JPS6247648A - 電子写真用感光体 - Google Patents
電子写真用感光体Info
- Publication number
- JPS6247648A JPS6247648A JP18663485A JP18663485A JPS6247648A JP S6247648 A JPS6247648 A JP S6247648A JP 18663485 A JP18663485 A JP 18663485A JP 18663485 A JP18663485 A JP 18663485A JP S6247648 A JPS6247648 A JP S6247648A
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- JP
- Japan
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- layer
- potential
- concentration
- sete
- little
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08207—Selenium-based
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/043—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure
- G03G5/0433—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure all layers being inorganic
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
この発明は電子写真感光体、特にカラー複写機用感光体
に関する。
に関する。
従来技術
従来、カラー複写機用感光体として導電性支持体の表面
に順次Ｓｅ層、Ｓｅ・７’ｅ層、５Ｏ−Ａｓ層を有する
感光体が知られているが、（特開昭４４−１２６７０号
）これは青から緑にか番プでの光に対する感度がセレン
（Ｓｅ ）程度であるので光源の消費電力が大きいのが
問題であった。
に順次Ｓｅ層、Ｓｅ・７’ｅ層、５Ｏ−Ａｓ層を有する
感光体が知られているが、（特開昭４４−１２６７０号
）これは青から緑にか番プでの光に対する感度がセレン
（Ｓｅ ）程度であるので光源の消費電力が大きいのが
問題であった。
導電性支持体の表面に、ＣｄＳ・樹脂層、更にＰＥＴ層
を設けたものは毒性が強い材料を用いているので公害防
止の点で問題である。
を設けたものは毒性が強い材料を用いているので公害防
止の点で問題である。
更に、導電性支持体の表面に順次５ｅＥＪ、Ｓｅ・Ｔｅ
層を設【プたものも提案されたが、表面電位の温度依存
性が大きい、複写開始時の１〜２枚目の電位変動が大き
い。また、繰返し電位低下が大きいという問題があった
。
層を設【プたものも提案されたが、表面電位の温度依存
性が大きい、複写開始時の１〜２枚目の電位変動が大き
い。また、繰返し電位低下が大きいという問題があった
。
カラー複写機の場合、電位変動による影響は色違いのみ
ならず、色の再現性にもおよぶ重要な事項であり、モノ
クロ複写機の場合には問題が生じない５０〜６０Ｖ程度
の変動でも大ぎな影響がある。
ならず、色の再現性にもおよぶ重要な事項であり、モノ
クロ複写機の場合には問題が生じない５０〜６０Ｖ程度
の変動でも大ぎな影響がある。
カラー感光体では感度を高めるために、増感剤を多く添
加するために上記問題が起り易い。
加するために上記問題が起り易い。
目 的
本発明は、従来技術の上記問題を解決し、高感度である
にもかかわらず、繰返し使用をしても電位変動が小さい
、残留電位増加が小さい、感度変化が小さい感光体を提
供することを目的としている。
にもかかわらず、繰返し使用をしても電位変動が小さい
、残留電位増加が小さい、感度変化が小さい感光体を提
供することを目的としている。
構 成
上記目的を達成するための本発明の構成は、導電性支持
体の表面に順次形成されたｓｅｗ、Ｓｅ・１０層（１）
、Ｓｅ・Ｔｅｆｆｌ［２）からなる電子写真用感光体に
おいて、 Ｓｅ・Ｔｅｆｆｌ（１１のＴｅ ｉＩｎ分布が３ｃ側で
０〜６ｗｔ％、Ｓｅ・Ｔｅ層（２）側で１４〜２０ｗｔ
％という１濃度勾配を有し、 Ｓｅ・Ｔｅ層（２）におけるＴｅ ａｍが４〜８ｗｔ％
の間で均一な濃度である電子写真用感光体である。
体の表面に順次形成されたｓｅｗ、Ｓｅ・１０層（１）
、Ｓｅ・Ｔｅｆｆｌ［２）からなる電子写真用感光体に
おいて、 Ｓｅ・Ｔｅｆｆｌ（１１のＴｅ ｉＩｎ分布が３ｃ側で
０〜６ｗｔ％、Ｓｅ・Ｔｅ層（２）側で１４〜２０ｗｔ
％という１濃度勾配を有し、 Ｓｅ・Ｔｅ層（２）におけるＴｅ ａｍが４〜８ｗｔ％
の間で均一な濃度である電子写真用感光体である。
本発明の構成を図面を参照して具体的に説明すると、第
１図に示すように、導電性支持体１の表面にＳｅ？’ｆ
２、Ｓｅ −Ｔｅ Ｉ（１１３，Ｓｅ・Ｔｅ層（２）４
を順次有するものである。
１図に示すように、導電性支持体１の表面にＳｅ？’ｆ
２、Ｓｅ −Ｔｅ Ｉ（１１３，Ｓｅ・Ｔｅ層（２）４
を順次有するものである。
導電性支持体１は普通アルミニウム（Ａ１）が使用され
表面仕上は＃ １０００〜４０００の砥石で研磨したも
のが適当である。Ａ１以外の材料ではニッケル＜Ｎｉ）
が適当な材料である。
表面仕上は＃ １０００〜４０００の砥石で研磨したも
のが適当である。Ａ１以外の材料ではニッケル＜Ｎｉ）
が適当な材料である。
Ｓｅ層２の作用は電荷保持であって、膜厚３０〜１００
μｍ１好ましくは４０〜１０μｍテ、結晶化防止のため
に砒素（Ａｓ ＞を０．５〜１０ｗｔ％添加したもので
もよい。
μｍ１好ましくは４０〜１０μｍテ、結晶化防止のため
に砒素（Ａｓ ＞を０．５〜１０ｗｔ％添加したもので
もよい。
第３図に示すように、３ｅ −Ｔｅ ＰＨＩＩ ３は、
光の長波長域（６００ｎｍ以上）での感度が優れた層で
あって、第２図に示すように、テルル（Ｔｅ）濃度が表
層に近い所を１４〜２０ｖ＋ｔ％とし、５ｅｌｌ！ｙ側
を０〜６ｗｔ％とする。膜厚は１〜１０μ、好ましくは
２〜５μｍとする。
光の長波長域（６００ｎｍ以上）での感度が優れた層で
あって、第２図に示すように、テルル（Ｔｅ）濃度が表
層に近い所を１４〜２０ｖ＋ｔ％とし、５ｅｌｌ！ｙ側
を０〜６ｗｔ％とする。膜厚は１〜１０μ、好ましくは
２〜５μｍとする。
Ｔｅ濃度に勾配をもたせる理由は、Ｔｅ１濃度が高いた
めに、正孔（ホール）がＳｅとＳｅ・Ｔｅ界面にトラッ
プされ、残留電位増加や電子の層中でのトラップにより
、ダーク電位が低下するのを軽減するためである。
めに、正孔（ホール）がＳｅとＳｅ・Ｔｅ界面にトラッ
プされ、残留電位増加や電子の層中でのトラップにより
、ダーク電位が低下するのを軽減するためである。
３ｅ −Ｔｅ １Ｉ（２）４は第３図に示すように６０
０ｎｍ以下の波長域用の増感層であり、第２図に示すよ
うにＴｅを４〜８ｗｔ％と低く抑えることにより、表面
電位の低下防止、また均一層化することにより繰返し使
用時の感度低下を軽減する。膜厚は０．５〜５μｍ、好
ましくは１〜３μｍである。
０ｎｍ以下の波長域用の増感層であり、第２図に示すよ
うにＴｅを４〜８ｗｔ％と低く抑えることにより、表面
電位の低下防止、また均一層化することにより繰返し使
用時の感度低下を軽減する。膜厚は０．５〜５μｍ、好
ましくは１〜３μｍである。
本発明の感光体の分光特性は全体どして第３図に示すと
おりである。この感光体によれば、特に現在のリコー製
カラー複写機（リコーカラー５ｏｏｏ）用感光体の欠点
である１〜２枚目の電位変動、表面電位の温度依存性が
改善できる。
おりである。この感光体によれば、特に現在のリコー製
カラー複写機（リコーカラー５ｏｏｏ）用感光体の欠点
である１〜２枚目の電位変動、表面電位の温度依存性が
改善できる。
以下、本発明の感光体の製造法とその特性を実施例によ
って、具体的に説明する。
って、具体的に説明する。
実施例１
３ｅ材用ボートとＳｅ・Ｔｅ材用サブボートを２個配置
し、それぞれのボートの開閉シャッターを設置した真空
蒸着装首を用い、Ｓｅ材用ボートにＳｅ材を１９０（］
。
し、それぞれのボートの開閉シャッターを設置した真空
蒸着装首を用い、Ｓｅ材用ボートにＳｅ材を１９０（］
。
第１のＳｅ・７’ｅ材用サブボートにＳｅ・丁ｅ（Ｔｅ
８ｗ、ｔ％）材を３０！Ｉ＋、第２のＳｅ・Ｔｅ材用サ
ブボートにＳｅ・Ｔｅ （Ｔｅ ２０ｗｔ％）材を１
ｅｇ装入した。
８ｗ、ｔ％）材を３０！Ｉ＋、第２のＳｅ・Ｔｅ材用サ
ブボートにＳｅ・Ｔｅ （Ｔｅ ２０ｗｔ％）材を１
ｅｇ装入した。
導電性支持体としては＃ ２０００で超仕上げした１２
０φのＡＩドラムを７３℃に保ち、１×１０’ Ｔ ｏ
ｒｒの真空下で上記Ｓｅ用ボートに通電し、３４０℃に
温度が上界した時にシャッターを開き、２５分間で５２
μのＳｅ層を上記Ａ１ドラムに蒸着した。
０φのＡＩドラムを７３℃に保ち、１×１０’ Ｔ ｏ
ｒｒの真空下で上記Ｓｅ用ボートに通電し、３４０℃に
温度が上界した時にシャッターを開き、２５分間で５２
μのＳｅ層を上記Ａ１ドラムに蒸着した。
ついで第２のサブボートに通電し、４３０℃で蒸着を行
ない、蒸着後の表ＷＴｅ 濃度が１６ｗｔ％、Ｓｅ側は
約Ｓｗｔ％になるような時間でシャッターを閉じた。こ
の時の膜厚は４．３μであった。
ない、蒸着後の表ＷＴｅ 濃度が１６ｗｔ％、Ｓｅ側は
約Ｓｗｔ％になるような時間でシャッターを閉じた。こ
の時の膜厚は４．３μであった。
つぎに第２のボートのシャッターを閉じておき、第１の
サブボートが設定温度４３０℃になるように通電し、Ｓ
ｅ・Ｔｅ層が５〜ｅｗｔ％で２μｍの層ができるように
シャッターの開閉を行ない蒸着を終了した。
サブボートが設定温度４３０℃になるように通電し、Ｓ
ｅ・Ｔｅ層が５〜ｅｗｔ％で２μｍの層ができるように
シャッターの開閉を行ない蒸着を終了した。
こうして１りられたドラムを２週間放置後電気特性を測
定したのら、実機特性を測定した。
定したのら、実機特性を測定した。
実施例２
実施例１の第１のサブボートにＳｅ・Ｔｅ（Ｔｅ １０
ｗｔ％） ３０ｇを装入した以外はすべて実施例１と同
じ条件で蒸着を行ない、実施例１と同じような方法で特
性を測定した。
ｗｔ％） ３０ｇを装入した以外はすべて実施例１と同
じ条件で蒸着を行ない、実施例１と同じような方法で特
性を測定した。
実施例３
実施例１の第２のサブボートに５ｃ−Ｔｅ（Ｔ ｅ ２
０ｗｔ％）１５ｇを装入し、シｔｙツタータ。
０ｗｔ％）１５ｇを装入し、シｔｙツタータ。
イミングを実施例より３０秒遅らせ、表層のＴｅ１濃度
が１８．５ｔ％（Ｓｅ側、約４ｗｔ％）、膜厚６．５μ
ｍとした以外は実施例１と同じ方法で蒸着を行ない、実
施例１と同じ特性を測定した。
が１８．５ｔ％（Ｓｅ側、約４ｗｔ％）、膜厚６．５μ
ｍとした以外は実施例１と同じ方法で蒸着を行ない、実
施例１と同じ特性を測定した。
比較例
Ｓｅ材用ボートに３ｅ材を１９０ｇ、３ｅ −Ｔｅ材用
サブボートにＳｅ −Ｔｅ （Ｔｅ ２０ｗｔ％）Ｉ
ヲ５０ｇを装入し、第２のＳｅ・Ｔｅ材材用アブボート
除いた装置を用いた外はすべて実施例１と同じ条件でＡ
１ドラム上にまず３ｅ層を蒸着した。
サブボートにＳｅ −Ｔｅ （Ｔｅ ２０ｗｔ％）Ｉ
ヲ５０ｇを装入し、第２のＳｅ・Ｔｅ材材用アブボート
除いた装置を用いた外はすべて実施例１と同じ条件でＡ
１ドラム上にまず３ｅ層を蒸着した。
ついで、Ｓｅ・Ｔｅ用サブボートに通電し、４３０℃に
加熱した。まず、シャッターを閉じておき、８分経過し
た時シャッターを開き、２分２０秒経過後厚さ５μのＳ
ｅ−ＴｅＭを蒸着した。この時の表層のＴｅ濃度は約ｆ
６ｗｔ％であった。
加熱した。まず、シャッターを閉じておき、８分経過し
た時シャッターを開き、２分２０秒経過後厚さ５μのＳ
ｅ−ＴｅＭを蒸着した。この時の表層のＴｅ濃度は約ｆ
６ｗｔ％であった。
°こうして得られた感光ドラムを５日間暗所に放置の後
、フォーミング作業を行ない、帯電能を改善し、２週間
後に実機特性を測定した。
、フォーミング作業を行ない、帯電能を改善し、２週間
後に実機特性を測定した。
以上、各実施例および比較例で製造した感光ドラムの特
性を下記に示す。
性を下記に示す。
注
ｖＳ：ドラムフエツカーで帯電６．６秒後の電位ｖＳニ
ドラムチェッカーで帯電２０秒後の電位たちのである。
ドラムチェッカーで帯電２０秒後の電位たちのである。
効 果
以上説明したように、この発明の電位写真用感光体の効
果を要約すると下記のとおりである。
果を要約すると下記のとおりである。
１）１〜２枚目の電位変化量が少ないので、それが原因
となっている色調変化がほとんど無い。
となっている色調変化がほとんど無い。
２〉１〜１００枚目の電位変化量が少ないので１、画像
の濃度低下、カラーバランスの狂いが小さい。
の濃度低下、カラーバランスの狂いが小さい。
３）残留電位の増加量が少ないので地汚れ、カブリが無
い。
い。
４）帯電能が高い。
コロナ放電量が少なくて済み、その分だ【ブ、白点、黒
点、その他の異常画像の発生確率が小さくなり、安定な
画像が形成できる。
点、その他の異常画像の発生確率が小さくなり、安定な
画像が形成できる。
第１図は本発明の感光体の構造の説明図、第２図はこの
発明の感光体のＳｅ・Ｔｅ層におけるＴｅの′濃度分布
を定性−的に示す説明図、 第３図は、本発明の感光体の分光特性を示すグラフであ
る。 １・・・導電性支持体、 ２・・・Ｓｅ層またはＳｅ ・ＡＳ層、３・Ｓａ −Ｔ
ｅ ｍｍ、４−８ ｅ −Ｔｅ ｔｉ！０２）゜特許出
願人 株式会社リ コ − 代理人 弁理士 小 松 秀 岳 代理人 弁理士 旭 宏 牙２図 第１図 第３図 波優（八ｍ） 手続補正書 （師） 昭和６０年１０月１１日 特許庁長官 宇 賀 道 部 殿 １、事件の表示 特願昭６０−１８６６３４号 ２、発明の名称 事件との関係 特許出願人 名 称 （６７４） 株式会社リコー４、代理人 ６、補正の対象 、−
一第３図を別紙のとおり補正する。 第３ 図 汲憂（１’ｔｍ）
発明の感光体のＳｅ・Ｔｅ層におけるＴｅの′濃度分布
を定性−的に示す説明図、 第３図は、本発明の感光体の分光特性を示すグラフであ
る。 １・・・導電性支持体、 ２・・・Ｓｅ層またはＳｅ ・ＡＳ層、３・Ｓａ −Ｔ
ｅ ｍｍ、４−８ ｅ −Ｔｅ ｔｉ！０２）゜特許出
願人 株式会社リ コ − 代理人 弁理士 小 松 秀 岳 代理人 弁理士 旭 宏 牙２図 第１図 第３図 波優（八ｍ） 手続補正書 （師） 昭和６０年１０月１１日 特許庁長官 宇 賀 道 部 殿 １、事件の表示 特願昭６０−１８６６３４号 ２、発明の名称 事件との関係 特許出願人 名 称 （６７４） 株式会社リコー４、代理人 ６、補正の対象 、−
一第３図を別紙のとおり補正する。 第３ 図 汲憂（１’ｔｍ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 導電性支持体の表面に順次形成されたＳｅ層、Ｓｅ・Ｔ
ｅ層（１）、Ｓｅ・Ｔｅ層（２）からなる電子写真用感
光体において、 Ｓｅ・Ｔｅ層（１）のＴｅ濃度分布がＳｅ側で０〜６ｗ
ｔ％、Ｓｅ・Ｔｅ層（２）側で１４〜２０ｗｔ％という
濃度勾配を有し、 Ｓｅ・Ｔｅ層（２）におけるＴｅ濃度が４〜８ｗｔ％の
間で均一な濃度であることを特徴とする電子写真用感光
体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18663485A JPS6247648A (ja) | 1985-08-27 | 1985-08-27 | 電子写真用感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18663485A JPS6247648A (ja) | 1985-08-27 | 1985-08-27 | 電子写真用感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6247648A true JPS6247648A (ja) | 1987-03-02 |
Family
ID=16192013
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18663485A Pending JPS6247648A (ja) | 1985-08-27 | 1985-08-27 | 電子写真用感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6247648A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5573681A (en) * | 1993-07-20 | 1996-11-12 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Traveling wire electric discharge machining apparatus capable of workpiece location determining and energy level adjustment |
-
1985
- 1985-08-27 JP JP18663485A patent/JPS6247648A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5573681A (en) * | 1993-07-20 | 1996-11-12 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Traveling wire electric discharge machining apparatus capable of workpiece location determining and energy level adjustment |
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