JPS60214408A - 磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は薄膜磁気ヘッドの磁極の形成方法に関する。′ 〔従来技術〕 従来、薄膜磁気ヘッドを構成する軟磁性薄膜としてはＮ
１とＦｅｉ主成分とするパーマロイ系合金薄膜が用いら
れていたが、パーマロイ系磁性薄膜よりも飽和磁化が大
きく、高周波での透磁率が大＠　イｇ　ｏ系非晶質磁性
薄膜を用いることによって高速、高密度記録が行いやす
ぐなる。 ｃｏ系非晶質磁性薄膜の中には、王水のように強イエッ
チング液でしかエツチングされないものがあり、薄膜磁
気ヘッドを構成する他の膜をそこねてしまうので、化学
的にｃｏ系非晶質磁性薄膜をエツチングして薄膜磁気ヘ
ッドの磁極を形成することは実用上難かしい場合がある
。 ＣＯ系非晶質磁性薄膜のパターンを形成する他の方法と
して、イオンによって物理的にエツチングを行うイオン
ミリング法、あるいは、リフトオフ法がある。 イオンミリングは装置が高価であり、また、エツチング
速度が遅いという欠点がある。また、リフトオフ法は、
＄１図（ａ）に示すように、例えばしシスト１−２でバ
ｌ−ンを形成した後、薄膜１−３を付備させて、その後
、段差部１−４の段差被膜性の悪いところからレジスト
１−２’ｉ除去する液体全しみこ捷せてレジスト層−２
とともにレジスト上の薄膜１−３も除去して必要な薄腰
ノ（ターン１−５を残す（第１図（ｂ））ものである。 しかし、このリフトオフ法は第２図に示すような、必要
なパターン２−２のピッチＰが小さい場合には有効で−
あるが、薄膜磁気ヘッドのように磁極のピッチＰが１〜
２■の場合には、段差被膜部２−４からのしみこみがレ
ジスト層２−３全体に行き渡りにぐいため、リフトオフ
に時間がかかるという問題があった。 〔目的〕 本発明はかかる問題を解決するもので、従来のリフトオ
フ用パターンにマスクを重ねて、不必要な部分に付着す
る薄膜を遮へいして、効率のよいリフトオフ法によって
薄膜磁気ヘッドの磁極を形成することを目的とする。 〔概要〕 軟磁性薄膜、絶縁膜および導体薄膜などを積層して成る
薄膜磁気ヘッドの磁極を形成する場合において、磁極と
なる部分以外を有機物あるいは無機物で覆い、さらにそ
の上に無機物あるいは有機物から成るマスクを配置した
後、前記磁極となる薄膜を付着させ、その後、前記マス
クおよび前記有機物あるいは無機物を除去することによ
って前記磁極となる部分以外の薄膜全除去して前記磁極
を形成することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの創造方法
。 〔実施例１〕 以下、本発明について実施例に基づき詳細に説明する。 〔実施例１〕 第３図（ａ）は基板３−１上にレジスト３−２でパター
ンを形成したものであり、必要となる磁極の部分３−３
だけレジス）３−２’ｉｉ除去したものである。レジス
ト３−２のかわｖ［、ポリイミドなどの有機物、Ａｅ、
Ｓｉｎ、など７の無機物、あるいはそれらの積層膜を用
いても良い。 続いて、第６図（ｂ）　ｖｒ、示すようにステンレスで
作ったマスク３−４を配置する。このマスクは水晶、ガ
ラスなどの無機物、あるいはポリイミドなどの有機物で
も良い。 次に第３図（ｃ）に示すように薄膜磁気ヘッドの磁極と
なるＯ　０−Ｚｒ−Ｎ　ｂ　３−５をスパッタ法で付着
させる。本実施例ではＣＯ系非晶質磁性薄膜としてＣｏ
−Ｚ’ｒ−Ｎｂを用いたが他の成分の膜でも同様にでき
る。また、薄膜の付着方法も、スパッタ法に限らず蒸着
などでも良い。 次に第３図（、ｉ）に示すように、マスク３−４を取り
去る。このとき３−２の部分はレジスト５−２が露出し
ていることとなる。　′ 続いて、第３図（ｅ）に示すように、レジスト３−′２
を剥離する液体３−７中にひだす。この場合、剥離液３
−７のかわりに酸素プラズマのような気体テモ艮い。寸
た、レジスト５−２のかわりに他の有機物あるいは無機
物を用いていれば、それらを溶かす液体あるいは気体中
にさらせば艮い。 レジスト３−２全剥離することによって、レジスト５−
２の上に付着している磁性薄膜３−８も除去され、＠３
図（ｆ）に示すように磁極となる部分３−３だけに磁性
薄膜が残ることとなる。 以上述べてきた工程によって薄膜磁気ヘッドの磁極の形
成を行うことができる。 〔実施例２〕 薄膜磁気ヘッドの磁極を軟磁性薄膜と絶縁膜の積層構造
にすることによって、抗磁力、高周波領域での透磁率な
どの軟磁気特性が向上する。積層構造の磁極を形成する
場合にも本発明のりフトオフ法が応用できる。第４図（
ａ）に示すように、Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎｂ　４−２’（ｚ２
０００　Ａ、　Ｓｉｎ、　４−３′ｆ：１０００Ｘ、交
互に積層して全体の厚み全豹２μｍとした。その後、レ
ジス）４−４’（ｚ剥離して第４図（ｂ）に示すように
磁極４−５に形成する。 なお、薄膜磁気ヘッドの磁極としてセンダスト系の磁性
体も利用でき、本発明の製造方法を用いれば、センダス
ト系磁性体の磁極を形成することができる。もちろん、
パーマロイ系、あるいは、その他の磁性体を用いること
ができる。 また、従来の薄膜磁気ヘッドに限らず、垂直磁気記鍮用
の薄膜磁気ヘッドの磁極の形成にも応用できる。 〔効果〕 以上述べてきたように、本発明によれば、化学的にエツ
チングできない磁性薄膜のパターン形成でも、高価な装
置を用いることなく簡便な方法で行′うことができる。 また、レジスト３−２あるいはレジストのかわりに用い
る有機物、無機物の層あるいけそれらの積層膜が露出し
ている部分３−６があるため、レジスト３−２等の剥離
が行いやすく、従来のリフトオフ法に比べて効率のよい
リフトオフを行うことができる。　 一方、レジスト３−２あるいはそれにかわる膜の段差部
３−９の形状を制御することによって、第５図に示すよ
うに、磁極５−２の段差部５−３に傾斜をつけることが
できる。薄膜磁気ヘッドにおいては、電流を流す導体薄
膜５−４が絶縁膜５−５子介して磁極５−２の上に配置
されるが、磁極５−２の段差部５−５が急峻であると、
導体薄膜５−４が段差部５−６が非常に薄くなったり、
あるいは断線してしまう。従って、磁極５−２の段差部
５−３１Ｃ傾斜をつけることが必要となる。 この点においても、本発明によれば磁極５−２の段差部
５−３ＶＣ傾斜をつけると、とができるという効果を有
する。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）　、　（１））、第２図は従来のリフトオ
フ法を説明する断面図である。第３図（ａ）〜（ｆ）は
本発明の磁極形成方法の第１の実施例を示す断面図であ
り、第４図（ａ）　、　（ｂ）は本発明の第２の実施例
を示す断面図である。第５図は薄膜磁気ヘッドの一部の
断面図である。 １−１・・・基板 １−２・・・レジスト １−３・・・軟磁性薄膜 １−４・・・段差被膜部 １−５・・・磁極 ２−１・・・基板 ２−２・・・磁極 ２−３・・・レジスト ２−４・・・段差被膜部 Ｐ・・・パターンピッチ ３−１・・・基板 ３−２・・・レジスト ３−３・・・磁極 、５−４・・・マスク ３−５・・・軟磁性薄膜 ３−６・・・レジスト露出部 ３−７・・・レジスト剥離液 ６−８・・・軟磁性薄膜 ３−９・・・レジスト段差部 ４−１・・・基板 ４−２・・・軟磁性薄膜 ４′−３・・・絶縁膜 ４−４・・・レジスト ４−５・・・磁極 ５−１・・・基板 ５−２・・・磁極 ５−３・・・磁極段差部 ５−４・・・導体薄膜 ５−５・・・絶縁膜 ５−６・・・導体薄膜段差部 以　上 出願人　株式会社諏訪精工舎 代理人　弁理士最上　務 （ｆＬ） （ｂ） 、］、：１　図 第２図 −Ｉ ＣＩＡ） （Ｃ） 第３図 （ｅ） 第３図 （Ａ） ダー１ （Ｌ） 第５図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 軟磁性薄爬絶ＲＹＩＩおよび導体薄膜などを積層して成
   る薄膜磁気ヘッドの磁極を形成する場合において、磁極
   となる部分以外を有機物あるいは無機物′で覆い、さら
   にその上に無機物あるいは有機物から成るマスクを配電
   した後前記磁極となる薄膜を付着させ、その後、前記マ
   スク、および前記有機物あるいは無機物を除去すること
   によって前記磁極となる部分以外の薄膜を除去して前記
   磁極を形成すること全特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造
   方法。