JPS60218480A - 化学銅めつき液 - Google Patents
化学銅めつき液Info
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- JPS60218480A JPS60218480A JP7499484A JP7499484A JPS60218480A JP S60218480 A JPS60218480 A JP S60218480A JP 7499484 A JP7499484 A JP 7499484A JP 7499484 A JP7499484 A JP 7499484A JP S60218480 A JPS60218480 A JP S60218480A
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- JP
- Japan
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- plating solution
- compounds
- copper
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- chemical
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/31—Coating with metals
- C23C18/38—Coating with copper
- C23C18/40—Coating with copper using reducing agents
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
- H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
- H05K3/187—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating means therefor, e.g. baths, apparatus
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は機械的性質の優れた納めつき膜を析出させる化
学銅めっき液に係シ、特にプリント配線板製造の厚付け
めっきに適した化学鋼めっき液に関する。
学銅めっき液に係シ、特にプリント配線板製造の厚付け
めっきに適した化学鋼めっき液に関する。
従来よル、銅塩、銅塩の錯化剤、銅塩の還元剤ｐＨ調整
剤を基本成分とする化学銅めっき液が知られておシ、こ
の化学鋼めっき液を安定化するために有機化合物系の多
くの添加剤が提案されている。しかしながら、厚付けめ
っきにより、スルーホールめっきを行うプリント配線板
においては優れた物性のめつき膜を与える化学銅めっき
液が必要であり、有機化合物系の添加剤だけでは十分な
物性のめつき膜を得ることは峻しい場合が多く、特公昭
５６−２７５９４号に記載されているような２．２′−
ビピリジル、ポリアルキレンクリコールなどごくわずか
の種類の酢加剤を用いた場合のみ、めっき膜物性の向上
が期待できる。 ゛〔発明の目的〕 本発明の目的は従来技術の欠点をなくし、化学銅めつき
徹を安定化するための有機化合物を適用しながら物性の
優れためつき膜を与える化学鋼めっき液を提供すること
にある。
剤を基本成分とする化学銅めっき液が知られておシ、こ
の化学鋼めっき液を安定化するために有機化合物系の多
くの添加剤が提案されている。しかしながら、厚付けめ
っきにより、スルーホールめっきを行うプリント配線板
においては優れた物性のめつき膜を与える化学銅めっき
液が必要であり、有機化合物系の添加剤だけでは十分な
物性のめつき膜を得ることは峻しい場合が多く、特公昭
５６−２７５９４号に記載されているような２．２′−
ビピリジル、ポリアルキレンクリコールなどごくわずか
の種類の酢加剤を用いた場合のみ、めっき膜物性の向上
が期待できる。 ゛〔発明の目的〕 本発明の目的は従来技術の欠点をなくし、化学銅めつき
徹を安定化するための有機化合物を適用しながら物性の
優れためつき膜を与える化学鋼めっき液を提供すること
にある。
本発明の特徴とするところは銅塩、銅塩の錯化剤、銅塩
の還元剤、ｐＨｓ整剤を含む化学鋼めっき液において、
さらに添加剤として（ａ）アルカリ可溶性無機ケイ素化
合物を含み、且つ（ｂ）めっき液の安定化に効果のある
有機化合物、すなわちニトリル化合物、オキシム類、ア
ミノ酸類、２．２’ −ジピリジル、及びその誘導体、
１．１０−フェナントロリン、及びその誘導体、アルコ
ール類、有機イオウ化合物のうち、少なくとも一樵、を
含むところにある。これによシ、めっきｒｆの安定化が
図れ、且つ物性の優れためつき膜を得ることができる。
の還元剤、ｐＨｓ整剤を含む化学鋼めっき液において、
さらに添加剤として（ａ）アルカリ可溶性無機ケイ素化
合物を含み、且つ（ｂ）めっき液の安定化に効果のある
有機化合物、すなわちニトリル化合物、オキシム類、ア
ミノ酸類、２．２’ −ジピリジル、及びその誘導体、
１．１０−フェナントロリン、及びその誘導体、アルコ
ール類、有機イオウ化合物のうち、少なくとも一樵、を
含むところにある。これによシ、めっきｒｆの安定化が
図れ、且つ物性の優れためつき膜を得ることができる。
アルカリ可溶性無機ケイ素化合物としてケイ酸ナトリウ
ムやメタケイ酸ナトリウムをめっき液に添加した例は金
属表面技術誌、第１６巻１１号ｊ１９６５年）に記載さ
れておシ、従来よシ知られている。しかし、上記公知例
の液組成から得られるめつき膜は機械的性質が不十分で
ろシ、無機ケイ素化合物の添加によってめっき膜物性が
向上することは知られていなかった。しかも、めっき液
の安定性も不十分であシ、めっき槽に銅が析出しやすい
という問題もあった。、また、特開昭５４−１９４３０
号に記載されているように、２．２’ −ジピリジルと
ポリエチレングリコールを添加した化学銅めっき液に無
機ケイ素化合物をさらに添加した場合、めっき膜の機械
的特性のうち引張強度が向上することも知られている。
ムやメタケイ酸ナトリウムをめっき液に添加した例は金
属表面技術誌、第１６巻１１号ｊ１９６５年）に記載さ
れておシ、従来よシ知られている。しかし、上記公知例
の液組成から得られるめつき膜は機械的性質が不十分で
ろシ、無機ケイ素化合物の添加によってめっき膜物性が
向上することは知られていなかった。しかも、めっき液
の安定性も不十分であシ、めっき槽に銅が析出しやすい
という問題もあった。、また、特開昭５４−１９４３０
号に記載されているように、２．２’ −ジピリジルと
ポリエチレングリコールを添加した化学銅めっき液に無
機ケイ素化合物をさらに添加した場合、めっき膜の機械
的特性のうち引張強度が向上することも知られている。
しかし、この場合はめつき膜の伸び率はほとんど向上し
ておらず、無機ケイ素化合物の添加によってめっき膜物
性としての伸び率と引張強度の両方とも向上することは
知られていなかった。
ておらず、無機ケイ素化合物の添加によってめっき膜物
性としての伸び率と引張強度の両方とも向上することは
知られていなかった。
本発明は添加剤として無機ケイ素化合物とめつき液の安
定化に効果のめる有機化合物とを併用することによって
目的が達成できる。
定化に効果のめる有機化合物とを併用することによって
目的が達成できる。
本発明において、適用可能な無機ケイ素化合物としては
水ガラス、メタケイ酸ナトリウムなどのメタケイ酸塩、
ケイ酸ナトリウムなどのケイ酸塩、オルトケイ酸ナトリ
ウムなどのオルトケイ酸塩、そのほかポリケイ酸塩、二
酸化ケイ素、ケイ素含有ガラスなどがめげられる。めっ
き膜の機械的性質向上に効果のある象加蓋としてはケイ
素量に換算して１０ｍｇ／を以上必要である。それ以下
では顕著な効果は期待できない。
水ガラス、メタケイ酸ナトリウムなどのメタケイ酸塩、
ケイ酸ナトリウムなどのケイ酸塩、オルトケイ酸ナトリ
ウムなどのオルトケイ酸塩、そのほかポリケイ酸塩、二
酸化ケイ素、ケイ素含有ガラスなどがめげられる。めっ
き膜の機械的性質向上に効果のある象加蓋としてはケイ
素量に換算して１０ｍｇ／を以上必要である。それ以下
では顕著な効果は期待できない。
本発明に適用する有機化合物としてはラクトニトリルな
どのニトリル化合物、ジメチルダリオキシムなどのオキ
シム類、グリシンやノルマルロイシンなどのアミノ酸類
、２．２’−ジピリジル、および４．４′−ジメチル２
．２′−ジピリジル、２．２′−ビキノリンなどのジピ
リジル訪導体、１．１０−７エナントロリン、および２
．９−ジメチル−１，１０−フェナントロリン、４，７
−ジフェニル−１，１０−フェナントロリンなどのフェ
ナントロリン誘導体、メチルアルコールなどのアルコー
ル類、２−メチルベンゾチアゾール、２．２′−ジチオ
グリコール酸などの有機イオウ化合物などがあシ、化学
銅めっき液を前走にするものが使用できる。
どのニトリル化合物、ジメチルダリオキシムなどのオキ
シム類、グリシンやノルマルロイシンなどのアミノ酸類
、２．２’−ジピリジル、および４．４′−ジメチル２
．２′−ジピリジル、２．２′−ビキノリンなどのジピ
リジル訪導体、１．１０−７エナントロリン、および２
．９−ジメチル−１，１０−フェナントロリン、４，７
−ジフェニル−１，１０−フェナントロリンなどのフェ
ナントロリン誘導体、メチルアルコールなどのアルコー
ル類、２−メチルベンゾチアゾール、２．２′−ジチオ
グリコール酸などの有機イオウ化合物などがあシ、化学
銅めっき液を前走にするものが使用できる。
さらに、本発明で使用する化学銅めっき液は銅塩、銅塩
の錯化剤、銅塩の還元剤、ｐＨ調整剤を基本成分とする
が、銅塩は硫＃！銅、塩化第二鋼、酢酸鋼など公知のも
のが使用できる。、銅塩の錯化でメジ、エチレンジアミ
ン四酢酸、Ｎ−ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢
酸、１，２−ジアミノプロパン四酢酸、ジエチレントリ
アミン五酢酸シクロヘキサンジアミン四酢酸などが適用
できる。トリエタノールアミン、イミノ三酢酸、イミノ
三酢酸などのモノアミン、あるいはロツセル塩などを使
用した場合は十分な機械的性質のめつき膜を得ることが
できなかったり、またはめつき液の安定性が不十分で実
質的な厚付けめっきができなかったシする問題が生じる
。銅塩の還元剤は一般的に使用されるホルマリンが好適
で１、さらにｐＨ調整剤には水酸化す） ＩＪウムが通
用できる。
の錯化剤、銅塩の還元剤、ｐＨ調整剤を基本成分とする
が、銅塩は硫＃！銅、塩化第二鋼、酢酸鋼など公知のも
のが使用できる。、銅塩の錯化でメジ、エチレンジアミ
ン四酢酸、Ｎ−ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢
酸、１，２−ジアミノプロパン四酢酸、ジエチレントリ
アミン五酢酸シクロヘキサンジアミン四酢酸などが適用
できる。トリエタノールアミン、イミノ三酢酸、イミノ
三酢酸などのモノアミン、あるいはロツセル塩などを使
用した場合は十分な機械的性質のめつき膜を得ることが
できなかったり、またはめつき液の安定性が不十分で実
質的な厚付けめっきができなかったシする問題が生じる
。銅塩の還元剤は一般的に使用されるホルマリンが好適
で１、さらにｐＨ調整剤には水酸化す） ＩＪウムが通
用できる。
また、本発明において、めっき温度は５０ｔ？以上が好
ましく、５０Ｃ未満では十分な機械的性質のめつき膜を
得ることができない。
ましく、５０Ｃ未満では十分な機械的性質のめつき膜を
得ることができない。
次に本発明を実施例によシ具体的に説明する。
実施例１〜１５
表面を滑らかに研磨したステンレススチール板を脱脂し
、めっき反応の開始剤であるパラジウムを該表面に付着
させた。次に、第１表に示した化学銅めっき液組成で７
０Ｃの温度で化学鋼めっきを行い、約３０μｍの厚さの
めつき膜を得た。このめっき膜をステンレススチール板
よシ剥離して幅１０Ｍに切断し、初期の引張間隔を５０
ｍｍとして東洋測器社製の引張試験機によシ破断までの
伸び率と引張強度とを測定した。その結果を第２表に示
した。
、めっき反応の開始剤であるパラジウムを該表面に付着
させた。次に、第１表に示した化学銅めっき液組成で７
０Ｃの温度で化学鋼めっきを行い、約３０μｍの厚さの
めつき膜を得た。このめっき膜をステンレススチール板
よシ剥離して幅１０Ｍに切断し、初期の引張間隔を５０
ｍｍとして東洋測器社製の引張試験機によシ破断までの
伸び率と引張強度とを測定した。その結果を第２表に示
した。
比較例１〜１３
第１表の比較測標に記載した条件下で、実施例１〜１５
と同様にめっきし、評価した。その結果を第２表に合わ
せて示した。
と同様にめっきし、評価した。その結果を第２表に合わ
せて示した。
実施例、ならびに比較例から明らかなように、本発明の
化学銅めっき液により、物性の優れためつき膜を得るこ
とができ、且つ液安定性も良好に保つことができる。
化学銅めっき液により、物性の優れためつき膜を得るこ
とができ、且つ液安定性も良好に保つことができる。
同、本発明の化学銅めっき液において、必要に応じて第
３の添加剤を加えることもできる。例えば、シアン化ナ
トリウムなどの無機化合物を添加することによって、よ
シ一層の化学銅めっき液安窯化を図ることができる。
３の添加剤を加えることもできる。例えば、シアン化ナ
トリウムなどの無機化合物を添加することによって、よ
シ一層の化学銅めっき液安窯化を図ることができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、銅塩、銅塩の錯化剤、銅塩の還元剤、ｐＨ調整剤を
含む化学鋼めっき液において、添加剤として（ａ）アル
カリ可溶性無機ケイ素化合物を含み、且つ（ｂ）めっき
液の安定化に効果のある有機化合物、すなわちニトリル
化合物、オキシム類、アミノ酸類、２，２′−ジピリジ
ル、及びその誘導体、１゜１０−フェナントロリン、及
びその誘導体、アルコール類、有機イオウ化合物のうち
、少なくとも一種を含むことを特徴とする化学銅めっき
液。 ２、特許請求の範囲第１項において、銅塩の錯化ること
を特徴とする化学銅めっき液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7499484A JPS60218480A (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | 化学銅めつき液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7499484A JPS60218480A (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | 化学銅めつき液 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60218480A true JPS60218480A (ja) | 1985-11-01 |
Family
ID=13563333
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7499484A Pending JPS60218480A (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | 化学銅めつき液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60218480A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0378407A1 (en) * | 1989-01-13 | 1990-07-18 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Electroless copper plating solution |
| US5039338A (en) * | 1988-07-20 | 1991-08-13 | Nippondenso Co. Ltd. | Electroless copper plating solution and process for formation of copper film |
| US5965211A (en) * | 1989-12-29 | 1999-10-12 | Nippondenso Co., Ltd. | Electroless copper plating solution and process for formation of copper film |
| CN106544653A (zh) * | 2017-01-20 | 2017-03-29 | 北方民族大学 | 一种SiC粉末表面化学镀铜方法 |
-
1984
- 1984-04-16 JP JP7499484A patent/JPS60218480A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5039338A (en) * | 1988-07-20 | 1991-08-13 | Nippondenso Co. Ltd. | Electroless copper plating solution and process for formation of copper film |
| EP0378407A1 (en) * | 1989-01-13 | 1990-07-18 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Electroless copper plating solution |
| US5076840A (en) * | 1989-01-13 | 1991-12-31 | Hitachi Chemical Co. Ltd. | Electroless copper plating solution |
| US5965211A (en) * | 1989-12-29 | 1999-10-12 | Nippondenso Co., Ltd. | Electroless copper plating solution and process for formation of copper film |
| CN106544653A (zh) * | 2017-01-20 | 2017-03-29 | 北方民族大学 | 一种SiC粉末表面化学镀铜方法 |
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