JPS644162B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS644162B2 JPS644162B2 JP1944178A JP1944178A JPS644162B2 JP S644162 B2 JPS644162 B2 JP S644162B2 JP 1944178 A JP1944178 A JP 1944178A JP 1944178 A JP1944178 A JP 1944178A JP S644162 B2 JPS644162 B2 JP S644162B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- sio
- film
- manufacturing
- panel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Liquid Crystal (AREA)
Description
〔産業上の利用分野〕
本発明は主として電界効果型の液晶パネルに用
いるガラス基板の製造方法に関するものである。 〔従来の技術〕 電界効果形液晶表示パネル用セルは、第１図に
示すごとく液晶分子をツイスト配向させ、電界印
加でその分子を電界に対してほぼ平行にならしめ
液晶の光学的変化を生じさせるもので、このセル
の上下に偏光板を合わせることにより表示を可能
ならしめている。この場合、液晶は抵抗が高いた
めに電流はほとんど流れずその結果消費電力も小
さい。また液晶中に流れる電流が少ないために液
晶の劣化がほとんどなくまた透明電極の劣化も抑
えることができ全体的に非常に寿命の長い表示パ
ネルが可能になる。しかし通常の充分に精製され
た液晶中には液晶を入れる容器からまた液晶をセ
ル中に封入する際に不純物の混入がある。更にパ
ネルを長期間駆動していくうち透明電極中の不純
物がイオンとして溶けこんだりする。このために
液晶の抵抗値が低くなり消費電力の増大、液晶の
劣化等の問題が生じて長寿命化、高信頼性を得る
のが困難となつている。 従来上記した問題に対して第２図に示す様な対
策がなされている。この対策とは予めパター形成
した透明電極の表面をスパツタ蒸着法、真空蒸着
法、CVD法等でSiO2膜をオーバーコートして透
明電極中の不純物がイオンとしと溶出するのを防
止したり、或いは不可避的に流れる電流のための
透明電極の劣化を防止したりしている。しかしス
パツタ蒸着法、真空蒸着法、或いはCVD法とい
つたコーテイング処理方法は量産性が悪く、更ま
た熟練した処理工程管理を必要としたり、或いは
装置入手のための莫大な投資を強いられ、パネル
製造工程への投入は困難となつている。 以上の蒸着法の欠点をさけるために次に示すよ
うな改良された技術も提案されている。即ち、特
開昭52−130344号公報には、有機シリコンを溶質
としエタノールを溶媒とする溶液を塗布焼成され
ることが開示されているが、リンの元素を無機酸
の形で前記リンをSiO2に対して１％〜10％添加
されていないものであつて、単に絶縁膜のはが
れ、クラツクの発生防止ができるものである。ま
た単純なSiO2膜ができるものである。 次に特開昭50−131549号公報には珪素の有機溶
液により絶縁膜を形成する際にＰ、Pb、Cdなど
の金属を有機または無機の化合物の形で加える点
は開示されていますが、その量が定められていな
いばかりか、絶縁膜形成の目的が、こすりによる
電極の配向処理の安定化あるいは長寿命化にある
ものである。他には特開昭50−131548号公報に
は、珪素の有機溶液にＰ、Pb、Clなどの有機ま
たは無機化合物を混入することは開示されていま
すが、その量は示されず、混入の目的は、熱処理
温度を下げるものである。 〔発明が解決しようとする問題点〕 従来から公知となつている技術では、液晶セル
基板から液晶組成物中へ溶出する不純物を押えき
れない問題点があつた。また蒸着技術を用いた絶
縁膜形成法ではコストが大幅に上昇し、工業的に
製造することは困難であつた。 本発明は以上の問題点を解決し、液晶セル基板
から液晶組成物中への不純物溶出を完全に押えら
れ、かつ安価に製造できる製造方法を提供しよう
とするものである。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明の液晶パネルの製造方法は、透明電極を
上下対向させて形成したガラスセルに液晶組成物
をツイスト配向させて封入し液晶の電気的光学的
特性を利用して表示を行なう液晶表示パネルの製
造方法において、前記セルの上下対向させたセル
基板の表面を、ケイ素のオーガニツクソリユージ
ヨン｛一般式；Si（OR）4、Ｒ；アルキル基｝に、
リンの元素を無機酸の形で前記リンをSiO2に対
して１％〜10％の割合で添加して調合した処理液
を用いて、SiO2＋添加物含有膜でコートし、該
コートした膜厚が500〜3000Åであつて、前記処
理液の塗布方法として、刷毛塗りスピンナー振り
切り法、スプレー吹付け法、浸漬等引き上げ法、
オフセツト印刷法によることを特徴とするもので
ある。 〔実施例〕 以下本発明の詳細を説明する。 ケイ素のオーガニツクソリユージヨンとはその
化学式を一般的にSi（OR）4（Ｒ＝アルキル基）で
示される、オルソアルコキシシランである。 この物質をアルコール、酢酸メチル、酢酸エチ
ル、アセトン、キシレン、塩酸、硫酸、酢酸、ギ
酢などを溶媒として調合し処理液として、アルカ
り洗浄、酸洗浄、純水洗浄等、洗浄を充分行なつ
たガラス基板に刷毛塗り、スピンナー回転振り切
り法、スプレー吹付け法、浸漬等速引き上げ法、
オフセツト印刷法等のいずれかの方法で塗布し、
150℃〜200℃程度の温度でプレ焼成を施すと若干
強固な膜になる。更に400℃以上の高温で焼成し
て不純物の溶出を防止する効果の高い（以下高質
という）SiO2膜を得る。この処理したガラス基
板で組み立てた液晶表示パネルは従来の処理とほ
ぼ同じレベル或いはそれ以上の品質のものが得ら
れる。また前述した処理方法で得た純粋なSiO2
膜を高質にする為に、前記処理液にリンの元素を
無機酸の形で前記リンを適当な割合で添加して処
理液を調合し、前記諸方法のいずれかの方法を使
つてパネル用ガラス基板に処理液塗布した後、プ
レ焼成、高温焼成して前記物質の添加された
SiO2膜を得る。この処理したガラス基板でパネ
ル用セルを組み立てた液晶表示パネルは純粋な
SiO2膜のオーバーコート処理より寿命の長いパ
ネルが得られる。これはSiO2膜に前記物質を添
加することにより高質の膜が得られたためであ
る。尚添加量の割合はSiO2に対し、１％〜10％
が好ましく、それ以上でも、それ以下でも効果が
うすれる。特に10％を越えれば、逆に前記物質が
液晶組成物中に溶出して配向の乱れを生ずる欠点
がある。１％より少なければ前記物質の添加が少
なすぎて従来の結果に近くなつてしまう。 このように本発明によれば、従来のSiO2コー
テイング方法（例えばスパツタ蒸着法、真空蒸着
法、等々）に比較して、極めせ容易に添加物を加
えることが出来ると共に、添加物の割合も自由に
コントロールすることが可能である。膜厚につい
ては膜の厚い方がよい長寿命を示すが500Å〜
3000Åの範囲が最も良好である。 本発明方法は処理液のガラスの塗布条件を出し
てしまえばプレ焼成、高温焼成を電気炉で施せば
よく、細かな工程管理を必要とせず、また設備と
しては処理液の塗布装置と電気炉或いはベルト炉
があればよく大きな設備投資の必要がなく、また
量産性は従来ある方法と比較にならないほど大き
く、全体的に非常に大きな合理化を可能にした。 次に実施例を記して本発明を具体的に説明す
る。 なお、前述従来のケイ素をオーガニツクソリユ
ージヨンを塗布して焼成ものと、本発明のリンを
添加したものとを特性比較した状態は下表の通り
である。
いるガラス基板の製造方法に関するものである。 〔従来の技術〕 電界効果形液晶表示パネル用セルは、第１図に
示すごとく液晶分子をツイスト配向させ、電界印
加でその分子を電界に対してほぼ平行にならしめ
液晶の光学的変化を生じさせるもので、このセル
の上下に偏光板を合わせることにより表示を可能
ならしめている。この場合、液晶は抵抗が高いた
めに電流はほとんど流れずその結果消費電力も小
さい。また液晶中に流れる電流が少ないために液
晶の劣化がほとんどなくまた透明電極の劣化も抑
えることができ全体的に非常に寿命の長い表示パ
ネルが可能になる。しかし通常の充分に精製され
た液晶中には液晶を入れる容器からまた液晶をセ
ル中に封入する際に不純物の混入がある。更にパ
ネルを長期間駆動していくうち透明電極中の不純
物がイオンとして溶けこんだりする。このために
液晶の抵抗値が低くなり消費電力の増大、液晶の
劣化等の問題が生じて長寿命化、高信頼性を得る
のが困難となつている。 従来上記した問題に対して第２図に示す様な対
策がなされている。この対策とは予めパター形成
した透明電極の表面をスパツタ蒸着法、真空蒸着
法、CVD法等でSiO2膜をオーバーコートして透
明電極中の不純物がイオンとしと溶出するのを防
止したり、或いは不可避的に流れる電流のための
透明電極の劣化を防止したりしている。しかしス
パツタ蒸着法、真空蒸着法、或いはCVD法とい
つたコーテイング処理方法は量産性が悪く、更ま
た熟練した処理工程管理を必要としたり、或いは
装置入手のための莫大な投資を強いられ、パネル
製造工程への投入は困難となつている。 以上の蒸着法の欠点をさけるために次に示すよ
うな改良された技術も提案されている。即ち、特
開昭52−130344号公報には、有機シリコンを溶質
としエタノールを溶媒とする溶液を塗布焼成され
ることが開示されているが、リンの元素を無機酸
の形で前記リンをSiO2に対して１％〜10％添加
されていないものであつて、単に絶縁膜のはが
れ、クラツクの発生防止ができるものである。ま
た単純なSiO2膜ができるものである。 次に特開昭50−131549号公報には珪素の有機溶
液により絶縁膜を形成する際にＰ、Pb、Cdなど
の金属を有機または無機の化合物の形で加える点
は開示されていますが、その量が定められていな
いばかりか、絶縁膜形成の目的が、こすりによる
電極の配向処理の安定化あるいは長寿命化にある
ものである。他には特開昭50−131548号公報に
は、珪素の有機溶液にＰ、Pb、Clなどの有機ま
たは無機化合物を混入することは開示されていま
すが、その量は示されず、混入の目的は、熱処理
温度を下げるものである。 〔発明が解決しようとする問題点〕 従来から公知となつている技術では、液晶セル
基板から液晶組成物中へ溶出する不純物を押えき
れない問題点があつた。また蒸着技術を用いた絶
縁膜形成法ではコストが大幅に上昇し、工業的に
製造することは困難であつた。 本発明は以上の問題点を解決し、液晶セル基板
から液晶組成物中への不純物溶出を完全に押えら
れ、かつ安価に製造できる製造方法を提供しよう
とするものである。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明の液晶パネルの製造方法は、透明電極を
上下対向させて形成したガラスセルに液晶組成物
をツイスト配向させて封入し液晶の電気的光学的
特性を利用して表示を行なう液晶表示パネルの製
造方法において、前記セルの上下対向させたセル
基板の表面を、ケイ素のオーガニツクソリユージ
ヨン｛一般式；Si（OR）4、Ｒ；アルキル基｝に、
リンの元素を無機酸の形で前記リンをSiO2に対
して１％〜10％の割合で添加して調合した処理液
を用いて、SiO2＋添加物含有膜でコートし、該
コートした膜厚が500〜3000Åであつて、前記処
理液の塗布方法として、刷毛塗りスピンナー振り
切り法、スプレー吹付け法、浸漬等引き上げ法、
オフセツト印刷法によることを特徴とするもので
ある。 〔実施例〕 以下本発明の詳細を説明する。 ケイ素のオーガニツクソリユージヨンとはその
化学式を一般的にSi（OR）4（Ｒ＝アルキル基）で
示される、オルソアルコキシシランである。 この物質をアルコール、酢酸メチル、酢酸エチ
ル、アセトン、キシレン、塩酸、硫酸、酢酸、ギ
酢などを溶媒として調合し処理液として、アルカ
り洗浄、酸洗浄、純水洗浄等、洗浄を充分行なつ
たガラス基板に刷毛塗り、スピンナー回転振り切
り法、スプレー吹付け法、浸漬等速引き上げ法、
オフセツト印刷法等のいずれかの方法で塗布し、
150℃〜200℃程度の温度でプレ焼成を施すと若干
強固な膜になる。更に400℃以上の高温で焼成し
て不純物の溶出を防止する効果の高い（以下高質
という）SiO2膜を得る。この処理したガラス基
板で組み立てた液晶表示パネルは従来の処理とほ
ぼ同じレベル或いはそれ以上の品質のものが得ら
れる。また前述した処理方法で得た純粋なSiO2
膜を高質にする為に、前記処理液にリンの元素を
無機酸の形で前記リンを適当な割合で添加して処
理液を調合し、前記諸方法のいずれかの方法を使
つてパネル用ガラス基板に処理液塗布した後、プ
レ焼成、高温焼成して前記物質の添加された
SiO2膜を得る。この処理したガラス基板でパネ
ル用セルを組み立てた液晶表示パネルは純粋な
SiO2膜のオーバーコート処理より寿命の長いパ
ネルが得られる。これはSiO2膜に前記物質を添
加することにより高質の膜が得られたためであ
る。尚添加量の割合はSiO2に対し、１％〜10％
が好ましく、それ以上でも、それ以下でも効果が
うすれる。特に10％を越えれば、逆に前記物質が
液晶組成物中に溶出して配向の乱れを生ずる欠点
がある。１％より少なければ前記物質の添加が少
なすぎて従来の結果に近くなつてしまう。 このように本発明によれば、従来のSiO2コー
テイング方法（例えばスパツタ蒸着法、真空蒸着
法、等々）に比較して、極めせ容易に添加物を加
えることが出来ると共に、添加物の割合も自由に
コントロールすることが可能である。膜厚につい
ては膜の厚い方がよい長寿命を示すが500Å〜
3000Åの範囲が最も良好である。 本発明方法は処理液のガラスの塗布条件を出し
てしまえばプレ焼成、高温焼成を電気炉で施せば
よく、細かな工程管理を必要とせず、また設備と
しては処理液の塗布装置と電気炉或いはベルト炉
があればよく大きな設備投資の必要がなく、また
量産性は従来ある方法と比較にならないほど大き
く、全体的に非常に大きな合理化を可能にした。 次に実施例を記して本発明を具体的に説明す
る。 なお、前述従来のケイ素をオーガニツクソリユ
ージヨンを塗布して焼成ものと、本発明のリンを
添加したものとを特性比較した状態は下表の通り
である。
本発明の、ケイ素のオーガニツクソリユージヨ
ンに、リンの元素を無機酸の形でSiO2に対して
１％〜10％の割合で添加して調合した処理液を用
いてSiO2＋添加物含有膜でコートし、膜厚が500
〜3000Åであつて、前記処理液の塗布方法として
削毛塗りスピンナー振り切り法、スプレー吹付
法、浸漬等引き上げ法、オフセツト印刷法によつ
たため、極めて良質のかつ均一な膜が形成できた
ため、従来の方法では全く得られなかつた、液晶
パネル基板から液晶組成物への不純物の溶出が完
全に押えられ、極めて長寿命で信頼性の高い液晶
パネルを安価に製造することができる格別な効果
を奏することができた。
ンに、リンの元素を無機酸の形でSiO2に対して
１％〜10％の割合で添加して調合した処理液を用
いてSiO2＋添加物含有膜でコートし、膜厚が500
〜3000Åであつて、前記処理液の塗布方法として
削毛塗りスピンナー振り切り法、スプレー吹付
法、浸漬等引き上げ法、オフセツト印刷法によつ
たため、極めて良質のかつ均一な膜が形成できた
ため、従来の方法では全く得られなかつた、液晶
パネル基板から液晶組成物への不純物の溶出が完
全に押えられ、極めて長寿命で信頼性の高い液晶
パネルを安価に製造することができる格別な効果
を奏することができた。
第１図は従来の液晶表示パネル断面図を示す。
第２図はSiO2膜によるオーバーコート処理した
液晶表示パネル断面図を示す。 １……ガラス基板、２……ネサ（透明電極）、
３……液晶組成物、４……SiO2にリンの添加さ
れた膜、５……偏光子、６……反射板。
第２図はSiO2膜によるオーバーコート処理した
液晶表示パネル断面図を示す。 １……ガラス基板、２……ネサ（透明電極）、
３……液晶組成物、４……SiO2にリンの添加さ
れた膜、５……偏光子、６……反射板。
Claims (1)
- １ 透明電極を上下対向させて形成したガラスセ
ルに液晶組成物をツイスト配向させて封入し液晶
の電気的光学的特性を利用して表示を行なう液晶
表示パネルの製造方法において、前記セルの上下
対向させたセル基板の表面を、ケイ素のオーガニ
ツクソリユージヨン｛一般式；Si（OR）4、Ｒ；ア
ルキル基｝に、リンの元素を無機酸の形で前記リ
ンをSiO2に対して１％〜10％の割合で添加して
調合した処理液を用いて、SiO2＋添加物含有膜
でコートし、該コートした膜厚が500〜3000Åで
あつて、前記処理液の塗布方法として、刷毛塗り
スピンナー振り切り法、スプレー吹付け法、浸漬
等速引き上げ法、オフセツト印刷法によることを
特徴とする液晶パネルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1944178A JPS54112658A (en) | 1978-02-22 | 1978-02-22 | Liquid crystal display panel and production of the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1944178A JPS54112658A (en) | 1978-02-22 | 1978-02-22 | Liquid crystal display panel and production of the same |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28238089A Division JPH02181117A (ja) | 1989-10-30 | 1989-10-30 | 液晶表示パネルの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54112658A JPS54112658A (en) | 1979-09-03 |
| JPS644162B2 true JPS644162B2 (ja) | 1989-01-24 |
Family
ID=11999379
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1944178A Granted JPS54112658A (en) | 1978-02-22 | 1978-02-22 | Liquid crystal display panel and production of the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS54112658A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3001125A1 (de) * | 1980-01-14 | 1981-07-16 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur herstellung einer fluessigkristallanzeige |
| JPS5738413A (en) * | 1980-08-20 | 1982-03-03 | Seiko Epson Corp | Substrate for liquid crystal panel |
| JPS57191219A (en) * | 1981-05-20 | 1982-11-25 | Tokyo Denshi Kagaku Kabushiki | Formation of silica coating pattern |
| JPH0612384B2 (ja) * | 1982-05-17 | 1994-02-16 | アルプス電気株式会社 | 液晶表示素子の製造方法 |
| US4643531A (en) * | 1984-02-15 | 1987-02-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal panel having an organic indium and/or organic zirconium orientation film |
| DE4325124C2 (de) * | 1993-07-27 | 1996-06-13 | Bayerische Motoren Werke Ag | Spiegel, insbesondere Fahrzeug-Rückblickspiegel |
-
1978
- 1978-02-22 JP JP1944178A patent/JPS54112658A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS54112658A (en) | 1979-09-03 |
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