JPS60206147A - 集積回路の動作試験方法 - Google Patents
集積回路の動作試験方法Info
- Publication number
- JPS60206147A JPS60206147A JP59062703A JP6270384A JPS60206147A JP S60206147 A JPS60206147 A JP S60206147A JP 59062703 A JP59062703 A JP 59062703A JP 6270384 A JP6270384 A JP 6270384A JP S60206147 A JPS60206147 A JP S60206147A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- integrated circuit
- potential
- light
- langmuir
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P74/00—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、集積回路の試験方法に係わり、特に動作状態
にある集積回路の表面金属配線層の電位を測定する集積
回路の動作試験方法に関する。
にある集積回路の表面金属配線層の電位を測定する集積
回路の動作試験方法に関する。
従来、集積回路の動作テスタとしては金電極を実際に集
積回路の所定の部位に接触することによりその電位を測
定するメカニカルプローブが知られているが、このテス
タは電極の大きさ等のメカニカルな機構による測定限界
が大きく且つプローブ容量が大きいため、分解能が低い
という欠点があった。このようなメカニカルプローブの
持つ欠点を克服するために、近年電子ビームを利用した
電子ビームテスタが考案されている。これは、動作時に
おける集積回路の任意の部所に電子ビームを照射し、上
記部所から放出される２次電子の運動がその部所の電位
により変化することを利用したもので、高分解能の非メ
カニカルな集積回路動作テスタと言える。この電子ビー
ムテスタにおいては非接触測定法を用いているのでプロ
ーブ容量が小さく、集積回路の低容量域でも測定が可能
となる。
積回路の所定の部位に接触することによりその電位を測
定するメカニカルプローブが知られているが、このテス
タは電極の大きさ等のメカニカルな機構による測定限界
が大きく且つプローブ容量が大きいため、分解能が低い
という欠点があった。このようなメカニカルプローブの
持つ欠点を克服するために、近年電子ビームを利用した
電子ビームテスタが考案されている。これは、動作時に
おける集積回路の任意の部所に電子ビームを照射し、上
記部所から放出される２次電子の運動がその部所の電位
により変化することを利用したもので、高分解能の非メ
カニカルな集積回路動作テスタと言える。この電子ビー
ムテスタにおいては非接触測定法を用いているのでプロ
ーブ容量が小さく、集積回路の低容量域でも測定が可能
となる。
しかしながら、この種の電子ビームテスタにあっても、
分解能を上げるために電子ビームの加速電圧を上げると
測定試料である集積回路の部位を放射線損傷により欠く
虞れがあり、また電子ビーム照射部位に打ち込まれる１
次電子により測定部位がチャージアップされることによ
り動作状態に変化を与えてしまうという欠点が存在する
。電子ビームテスタのこのような短所は、今後の集積回
路製作プロセス技術の進展により実現されるサブミクロ
ンデバイスからなる超高密度集積回路に対してより大き
な難点となる。即ち、サブミクロン級のデバイスや配線
に１次電子ビームを照射した場合、放射線損傷やチャー
ジアップが容易に発生し、集積回路の正常な動作状態に
おけるテストが難しくなるわけである。
分解能を上げるために電子ビームの加速電圧を上げると
測定試料である集積回路の部位を放射線損傷により欠く
虞れがあり、また電子ビーム照射部位に打ち込まれる１
次電子により測定部位がチャージアップされることによ
り動作状態に変化を与えてしまうという欠点が存在する
。電子ビームテスタのこのような短所は、今後の集積回
路製作プロセス技術の進展により実現されるサブミクロ
ンデバイスからなる超高密度集積回路に対してより大き
な難点となる。即ち、サブミクロン級のデバイスや配線
に１次電子ビームを照射した場合、放射線損傷やチャー
ジアップが容易に発生し、集積回路の正常な動作状態に
おけるテストが難しくなるわけである。
また、従来の電子ビームテスタにあっては、集積回路表
面に照射された１次電子により照射部位から発生する２
次電子が照射部位の電位の電気力によりその軌道に変動
を受ける現象を利用するため、上記の電位測定を所望す
る照射部位の近傍の他の部位の電位による変動も生じる
。従って、電位測定部位の分解能及び測定電位の精度を
高くすることが困難となる。さらに、電子ビーム照射及
び２次電子軌道測定のために装置を高度の真空に保つ必
要があり、一つの集積回路の動作テストに要する処理時
間が長いという難点もあり、コスト的に大量の集積回路
を短時間に試験することは不可能であった。
面に照射された１次電子により照射部位から発生する２
次電子が照射部位の電位の電気力によりその軌道に変動
を受ける現象を利用するため、上記の電位測定を所望す
る照射部位の近傍の他の部位の電位による変動も生じる
。従って、電位測定部位の分解能及び測定電位の精度を
高くすることが困難となる。さらに、電子ビーム照射及
び２次電子軌道測定のために装置を高度の真空に保つ必
要があり、一つの集積回路の動作テストに要する処理時
間が長いという難点もあり、コスト的に大量の集積回路
を短時間に試験することは不可能であった。
本発明の目的は、集積回路に放射線損傷やチャージアッ
プ等を発生させることなく、高分解能及び高精度の電位
測定を行うことができ、将来の超高密度集積回路の動作
テストにも十分に対処し得る集積回路の動作試験方法を
提供することにある。
プ等を発生させることなく、高分解能及び高精度の電位
測定を行うことができ、将来の超高密度集積回路の動作
テストにも十分に対処し得る集積回路の動作試験方法を
提供することにある。
本発明の骨子は、試料である集積回路表面に付加形成さ
れた導電性高分子のラングミュア−ブロジェット積層膜
と集積回路表面との界面に照射された光による光電効果
により生成された電子が、光照射部位の電位に比例した
ドリフト速度で上記積層膜をホッピング移動し、該積層
股上に付加形成されたＰ型半導体膜に達した時該半導体
膜中の正電荷と対消滅することにより発生する光を光学
測定し、上記光発生時の光照射時からの遅れ時間、或い
は測定光強度等に基づいて集積回路表面の電位を測定す
ることにある。
れた導電性高分子のラングミュア−ブロジェット積層膜
と集積回路表面との界面に照射された光による光電効果
により生成された電子が、光照射部位の電位に比例した
ドリフト速度で上記積層膜をホッピング移動し、該積層
股上に付加形成されたＰ型半導体膜に達した時該半導体
膜中の正電荷と対消滅することにより発生する光を光学
測定し、上記光発生時の光照射時からの遅れ時間、或い
は測定光強度等に基づいて集積回路表面の電位を測定す
ることにある。
即ち本発明は、集積回路の動作試験を行う方法において
、被測定集積回路の表面に導電性高分子のラングミュア
−プロジェット積層膜及びＰ型半導体膜を順次被着し、
上記半導体膜を接地電位に保持すると共に、前記集積回
路を動作状態において該集積回路表面に例えばパルス状
の光を定常的に照射し、このとき前記半導体膜中で発生
する光を検出し該検出情報（上記発生した光の検出時と
上記光照射時との時間差或いは検出光強度等）に基づい
て前記集積回路の表面金属配線層の電位をめるようにし
た方法である。
、被測定集積回路の表面に導電性高分子のラングミュア
−プロジェット積層膜及びＰ型半導体膜を順次被着し、
上記半導体膜を接地電位に保持すると共に、前記集積回
路を動作状態において該集積回路表面に例えばパルス状
の光を定常的に照射し、このとき前記半導体膜中で発生
する光を検出し該検出情報（上記発生した光の検出時と
上記光照射時との時間差或いは検出光強度等）に基づい
て前記集積回路の表面金属配線層の電位をめるようにし
た方法である。
ここで、上記半導体膜中で光が発生する理由は次の通り
である。前記光照射により集積回路表面部位に設置され
た金属配線を形成する金属固体表面から光電効果により
電子が生成され、この電子は金属固体表面の電位の値に
比例したドリフト速度でラングミュア−プロジェット積
層膜中をホッピング移動する。そして、金属固体表面の
電位の値に逆比例した移動時間を経た後、Ｐ型半導体膜
に達し該半導体膜中の正電荷と対消滅し、これにより光
が発生するのである。このように光が発生するまでの１
局は、前記金属固体表面の電位の値に逆比例している。
である。前記光照射により集積回路表面部位に設置され
た金属配線を形成する金属固体表面から光電効果により
電子が生成され、この電子は金属固体表面の電位の値に
比例したドリフト速度でラングミュア−プロジェット積
層膜中をホッピング移動する。そして、金属固体表面の
電位の値に逆比例した移動時間を経た後、Ｐ型半導体膜
に達し該半導体膜中の正電荷と対消滅し、これにより光
が発生するのである。このように光が発生するまでの１
局は、前記金属固体表面の電位の値に逆比例している。
さらに、発生する光の強度も上記電位の値に逆比例して
いる。従って、光照射時から光発生時までの時間、或い
は発生する光の強度を検出することによって、集積回路
表面に設置された金属配線層の電位を測定することが可
能となる。
いる。従って、光照射時から光発生時までの時間、或い
は発生する光の強度を検出することによって、集積回路
表面に設置された金属配線層の電位を測定することが可
能となる。
本発明によれば、試料である集積回路のバルク部位に電
子等の荷電粒子を侵入せしめることなく、従って動作試
鋏時における試料のチャージアップ及び放射線損傷等の
雑音源を発生することなく、本来の集積回路の動作状態
に変化を与えることなく、集積回路の動作テストが可能
となる。また、試料である集積回路表面に導電性高分子
のラングミュア−プロジェット積層膜とＰ型半導体膜を
形成する処理を行った該集積回路を予め大口に用意する
ことができ、その後は苗温空気中に設置された簡単な光
学処理系のみを必要とし、短詩間に大口の集積回路を低
コストで動作テストすることができる。また、試料であ
る集積回路に照射するのは光であり、電界の影響を全く
受けない。さらに、Ｐ型半導体膜から発生された２次光
も電界の影響を受けることがない。電界の影響を受ける
のは、唯一照射された１次光により導電性高分子と集積
回路表面の金属配線部との界面に光電効果により発生し
た電子が導電性高分子のラングミュア−プロジェット積
層膜中をホッピング拡散移動する場合であり、このとき
該導電性高分子のラングミュア−プロジェット積層膜の
厚さ数１０し大コのオーダーを考えると、該金属配線表
面の電位のみの影響となり、近傍の他の金属表面の電位
からの影響は存在しない。従って、高分解能で高精度の
集積回路表面電位測定が可能となり、サブミクロン級の
デバイス技術で製作された集積回路に対しても同様に有
効である。また、その動作原理からして、集積回路内の
デバイスの動作時間に比して極めて短時間のうちに電位
測定が行われるため、デバイスの立上がり等の過度的な
非定常動作をもアナログ的に測定することができる。
子等の荷電粒子を侵入せしめることなく、従って動作試
鋏時における試料のチャージアップ及び放射線損傷等の
雑音源を発生することなく、本来の集積回路の動作状態
に変化を与えることなく、集積回路の動作テストが可能
となる。また、試料である集積回路表面に導電性高分子
のラングミュア−プロジェット積層膜とＰ型半導体膜を
形成する処理を行った該集積回路を予め大口に用意する
ことができ、その後は苗温空気中に設置された簡単な光
学処理系のみを必要とし、短詩間に大口の集積回路を低
コストで動作テストすることができる。また、試料であ
る集積回路に照射するのは光であり、電界の影響を全く
受けない。さらに、Ｐ型半導体膜から発生された２次光
も電界の影響を受けることがない。電界の影響を受ける
のは、唯一照射された１次光により導電性高分子と集積
回路表面の金属配線部との界面に光電効果により発生し
た電子が導電性高分子のラングミュア−プロジェット積
層膜中をホッピング拡散移動する場合であり、このとき
該導電性高分子のラングミュア−プロジェット積層膜の
厚さ数１０し大コのオーダーを考えると、該金属配線表
面の電位のみの影響となり、近傍の他の金属表面の電位
からの影響は存在しない。従って、高分解能で高精度の
集積回路表面電位測定が可能となり、サブミクロン級の
デバイス技術で製作された集積回路に対しても同様に有
効である。また、その動作原理からして、集積回路内の
デバイスの動作時間に比して極めて短時間のうちに電位
測定が行われるため、デバイスの立上がり等の過度的な
非定常動作をもアナログ的に測定することができる。
以下、本発明の詳細を図示の実施例によって説明する。
第１図は本発明の一実施例方法に使用した集積回路試験
装置を示す概略構成図である。図中１１は後述する試料
２０を載置する試料ステージであり、該ステージ１１上
の試料２０には制御計算機（以下ＣＰＵと略記する）１
２により制御された回路動作実効処理系１３から所定の
動作電圧が印加されている。また、試料２０の表面には
、ＣＰＵ１２により制御された光源１４からパルス状の
光が定常的に照射されるものとなっている。光源１４の
光は可視光から紫外光にかけての周波数の単一モードレ
ーザ光であるが、必ずしもレーザ光に限ったわけではな
く、ハロゲンランプ、クセノンランプ等による光であっ
てもよい。この光の持つパルス周期は、デジタルテスト
の場合の定常回路を扱うための数［ｎ Ｓｅｃ］からア
ナログテストの場合の非定常回路を扱うための数１０’
［ｎ５ｅｃ ］にセツティングされるものとなっている
。
装置を示す概略構成図である。図中１１は後述する試料
２０を載置する試料ステージであり、該ステージ１１上
の試料２０には制御計算機（以下ＣＰＵと略記する）１
２により制御された回路動作実効処理系１３から所定の
動作電圧が印加されている。また、試料２０の表面には
、ＣＰＵ１２により制御された光源１４からパルス状の
光が定常的に照射されるものとなっている。光源１４の
光は可視光から紫外光にかけての周波数の単一モードレ
ーザ光であるが、必ずしもレーザ光に限ったわけではな
く、ハロゲンランプ、クセノンランプ等による光であっ
てもよい。この光の持つパルス周期は、デジタルテスト
の場合の定常回路を扱うための数［ｎ Ｓｅｃ］からア
ナログテストの場合の非定常回路を扱うための数１０’
［ｎ５ｅｃ ］にセツティングされるものとなっている
。
光照射により発生した試料２０からの光は、集束レンズ
１５．１６により光検出器１７で検出される。この検出
情報は、光学測定処理系１８に供給され、該処理系１８
により光検出器と光照射時との時間差や上記検出光の強
度等が測定される。そして、その測定情報は前記ＣＰＵ
１２に供給されるものとなっている。
１５．１６により光検出器１７で検出される。この検出
情報は、光学測定処理系１８に供給され、該処理系１８
により光検出器と光照射時との時間差や上記検出光の強
度等が測定される。そして、その測定情報は前記ＣＰＵ
１２に供給されるものとなっている。
次に、上記装置を用いた集積回路の動作試験方法につい
て説明する。まず、第２図（ａ）に示す如く半導体集積
回路チップ２１をパッケージング用基台２２上にアセン
ブリーしてなる試料２０を用意する。なお、２３は外部
リードビン等に接続されたポンディングパッドである。
て説明する。まず、第２図（ａ）に示す如く半導体集積
回路チップ２１をパッケージング用基台２２上にアセン
ブリーしてなる試料２０を用意する。なお、２３は外部
リードビン等に接続されたポンディングパッドである。
次いで、ラングミュア−トラフと呼ばれるラングミュア
ーブロジェット１１！製造装置を用い、ポリジアセチレ
ン類（例えばポリアセチレン）の単分子膜を形成する処
理を行うことにより、第２図（ｂ）（ｃ）に示す如く上
記チップ２１の表面に、まずポリジアセチレン類の導電
性高分子のラングミュアーブロジエッｌ−ｆｊｉ層膜３
０を形成する。続いて、上記ラングミュア−トラフによ
り上記積層膜３０の上にＰ型有機半導体であるメロシア
ニンの単分子積層膜４０を形成する。ここで、上記積層
膜３０の膜厚は例えば５０［入］、上記積層膜４０の膜
厚は例えば４０［人］とした。なお、第２図（Ｃ）中２
４は集積回路チップ２１の表面金属配線層を示している
。
ーブロジェット１１！製造装置を用い、ポリジアセチレ
ン類（例えばポリアセチレン）の単分子膜を形成する処
理を行うことにより、第２図（ｂ）（ｃ）に示す如く上
記チップ２１の表面に、まずポリジアセチレン類の導電
性高分子のラングミュアーブロジエッｌ−ｆｊｉ層膜３
０を形成する。続いて、上記ラングミュア−トラフによ
り上記積層膜３０の上にＰ型有機半導体であるメロシア
ニンの単分子積層膜４０を形成する。ここで、上記積層
膜３０の膜厚は例えば５０［入］、上記積層膜４０の膜
厚は例えば４０［人］とした。なお、第２図（Ｃ）中２
４は集積回路チップ２１の表面金属配線層を示している
。
上記処理の後、試料２０を前記第１図に示す装置の試料
ステージ１１上に配置し、外部入出力ビン等を回路動作
実効制御系１３に接続せしめて試料２０を動作状態にお
き、さらに上記積層膜４０を試験用のリファレンス電極
（図示せず）に接続せしめ、該積層膜４０をリファレン
ス電位ＶＲに保持する。この状態で、前記光源１４から
のレーザ光を試料２０上に照射、例えばパルス状のレー
ザ光を定常的に照射すると、メロシアニンのラングミュ
ア−プロジェット積層膜３０から該膜下の集積回路部位
の電位Ｖとリファレンス電位ＶＲとの差に逆比例した遅
れ時間でパルス状の２次光が放射される。なお、この現
象については後に詳しく説明する。そして、この２次光
を前記光検出器１７で被測定部位毎に検出し、前記光学
測定処理系１８により処理することにより、２次光のパ
ルス周期の遅れ時間をめることが可能である。従って、
ＣＰＬ１１９に供給された遅れ時間のデータは数値処理
を受けた後、上記半導体集積回路層部位の電位に変換さ
れ、これにより電位測定が可能となる。また、上記変換
データを例えばディスプレイ等に表示することによって
集積回路チップ２１の表面電位状態を視覚的に見ること
が可能である。なお、上記説明では遅れ時間τに基づい
て電位測定を行ったが、この代りに検出光の強度に基づ
いて電位測定を行うことも可能であるのは勿論のことで
ある。そして、前記遅れ時間τにより微少領域毎の電位
測定ができ、上記検出光の強度により全体の電位分布を
見ることが可能である。
ステージ１１上に配置し、外部入出力ビン等を回路動作
実効制御系１３に接続せしめて試料２０を動作状態にお
き、さらに上記積層膜４０を試験用のリファレンス電極
（図示せず）に接続せしめ、該積層膜４０をリファレン
ス電位ＶＲに保持する。この状態で、前記光源１４から
のレーザ光を試料２０上に照射、例えばパルス状のレー
ザ光を定常的に照射すると、メロシアニンのラングミュ
ア−プロジェット積層膜３０から該膜下の集積回路部位
の電位Ｖとリファレンス電位ＶＲとの差に逆比例した遅
れ時間でパルス状の２次光が放射される。なお、この現
象については後に詳しく説明する。そして、この２次光
を前記光検出器１７で被測定部位毎に検出し、前記光学
測定処理系１８により処理することにより、２次光のパ
ルス周期の遅れ時間をめることが可能である。従って、
ＣＰＬ１１９に供給された遅れ時間のデータは数値処理
を受けた後、上記半導体集積回路層部位の電位に変換さ
れ、これにより電位測定が可能となる。また、上記変換
データを例えばディスプレイ等に表示することによって
集積回路チップ２１の表面電位状態を視覚的に見ること
が可能である。なお、上記説明では遅れ時間τに基づい
て電位測定を行ったが、この代りに検出光の強度に基づ
いて電位測定を行うことも可能であるのは勿論のことで
ある。そして、前記遅れ時間τにより微少領域毎の電位
測定ができ、上記検出光の強度により全体の電位分布を
見ることが可能である。
次に、前記２次光放射の動作原理を第３図（ａ）（ｂ）
を参照して説明する。第３図（ａ）に示す如く集積回路
チップ２１の金属固体表面層２４表面に照射された光は
光電効果により金属固体表面層中の電子をポリジアセチ
レンのラングミュア−プロジェット積層膜３０中に注入
せしめる。該注入電子はホッピング移動機構により一定
のドリフト速度でこのポリジアセチレンのラングミュア
−プロジェット積層膜３０中を拡散移動するが、この拡
散移動のドリフト速度はアインシュタインの拡散の公式
により該電子に働く外力、即ち電界に比例する。メロシ
アニンのラングミュア−プロジェット積層１１！４０は
リファレンス電位ＶＲに保持されるため、上記の電界は
該金属固体配線表面電位Ｖとリファレンス電位ＶＲとの
差（Ｖ−ＶＲ）に比例する。従って、１次光が金属固体
配線表面に照射されてより τＱＣ（Ｖ−ＶＲ）−” だけの移動時間の後膣電子はメロシアニンのラングミュ
ア−プロジェット積層膜４０中に注入される。この注入
により、第３図（ｂ）に示す如くＰ型有機半導体である
メロシアニン中の正電荷と該電子とが対消滅し、２次光
を放出する。従って、入＠１次光とこの２次放出光の遅
れ時間τを光学的に測定することにより金属固体配線表
面電位■を間接的に測定することができる。なお、上記
遅れ時間τは通常の膜では極めて短いものであり、その
検出は殆ど困難である。しかし、本実施例のようにメロ
シアニンのラングミュア−プロジェット積層膜を用いた
場合、前記した拡散移動の原理から上記遅れ時間τが検
出可能な比較的長い時間となり、これにより上記電位測
定か可能となるのである。
を参照して説明する。第３図（ａ）に示す如く集積回路
チップ２１の金属固体表面層２４表面に照射された光は
光電効果により金属固体表面層中の電子をポリジアセチ
レンのラングミュア−プロジェット積層膜３０中に注入
せしめる。該注入電子はホッピング移動機構により一定
のドリフト速度でこのポリジアセチレンのラングミュア
−プロジェット積層膜３０中を拡散移動するが、この拡
散移動のドリフト速度はアインシュタインの拡散の公式
により該電子に働く外力、即ち電界に比例する。メロシ
アニンのラングミュア−プロジェット積層１１！４０は
リファレンス電位ＶＲに保持されるため、上記の電界は
該金属固体配線表面電位Ｖとリファレンス電位ＶＲとの
差（Ｖ−ＶＲ）に比例する。従って、１次光が金属固体
配線表面に照射されてより τＱＣ（Ｖ−ＶＲ）−” だけの移動時間の後膣電子はメロシアニンのラングミュ
ア−プロジェット積層膜４０中に注入される。この注入
により、第３図（ｂ）に示す如くＰ型有機半導体である
メロシアニン中の正電荷と該電子とが対消滅し、２次光
を放出する。従って、入＠１次光とこの２次放出光の遅
れ時間τを光学的に測定することにより金属固体配線表
面電位■を間接的に測定することができる。なお、上記
遅れ時間τは通常の膜では極めて短いものであり、その
検出は殆ど困難である。しかし、本実施例のようにメロ
シアニンのラングミュア−プロジェット積層膜を用いた
場合、前記した拡散移動の原理から上記遅れ時間τが検
出可能な比較的長い時間となり、これにより上記電位測
定か可能となるのである。
かくして本実施例方法によれば、集積回路チップ２１に
電子等の荷電粒子を照射することなく、該回路の動作テ
ストを行うことができる。また、その原理からして高分
解能及び高精瓜な測定が可能である。さらに、光を用い
ることから空気中でのテストが可能となり、該テストを
容易に実施しｉりる等の利点がある。
電子等の荷電粒子を照射することなく、該回路の動作テ
ストを行うことができる。また、その原理からして高分
解能及び高精瓜な測定が可能である。さらに、光を用い
ることから空気中でのテストが可能となり、該テストを
容易に実施しｉりる等の利点がある。
なお、本発明は上述した実施例に限定されるものではな
い。例えば、前記集積回路表面に形成する積層膜は、ポ
リジアセチレンに限るものではなく、導電性高分子のラ
ングミュア−プロジェット積層膜であればよい。また、
該積層膜上に形成する膜はメロシアニンの積層膜に限る
ものではなく、Ｐ型の半導体膜であればよい。さらに、
上記積層膜及び半導体膜の膜厚等の条件は、仕様に応じ
て適宜定めればよい。また、光照射手段としては、一括
照射に限らず被測定部位毎に光を選択照射するようにし
てもよい。さらに、前記積層膜に印加する基準電位の大
きさは、測定すべき電位の最小値及び必要とする測定精
度等の条件に応じて適宜定めればよい。その他、本発明
の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施すること
ができる。
い。例えば、前記集積回路表面に形成する積層膜は、ポ
リジアセチレンに限るものではなく、導電性高分子のラ
ングミュア−プロジェット積層膜であればよい。また、
該積層膜上に形成する膜はメロシアニンの積層膜に限る
ものではなく、Ｐ型の半導体膜であればよい。さらに、
上記積層膜及び半導体膜の膜厚等の条件は、仕様に応じ
て適宜定めればよい。また、光照射手段としては、一括
照射に限らず被測定部位毎に光を選択照射するようにし
てもよい。さらに、前記積層膜に印加する基準電位の大
きさは、測定すべき電位の最小値及び必要とする測定精
度等の条件に応じて適宜定めればよい。その他、本発明
の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施すること
ができる。
′４、図面の簡単な説明
第１図は本発明の一実施例方法に使用した集積回路試験
装置を示す概略構成図、第２図（ａ）〜（Ｃ）は上記装
置を用いた集積回路の動作試験方法を説明するための平
面図及び断面図、第３図（ａ）（ｂ）は上記実施例方法
における光放出の原理を説明するための模式図である。
装置を示す概略構成図、第２図（ａ）〜（Ｃ）は上記装
置を用いた集積回路の動作試験方法を説明するための平
面図及び断面図、第３図（ａ）（ｂ）は上記実施例方法
における光放出の原理を説明するための模式図である。
１１・・・試料ステージ、１２・・・ＣＰＵ、１３・・
・回路動作実効処理系、１４・・・光源、１５．１６・
・・集束レンズ、１７・・・光検出器、１８・・・光学
測定処理系、２０・・・試料、２１・・・集積回路チッ
プ、２２・・・パッケージ用基台、２３・・・ポンディ
ングパッド、２４・・・表面全屈配線層、３０・・・導
電性高分子のラングミュア−プロジェット積層膜、４０
・・・メロシアニンのラングミュア−プロジェット積層
膜（Ｐ型半導体膜〉。
・回路動作実効処理系、１４・・・光源、１５．１６・
・・集束レンズ、１７・・・光検出器、１８・・・光学
測定処理系、２０・・・試料、２１・・・集積回路チッ
プ、２２・・・パッケージ用基台、２３・・・ポンディ
ングパッド、２４・・・表面全屈配線層、３０・・・導
電性高分子のラングミュア−プロジェット積層膜、４０
・・・メロシアニンのラングミュア−プロジェット積層
膜（Ｐ型半導体膜〉。
出願人代理人 弁理士 鈴江武彦
第 １ 図
第２図
（ａ）
Claims (6)
- （１）？ｌｌ！！測定集積回路の表面に導電性高分子の
ラングミュア−プロジェット積層膜及びＰ型半導体膜を
順次被着し、上記半導体膜を所定の基準電位に保持する
と共に、前記集積回路を動作状態において該集積回路表
面に光を照射し、このとき前記半導体膜中で発生する光
を検出し該検出情報に基づいて前記集積回路の表面金属
配線層の電位をめることを特徴とする集積回路の動作試
験方法。 - （２） 前記Ｐ型半導体膜として、高分子半導体のラン
グミュア−プロジェットＩＩＥｉ膜を用いることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の集積回路の動作試験
方法。 - （３） 前記導電性高分子のラングミュア−プロジェッ
ト１１８膜としてポリジアセチレン類を用い、前記Ｐ型
半導体膜としてメロシアニンを用いることを特徴とする
特許請求の範囲第１項又は亀２項記載の集積回路の動作
試験方法。 - （４）前記集積回路表面に光を照射する手段として、パ
ルス状の光を定常的に照射することを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の集積回路の動作試験方法。 - （５） 前記集積回路の表面金属配線層の電位をめる手
段として、前記半導体膜中で発生する光の強度を検出し
、この検出強度から上記電位をめるようにしたことを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の集積回路の動作試
験方法。 - （６） 前記集積回路の表面金属配線層の電位をめる手
段として、前記半導体膜中で発生する光の前記光照射時
からの遅れ時間を検出し、この検出時間から上記電位を
めるようにしたことを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の集積回路の動作試験方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59062703A JPS60206147A (ja) | 1984-03-30 | 1984-03-30 | 集積回路の動作試験方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59062703A JPS60206147A (ja) | 1984-03-30 | 1984-03-30 | 集積回路の動作試験方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60206147A true JPS60206147A (ja) | 1985-10-17 |
Family
ID=13207932
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59062703A Pending JPS60206147A (ja) | 1984-03-30 | 1984-03-30 | 集積回路の動作試験方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60206147A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4868492A (en) * | 1986-10-23 | 1989-09-19 | International Business Machines Corporation | Method for contactless testing of conducting paths in a substrate using photo-assisted tunneling |
| JPH0676983U (ja) * | 1993-04-06 | 1994-10-28 | 株式会社リョーサン | フィルム等の照明装置 |
-
1984
- 1984-03-30 JP JP59062703A patent/JPS60206147A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4999577A (en) * | 1986-10-09 | 1991-03-12 | International Business Machines Corporation | Method for contactless testing of conducting paths in a substrate using photon-assisted tunneling |
| US4868492A (en) * | 1986-10-23 | 1989-09-19 | International Business Machines Corporation | Method for contactless testing of conducting paths in a substrate using photo-assisted tunneling |
| JPH0676983U (ja) * | 1993-04-06 | 1994-10-28 | 株式会社リョーサン | フィルム等の照明装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6388455B1 (en) | Method and apparatus for simulating a surface photo-voltage in a substrate | |
| CA1220559A (en) | Noncontact dynamic tester for integrated circuits | |
| JPS6269630A (ja) | 集積回路のテスト方法及び装置 | |
| US6915232B2 (en) | Film thickness measuring method, relative dielectric constant measuring method, film thickness measuring apparatus, and relative dielectric constant measuring apparatus | |
| JPS639807A (ja) | 膜厚測定方法およびその装置 | |
| JPS60206147A (ja) | 集積回路の動作試験方法 | |
| CN116108666A (zh) | 一种惯性传感器光电流模型的构建方法 | |
| CN113985240A (zh) | 用于半导体器件瞬态辐射感生电荷的测量方法、系统及装置 | |
| JPH0580083A (ja) | 集積回路の試験方法および装置 | |
| JP2022176371A (ja) | 偏心量算出装置及び方法 | |
| JPS6089050A (ja) | ストロボ走査電子顕微鏡 | |
| JP3080158B2 (ja) | プリント基板の検査方法及び検査装置 | |
| US4724536A (en) | Instrument to measure fluorescence which has occurred in a sample stimulated by X rays | |
| CN119915744B (zh) | 微纳涂层无损检测装置及微纳涂层无损检测方法 | |
| TWI876322B (zh) | 用於測試封裝基板的方法和用於測試封裝基板的裝置 | |
| JP2648947B2 (ja) | 半導体装置の検査装置 | |
| RU2424161C1 (ru) | Способ повышения надежности космических аппаратов дистанционного зондирования земли (варианты) | |
| JPS61156627A (ja) | 試料電圧測定装置 | |
| JP2610178B2 (ja) | 光プロービング方法 | |
| JPS62191Y2 (ja) | ||
| JPH0772181A (ja) | 電位波形測定方法および装置 | |
| JPH02136765A (ja) | 光プロービング装置 | |
| JPS6073366A (ja) | 配線電圧の給電及び測定装置 | |
| JPS62282279A (ja) | トランジスタゲ−トの遅延時間測定装置 | |
| JPH02295047A (ja) | 荷電粒子線装置 |