JPS60204876A - クラスタビ−ム蒸着装置 - Google Patents

クラスタビ−ム蒸着装置

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JPS60204876A
JPS60204876A JP5823084A JP5823084A JPS60204876A JP S60204876 A JPS60204876 A JP S60204876A JP 5823084 A JP5823084 A JP 5823084A JP 5823084 A JP5823084 A JP 5823084A JP S60204876 A JPS60204876 A JP S60204876A
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clusters
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crucible
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Takeoki Miyauchi
宮内 建興
Hiroshi Yamaguchi
博司 山口
Mikio Hongo
幹雄 本郷
Katsuro Mizukoshi
克郎 水越
Akira Shimase
朗 嶋瀬
Ryohei Sato
了平 佐藤
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/221Ion beam deposition

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  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は基板等をクラスタビームを用いて真空蒸着する
クラスタビーム蒸着装置に係り、特に、良質の蒸着膜を
形成するに好適なりラスタビーム蒸着装置に関する。
〔発明の背景〕
第1図に示す如く、従来のクラスタビーム蒸着装置は、
真空容器2内に被蒸着物である基板5と蒸着物質s全収
納する坩堝4を配設し、両者間に高電圧21ヲ印加し、
坩堝4がら発生したクラスタ9を加速し、このクラスタ
9をイオン化手段であるイオン化電子引き出しグリッド
10等からの電子シャワーによりイオン化し、これを基
板5に付着せしめて蒸着を行うものが採用されている。
この場合、坩堝4まわりに生じた不純物ガスが基板5に
も作用し、これを汚染し品質を劣化させる欠点があった
真空容器2には排気パイプ1が接続され、排気パイプ1
は図示しない真空ポンプに連結し、真空容器2内を減圧
する。真空容器2内fこは、上記の如く、坩堝4と基板
5とが配設される。
坩堝4内には蒸着物質6が収納され、坩堝4の外側には
加熱手段である電子ビーム照射部7が設けられている。
又、基板5には加熱手段である基板ホルダ6が接触して
いる。基板5と坩堝4間には高電圧21が印加されてい
る。又、基板5と坩堝4間には電子引き出しグリッド1
oとイオン化用電子放出フィラメント11等とから形成
される上記イオン化手段と、加速電極15とが介設され
る。
電子ビーム照射部7により加熱された蒸着物質5は、溶
融蒸発し、坩堝4に形成されるノズル8から噴出する。
坩堝4内は蒸気圧により高圧に昇圧されるが、真空容器
2内は上記の如く減圧されているため、蒸着物質5は上
記の如く噴出すると共に断熱膨張し、過冷却状態となり
数十ないし数十個の原子のゆるい結合からなる塊状原子
集団すなわちクラスタ9を形成する。
このクラスタ9は高電圧21と加速電極16により、基
板5側に向って飛んで行く。途中のイオン化領域部12
で、クラスタ9には上記イオン化手段からの電子シャワ
ーが当接し、クラスタ9の一部はイオン化される。イオ
ン化されたクラスタ9は加速電極15と高電圧21によ
り加速され高いエネルギ(原子当り数ないし数1oeV
)で基板5の方向に向って進むが、イオン化されない残
りのクラスタ9は低いエネルギ(原子当り0.1ないし
1eV)で基板5の方向に進む。従って、基板5にはこ
の両方のクラスタ9が付着する。
高いエネルギで基板5の表面にクラスタ9が付着すると
、マイグレーションを起して優れた品質の蒸着膜が得ら
れるが、低エネルギの場合には低品質のものが形成され
る。
又、坩堝4のまわりからはその加熱により不純物ガスが
発生し、真空容器2内の真空度を低下させる。更に、上
記の如く、坩堝4と基板5とは同一の真空容器2内に配
設されているため上記の不純物ガスは基板5にも付着し
、これを汚染し、蒸着品質を低下させていた。
〔発明の目的〕
本発明は、上記欠点等を解決すべく創案されたものであ
り、その目的は、被蒸着物の品質を向上せしめると共に
、装置の寿命を向上せしめるクラスタビーム蒸着装置を
提供することにある0 〔発明の概要〕 本発明は、上記目的を達成するために、被蒸着物および
蒸着物質が収納がされる坩堝が配設される真空容器を、
小穴を貫通形成する隔離板で仕切り、上記被蒸着物と坩
堝間を隔離すると共に、上記隔離板と上記坩堝から噴出
したクラスタをイオン化するイオン化手段との間に、上
記イオン化されたクラスタを上記小穴に向けて集中せし
める集束レンズを設けたクラスタビーム蒸着装置と、該
クラスタビーム蒸着装置の上記被蒸着物が配設される空
間室内に該被蒸着物の蒸着膜を向上させる蒸着膜向上手
段を更に設けたクラスタビーム蒸着装置と′1に%徴と
したものである。
〔発明の実施例〕
以下、本発明の実施例を図面に基づき説明する0 まず、本実施例の概要を説明する。
第2図において第1図と同一符号のものは同−物又は同
一機能の物を示す。
図に示す如く、小穴14全形成する隔離板15により基
板5と坩堝4とは仕切られ、空間室である基板室17と
ソース室16が形成される。又、隔離板15と上記イオ
ン化手段を構成するイオン化電子引き出しグリッド10
間には上記集束レンズである静電レンズ22が設けられ
ている。又、基板5を囲む空間室(上記の基板室17)
内には後に説明するが、蒸着膜向上手段である真空手段
18の排気パイプ18a、冷却媒体を流通させる冷却配
管19および反応ガス導入管20等が係合している。
クラスタ9の内、イオン化されたクラスタ9は静電レン
ズ22により小穴14に集束され、このイオン化された
クラスタ9のみが基板室17側に導入され、基板5に付
着する。これにより良質の蒸着が形成される。又、上記
蒸着膜向上手段により、更に良質の蒸着が得られる。
次に、本実施例を更に詳しく説明する。
上記の如く、隔離板15は真空容器2を仕切って配設さ
れ、真空容器2内を基板室17とソース室16に区分す
る。基板室17には基板5および基板ホルダ6が収納さ
れ、ソース室16内には坩堝4、イオン化電子引き出し
グリッド10.イオン化用電子放出フィラメント11が
収納される。
隔離板15にはレンズのスポット点と[の大きさのピン
ホール状の小穴14が貫通形成される。
静電レンズ22は、上記の如く隔離板15とイオン化電
子引き出しグリッド10間に介設され、イオン化された
クラスタ9(イオン化クラスタ9と称呼する)ft小穴
14に集束するように形成される。
次に、本実施例の作用を説明する。
第1図で説明した如く、坩堝4を噴出したクラスタ9は
イオン化領域部12でその1部がイオン化し、上記のイ
オン化クラスタ9とイオン化されないクラスタ9(中性
クラスタ9と称呼する)とが共存する。イオン化クラス
タ9と中性クラスタ9は共に静電レンズ22に向かって
進むが、イオン化クラスタ9は静電レンズ22により集
束され、微小さなスポットとなる。一方、中性クラスタ
9は集束されずその′1ま直進する。
上記の如く、隔離板15の小穴14は静電レンズ22の
集束点と一致する位置に形成されているためイオン化ク
ラスタ9は小穴14ヲ通過し基板室17内に導入される
。一方、中性クラスタ9は隔離板15に邪魔されて基板
室17内に進入しない。以上により、基板5にはイオン
化クラスタ9のみが付着する。イオン化クラスタ9は上
記の如く高エネルギで基板5に付着するため優れた蒸着
膜が形成される。
一方、隔離板15により坩堝4まわりに生じた不純物ガ
スの基板室17内への進入が防止され、これによっても
良質の蒸着膜が形成される。
又、第2図に示す如く、基板室17には蒸着膜向上手段
の1つである真空手段18が係合している。真空手段1
8は、排気パイプ18aと、排気パイプ18aが連結す
る図示しない真空源とから形成され、基板室17内をよ
り真空にするように作用する。これにより、更に優れた
蒸着膜が形成される。又、基板室17内には、同じく蒸
着膜向上手段の1つである冷却配管19が配設される。
この冷却配管19内には冷却媒体の1つである液体窒素
が流通している。この冷却配管19による冷却作用によ
り基板室17の真空度がより高くなり、優れた蒸着膜が
形成される。
又、別の蒸着膜向上手段として、基板室17内には反応
性ガス導入貢20が配設される。この反応性ガス導入管
20は、図示しない反応性ガス生成装置からのガスを基
板5に係合せしめ、蒸着反応を活発化せしめるものであ
る。これによりより優れた蒸着度が得られる。又、隔離
板15によりこの反応性ガスはソース室16側には進入
しない。従って、ソース室16側にある各部材の反応性
ガスによる劣化が防止され、装置の寿命を向上せしめる
効果が上げられる。
上記実施例において、集束レンズとして靜′亀レンズを
用いたがこれに限定するものでない。
又、蒸*i向上手段も上記に限定しない。
〔発明の効果〕
以上の説明によって明らかの如く、本発明によれば被蒸
着物の品質を向上し得ると共に、装置の寿命を向上する
効果が上げられる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来技術におけるクラスタビーム蒸着装置の断
面図、第2図は本発明一実施例の断面図である。 1・・・排気パイプ 2・・・真空容器5・・・蒸着物
質 4・・・坩堝 5・・・基板 6・・・基板ホルダ 7・・・電子ビーム照射部 8・・・ノズル 9・・・クラスタ 10・・・イオン化電子引き出しグリッド11・・・イ
オン化用電子放出フィラメント12・・・イオン化領域
部 15・・・加速電極14・・・小穴 15・・・隔
離板

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、 加熱手段によりそれぞれ加熱される被蒸着物と蒸
    着物質を収納する坩堝とを真空容器内に配設し、両者間
    に高電圧を印加してクラスタを発生、加速せしめると共
    に、上記被蒸着物と坩堝間に介設されるイオン化手段に
    より上記クラスタをイオン化し、イオン化したクラスタ
    を上記被蒸着物に付着せしめて蒸着するクラスタビーム
    蒸着装置において、上記被蒸着物とイオン化手段間に、
    上記真空容器を仕切る隔離板を設け、該隔離板に小穴を
    貫通形成すると共に、該隔離板と上記イオン化手段間に
    、上記イオン化されたクラスタを上記小穴に向けて集束
    させる集束レンズを設けたことを特徴とするクラスタビ
    ーム蒸着装置。 2 加熱手段によりそれぞれ加熱される被蒸着物と蒸着
    物質を収納する坩堝とを真空容器内に配設し、両者間に
    高電圧を印加してクラスタを発生、加速せしめると共に
    、上記被蒸着物と坩堝間に介設されるイオン化手段によ
    り上記クラスタをイオン化し、イオン化したクラスタ全
    上記被蒸着物に付着せしめて蒸着するクラスタビーム蒸
    着装置において、上記被蒸着物とイオン化手段間に、上
    記真空容器を仕切る隔離板を設け、該隔離板に小穴を貫
    通形成すると共に、該隔離板と上記イオン化手段間に、
    上記イオン化されたクラスタを上記小穴に向けて集束さ
    せる集束レンズを設け、かつ上記被蒸着物が配設され、
    上記隔離板で仕切られた空間室に、上記被蒸着物の蒸着
    度を向上せしめる蒸着度向上手段を係合せしめたことを
    特徴とするクラスタビーム蒸着装置。 6、 上記蒸着度向上手段が、上記被蒸着物を囲む上記
    空間室内に連通し、該空間基金真空にする真空手段であ
    ること全特徴とする特許請求の範囲第2項に記載のクラ
    スタビーム蒸着装置。 4、 上記蒸着度向上手段が、上記空間室内に配設され
    、内部に冷却媒体を流通させる冷却配管であることを特
    徴とする特許請求の範囲第2項に記載のクラスタビーム
    蒸着装置。 5、 上記蒸着変向上手段が、上記空間室内に配設され
    、上記被蒸着物に反応用ガス金係合せしめる反応ガス導
    入管であることを特徴とする特許請求の範囲第2項に記
    載のクラスタビーム蒸着装置。
JP5823084A 1983-11-07 1984-03-28 クラスタビ−ム蒸着装置 Granted JPS60204876A (ja)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5823084A JPS60204876A (ja) 1984-03-28 1984-03-28 クラスタビ−ム蒸着装置
KR1019840006920A KR890002747B1 (ko) 1983-11-07 1984-11-05 이온 빔에 의한 성막방법 및 그 장치
DE8484113348T DE3485563D1 (de) 1983-11-07 1984-11-06 Vorrichtung zur herstellung eines filmes mittels ionenstrahl.
EP84113348A EP0141417B1 (en) 1983-11-07 1984-11-06 Apparatus for forming film by ion beam
US06/668,843 US4687939A (en) 1983-11-07 1984-11-06 Method and apparatus for forming film by ion beam

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JPS60204876A true JPS60204876A (ja) 1985-10-16
JPH0536504B2 JPH0536504B2 (ja) 1993-05-31

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