JPS60211461A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
- Publication number
- JPS60211461A JPS60211461A JP6672784A JP6672784A JPS60211461A JP S60211461 A JPS60211461 A JP S60211461A JP 6672784 A JP6672784 A JP 6672784A JP 6672784 A JP6672784 A JP 6672784A JP S60211461 A JPS60211461 A JP S60211461A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- boat
- degree
- electrophotographic photoreceptor
- evaporation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
この発明は、電子写真感光体に関１−・、１！１にカラ
ー複写機用の電子写真感光体に関する。
ー複写機用の電子写真感光体に関する。
従来技術
カラー複写機用の５ｅ−３ｅ ・王０構成の感光体は、
３ｅ層Ｉの５ｏ−Ｔｏの成分分布が、表層に向ってＴＯ
瀧ＩＱが増大Ｊるような分布になっており、このような
構成の場合、長期使用中に摩耗のために、分光感光、帯
電特性等が劣化し、耐久１ノ１も劣・）てくる３゜Ｓｅ
層−にの５Ｏ−７０の成分分イｌｉ−’Ｃ゛ｉ’ ｆ！
澗麿が均一’、ｒ Ｓ ｅ ・１’ ４Ｎ層であれば
、耐久＋’ｌμ向」ニして実用！−の問題（，１，解ｄ
′１りるが、繰返し使用１）ているどさのＩ？槓電（サ
ノが増加し１．Ｌｌ、−１表面電位の低下０大きい１゜ 目 的 この発明の目的は、残留電位が低く、繰返しリピート電
位変１ＦＩｌが小ざく、フルカー、シー複写機に用いる
ことがで・きる感光体をｌ１ｆｆｉ ＩＩＬりることで
ある、１ 構 成 この発明の構成は、導電１１１支持体の表面に順次３ｃ
層、Ｓｅと５ｅ−１−ｃ（Ｓ）の混合層、Ｔｅ９度が小
さい３ｅ −Ｔｅ （Ｓ）唐、Ｔｅ ａｍが大きい５ｅ
−Ｔｅ （Ｓ）均一層を有することを特徴する電子写真
感光体である。
３ｅ層Ｉの５ｏ−Ｔｏの成分分布が、表層に向ってＴＯ
瀧ＩＱが増大Ｊるような分布になっており、このような
構成の場合、長期使用中に摩耗のために、分光感光、帯
電特性等が劣化し、耐久１ノ１も劣・）てくる３゜Ｓｅ
層−にの５Ｏ−７０の成分分イｌｉ−’Ｃ゛ｉ’ ｆ！
澗麿が均一’、ｒ Ｓ ｅ ・１’ ４Ｎ層であれば
、耐久＋’ｌμ向」ニして実用！−の問題（，１，解ｄ
′１りるが、繰返し使用１）ているどさのＩ？槓電（サ
ノが増加し１．Ｌｌ、−１表面電位の低下０大きい１゜ 目 的 この発明の目的は、残留電位が低く、繰返しリピート電
位変１ＦＩｌが小ざく、フルカー、シー複写機に用いる
ことがで・きる感光体をｌ１ｆｆｉ ＩＩＬりることで
ある、１ 構 成 この発明の構成は、導電１１１支持体の表面に順次３ｃ
層、Ｓｅと５ｅ−１−ｃ（Ｓ）の混合層、Ｔｅ９度が小
さい３ｅ −Ｔｅ （Ｓ）唐、Ｔｅ ａｍが大きい５ｅ
−Ｔｅ （Ｓ）均一層を有することを特徴する電子写真
感光体である。
この発明の感光体の構成を図面を参照して具体的に説明
すると、第１図に示すように）９電性支持体１の表面に
Ｓｅ層２、その上に３ｅとＳｅ −Ｔｅ （Ｓ）の混合
層３、更にＴ（！ １ＩＩｌｌｌｆが小さいＳｅ −Ｔ
ｅ （Ｓ）層４、Ｔｅ濃度が大きいＳｅ −Ｔｅ （Ｓ
）Ｍｌ ５ヲｆｆＵ（）たものである。
すると、第１図に示すように）９電性支持体１の表面に
Ｓｅ層２、その上に３ｅとＳｅ −Ｔｅ （Ｓ）の混合
層３、更にＴ（！ １ＩＩｌｌｌｆが小さいＳｅ −Ｔ
ｅ （Ｓ）層４、Ｔｅ濃度が大きいＳｅ −Ｔｅ （Ｓ
）Ｍｌ ５ヲｆｆＵ（）たものである。
導電層支持体１はアルミニウム（Ａ１）、ニラクル（Ｎ
１）あるいはステンレス＃ｌＷの＞９電性材別でつくら
れる。ＡＩであればＪＩＳ ３００３．１０５０．１０
７０等の材料に適正な酸化被膜を形成するように表面処
理を施したものが用いられる。
１）あるいはステンレス＃ｌＷの＞９電性材別でつくら
れる。ＡＩであればＪＩＳ ３００３．１０５０．１０
７０等の材料に適正な酸化被膜を形成するように表面処
理を施したものが用いられる。
３ｃ層２は電荷輸送層（ＣＴＬ）、電荷保持層の役目を
する。したがって、正孔のトラップが形成される材料は
、繰返し表面電位を上昇させ、コピーに地肌汚れや解像
度の低下が起り好ましくない。材１’ｉ＋としては、４
ナイン、好ましくは５ナイン以上のｓｅであり、酸素の
含有量がｌｐｐｍ以下が望ましい。膜厚は３０〜１００
μｍが一般的であるが、好ましくは５０〜７０μｍであ
る。
する。したがって、正孔のトラップが形成される材料は
、繰返し表面電位を上昇させ、コピーに地肌汚れや解像
度の低下が起り好ましくない。材１’ｉ＋としては、４
ナイン、好ましくは５ナイン以上のｓｅであり、酸素の
含有量がｌｐｐｍ以下が望ましい。膜厚は３０〜１００
μｍが一般的であるが、好ましくは５０〜７０μｍであ
る。
Ｓｅと３ｅ −Ｔｅ （Ｓ）の混合層３および丁ｅｍ度
が小さい５ａ−Ｔｃ （ＳＫＦｉ４はＳｅ層とＴＯ哨度
の高い３ｅ −”ｌｅ （Ｓ）層のバンドギＶツブの違
いか−）牛しる■孔１〜ラップあるいは電子１−ラップ
によって生じる電荷、光疲労を減らり゛作用をＪる。こ
れらはネガ残像、ポジ残像が発生し、Ｊ、た、電位変動
の原因になり易い。
が小さい５ａ−Ｔｃ （ＳＫＦｉ４はＳｅ層とＴＯ哨度
の高い３ｅ −”ｌｅ （Ｓ）層のバンドギＶツブの違
いか−）牛しる■孔１〜ラップあるいは電子１−ラップ
によって生じる電荷、光疲労を減らり゛作用をＪる。こ
れらはネガ残像、ポジ残像が発生し、Ｊ、た、電位変動
の原因になり易い。
製造方法どしては、３ｅど５ｅ−Ｔｃ（Ｓ）が同時に蒸
着できるようにする。これ１，１．３ｅの蒸着が終了し
たら直りに３ｅ−Ｔｅ （Ｓ）を蒸着しても人体ＩＰｉ
１様な結ｑ！が生じるが、使用環境により多少差が生じ
る。リピー１〜特＋１で電位変動は同時に蒸着した方が
少ない。この混合層の厚さは２へ・５μ程度である。ま
たＳｅの蒸着終了間近に３ ｅ−１−ｅ層が蒸発される
Ｊ：うな蒸着形態をどる。
着できるようにする。これ１，１．３ｅの蒸着が終了し
たら直りに３ｅ−Ｔｅ （Ｓ）を蒸着しても人体ＩＰｉ
１様な結ｑ！が生じるが、使用環境により多少差が生じ
る。リピー１〜特＋１で電位変動は同時に蒸着した方が
少ない。この混合層の厚さは２へ・５μ程度である。ま
たＳｅの蒸着終了間近に３ ｅ−１−ｅ層が蒸発される
Ｊ：うな蒸着形態をどる。
３ｅ−１−ｅ層４の丁ｅは１５−２０ｗｔ％にするから
、Ｓｅと３ｃ −ＴＯ（８）の混合層３の上層４のＴｅ
濃度は４〜１０Ｗ［％あればよい。
、Ｓｅと３ｃ −ＴＯ（８）の混合層３の上層４のＴｅ
濃度は４〜１０Ｗ［％あればよい。
この混合層３の上層のＳｃ −Ｔｅ （Ｓ）層４のＴｅ
が４〜１０ｗｔ％に達すると一度５ｅ−Ｔ（！ （Ｓ）
用のボートのシャッターを閉じる。
が４〜１０ｗｔ％に達すると一度５ｅ−Ｔ（！ （Ｓ）
用のボートのシャッターを閉じる。
この蒸着量は、蒸着時間で調節するか、計測器でモニタ
ーする。一定時間後、Ｔｅ１１度が１５−２０ｗｔ％に
達り−るとボートのシャッターを開け、Ｓｅ −Ｔｅ
（Ｓ）を１〜５μｍ（Ｄｑさに蒸着する。Ｔｅは２５ｗ
ｔ％までは使用可能であるが、実用的には２０ｗｔ％ま
でである。このときの表面の３ｅ −Ｔｅ （Ｓ）層５
のＴｅ濃度は１５〜２０ｗｔ％となるようにシャッター
を閉じる。すなわち５ｅ−Ｔｅ （Ｓ）層のＴｅ濃度が
高く、かつ均一な層５を形成する。
ーする。一定時間後、Ｔｅ１１度が１５−２０ｗｔ％に
達り−るとボートのシャッターを開け、Ｓｅ −Ｔｅ
（Ｓ）を１〜５μｍ（Ｄｑさに蒸着する。Ｔｅは２５ｗ
ｔ％までは使用可能であるが、実用的には２０ｗｔ％ま
でである。このときの表面の３ｅ −Ｔｅ （Ｓ）層５
のＴｅ濃度は１５〜２０ｗｔ％となるようにシャッター
を閉じる。すなわち５ｅ−Ｔｅ （Ｓ）層のＴｅ濃度が
高く、かつ均一な層５を形成する。
第２図はこの蒸着のタイムチャートを示す。
■は５ＯＪＰｌｉ２の蒸着時間、■はＳｅと３ｅ −Ｔ
ｅ （Ｓ）との混合層３の蒸着時間、■はＴｅ１１度の
小さいＳｅ −Ｔｅ （Ｓ）層４の蒸着時間、ＩＶはＴ
ｅ濃度の高いｓｅ −Ｔｅ （Ｓ）層５の蒸着時間を示
す。
ｅ （Ｓ）との混合層３の蒸着時間、■はＴｅ１１度の
小さいＳｅ −Ｔｅ （Ｓ）層４の蒸着時間、ＩＶはＴ
ｅ濃度の高いｓｅ −Ｔｅ （Ｓ）層５の蒸着時間を示
す。
ｓｅ −Ｔｅ （Ｓ）層は電荷発生層（ＣＧ ！−）の
役目を有し、Ｓｅ −Ｔｅ （Ｓ）層の均一層５− ５を有することで、連続使用時に膜の摩耗が生じても画
像ｍ麻、色調の変化を極力少なくするためのものである
。硫黄（イオウ）は特に添加する必要がないが、添加覆
れば高抵抗化する。その添加用は０．５〜１０ｗｔ％で
あるが、好ましくは１〜３ｗｔ％で、ぞの串が多いと繰
返し残留電位を」−胃さけ、また感度を低下させるので
好ましくない。
役目を有し、Ｓｅ −Ｔｅ （Ｓ）層の均一層５− ５を有することで、連続使用時に膜の摩耗が生じても画
像ｍ麻、色調の変化を極力少なくするためのものである
。硫黄（イオウ）は特に添加する必要がないが、添加覆
れば高抵抗化する。その添加用は０．５〜１０ｗｔ％で
あるが、好ましくは１〜３ｗｔ％で、ぞの串が多いと繰
返し残留電位を」−胃さけ、また感度を低下させるので
好ましくない。
第３図は感光層中の３ｃどＳｅ −Ｔ（４（Ｓ）混合層
３、ＴｅＦＪ度が低いＳｅ −Ｔｅ （Ｓ）層４および
Ｔｅ１１度が高いＳｅ・−Ｔｏ （Ｓ）均一層５中のＴ
ＯＩＩｉ１１度分布を定性的に示したグラフである。
３、ＴｅＦＪ度が低いＳｅ −Ｔｅ （Ｓ）層４および
Ｔｅ１１度が高いＳｅ・−Ｔｏ （Ｓ）均一層５中のＴ
ＯＩＩｉ１１度分布を定性的に示したグラフである。
横軸に記載の３．４．５はそれぞれ３ｅと５ｃ−Ｔｅ
（Ｓ）混合層３、Ｔｅ濃度が小さいＳｅ −ＴＯ（Ｓ）
Ｉｌｉｉ？ ４、Ｔｅ１度が大きい５−Ｔｃ （Ｓ）層
５に相当する位置を示すものである。
（Ｓ）混合層３、Ｔｅ濃度が小さいＳｅ −ＴＯ（Ｓ）
Ｉｌｉｉ？ ４、Ｔｅ１度が大きい５−Ｔｃ （Ｓ）層
５に相当する位置を示すものである。
以下、実施例によって、この発明を具体的に説明する。
６−
実施例１
ステンレス１４ Ｓ ｔＪ Ｓ −３０４でつくられた
Ｓｅ用蒸発ボートとＳｅ −Ｔｅ （Ｓ）用のシトツタ
−何蒸発ボート各１本づつを有する真空熱＠装置の第１
のボートに５ナイン級の３ｅ １４５ｇｒ 、第２のボ
ートに５Ｑ−Ｔｅ（Ｔ’０１８ｗｔ％） １００ｇｒを
投入し、真空度２×１Ｏ−５Ｔ ｏｒｒ 、下地湿度７
８℃で１２０ｍｍφの清浄な△ｌ製ドラムに３ｅ 、
３ｅ−’ｌ”ｅを真空蒸♀な し １こ 。
Ｓｅ用蒸発ボートとＳｅ −Ｔｅ （Ｓ）用のシトツタ
−何蒸発ボート各１本づつを有する真空熱＠装置の第１
のボートに５ナイン級の３ｅ １４５ｇｒ 、第２のボ
ートに５Ｑ−Ｔｅ（Ｔ’０１８ｗｔ％） １００ｇｒを
投入し、真空度２×１Ｏ−５Ｔ ｏｒｒ 、下地湿度７
８℃で１２０ｍｍφの清浄な△ｌ製ドラムに３ｅ 、
３ｅ−’ｌ”ｅを真空蒸♀な し １こ 。
まず、第１のボートから２９０℃でＳｅを蒸発させ、蒸
発開始より、２５分後に第２のボー１〜に通電１．、シ
ャッターを聞け、４．５〜５μｍの３ｅ−Ｔ（４層が積
層する時間でシャッターを閉じた。
発開始より、２５分後に第２のボー１〜に通電１．、シ
ャッターを聞け、４．５〜５μｍの３ｅ−Ｔ（４層が積
層する時間でシャッターを閉じた。
第１のボー１−はＳｅ蒸発終了後２分後に加熱のための
通電を止めた。表層のＴｅ濃度は７〜８ｗｔ％になった
。そして、第２のボートにはそのまま通電を続け５ｅ−
Ｔｅ層が３〜３．５層１ｍでＴｅ濃度が均一になる時間
にシャッターを聞き、閉じた。この１１、ｒのＴｅ濃度
は１８．７ｗｔ％である。蒸着終了後直ｔ５に冷却し、
真空蒸着装置外に取り出し、５１１間暗中保質をした。
通電を止めた。表層のＴｅ濃度は７〜８ｗｔ％になった
。そして、第２のボートにはそのまま通電を続け５ｅ−
Ｔｅ層が３〜３．５層１ｍでＴｅ濃度が均一になる時間
にシャッターを聞き、閉じた。この１１、ｒのＴｅ濃度
は１８．７ｗｔ％である。蒸着終了後直ｔ５に冷却し、
真空蒸着装置外に取り出し、５１１間暗中保質をした。
比較例１
Ｓ Ｕ Ｓ −３０４でつくられたＳｏ川熱蒸発ボー１
と５ｅ−Ｔｅ（Ｓ）用蒸介ボー１へ各１木を備えた蒸着
賛同を用い、第１のボー１へに５ナイン級３ｅ １４５
ｇｒ 、第２のボー１〜に５ｏ−Ｔｅ （Ｔｅ １２ｗ
１％）１０Ｂを投入し、真空度２Ｘ １０５１− Ｏｒ
ｒ 、’ｌ＝ １１！Ｉ Ｍｉ１度７８°ＣＴ−１２０
ｎ１ｍφの△１ＰＩＪドラムに５Ｏ１Ｓｏ−Ｔｏをｉｌ
ｉ空蒸看し Ｉこ 。
と５ｅ−Ｔｅ（Ｓ）用蒸介ボー１へ各１木を備えた蒸着
賛同を用い、第１のボー１へに５ナイン級３ｅ １４５
ｇｒ 、第２のボー１〜に５ｏ−Ｔｅ （Ｔｅ １２ｗ
１％）１０Ｂを投入し、真空度２Ｘ １０５１− Ｏｒ
ｒ 、’ｌ＝ １１！Ｉ Ｍｉ１度７８°ＣＴ−１２０
ｎ１ｍφの△１ＰＩＪドラムに５Ｏ１Ｓｏ−Ｔｏをｉｌ
ｉ空蒸看し Ｉこ 。
第１のボー１〜を２９０℃に通電加熱し、蒸着時間５０
分で厚さ５２７１ｍの８０層を形成した。
分で厚さ５２７１ｍの８０層を形成した。
ついで第２のボー１〜を通電１ノ、３４０°Ｇで８分間
蒸着し、３（、ｔｍのＳ Ｏ−Ｔ Ｑ膜（表層のＴ ｅ
ｆｌＪ ｑ ｉ８，４Ｗ＋ ％ ） を １！７ ノ
こ 。
蒸着し、３（、ｔｍのＳ Ｏ−Ｔ Ｑ膜（表層のＴ ｅ
ｆｌＪ ｑ ｉ８，４Ｗ＋ ％ ） を １！７ ノ
こ 。
以後実施例１ど同じ条ｆｌで試Ｆｌを取出し、保管した
。、 実施例２ 実施例１同じ真空蒸着装置を用い、第１のボー１−に５
ナイン級の３ ｅ １４５ｇｒを投入し、第２のボート
にＳｅ −Ｔｅ −８（Ｔｅ １８ｗｔ％、３２ｗｔ％
） １００ｇｒを投入し、真空度２×１Ｏ−５１ｏｒｒ
、下地温度７８℃で１２０ｍｍφの清浄Ａ１ドラムにＳ
ｅと３ｅ−１−ｅを真空蒸着した。
。、 実施例２ 実施例１同じ真空蒸着装置を用い、第１のボー１−に５
ナイン級の３ ｅ １４５ｇｒを投入し、第２のボート
にＳｅ −Ｔｅ −８（Ｔｅ １８ｗｔ％、３２ｗｔ％
） １００ｇｒを投入し、真空度２×１Ｏ−５１ｏｒｒ
、下地温度７８℃で１２０ｍｍφの清浄Ａ１ドラムにＳ
ｅと３ｅ−１−ｅを真空蒸着した。
まず、第１のボートに通電し、温度２９０℃で３ｅを蒸
着、２．３分後第２のボートに通電し、５ｅ−Ｔｃ、（
Ｓ）を蒸発させ、第１のボーＩ〜は５分後に通電を停止
した。また、第２のボートは５分後にシャッターを閉じ
た。この時の表層のＴｅ濃度は９〜１０ｗｔ％であった
。
着、２．３分後第２のボートに通電し、５ｅ−Ｔｃ、（
Ｓ）を蒸発させ、第１のボーＩ〜は５分後に通電を停止
した。また、第２のボートは５分後にシャッターを閉じ
た。この時の表層のＴｅ濃度は９〜１０ｗｔ％であった
。
そのまま通電を続け、ｓｅ −Ｔｅ （Ｓ）層が３〜３
，５μでＴｅ１１度が均一になる時間にシｌジッターを
開き、そして閉じた。
，５μでＴｅ１１度が均一になる時間にシｌジッターを
開き、そして閉じた。
以下実施例１と同じ条件で試料を取出し、同じ条件で保
管した。
管した。
比較例２
実施例２と同じ装置に同じＳｅ剤を用い、９−
第２のボートにはＳｃ 、Ｔｅ （Ｔｅ１８ｗ＋％）１
００ｇｒを投入し、同じ圧力、同じ下地湿度で ゛蒸着
した。
００ｇｒを投入し、同じ圧力、同じ下地湿度で ゛蒸着
した。
第１のボー１〜を２９０℃で５０分間通電し、厚さ５２
μｍの３ｅ膜を得た。ついで第２のボートにシャッター
をした；１：ま３６０℃に通電加熱し、シャッター操作
で３ｅ−１−ｅ層が７０１度１９ｗｔ％、厚さ３μｍの
蒸若膜を形成した。
μｍの３ｅ膜を得た。ついで第２のボートにシャッター
をした；１：ま３６０℃に通電加熱し、シャッター操作
で３ｅ−１−ｅ層が７０１度１９ｗｔ％、厚さ３μｍの
蒸若膜を形成した。
蒸＠終了後は実施例１と同じ条件で試ｆｉｌを取出し、
同じ条件で保管した。
同じ条件で保管した。
以上の各実施＋４１おＪ、び比較例でつ（った４種のド
ラムをリコー製フルカラー実験機で試゛験した結果は下
記の表に示すとおりであった、１表 １０− 処−ｊＬ 以上の説明から明らかなように、この発明の感光体は、
残留電位が低く、リピートによるダーク電位の低下が従
来の１／２〜１／３以下、ライ１〜電１ｉ１の１−胃が
極めて少ない。そしてフルカラー複写機に適した感光体
である。
ラムをリコー製フルカラー実験機で試゛験した結果は下
記の表に示すとおりであった、１表 １０− 処−ｊＬ 以上の説明から明らかなように、この発明の感光体は、
残留電位が低く、リピートによるダーク電位の低下が従
来の１／２〜１／３以下、ライ１〜電１ｉ１の１−胃が
極めて少ない。そしてフルカラー複写機に適した感光体
である。
第１図は、この発明の電子写真感光体の一員体例の拡大
断面図、 第２図は、上記感光体を形成するための蒸着のタイムヂ
ャ−１へ、 第３図は、上記感光体にお（プる丁ｅの分布を定ｔｌ的
に示すグラフである。 １・・・導電性支持体、２・・・Ｓｅ層、３−３ｅとＳ
ｅ−丁ｅ （Ｓ）の混合層、４・・・Ｔｏ濶度が小さい
ｓｅ −Ｔｅ （Ｓ）層、５− ■（！ ′ａ度が大ぎ
いＳｅ −Ｔｅ （Ｓ）層。 １１− 才１図 才２図 才３図 ←−６−＋□４−←５闇
断面図、 第２図は、上記感光体を形成するための蒸着のタイムヂ
ャ−１へ、 第３図は、上記感光体にお（プる丁ｅの分布を定ｔｌ的
に示すグラフである。 １・・・導電性支持体、２・・・Ｓｅ層、３−３ｅとＳ
ｅ−丁ｅ （Ｓ）の混合層、４・・・Ｔｏ濶度が小さい
ｓｅ −Ｔｅ （Ｓ）層、５− ■（！ ′ａ度が大ぎ
いＳｅ −Ｔｅ （Ｓ）層。 １１− 才１図 才２図 才３図 ←−６−＋□４−←５闇
Claims (1)
- 導電↑η支持体の表面に順次（２レン（Ｓｃ ）層、セ
レン（Ｓｏ ）とレレン（Ｓｏ）−ｊルル（Ｔｅ ）
−［硫黄（Ｓ）１の混合層、Ｔ’０瀧度が小さい５Ｏ−
ＴＯ・（Ｓ）Ｆｉ、Ｔｏ澗度が大きいＳＣ−ＴＯ・（Ｓ
）均一層を右Ｊることを特徴ど１ｊる電子写真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6672784A JPS60211461A (ja) | 1984-04-05 | 1984-04-05 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6672784A JPS60211461A (ja) | 1984-04-05 | 1984-04-05 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60211461A true JPS60211461A (ja) | 1985-10-23 |
Family
ID=13324212
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6672784A Pending JPS60211461A (ja) | 1984-04-05 | 1984-04-05 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60211461A (ja) |
-
1984
- 1984-04-05 JP JP6672784A patent/JPS60211461A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4737428A (en) | Image forming process for electrophotography | |
| US3685989A (en) | Ambipolar photoreceptor and method of imaging | |
| JPS649623B2 (ja) | ||
| JPS60211461A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS6059353A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS636865B2 (ja) | ||
| JPS58123544A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPS59166961A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPH0740138B2 (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS61223749A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS5953851A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS62272275A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS58111949A (ja) | 電子写真用像形成部材 | |
| JPS6247648A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPS58214164A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPS5952251A (ja) | 電子写真用像形成部材の製造法 | |
| JPS6064357A (ja) | 電子写真用セレン感光体 | |
| JPS6161381B2 (ja) | ||
| JPS6187159A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPS6249357A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPS6068349A (ja) | 電子写真用アモルファス光導電部材の製造装置 | |
| JPS636866B2 (ja) | ||
| JPS6152653A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPS647381B2 (ja) | ||
| JPS6066254A (ja) | 電子写真感光体 |