja) | 1992-09-21 |
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