JPS60204879A - 気相反応を利用した被膜形成方法 - Google Patents
気相反応を利用した被膜形成方法Info
- Publication number
- JPS60204879A JPS60204879A JP6138284A JP6138284A JPS60204879A JP S60204879 A JPS60204879 A JP S60204879A JP 6138284 A JP6138284 A JP 6138284A JP 6138284 A JP6138284 A JP 6138284A JP S60204879 A JPS60204879 A JP S60204879A
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- JP
- Japan
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- cover
- film
- phase reaction
- formation
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- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C16/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は気相反応法を利用した被膜形成方法、特に局
所被覆に関する。
所被覆に関する。
従来、気相反応を利用した被膜形成の装置としては第１
図に関するものがあった。図において、■は原料ガス、
（２）は反応炉、（３）は排ガス処理装置である。又第
２図は（２１の反応炉内部を詳しく示した断面図である
。図において（４１はヒータ、１５）は被加工物、１６
；は原料ガス導入パイプ、（７１は棚、＋８）は排ガス
パイプである。
図に関するものがあった。図において、■は原料ガス、
（２）は反応炉、（３）は排ガス処理装置である。又第
２図は（２１の反応炉内部を詳しく示した断面図である
。図において（４１はヒータ、１５）は被加工物、１６
；は原料ガス導入パイプ、（７１は棚、＋８）は排ガス
パイプである。
次に従来の気相反応を利用した被膜形成方法を第２図（
二基づいて説明する。ヒータ（４１により反応炉（２１
内部が被膜形成温度に到達するまでは、原料ガスのうち
、被加工物１５）の酸化防止の為のＨ２ガス等が原料ガ
ス導入パイプ（６）から反応炉（２１内に流される。次
に反応炉（２；内部が被膜形成温度に達すると全ての原
料ガスが反応炉内に導入され原料ガスは化学反応をおこ
し、被加工物表面に被膜が形成される。反応炉（２）中
で被加工物（５１は単に棚（７）の上に置かれる、或は
吊される等のセツティングがなされている。未反応のガ
スおよび反応副産物から成る排ガスは排ガスパイプ（８
）を経由し、排ガス処理装置によって処理された後放空
される。この後反応炉（２１の温度が室温付近まで冷却
されるのを待って被加工物（５１が取り出される。
二基づいて説明する。ヒータ（４１により反応炉（２１
内部が被膜形成温度に到達するまでは、原料ガスのうち
、被加工物１５）の酸化防止の為のＨ２ガス等が原料ガ
ス導入パイプ（６）から反応炉（２１内に流される。次
に反応炉（２；内部が被膜形成温度に達すると全ての原
料ガスが反応炉内に導入され原料ガスは化学反応をおこ
し、被加工物表面に被膜が形成される。反応炉（２）中
で被加工物（５１は単に棚（７）の上に置かれる、或は
吊される等のセツティングがなされている。未反応のガ
スおよび反応副産物から成る排ガスは排ガスパイプ（８
）を経由し、排ガス処理装置によって処理された後放空
される。この後反応炉（２１の温度が室温付近まで冷却
されるのを待って被加工物（５１が取り出される。
従来の気相反応を利用した被膜形成は以上のような方法
で処理されているので、被加工物全体が被覆されてしま
い、局所的に被覆されない部分を作る為に被膜形成処理
後、例えばラッピングで被膜を落す等の後加工が必要と
なり時間もかかり、またその為処理コストが高くなるな
どの欠点があった。
で処理されているので、被加工物全体が被覆されてしま
い、局所的に被覆されない部分を作る為に被膜形成処理
後、例えばラッピングで被膜を落す等の後加工が必要と
なり時間もかかり、またその為処理コストが高くなるな
どの欠点があった。
この発明は上記のような従来の方法の欠点を除去するた
めになされたもので、気相反応を利用して被加工物表面
に被膜を形成させる方法において、被加工物には非被膜
部分を覆うカバーを用い、そのカバーの材質は、被加工
物の熱膨張係数とカバーの熱膨張係数との差によって被
膜形成時に被加工物とカバー人口との間隙が閉じるよう
なものを用いることにより、局所被覆を後加工無しで短
時間、低コストで行なうことを目的としている。
めになされたもので、気相反応を利用して被加工物表面
に被膜を形成させる方法において、被加工物には非被膜
部分を覆うカバーを用い、そのカバーの材質は、被加工
物の熱膨張係数とカバーの熱膨張係数との差によって被
膜形成時に被加工物とカバー人口との間隙が閉じるよう
なものを用いることにより、局所被覆を後加工無しで短
時間、低コストで行なうことを目的としている。
〔発明の実施例〕
第３図にこの発明の一実施例にかかわる被加工物とカバ
ーを中心的に表わす部分断面図を示す。
ーを中心的に表わす部分断面図を示す。
図において、円柱形状をした被加工物（５１の斜線部分
のみに被膜を形成する場合につき考える。（９１は局所
被覆を行なうためのカバーで、ここではインバー合金に
より形成されており、被加工品の外径よりわずかに大き
な内径を持っている。
のみに被膜を形成する場合につき考える。（９１は局所
被覆を行なうためのカバーで、ここではインバー合金に
より形成されており、被加工品の外径よりわずかに大き
な内径を持っている。
以下、被膜形成処理手順に従って説明する。室温で棚（
７）の上にセットされた時点では、被加工物１５１とカ
バー（９）の間には、わずかな間隙がある。ヒータによ
り炉内は加熱されるが反応温度（＝達するまではＨ２ガ
スのみが流されている。この時円柱形状の被加工切（５
）は温度上昇に伴なって軸に対して等末的に熱膨張する
がインバー合金製のカバー＋９１は熱膨張せず内径は変
化しない。被加工物（５１の膨張量は熱膨張係数を用い
てあらかじめ計算によってめることができる。この膨張
量の分だけ内径が大きなカバー（９１を用いることによ
り第４図に示すように被膜形成温度において被加工物（
５）のうち露出部分以外は反応ガス雰囲気から遮断する
ことが出来る。この状態で反応ガスが流され被膜が形成
された後反応炉の温度が下げられる。温度が下がり被加
工物（５１を取り出す際には、第３図に示すように被加
工物＋５１の寸法は元の大きさに戻り容易にカバー（９
１から取りはずすことが出来る。
７）の上にセットされた時点では、被加工物１５１とカ
バー（９）の間には、わずかな間隙がある。ヒータによ
り炉内は加熱されるが反応温度（＝達するまではＨ２ガ
スのみが流されている。この時円柱形状の被加工切（５
）は温度上昇に伴なって軸に対して等末的に熱膨張する
がインバー合金製のカバー＋９１は熱膨張せず内径は変
化しない。被加工物（５１の膨張量は熱膨張係数を用い
てあらかじめ計算によってめることができる。この膨張
量の分だけ内径が大きなカバー（９１を用いることによ
り第４図に示すように被膜形成温度において被加工物（
５）のうち露出部分以外は反応ガス雰囲気から遮断する
ことが出来る。この状態で反応ガスが流され被膜が形成
された後反応炉の温度が下げられる。温度が下がり被加
工物（５１を取り出す際には、第３図に示すように被加
工物＋５１の寸法は元の大きさに戻り容易にカバー（９
１から取りはずすことが出来る。
なお上記実施例では、カバーをインバー合金で形成しカ
バーは熱膨張せず、被加工品のみ熱膨張するものとした
が、この他、カバーを熱膨張する材質で形成し、結果的
に被加工品とカバーの熱膨張係数の差により被膜形成時
に被加工物とカバー人口が閉じるような組み合わせでも
良い。なお、カバーが被加工物に接する部分は被覆され
ない為、このカバーは繰返し使用可能である。
バーは熱膨張せず、被加工品のみ熱膨張するものとした
が、この他、カバーを熱膨張する材質で形成し、結果的
に被加工品とカバーの熱膨張係数の差により被膜形成時
に被加工物とカバー人口が閉じるような組み合わせでも
良い。なお、カバーが被加工物に接する部分は被覆され
ない為、このカバーは繰返し使用可能である。
以上のように、この発明によれば気相反応を利用して被
加工物表面に被膜を形成させる方法において、上記被加
工物には非被膜部分を覆うカバーを用い、そのカバーの
材質として上記被加工物と上記カバーとの熱膨張係数の
差によって、被膜形成時に上記被加工物と上記カバー人
口との間隙が閉じるようなものを用いたので、後加工が
省略でき、短時間で安価な局所被覆が可能となるという
効果がある。
加工物表面に被膜を形成させる方法において、上記被加
工物には非被膜部分を覆うカバーを用い、そのカバーの
材質として上記被加工物と上記カバーとの熱膨張係数の
差によって、被膜形成時に上記被加工物と上記カバー人
口との間隙が閉じるようなものを用いたので、後加工が
省略でき、短時間で安価な局所被覆が可能となるという
効果がある。
第１図は従来の気相反応を利用した被膜形成装置の構成
図、第２図は従来の気相反応を利用した被膜形成装置の
反応炉を示す部分断面図、第３図はこの発明の一実施例
にかかわる被加工物とカバーを中心的に表わす室温での
炉内拡大断面図、第４図はこの発明の一実施例にかかわ
る被加工物とカバーを中心的Ｃ表わす被膜形成温度での
炉内拡大断面図である。 １１１・・・原料ガス、（２１・・・反応炉、（３１・
・・排ガス処理装ｆｉｌ！、１４１・・・ヒータ、（５
１・・・被加工物、（９１・・・カバーなお、図中同一
符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 大岩増雄 第１図 第２図 第３図 第４図
図、第２図は従来の気相反応を利用した被膜形成装置の
反応炉を示す部分断面図、第３図はこの発明の一実施例
にかかわる被加工物とカバーを中心的に表わす室温での
炉内拡大断面図、第４図はこの発明の一実施例にかかわ
る被加工物とカバーを中心的Ｃ表わす被膜形成温度での
炉内拡大断面図である。 １１１・・・原料ガス、（２１・・・反応炉、（３１・
・・排ガス処理装ｆｉｌ！、１４１・・・ヒータ、（５
１・・・被加工物、（９１・・・カバーなお、図中同一
符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 大岩増雄 第１図 第２図 第３図 第４図
Claims (1)
- 気相反応を利用して被加工物表面に被膜を形成させる方
法において、上記被加工物には非被膜部分を覆うカバー
を用い、そのカバーの材質は上記被加工物の熱膨張係数
と上記カバーの熱膨張係数の差によって被膜形成時に上
記被加工物と上記カバー人口との間隙が閉じるようなも
のを用いることを特徴とする気相反応を利用した被膜形
成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6138284A JPS60204879A (ja) | 1984-03-27 | 1984-03-27 | 気相反応を利用した被膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6138284A JPS60204879A (ja) | 1984-03-27 | 1984-03-27 | 気相反応を利用した被膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60204879A true JPS60204879A (ja) | 1985-10-16 |
Family
ID=13169565
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6138284A Pending JPS60204879A (ja) | 1984-03-27 | 1984-03-27 | 気相反応を利用した被膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60204879A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6579567B1 (en) * | 1999-08-11 | 2003-06-17 | Nripendra N. Das | Process for selectively masking turbine components during vapor phase diffusion coating |
| EP1388592B1 (de) * | 2002-07-31 | 2010-08-25 | Hilmar Bode | Verfahren und Vorrichtung zur Isolierung eines Oberflächenbereichs eines Werkstücks |
-
1984
- 1984-03-27 JP JP6138284A patent/JPS60204879A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6579567B1 (en) * | 1999-08-11 | 2003-06-17 | Nripendra N. Das | Process for selectively masking turbine components during vapor phase diffusion coating |
| US6821564B2 (en) | 1999-08-11 | 2004-11-23 | General Electric Company | Process for masking turbine components during vapor phase diffusion coating |
| EP1388592B1 (de) * | 2002-07-31 | 2010-08-25 | Hilmar Bode | Verfahren und Vorrichtung zur Isolierung eines Oberflächenbereichs eines Werkstücks |
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