JPS60211432A - エレクトロクロミツク表示素子 - Google Patents
エレクトロクロミツク表示素子Info
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- JPS60211432A JPS60211432A JP59068420A JP6842084A JPS60211432A JP S60211432 A JPS60211432 A JP S60211432A JP 59068420 A JP59068420 A JP 59068420A JP 6842084 A JP6842084 A JP 6842084A JP S60211432 A JPS60211432 A JP S60211432A
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/15—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect
- G02F1/153—Constructional details
- G02F1/1533—Constructional details structural features not otherwise provided for
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
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- G02F1/153—Constructional details
- G02F1/1533—Constructional details structural features not otherwise provided for
- G02F2001/1536—Constructional details structural features not otherwise provided for additional, e.g. protective, layer inside the cell
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野および目的〕
本発明はエレクトロクロミック表示素子の改良に係り、
長寿命のエレクトロクロミック表示素子を提供すること
を目的とする。
長寿命のエレクトロクロミック表示素子を提供すること
を目的とする。
エレク１〜ロクｔ′Ｊミンク表示素子では、表示極の透
明導電性基板のＩＴＯ膜上にＷＯ２などのエレクトロク
ロミック物質の層を形成しているが、発消色反応を繰り
返すと、電路のｌ Ｔ Ｏ１％が浸され、素子の寿命を
短か（する要因となっていた。
明導電性基板のＩＴＯ膜上にＷＯ２などのエレクトロク
ロミック物質の層を形成しているが、発消色反応を繰り
返すと、電路のｌ Ｔ Ｏ１％が浸され、素子の寿命を
短か（する要因となっていた。
そこで、ＩＴＯＩＱより化学的に安定なイサ腺を使用す
ることも考えられるが、ネザ膜目ビＩ″Ｏ膜に比べて抵
抗が高く、充分な応答特性が得られないという問題があ
る。
ることも考えられるが、ネザ膜目ビＩ″Ｏ膜に比べて抵
抗が高く、充分な応答特性が得られないという問題があ
る。
そのため、５ｉ０２のスバ、り法によるｓｌ。
２膜の形成やＳｉＯを蒸着源として酸素雰囲気中での抵
抗加熱参者によってＳｉＯｘ膜を形成してＴＴＯｌｉを
１呆護することが行なわれているが、スパッタ法による
Ｓｉ０２腺は膜形成時にＩＴＯ膜を損傷させる可能性が
高く、安定した険形成が困難であり、またＳｉＯを蒸着
源として形成したＳｉ０：ｃｌｌｔｉは透明導電性基板
とスペーサとの接着や、導電用の銀ペーストの保護や外
部端子の固定などに使用されているエポキシ樹脂系接着
剤の硬化剤と反応しやすく安定性に欠けるとい・う欠点
があった。
抗加熱参者によってＳｉＯｘ膜を形成してＴＴＯｌｉを
１呆護することが行なわれているが、スパッタ法による
Ｓｉ０２腺は膜形成時にＩＴＯ膜を損傷させる可能性が
高く、安定した険形成が困難であり、またＳｉＯを蒸着
源として形成したＳｉ０：ｃｌｌｔｉは透明導電性基板
とスペーサとの接着や、導電用の銀ペーストの保護や外
部端子の固定などに使用されているエポキシ樹脂系接着
剤の硬化剤と反応しやすく安定性に欠けるとい・う欠点
があった。
本発明者らはそのような事情に鑑み種々研究を重ねた結
果、表示極側の透明導電性基板の透明導電膜の保護膜と
して、オルガノシラノールを熱分解して５ｈｏ２膜を形
成するときは、スパッタ法による場合のように透明導電
膜に損傷を与えることがなく、しかも接着剤に対して安
定で長寿命のエレクトロクロミック表示素子が得られる
ことを見出し、本発明を完成するにいたった。
果、表示極側の透明導電性基板の透明導電膜の保護膜と
して、オルガノシラノールを熱分解して５ｈｏ２膜を形
成するときは、スパッタ法による場合のように透明導電
膜に損傷を与えることがなく、しかも接着剤に対して安
定で長寿命のエレクトロクロミック表示素子が得られる
ことを見出し、本発明を完成するにいたった。
本発明において、ｓ＋０２膜形成のために使用するオル
ガノシラノールは一般式日） ＲｎＳ ｉ （ＯＨ４）４−ｎ （１）（式中、Ｒはア
ルキル基、ｎは整数である）で示される有機ケ・イ素化
合物で、このオルガノシラノールは、たとえば東京応化
］−業（株）より商品名ＯＣＤで上山されている５ｉ０
２系被膜形成塗布液中に含まれた状態で入手することが
できる。
ガノシラノールは一般式日） ＲｎＳ ｉ （ＯＨ４）４−ｎ （１）（式中、Ｒはア
ルキル基、ｎは整数である）で示される有機ケ・イ素化
合物で、このオルガノシラノールは、たとえば東京応化
］−業（株）より商品名ＯＣＤで上山されている５ｉ０
２系被膜形成塗布液中に含まれた状態で入手することが
できる。
上記ＯＣＤはオルガノシラノールおよび添加剤（拡散用
不純物、ガラス質形成剤、有機バインダー）を有機溶剤
（アルコール主成分、エステル、ケトン）に溶解したも
のであり、これを所望の部位に塗布し焼成するとオルガ
ノシラノールが熱分解して５ｉ０２１％が形成される。
不純物、ガラス質形成剤、有機バインダー）を有機溶剤
（アルコール主成分、エステル、ケトン）に溶解したも
のであり、これを所望の部位に塗布し焼成するとオルガ
ノシラノールが熱分解して５ｉ０２１％が形成される。
そして上記ＯＣＤには拡散用不純物、ガラス質形成剤な
どの添加剤としてリン、ホウ素、アンチモン、砒素、亜
鉛、金、白金、ガリウム、錫、アルミニウム、チタンな
どの化合物が添加されているものがあり、これらリン、
ホウ素などが添加されているものを焼成すると、得られ
る５ｉ０２膜には当然リン、ホウ素などが含まれること
になるが、本発明においては、５ｉ０２１９！とじては
純粋な５ｉ０２１９だけではなく、それらリン、ホウ素
などが含有された５ｉｚ２１！でもよい。それらリン、
ホウ素などが含有された５ｉ０２膜は純粋な５ｉ０２膜
同様にｌ Ｔ Ｏの保護膜として使用可能であることは
もとより、むしろリン、ホウ素などが含まれている方が
５ｉ０２の単独より低温度でガラス化でき、膜の仕上り
、外観などが良好である。 熱分解による５ｉ０２膜形
成のための加熱温度としては、通富１５０〜６００°Ｃ
が採用されるが、特に２５０〜５００ °Ｃが好ましい
。
どの添加剤としてリン、ホウ素、アンチモン、砒素、亜
鉛、金、白金、ガリウム、錫、アルミニウム、チタンな
どの化合物が添加されているものがあり、これらリン、
ホウ素などが添加されているものを焼成すると、得られ
る５ｉ０２膜には当然リン、ホウ素などが含まれること
になるが、本発明においては、５ｉ０２１９！とじては
純粋な５ｉ０２１９だけではなく、それらリン、ホウ素
などが含有された５ｉｚ２１！でもよい。それらリン、
ホウ素などが含有された５ｉ０２膜は純粋な５ｉ０２膜
同様にｌ Ｔ Ｏの保護膜として使用可能であることは
もとより、むしろリン、ホウ素などが含まれている方が
５ｉ０２の単独より低温度でガラス化でき、膜の仕上り
、外観などが良好である。 熱分解による５ｉ０２膜形
成のための加熱温度としては、通富１５０〜６００°Ｃ
が採用されるが、特に２５０〜５００ °Ｃが好ましい
。
つぎに実施例をあげて本発明をさらに詳細に説明する。
実施例１
透明導電性基板としては透明ガラス板上に厚さ２１００
ＸのＩＴＯの透明導電膜を形成したものを用い、この透
明導電性基板のＩＴＯの透明導電股上にＯＣＤ Ｂ−８
０３１５（組成：使用Ｓｉ−Ｆｉｌｍの濃度８．０％、
不純物（ホウ素）Ｏ，１５ｇ）を塗布し、５００ ’ｃ
で３０分間焼成して膜厚約２５００人のホウ素を含有し
た５ｉＱ２膜を形成した。なお塗布はディッピングによ
って行なわれた。塗布方法は以後の各実施例においても
同様である。
ＸのＩＴＯの透明導電膜を形成したものを用い、この透
明導電性基板のＩＴＯの透明導電股上にＯＣＤ Ｂ−８
０３１５（組成：使用Ｓｉ−Ｆｉｌｍの濃度８．０％、
不純物（ホウ素）Ｏ，１５ｇ）を塗布し、５００ ’ｃ
で３０分間焼成して膜厚約２５００人のホウ素を含有し
た５ｉＱ２膜を形成した。なお塗布はディッピングによ
って行なわれた。塗布方法は以後の各実施例においても
同様である。
上記基板のＷＯ３蒸着予定部分の５ｉ０２膜をフォトリ
ソグラフィーでレジストパターンを形成後、エツチング
して該部分の５ｉ０２膜を除去した後、ＷＯ３を蒸着し
、以後、常法によって第１図に示す構成のエレクトロク
ロミック表示素子を組み立てた。
ソグラフィーでレジストパターンを形成後、エツチング
して該部分の５ｉ０２膜を除去した後、ＷＯ３を蒸着し
、以後、常法によって第１図に示す構成のエレクトロク
ロミック表示素子を組み立てた。
第１図において、ｌは透明ガラス板ｌａ上にＩＴＯの透
明導電ＩＩｔｉｌｂを形成してなる表示極側の透明導電
股上捏で、２は蒸着により形成されたＷＯ３層で、３は
前記のようにＯＣＤ Ｂ−８０３１５の熱分解によって
形成した含ホウ素５ｉ０２膜である。
明導電ＩＩｔｉｌｂを形成してなる表示極側の透明導電
股上捏で、２は蒸着により形成されたＷＯ３層で、３は
前記のようにＯＣＤ Ｂ−８０３１５の熱分解によって
形成した含ホウ素５ｉ０２膜である。
ＷＯ３層２は、この第１図からもわかるように、ＩＴＯ
の透明導電膜ｌｂ上の全面に形成されるのではなく、Ｉ
ＴＯの透明導電膜ｌｂ上に部分的に形成される。ＩＴＯ
の透明導電膜１ｂのＷＯ３層２が形成された部分は結果
的にＷＯ３で覆われ、電解質と直接接触することがない
ので、保護膜を形成する必要がないが、ＷＯ３層２が形
成されなかった部分はそのまま露出していると電解質と
直接接触し高電圧駆動に際して障害になるので、該部分
に保護膜を形成して電解質との直接接触を防止する必要
があり、そのため上記のような５ｉ０２膜３が形成され
るのである。
の透明導電膜ｌｂ上の全面に形成されるのではなく、Ｉ
ＴＯの透明導電膜ｌｂ上に部分的に形成される。ＩＴＯ
の透明導電膜１ｂのＷＯ３層２が形成された部分は結果
的にＷＯ３で覆われ、電解質と直接接触することがない
ので、保護膜を形成する必要がないが、ＷＯ３層２が形
成されなかった部分はそのまま露出していると電解質と
直接接触し高電圧駆動に際して障害になるので、該部分
に保護膜を形成して電解質との直接接触を防止する必要
があり、そのため上記のような５ｉ０２膜３が形成され
るのである。
４は対同極例の基板で、この対向極基板４も前記表示極
側の基板同様にガラス板４ａにＩＴＯの透明導電膜４ｂ
を形成してなるものであり、５はＦｅ２（ＷＯ４）３を
対向極材料とじこれに導電助剤と結着剤を配合して形成
した対同極である。
側の基板同様にガラス板４ａにＩＴＯの透明導電膜４ｂ
を形成してなるものであり、５はＦｅ２（ＷＯ４）３を
対向極材料とじこれに導電助剤と結着剤を配合して形成
した対同極である。
６ｉ：ｌ：：二酸化ナタンを分散含有さ−Ｕた・イオン
透過性のボリテトラフルオ°ルエチレン膜よりなる背景
斗」で、７はフ゛ＩＪビレンカーポ不−１−に１． ｉ
Ｃｌ ０４を１．（１′＋ニル／ｌ容解さ−Ｕ、水を
少量添加してなるｉ）に状の電解質であり、８はスペー
づで、透明導電性Ｊ＆板１の周辺部および対向極基板４
の１モ］辺部に」−ボキシ樹脂糸の接着剤で接着されて
いる。そして、この第１図には示していないが、使用に
際Ｌ７］−１／り１・日クロミック表示素子にＬＪＩ
、駆動用の外部端子が表示極側、対向極側とも表示極側
の基板に取り（Ｊ’ ＋Ｊられ、その固定にエポキシ樹
脂系の接着剤が使用され、また、対向極から表示極側の
基板に取り（＝ＩＬＪられ〕こり１向極側の外部端子ま
での導通のために銀ベーストが用いられ、その銀べ一メ
ｌ−の保護のノこめエポキシ樹脂系の接着剤が塗４Ｊさ
れる。
透過性のボリテトラフルオ°ルエチレン膜よりなる背景
斗」で、７はフ゛ＩＪビレンカーポ不−１−に１． ｉ
Ｃｌ ０４を１．（１′＋ニル／ｌ容解さ−Ｕ、水を
少量添加してなるｉ）に状の電解質であり、８はスペー
づで、透明導電性Ｊ＆板１の周辺部および対向極基板４
の１モ］辺部に」−ボキシ樹脂糸の接着剤で接着されて
いる。そして、この第１図には示していないが、使用に
際Ｌ７］−１／り１・日クロミック表示素子にＬＪＩ
、駆動用の外部端子が表示極側、対向極側とも表示極側
の基板に取り（Ｊ’ ＋Ｊられ、その固定にエポキシ樹
脂系の接着剤が使用され、また、対向極から表示極側の
基板に取り（＝ＩＬＪられ〕こり１向極側の外部端子ま
での導通のために銀ベーストが用いられ、その銀べ一メ
ｌ−の保護のノこめエポキシ樹脂系の接着剤が塗４Ｊさ
れる。
Ｌ記のように駆動可能に組立後、電路の抵抗増加と接着
剤との反応性を調べた。また１記コ〜レクＩ １１ ／
／ ｌ：Ｉ ミ、、 ／／表示素子ニー１１．５ Ｖ
−−−１，５Ｖ、］ １１ ｚの方形波を印加して寿命
試験を行ない、１１’ ｒ）の透明導電膜のＩＪＪｉ線
有無を調べた。その結果を第１表に示す。
剤との反応性を調べた。また１記コ〜レクＩ １１ ／
／ ｌ：Ｉ ミ、、 ／／表示素子ニー１１．５ Ｖ
−−−１，５Ｖ、］ １１ ｚの方形波を印加して寿命
試験を行ない、１１’ ｒ）の透明導電膜のＩＪＪｉ線
有無を調べた。その結果を第１表に示す。
実施例２
実施例１と同様の透明導電性基板のｌ ｉ’ ０の透明
導電膜上に０ （： Ｉ） Ｂ−８０３１５を塗ＨＪＬ
、２５０℃で３０分間焼成して膜厚約２５００人のホウ
素を含有した５ｉＯ２１１！を形成した。
導電膜上に０ （： Ｉ） Ｂ−８０３１５を塗ＨＪＬ
、２５０℃で３０分間焼成して膜厚約２５００人のホウ
素を含有した５ｉＯ２１１！を形成した。
以後実施例１と同様にしてエレクｌ−＋：＋りＩＩミッ
ク表示素子を組め立て、５ｉｏ２ｔｌ＊の評１ｉ１１ｉ
をした。その結果を第１表に示す。
ク表示素子を組め立て、５ｉｏ２ｔｌ＊の評１ｉ１１ｉ
をした。その結果を第１表に示す。
実施例３
実施例１と同様の透明４電性基板のＩＴＯの透明導電膜
上にＯＣＩ］Ｆ３−８［］３１５を塗布し、１５０°（
゛で３０分間焼成して股厚約２５００人の・１（つ素を
含有した５ｉ０２膜を形成し、た。
上にＯＣＩ］Ｆ３−８［］３１５を塗布し、１５０°（
゛で３０分間焼成して股厚約２５００人の・１（つ素を
含有した５ｉ０２膜を形成し、た。
以後実施例１と同様にしてエレクＩ−ロクｌ」ミック表
示素子を組め立て、５ｉ０２１１ｆｔ’の評価をした。
示素子を組め立て、５ｉ０２１１ｆｔ’の評価をした。
その結果を第１表に示す。
実施例４
実施例１と同様の透明導電性基１にのＩ Ｔ Ｏの透明
導電１ｌＩｉ！−１−にＯＣＤ Ｂ−８０３１５を塗布
し２．６００℃で３０分間焼成し７て股厚約２５００人
の、ｊ（つ素を含有した３ｉ０２膜を形成し７た。
導電１ｌＩｉ！−１−にＯＣＤ Ｂ−８０３１５を塗布
し２．６００℃で３０分間焼成し７て股厚約２５００人
の、ｊ（つ素を含有した３ｉ０２膜を形成し７た。
以後実施例１と同様にし゛ＣＣ１０り１・１１クロミッ
ク表示素子を組めηて、５ｉ０２膜の評価をした。その
結果を第１表に示す。
ク表示素子を組めηて、５ｉ０２膜の評価をした。その
結果を第１表に示す。
実施例５
実施例１と同様の透明導電性基板のド１゛０の透明導電
膜−１−にＯＣＤ Ｐ −８０３１５（組成：使用Ｓｉ
−Ｆｉｌｍの濃度８．０ ％、不純物（リン）０．１
５ｇ）を塗布し、５００ ’Ｃで３０分間焼成して膜厚
約２５００人のリンを含有した５１０２膜を形成した。
膜−１−にＯＣＤ Ｐ −８０３１５（組成：使用Ｓｉ
−Ｆｉｌｍの濃度８．０ ％、不純物（リン）０．１
５ｇ）を塗布し、５００ ’Ｃで３０分間焼成して膜厚
約２５００人のリンを含有した５１０２膜を形成した。
以後実施例１と同様にしてエレクト＋：＋ ／） ｌ：
Ｊ ミ’り表示素子を組め立て、５ｉ０２膜の評価をし
た。その結果を第１表に示す。
Ｊ ミ’り表示素子を組め立て、５ｉ０２膜の評価をし
た。その結果を第１表に示す。
実施例６
実施例１と同様の透明導電性基板のド１’Ｏの法明導電
換りにＯＣＩ）、’ Ｉ’−８０３１５を塗布し、２５
０°Ｃで３０分間焼成して膜厚約２５００人のリンを含
有した５１０２欣を形成した。
換りにＯＣＩ）、’ Ｉ’−８０３１５を塗布し、２５
０°Ｃで３０分間焼成して膜厚約２５００人のリンを含
有した５１０２欣を形成した。
以後実施例１と同様にしてエレクトロクロミンク表示素
子を組み立て、５ｉ０２膜の評価をした。その結果を第
１表に示す。
子を組み立て、５ｉ０２膜の評価をした。その結果を第
１表に示す。
実施例７
実施例１と同様の透明導電性基板のＩＴＯの透明導電膜
上にｏ ＣＤ Ｐ−８０３１５を塗布し、１５０℃で３
０分間焼成して膜厚約２５００人のリンを含有した５ｉ
０２膜を形成した。
上にｏ ＣＤ Ｐ−８０３１５を塗布し、１５０℃で３
０分間焼成して膜厚約２５００人のリンを含有した５ｉ
０２膜を形成した。
以後実施例１と同様にしてエレクトロクロミック表示素
子を組め立て、５ｉｏ２膜の評価をした。その結果を第
１表に示す。
子を組め立て、５ｉｏ２膜の評価をした。その結果を第
１表に示す。
実施例８
実施例１と同様の透明導電性基板のＩＴＯの透明導電膜
上にＯＣＤ Ｐ−８０３１５を塗布し、６００”Ｃで３
０分間焼成して膜厚約２５００人のリンを含有した５ｉ
０２膜を形成した。
上にＯＣＤ Ｐ−８０３１５を塗布し、６００”Ｃで３
０分間焼成して膜厚約２５００人のリンを含有した５ｉ
０２膜を形成した。
以後実施例１と同様にしてエレクトロクロミック表示素
子を組め立て、５ｉ０２膜の評価をした。その結果を第
１表に示す。
子を組め立て、５ｉ０２膜の評価をした。その結果を第
１表に示す。
実施例９
実施例１と同様の透明導電性基板のＩ′「０の透明導電
股上にＯＣＤ Ｓ ｉ −８００００（組成：使用５ｉ
−１’ｉ１ｍの濃度８．０％）を塗布し、５００°Ｃで
３０分間焼成して膜厚約２５００人の３ｉ０２膜を形成
した。
股上にＯＣＤ Ｓ ｉ −８００００（組成：使用５ｉ
−１’ｉ１ｍの濃度８．０％）を塗布し、５００°Ｃで
３０分間焼成して膜厚約２５００人の３ｉ０２膜を形成
した。
以後実施例１と同様にしてエレク）・ロクロミノク表示
素子を組み立て、５ｉ０２膜の評価をした。その結果を
第１表に示す。
素子を組み立て、５ｉ０２膜の評価をした。その結果を
第１表に示す。
実施例１Ｏ
実施例１と同様の透明導電性基板のｌＴＯの透明導電Ｉ
ＩＩｊ！１−にＯＣＤ Ｓ １−８００００を塗布し、
２５０°Ｃ〕で３０分間焼成して膜厚約２５００人の８
１０２膜を形成した。
ＩＩｊ！１−にＯＣＤ Ｓ １−８００００を塗布し、
２５０°Ｃ〕で３０分間焼成して膜厚約２５００人の８
１０２膜を形成した。
以後実施例１と同様にしてエレクＩ・ロクロミノク表示
素子を絹めΔｊで、５ｉ０２膜の評価をした。その結果
を第１表に示３゜ 実施例ＩＩ 実施例１と同様の透明導電性基板のＩＴＯの透明導電膜
りにＯＣ［） ５ｉ−８００００を塗布し、２０Ｆ＋
’Ｃテ３０分間焼成し２て腺厚約２５００人の５ｉ０２
膜を形成した。
素子を絹めΔｊで、５ｉ０２膜の評価をした。その結果
を第１表に示３゜ 実施例ＩＩ 実施例１と同様の透明導電性基板のＩＴＯの透明導電膜
りにＯＣ［） ５ｉ−８００００を塗布し、２０Ｆ＋
’Ｃテ３０分間焼成し２て腺厚約２５００人の５ｉ０２
膜を形成した。
以後実施例１と同様にしてエレクｌ−ｔｑクロミ。
り表示素子を組み立て、５ｉ０２膜の評価をした。その
結果を第１表に示す。
結果を第１表に示す。
実施例１２
実施例１と同様の透明導電性基板のＩＴＯの透明導電股
上にＯＣＤ Ｓ １−８００００を塗布し、６００°Ｃ
で３０分間焼成して膜厚約２５００人の５ｉ０２膜を形
成した。
上にＯＣＤ Ｓ １−８００００を塗布し、６００°Ｃ
で３０分間焼成して膜厚約２５００人の５ｉ０２膜を形
成した。
以後実施例１と同様にしてエレクトロクロミック表示素
子を組め立て、５ｉ０２１？の評価をした。その結果を
第１表に示す。
子を組め立て、５ｉ０２１？の評価をした。その結果を
第１表に示す。
比較例１
透明導電性基板のＩＴＯの透明導電膜上に保護腺をまっ
たく形成することなくエレクトロクロミック表示素子を
組め立て、実施例１と同様の寿命試験を行ない、ＩＴＯ
の透明導電膜の断線の有無を調べた。その結果を第１表
に示す。
たく形成することなくエレクトロクロミック表示素子を
組め立て、実施例１と同様の寿命試験を行ない、ＩＴＯ
の透明導電膜の断線の有無を調べた。その結果を第１表
に示す。
比較例２
実施例１と同様の透明導電性基板のＩＴＯの透明導電膜
上にＳｉＯを蒸着源とし酸素雰囲気中１ＸＩＯ−’Ｔｏ
ｒｒ、蒸着速度１０λ／ｓｅｃで蒸着し膜厚約２５００
人のＳｉＯ工膜を形成した。
上にＳｉＯを蒸着源とし酸素雰囲気中１ＸＩＯ−’Ｔｏ
ｒｒ、蒸着速度１０λ／ｓｅｃで蒸着し膜厚約２５００
人のＳｉＯ工膜を形成した。
以後、実施例１と同様にしてエレクトロクロミック表示
素子を組め立て、ｓ＋ｏｘｌＩｉについて実施例１と同
様の評＋ｉ１ｉ試験をした。その結果を第１表に示す。
素子を組め立て、ｓ＋ｏｘｌＩｉについて実施例１と同
様の評＋ｉ１ｉ試験をした。その結果を第１表に示す。
２
１Ａ
第１表に示すように、オルガノシラノールの熱分解によ
り形成した５ｉ０２膜は発消色寿命を顕著に向上させる
。これらのうらでも特にリン、ホウ素が含有されたもの
は、膜の仕上り、外観などが良好であった。また膜形成
が塗布（ディッピング）、焼成というプロセスで行なう
ことができるので、蒸着による場合などに比べて生産性
が非富に高い。またオルガノシラノールの熱分解により
形成した５ｉ０２ＩＩｉｉはエツチング特性も良好であ
り、ＷＯ３１１１の形成に際するエツチングを容易に行
なうことができた。
り形成した５ｉ０２膜は発消色寿命を顕著に向上させる
。これらのうらでも特にリン、ホウ素が含有されたもの
は、膜の仕上り、外観などが良好であった。また膜形成
が塗布（ディッピング）、焼成というプロセスで行なう
ことができるので、蒸着による場合などに比べて生産性
が非富に高い。またオルガノシラノールの熱分解により
形成した５ｉ０２ＩＩｉｉはエツチング特性も良好であ
り、ＷＯ３１１１の形成に際するエツチングを容易に行
なうことができた。
以上述べたように、本発明によれば、長寿命のエレクト
ロクロミック表示素子が提供される。
ロクロミック表示素子が提供される。
第１図は本発明のエレクトロクロミック表示素子の一実
施例を示す断面図である。 １・・・透明導電性基板、 １ｂ・・・透明導電膜、
２・・・ｗｏ３層、 ３・・・５ｉ０２膜、 ５・・・
対向極、 ７・・・電解質 第１図
施例を示す断面図である。 １・・・透明導電性基板、 １ｂ・・・透明導電膜、
２・・・ｗｏ３層、 ３・・・５ｉ０２膜、 ５・・・
対向極、 ７・・・電解質 第１図
Claims (1)
- （１）透明導電性基板の透明導電股上にエレクトロクロ
ミンク物質層を形成してなる表示極、対向極および電解
質を有してなるエレクトロクロミック表示素子において
、上記透明導電膜の保護膜として、オルカリシラノール
を熱分解して３ｉ０２膜を形成したことを特徴とするエ
レクトロクロミック表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59068420A JPS60211432A (ja) | 1984-04-05 | 1984-04-05 | エレクトロクロミツク表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59068420A JPS60211432A (ja) | 1984-04-05 | 1984-04-05 | エレクトロクロミツク表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60211432A true JPS60211432A (ja) | 1985-10-23 |
Family
ID=13373170
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59068420A Pending JPS60211432A (ja) | 1984-04-05 | 1984-04-05 | エレクトロクロミツク表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60211432A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5245457A (en) * | 1991-04-04 | 1993-09-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Forming a topcoat for liquid crystal display devices having plastic substrates using UV light and temperatures less than 200° C. |
-
1984
- 1984-04-05 JP JP59068420A patent/JPS60211432A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5245457A (en) * | 1991-04-04 | 1993-09-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Forming a topcoat for liquid crystal display devices having plastic substrates using UV light and temperatures less than 200° C. |
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