JPS60206084A - セラミツク基板の選択メツキ方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （ａｌ　発明の技術分野 本発明はセラミンク基板に所定のパターンで形成された
メタライズ層を選択的に無電解金属メンキする方法の改
良に関する。

（ｂｌ　従来技術と問題点 電子管等の電子部品を形成する際には、セラミンク基板
に選択的に所定のパターンでメタライズ層を形成したス
テム等の部品が用いられている。

このようなステムに付いて第１図の平面図を用いながら
説明する。

図示するようにこのようなステムｌは、円板状のセラミ
ンク基板２の所定の箇所に貫通孔３が設けられ、その貫
通孔３の内壁面に選択的にモリブデン（Ｍｏ）−マンガ
ン（Ｍｎ）とセラミックが反応して形成されたメタライ
ズ層４が設けられた形を　−とっており、このステム１
の貫通孔３に電子管の金属電極（図示せず）を挿通し、
この金属電極とメタライズ層４とを、金ろう等の金属ろ
うを用いて、ろう接法によって封止して組み立てる方法
が取られている。

このように所定のパターンに選択的にメタライズ層が形
成されたステムのような電子管の組立部品を形成するに
は、円板状のセラミンク基板上にマスクを用いながらＭ
ｏとＭｎとを所定量樹脂に熔解させた金属ペーストを塗
布し、その後このセラミック基板を、純水の甲を通過さ
せた水素ガス雰囲気内で１４００℃の温度で所定時間加
熱して、金属ペーストをセラミック基板に焼結させて所
定のパターンのメタライズ層を形成する。

次いでこのメタライズ層が形成されているセラミック基
板をバラジュウム（Ｐｄ）を熔解した活性化溶液に浸漬
し、メタライズ層が形成されている部分に後のメッキ工
程でメッキされる金属膜の結晶核となるようなＰｄを付
着させ、このメタライズ層が他のセラミック基板の領域
よりも、後のメッキ工程に於いて、より選択的にメッキ
されやすくする、いわゆる活性化処理を施す。

次いでこのように活性化処理を施されたセラミック基板
を硼素（Ｂ）を還元剤として添加した市販のニッケル無
電解メッキ液中に浸漬し、活性化処理されたメタライズ
層の部分に選択的にニッケルメッキを施し、このニッケ
ルメッキを施すことで、後の工程でメタライズ層にろう
接作業を行う際に、ろう接が確実に行われるようにして
いた。

ところで従来のこのような方法においては、メタライズ
層を形成する際に、後のろう接工程でろう接されるべき
メタライズ層の部分が、ろう接によって１５０Ｋｇ　／
ｃｒＡの応力が働いても、ろう接した箇所が歪まないよ
うにするため、前述したようにセラミック基板にメタラ
イズ層を形成する時には、水分を含有したウェット状の
水素ガス雰囲気内で熱処理し、マンガンアルミニュウム
スピネル（Ｍｎ〜２０４）のようなセラミックとメタラ
イズすべき金属との中間生成物層を、セラミック基板の
表面にのみ焼結形成するだけでなく、基板の内部に深く
焼結形成する必要がある。

然し、このように水分を含有した水素ガス雰囲気で、ペ
ースト状の金属パターンが塗布されたセラミック基板を
熱処理すると、この形成されるメタライズ層の部分が酸
化され、その結果メタライズ層が形成されたセラミック
基板の活性化処理を長時間行う必要が生じ、そのためメ
タライズ層のみでなく、メタライズ層が形成されていな
いセラミック基板の部分まで活性化処理され、そのため
選択的にメタライズ層にニッケルメッキができないとい
った問題点を生じる。またこのように長時ぽ活性化処理
を施されたセラミンク基板を、ニッケル無電解メッキ液
に浸漬すると、メタライズ層の表面に付着しているＰｄ
がメッキ液内に入り込み、メッキ液の寿命が短くなる問
題点が生じる。

（Ｃ１発明の目的 本発明は上記した問題点を除去し、水分を含有した水素
ガス雰囲気内でメタライズ層を形成したセラミック基板
を還元性雰囲気で熱処理し、もってメタライズ層の表面
に形成されているメタライズ層を形成する金属の酸化物
膜を除去し、メタライズ層の活性化処理に要する時間を
短縮させ、金属メッキを施すべきメタライズ層の部分と
メタライズ層を除く他のセラミック基板との間に於いて
、ノブキ層が析出する析出マージンが大きく取れるよう
にした新規なセラミック基板のメッキ方法の提供を目的
とするものである。

（ｄ）　発明の構成 かかる目的を達成するための本発明のセラミック基板の
メッキ方法は、メタライズ層が所定のパターンに形成さ
れているセラミック基板に、前記メタライズ層が選択的
に金属メッキできるような活性化処理を施し、該活性化
処理を施したセラミック基板をメッキ液に浸漬させて、
前記セラミック基板のメタライズ層を選択的に金属メッ
キする方法に於いて、前記活性化処理を施す以前のセラ
ミック基板を、あらかじめ還元性ガス雰囲気内で加熱処
理することを特徴とする ｌｅ）　発明の実施例 以下図面を用いながら本発明の一実施例につき詳細に説
明する。

第２図より第５図までは、本発明のセラミック基板の選
択メッキ方法を説明するための説明図である。前記した
第１図に示すようにステムｌを形成すべきセラミック基
板２にマスク等を用いてＭ。

とＭｎを所定量混合してこれを熔解した樹脂よりなる金
属ペーストを、形成すべきメタライズ層のパターンに対
応して、所定のパターンとなるように塗布する。ついで
第２図に示すようにこの金属ペーストを塗布したセラミ
ック基板２を、Ｍｏ製の設置治具１１に設置した状態で
反応管１２内に挿入し、脱イオン水１３の中を通過させ
た水素ガスを、ガス供給管１４より反応管１２内に導入
しながら、加熱炉１５の温度を１４００°Ｃに設定して
、セラミック基板２を２０分間加熱して、セラミック基
板２に金属パターンを焼結させて所定パターンのメタラ
イズ層を形成する。

次いで第３図に示すようにこのようにして形成した七ラ
ミック基板２を治具１１に設置した状態で反応管１２内
に挿入し、ガス供給管１４より露点が、−６０℃の水素
ガスを反応管１２内に導入し、加熱炉１５の温度を８０
０℃に設定して５分間加熱処理する。

この水分を含有しない乾燥した水素ガスを用いて、メタ
ライズ層を形成したセラミック基板を、再加熱処理する
点が従来の方法と異なる点で、この処理によってメタラ
イズ層を形成する工程で、水分を含んだ水素ガスにより
メタライズ層の上に形成された、メタライズ層形成用の
金属の酸化物膜が還元されて除去でき、次の活性化処理
の工程でメッキされるべきメタライズ層の上がメタライ
ズ層以外の他のセラミック基板の上よりメッキ層が析出
しやすくなる析出マージンが大きくとれる。

次いで第４図に示すように、前記処理したセラミック基
板２を、Ｐｄを含有した活性化溶液２１の中に浸漬した
後水洗する。このようにすれば、メタライズ層を形成し
た部分が還元処理されているのでＰｄが被着しやすく、
そのため前記した析出マージンが大きくとれる。

次いで第５図に示すように、このように活性化処理した
セラミンク基板２を治具２２に設置した状態で、Ｂを還
元剤として添加したＮｉ無電解メッキ液２３に３０分間
浸漬して、Ｎｉメッキをセラミック基板２のメタライズ
層の部分に施す。

（ｆ）　発明の効果 以上述べたような本発明のセラミック基板の選択メッキ
方法によれば、Ｎｉメッキを施すべきメタライズ層の部
分と、Ｎｉメッキを必要としない他のセラミック基板の
部分との間で、Ｎｉメッキの析出マージンが大きく取れ
るので、Ｎｉメッキを必要とするメタライズ層の部分の
み、選択的にＮｉメッキができる効果がある。また活性
化処理に要する時間が短くて済むので、活性化処理によ
りメタライズ層の上に付着するＰｄの量が少なくなり、
そのためこのＰｄによってＮｉメッキ液の寿命が短くな
るのが避けられる。また活性化処理がメタライズ層の上
に均等に行われるので、各所定パターンのメタライズ層
の上に均一な厚さでＮｉメッキを行うことができる。ま
た本発明の方法は、ステムより更に微細な独立したメタ
ライズ層のパターンを有するシールコネクタ等を形成す
る時に更に効果を発揮する。

【図面の簡単な説明】

第１図はステムの平面図、第２図より第５図までは本発
明の方法の工程を説明するための説明図である。 図に於いて１はステム、２はセラミック基板、３は貫通
孔、４はメタライズ層、１１．２２は治具、１２は反応
管、１３は純水、１４はガス供給管、１５は加熱炉、２
１は活性化溶液、２３はＮｉメッキ液を示す。 第１図 第２１！１ ５ 第３図 ５

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. メタライズ層が所定のパターンに形成されているセラミ
   ック基板に、前記メタライズ層が選択的に金属メッキで
   きるような活性化処理を施し、該活性化処理を施したセ
   ラミック基板をメッキ液に浸漬させて、前記セラミンク
   基板のメタライズ層を選択的に金属メッキする方法に於
   いて、前記活性化処理を施す以前のセラミック基板を、
   あらかじめ還元性ガス雰囲気内で加熱処理することを特
   徴とするセラミック基板の選択メッキ方法。