JPS60204844A - 銀合金線の製造方法 - Google Patents
銀合金線の製造方法Info
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- JPS60204844A JPS60204844A JP59059947A JP5994784A JPS60204844A JP S60204844 A JPS60204844 A JP S60204844A JP 59059947 A JP59059947 A JP 59059947A JP 5994784 A JP5994784 A JP 5994784A JP S60204844 A JPS60204844 A JP S60204844A
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- silver alloy
- molten
- crucible
- alloy wire
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/011—Apparatus therefor
- H10W72/0115—Apparatus for manufacturing bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/015—Manufacture or treatment of bond wires
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
Landscapes
- Continuous Casting (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の分野
この発明は、たとえば音響用巻線導体、半導体配線用導
体およびヒユーズ用導体などの銀合金導体やろう材細線
、装飾用銀合金線などの細物銀合金線の製造方法に関す
る。
体およびヒユーズ用導体などの銀合金導体やろう材細線
、装飾用銀合金線などの細物銀合金線の製造方法に関す
る。
先行技術の説明
銀線もしくは銀合金線は音響用巻線導体、半導体素子の
配線用導体、あるいはヒユーズ用導体などの導体とじて
や、ろう材、装飾用線として用いられたりするが、この
ような場合に細線であることをめられることも多い。
配線用導体、あるいはヒユーズ用導体などの導体とじて
や、ろう材、装飾用線として用いられたりするが、この
ような場合に細線であることをめられることも多い。
通常金属細線を製造するには溶解、鋳造、熱間加工、冷
間伸線加工とその間多くの場合、表面切削や皮剥や熱処
理などの工程を経て作製される。
間伸線加工とその間多くの場合、表面切削や皮剥や熱処
理などの工程を経て作製される。
銀や銀合金はきわめて高価なため上述のような多工程で
は工程中の試料ロスが伴ない、加工コストが高くつくと
いった問題に有していた。このように従来の細物導体の
製造方法は、煩雑な工程全経るものであるため製品の歩
留りが低く、かつ、大がかりな設備を必要とすることな
どの他、様々な欠点を有するものであった。
は工程中の試料ロスが伴ない、加工コストが高くつくと
いった問題に有していた。このように従来の細物導体の
製造方法は、煩雑な工程全経るものであるため製品の歩
留りが低く、かつ、大がかりな設備を必要とすることな
どの他、様々な欠点を有するものであった。
他方、鉛などの低融点金属からなる丸線製造方法として
、溶融材料を細いジェット流として液体中シで噴出させ
て丸線を得る方法が知られている。
、溶融材料を細いジェット流として液体中シで噴出させ
て丸線を得る方法が知られている。
しかしながら、溶融銀合金は金属流の安定性に乏しく、
そのため溶融金属から絹物導体を直接製線することは未
だ実現されていなかった。
そのため溶融金属から絹物導体を直接製線することは未
だ実現されていなかった。
発明の目的
それゆえｔζ、この発明の目的は、銀合金溶融物から細
物銀合金線を安価に直接製線し得る方法分提供すること
にある。
物銀合金線を安価に直接製線し得る方法分提供すること
にある。
発明の構成
この発明は、０．００１〜１重１１のＢｅが添加されに
銀合金溶融物を細孔またｔよスリットより噴出させて流
体中にて凝固させることを特徴とする細物銀合金線の製
造方法である。ｒＢｅが添加された銀合金溶融物」を用
いることにより、溶融物の粘性、表面張力および表面酸
化状態、またノズノ１とのぬれ性にも微妙な変化が生じ
、そのｋめ銀合金溶融物のジェット流が安定する。この
発明は、この知見に基づくものである。
銀合金溶融物を細孔またｔよスリットより噴出させて流
体中にて凝固させることを特徴とする細物銀合金線の製
造方法である。ｒＢｅが添加された銀合金溶融物」を用
いることにより、溶融物の粘性、表面張力および表面酸
化状態、またノズノ１とのぬれ性にも微妙な変化が生じ
、そのｋめ銀合金溶融物のジェット流が安定する。この
発明は、この知見に基づくものである。
ｒｏ、ｏｏｘ−１重量係」とした理由は、０．００１重
ｊｌｌ以下では銀合金溶融物が粒子状となりやすく、連
続的かつ均一を線に得ることが不可能だからであり、他
方会重量係以上の濃度では溶融流安定効果が飽和するの
に対してＢｅ含有率の上昇によるコストアンプや特性変
化などが問題となるからである。
ｊｌｌ以下では銀合金溶融物が粒子状となりやすく、連
続的かつ均一を線に得ることが不可能だからであり、他
方会重量係以上の濃度では溶融流安定効果が飽和するの
に対してＢｅ含有率の上昇によるコストアンプや特性変
化などが問題となるからである。
また、用途によりＣｕ、 Ｓｎ、 Ｚｎ、 Ｉｎ、Ａｕ
％Ｂｉ、Ｐなどからなる群から選択される一種以上の元
素が多くとも３０重量係含有された銀合金溶融物が用い
られる。これにより様々な強度および融点の細物銀合金
線を得ることができる。
％Ｂｉ、Ｐなどからなる群から選択される一種以上の元
素が多くとも３０重量係含有された銀合金溶融物が用い
られる。これにより様々な強度および融点の細物銀合金
線を得ることができる。
「細孔またはスリットより噴出させて流体中にて凝固さ
せる」方法については、回転水中紡糸法、流水凝固装置
どの様々な公知の方法が用いられ得る。なお、「流体」
としては、水に限られず様々な流体を使用し得る。
せる」方法については、回転水中紡糸法、流水凝固装置
どの様々な公知の方法が用いられ得る。なお、「流体」
としては、水に限られず様々な流体を使用し得る。
好ましくは、［流体中で凝固させた後、平均減面率５憾
以上の冷間加工］が施されてもよい。断面の均一化、強
度の向上および軟化後の柔軟性の向上が果たし得るから
である。「５係以上」の減面率とした理由は、５壬未満
では冷間加工の効果が不充分だからである。
以上の冷間加工］が施されてもよい。断面の均一化、強
度の向上および軟化後の柔軟性の向上が果たし得るから
である。「５係以上」の減面率とした理由は、５壬未満
では冷間加工の効果が不充分だからである。
この発明のその他の特徴は、図面を参照して行なう以下
の実施例についての説明により一層明らかとなろう。
の実施例についての説明により一層明らかとなろう。
実施例の説明
実施例１
第１図および第２図に正面図および側面図で示す回転水
中紡糸装置の黒鉛るつぼ１内で、０．０２重量係のＢｅ
を含有するＡｇ−ｆ３ｅ合金を溶解した。この溶解は、
黒鉛るつぼｌの周囲に配置されたヒータ２の加熱により
行った。次に、黒鉛るつぼ１の上方からＸ方向にＡｒガ
スを黒鉛るつぼ１内に導入し、その圧力によりＡｇ−Ｂ
ｅ溶融物を回転ドラム３の内周面に形成された厚さ１５
■の回転水中に、黒鉛るつぼｌの底部の丸孔から噴出さ
せた。これにより、断面形状がほぼ円形の直径Ｑ、 ２
ｗｍの銀合金線４が得られた。
中紡糸装置の黒鉛るつぼ１内で、０．０２重量係のＢｅ
を含有するＡｇ−ｆ３ｅ合金を溶解した。この溶解は、
黒鉛るつぼｌの周囲に配置されたヒータ２の加熱により
行った。次に、黒鉛るつぼ１の上方からＸ方向にＡｒガ
スを黒鉛るつぼ１内に導入し、その圧力によりＡｇ−Ｂ
ｅ溶融物を回転ドラム３の内周面に形成された厚さ１５
■の回転水中に、黒鉛るつぼｌの底部の丸孔から噴出さ
せた。これにより、断面形状がほぼ円形の直径Ｑ、 ２
ｗｍの銀合金線４が得られた。
実施例２
実施例１と同一の方法で直径０．１５ ａｍの、Ａｇに
Ｃｕ１０９６、Ｓｎ５％、Ｚｎ１％、Ｉｎ１％、Ａｕ１
ｌ、ＢｅＯ，１％を添加した組成の銀合金線を得た。次
に、トンネル炉内で連続的に焼鈍させた後、直径０．０
３ ｗｓまで伸線した。このとき伸線加工性は良好であ
り、かつ高い生産性を示した。
Ｃｕ１０９６、Ｓｎ５％、Ｚｎ１％、Ｉｎ１％、Ａｕ１
ｌ、ＢｅＯ，１％を添加した組成の銀合金線を得た。次
に、トンネル炉内で連続的に焼鈍させた後、直径０．０
３ ｗｓまで伸線した。このとき伸線加工性は良好であ
り、かつ高い生産性を示した。
実施例３
０．５重量係のＢｅを含有するＡｇ−Ｂｅ合金を、第３
図に正面断面図で示す流水凝固装置により、実施例１と
同様に直径０．２閣の銀合金線に直接凝固させた。なお
、第３図において、１は黒鉛るつぼ、２はヒータを示し
、黒鉛るつぼ１の下方には流水供給用のタンク５が配置
されている。銀合金の凝固は、黒鉛るつぼ１の上方から
矢印Ｘ方向にＡｒガスを導入し、その圧力により黒鉛る
つぼｌの底部から銀合金溶融物を噴出させ、タンク５か
ら流れ落ちる流水中に接触させることにより行った。
図に正面断面図で示す流水凝固装置により、実施例１と
同様に直径０．２閣の銀合金線に直接凝固させた。なお
、第３図において、１は黒鉛るつぼ、２はヒータを示し
、黒鉛るつぼ１の下方には流水供給用のタンク５が配置
されている。銀合金の凝固は、黒鉛るつぼ１の上方から
矢印Ｘ方向にＡｒガスを導入し、その圧力により黒鉛る
つぼｌの底部から銀合金溶融物を噴出させ、タンク５か
ら流れ落ちる流水中に接触させることにより行った。
発明の効果
以上のように、この発明によれば、０．００１〜１重量
係のＢｅが添加された銀合金溶融物を用いることより、
銀合金溶融物のジェット流を安定化することができ、そ
のため銀合金溶融物から細物銀合金線を直接製線するこ
とができる。したがって製造工程を大幅に簡略化するこ
とができ、かつ、中間の熱処理工程をも著しく低減し得
るので、歩留りを飛躍的に向上することができるととも
に、エネルギー消費も極めて少なくし得る。
係のＢｅが添加された銀合金溶融物を用いることより、
銀合金溶融物のジェット流を安定化することができ、そ
のため銀合金溶融物から細物銀合金線を直接製線するこ
とができる。したがって製造工程を大幅に簡略化するこ
とができ、かつ、中間の熱処理工程をも著しく低減し得
るので、歩留りを飛躍的に向上することができるととも
に、エネルギー消費も極めて少なくし得る。
この発明は、音響用巻線導体、半導体配線用導体、ヒユ
ーズ用導体などの各種細物導体に利用することができる
。
ーズ用導体などの各種細物導体に利用することができる
。
第１図および第２図はこの発明を実施するための装置の
一例分示す正面断面図および側面断面図である。第３図
は、この発明を実施するための装置の池の例を示す正面
断面図である。 智１図 官２図
一例分示す正面断面図および側面断面図である。第３図
は、この発明を実施するための装置の池の例を示す正面
断面図である。 智１図 官２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｆｉｌ ０．００１〜１重量憾のＢｅが添加された銀合
金溶融物を細孔またはスリットより噴出させて流体中に
て凝固させることを特徴とする銀合金線の製造方法。 （２）前記銀合金溶融物としてＣｕ、 Ｓｎ、 Ｚｎ、
Ｉｎ、 Ａｕ、Ｂｉ、 Ｐ、などからなる群から選択さ
れる一種以上の元素が多くとも３０重量％含有されてい
るものを用いる、特許請求の範囲第ｆｉ＋項記載の銀合
金線の製造方法。 （３）前記流体中で凝固させる方法が回転体の内側に遠
心力で固定された流体中に銀合金溶融物を細孔またはス
リットより噴出させて凝固させることを特徴とする特許
請求の範囲第（υ項または第（２１項の銀合金線の製造
方法。 （４）前記流体中で凝固させた後、平均減面率５憾以上
の冷間加工を行う、特許請求の範囲第（月ないし第１３
）項記載の銀合金線の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59059947A JPS60204844A (ja) | 1984-03-27 | 1984-03-27 | 銀合金線の製造方法 |
| US06/898,835 US4702302A (en) | 1983-02-23 | 1986-08-20 | Method of making thin alloy wire |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59059947A JPS60204844A (ja) | 1984-03-27 | 1984-03-27 | 銀合金線の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60204844A true JPS60204844A (ja) | 1985-10-16 |
| JPH0530542B2 JPH0530542B2 (ja) | 1993-05-10 |
Family
ID=13127846
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59059947A Granted JPS60204844A (ja) | 1983-02-23 | 1984-03-27 | 銀合金線の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60204844A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5023144A (en) * | 1989-03-24 | 1991-06-11 | Mitsubishi Metal Corporation | Silver alloy foil for interconnector for solar cell |
| EP3029167A4 (en) * | 2014-07-10 | 2017-08-09 | Nippon Steel & Sumikin Materials Co., Ltd. | Bonding wire for semiconductor device |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4867153A (ja) * | 1971-12-17 | 1973-09-13 | ||
| JPS49135820A (ja) * | 1972-11-14 | 1974-12-27 | Allied Chem |
-
1984
- 1984-03-27 JP JP59059947A patent/JPS60204844A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4867153A (ja) * | 1971-12-17 | 1973-09-13 | ||
| JPS49135820A (ja) * | 1972-11-14 | 1974-12-27 | Allied Chem |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5023144A (en) * | 1989-03-24 | 1991-06-11 | Mitsubishi Metal Corporation | Silver alloy foil for interconnector for solar cell |
| EP3029167A4 (en) * | 2014-07-10 | 2017-08-09 | Nippon Steel & Sumikin Materials Co., Ltd. | Bonding wire for semiconductor device |
| US10381320B2 (en) | 2014-07-10 | 2019-08-13 | Nippon Steel Chemical & Material Co., Ltd. | Silver bonding wire for semiconductor device containing indium, gallium, and/or cadmium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0530542B2 (ja) | 1993-05-10 |
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