JPS6021853A - リン酸ジルコニウム低膨張磁器 - Google Patents
リン酸ジルコニウム低膨張磁器Info
- Publication number
- JPS6021853A JPS6021853A JP58130617A JP13061783A JPS6021853A JP S6021853 A JPS6021853 A JP S6021853A JP 58130617 A JP58130617 A JP 58130617A JP 13061783 A JP13061783 A JP 13061783A JP S6021853 A JPS6021853 A JP S6021853A
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- JP
- Japan
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- zirconium phosphate
- low expansion
- expansion ceramic
- porcelain
- phosphate low
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は機械強度及び耐熱衝撃性の向上したリン酸ジル
コニウム低膨張磁器に関するものである。
コニウム低膨張磁器に関するものである。
リン酸ジルコニウム磁器は熱膨張率がＲＴ〜１０００℃
において、２．５ Ｘ １０ ／”Ｃと低膨張性であり
耐熱衝撃月料として期待されている一つである。
において、２．５ Ｘ １０ ／”Ｃと低膨張性であり
耐熱衝撃月料として期待されている一つである。
しかしながら、この材料は難焼結性であるため、緻密で
機械強度の高い焼結体を得ることは難かしい。
機械強度の高い焼結体を得ることは難かしい。
最近、この問題点を解決するために焼結助剤として、二
酸化マンガンや゛五酸化ニオブ等を添加した研究例があ
るが、これらは機械強度が弱いか又は耐熱衝撃性が低い
というどちらか一方の欠点が残った。また焼結助剤の添
加量がある一定以上になるとＺｒＯ□が遊離する状態と
なる。
酸化マンガンや゛五酸化ニオブ等を添加した研究例があ
るが、これらは機械強度が弱いか又は耐熱衝撃性が低い
というどちらか一方の欠点が残った。また焼結助剤の添
加量がある一定以上になるとＺｒＯ□が遊離する状態と
なる。
本発明はこれらの状況に鑑み問題点を解決して、機械強
度及び耐熱衝撃性の向上したリン酸ジルコニウム低膨張
磁器を提供するものである。
度及び耐熱衝撃性の向上したリン酸ジルコニウム低膨張
磁器を提供するものである。
即ち本発明の要旨は、リン酸マグネシウム［Ｍ ｇ （
Ｐ Ｏ＋）ｚ］を重量％で０．５〜６％含有してなるこ
とを特徴とするものである。
Ｐ Ｏ＋）ｚ］を重量％で０．５〜６％含有してなるこ
とを特徴とするものである。
以下、本発明と従来の焼結助剤等の解明を詳細に述べる
。
。
二酸化マンガンＭｎＯ２や五酸化ニオブのＮ ｂ ２０
゜は、それぞれ８４７℃、１４６０℃の融点を有してお
り１４００℃〜１５００℃の焼成条件では液相焼結助剤
の役割をもっている。さらにこれらは、リン酸ジルコニ
ウムの界雷粒成長をもたらし、粒界にマイクロクランク
を生成し易いものである。
゜は、それぞれ８４７℃、１４６０℃の融点を有してお
り１４００℃〜１５００℃の焼成条件では液相焼結助剤
の役割をもっている。さらにこれらは、リン酸ジルコニ
ウムの界雷粒成長をもたらし、粒界にマイクロクランク
を生成し易いものである。
これらＭｎＯユやＮｂ、Ｏ，が異常粒成長さゼる原因は
充分に解明されていないが、これらがリン酸ジルコニウ
ムに対して大きな溶解力をもった融剤としてｆ＠Ｊき熔
解析出過程によって急速な粒成長が起こったものと考え
られる。
充分に解明されていないが、これらがリン酸ジルコニウ
ムに対して大きな溶解力をもった融剤としてｆ＠Ｊき熔
解析出過程によって急速な粒成長が起こったものと考え
られる。
これに対して焼結助剤としてのリン酸マグネシウＪ２は
、約１３６０℃の融点を有しており、１３００〜１５０
０℃の焼成温度では液相焼結による緻密化がなされる。
、約１３６０℃の融点を有しており、１３００〜１５０
０℃の焼成温度では液相焼結による緻密化がなされる。
本発明のリン酸マグネシウムの相手主原料もリン化合物
である関係上、あまり大きな熔解力をもっていないもの
と考察され、そのため粒成長はおだやかに進行し、緻密
化がスムーズに行われると判断された。
である関係上、あまり大きな熔解力をもっていないもの
と考察され、そのため粒成長はおだやかに進行し、緻密
化がスムーズに行われると判断された。
リン酸マグネシウムが重量％で０．５％以下含有された
リン酸ジルコニウム硼器は、抗折力が１０００ｋｇ／−
以下と弱くなり、また６％以上になると耐急冷温度差が
３５０℃以下と低下する。
リン酸ジルコニウム硼器は、抗折力が１０００ｋｇ／−
以下と弱くなり、また６％以上になると耐急冷温度差が
３５０℃以下と低下する。
本発明のリン酸ジルコニウム磁器は、抗折力で１１００
〜１９００ ｋｇ／ｃＪ、耐急冷温度差で４８０〜６６
０℃のものが得られ、それに対して従来のＭ ｎ ０２
２％含有磁器は抗折力においては２０００ｋｇ ／ ｃ
ｎｆと優れているが、耐急冷温度差では４００℃と低く
、またＮｂ２Ｏ，２％含有磁器は抗折力１００ ｋｇ／
ｃ＋Ｉｌと弱＜、ｉｆｉ冷温度差も５５０℃と低く、本
発明が機械的強度及び耐熱衝撃強度共に向上することに
成功したものである。
〜１９００ ｋｇ／ｃＪ、耐急冷温度差で４８０〜６６
０℃のものが得られ、それに対して従来のＭ ｎ ０２
２％含有磁器は抗折力においては２０００ｋｇ ／ ｃ
ｎｆと優れているが、耐急冷温度差では４００℃と低く
、またＮｂ２Ｏ，２％含有磁器は抗折力１００ ｋｇ／
ｃ＋Ｉｌと弱＜、ｉｆｉ冷温度差も５５０℃と低く、本
発明が機械的強度及び耐熱衝撃強度共に向上することに
成功したものである。
ヲ５３５．６ｇと試薬−級のリン酸ジルコニウム（Ｎ
Ｈ＋） ２ＨＰ Ｏチを５８２．６ｇと水９００ｇとを
内容積６．５１のアルミナ製ボールミルにて２４時間熔
解混合する。
Ｈ＋） ２ＨＰ Ｏチを５８２．６ｇと水９００ｇとを
内容積６．５１のアルミナ製ボールミルにて２４時間熔
解混合する。
このスラリーを、ドライアイスで一３０℃以下に冷却さ
れたｎ−ヘキサン中に、ノズルで微粒化して吹込み凍結
された顆粒を作った。
れたｎ−ヘキサン中に、ノズルで微粒化して吹込み凍結
された顆粒を作った。
次にこの顆粒を真空凍結乾燥機（東京理化ＦＤ−５型）
にて２４時間乾燥させ、粒径約５００μｍの乾燥顆粒粉
末を得た。
にて２４時間乾燥させ、粒径約５００μｍの乾燥顆粒粉
末を得た。
この粉末を、大気中１６００℃の電気炉にて２時間仮焼
して、オキシピロリン酸ジルコニウム（ＺｒＯ）２ Ｐ
２．０／１粉末を生成した。
して、オキシピロリン酸ジルコニウム（ＺｒＯ）２ Ｐ
２．０／１粉末を生成した。
こうして得られた粉末３２０ｇに対して、リンに対して
、それぞれ水を２１０ｇ加え、内容積２ｉのアルミナ製
ボールミルで２４時間混合粉砕した。
、それぞれ水を２１０ｇ加え、内容積２ｉのアルミナ製
ボールミルで２４時間混合粉砕した。
このスラリーを１００メソシユの篩を通した後、乾燥器
にて１５０℃で３時間乾燥した。この粉末を６０メソシ
ユの篩を通した。
にて１５０℃で３時間乾燥した。この粉末を６０メソシ
ユの篩を通した。
この粉末を、金型ブレス機にて３００ｋｇ／ｃｎ（の成
形圧力で寸法１０Ｘ３０Ｘ６Ｌ鰭のテストピースを作っ
た。更にこれを塩化ビニール製の袋に入れシールして静
水圧プレス機にて、１５００ｋｇ／Ｃ−の圧力で本成形
した、これを下記第１表に示すそれぞれの所定温度で酸
化雰囲気焼成して、各焼結晶に対し緒特性を測定し同表
に示した。
形圧力で寸法１０Ｘ３０Ｘ６Ｌ鰭のテストピースを作っ
た。更にこれを塩化ビニール製の袋に入れシールして静
水圧プレス機にて、１５００ｋｇ／Ｃ−の圧力で本成形
した、これを下記第１表に示すそれぞれの所定温度で酸
化雰囲気焼成して、各焼結晶に対し緒特性を測定し同表
に示した。
第１表
第１表から明らかな様に、主成分リン酸ジルコニウムに
リン酸マグネシウムを重量％で０．５〜６％含有させた
本発明の低膨張磁器は、抗折力及び耐急冷温度差を高め
る効果があり、特に試料隘４〜６のリン酸マグネシウム
含有量が２．０〜５，０％のものが、その効果が大きか
った。
リン酸マグネシウムを重量％で０．５〜６％含有させた
本発明の低膨張磁器は、抗折力及び耐急冷温度差を高め
る効果があり、特に試料隘４〜６のリン酸マグネシウム
含有量が２．０〜５，０％のものが、その効果が大きか
った。
本発明はリン酸ジルコニウム低膨張磁器における機械強
度及び耐熱術ｆ性の両方の弱点を、従来品より共に向上
したものであり、大きな温度差、熱衝撃に曝される溶接
火ｌ」やセラミックヒータ、熱電対保護管あるいは熱交
換器や又は高温下で使用する高２！！顕微鏡部品等の精
密機械部品に使用出来る優れたものである。
度及び耐熱術ｆ性の両方の弱点を、従来品より共に向上
したものであり、大きな温度差、熱衝撃に曝される溶接
火ｌ」やセラミックヒータ、熱電対保護管あるいは熱交
換器や又は高温下で使用する高２！！顕微鏡部品等の精
密機械部品に使用出来る優れたものである。
Claims (1)
- リン酸マグネシウム［Ｍ ｒ、３（Ｐ ＯＦ ）２］を
ｆｆ１１％で０．５〜６％含有してなることを特徴とす
るリン酸ジルコニウム［（Ｚ ｒ Ｏ） ｚ Ｐ ２０
７ ］低膨張磁器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58130617A JPS6021853A (ja) | 1983-07-18 | 1983-07-18 | リン酸ジルコニウム低膨張磁器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58130617A JPS6021853A (ja) | 1983-07-18 | 1983-07-18 | リン酸ジルコニウム低膨張磁器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6021853A true JPS6021853A (ja) | 1985-02-04 |
| JPS6362468B2 JPS6362468B2 (ja) | 1988-12-02 |
Family
ID=15038503
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58130617A Granted JPS6021853A (ja) | 1983-07-18 | 1983-07-18 | リン酸ジルコニウム低膨張磁器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6021853A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02503772A (ja) * | 1987-04-22 | 1990-11-08 | カレドニア コンポジッツ リミテッド | インライン芯材埋込み引抜き成形装置 |
| JPH0321433A (ja) * | 1989-06-20 | 1991-01-30 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 繊維強化プラスチック‐レジンコンクリート複合材の製造方法 |
| CN110937889A (zh) * | 2019-12-10 | 2020-03-31 | 武汉科技大学 | 一种磷酸锆陶瓷材料及其制备方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0294061U (ja) * | 1989-01-13 | 1990-07-26 |
-
1983
- 1983-07-18 JP JP58130617A patent/JPS6021853A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02503772A (ja) * | 1987-04-22 | 1990-11-08 | カレドニア コンポジッツ リミテッド | インライン芯材埋込み引抜き成形装置 |
| JPH0321433A (ja) * | 1989-06-20 | 1991-01-30 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 繊維強化プラスチック‐レジンコンクリート複合材の製造方法 |
| CN110937889A (zh) * | 2019-12-10 | 2020-03-31 | 武汉科技大学 | 一种磷酸锆陶瓷材料及其制备方法 |
| CN110937889B (zh) * | 2019-12-10 | 2022-03-04 | 武汉科技大学 | 一种磷酸锆陶瓷材料及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6362468B2 (ja) | 1988-12-02 |
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