JPS60218657A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
- Publication number
- JPS60218657A JPS60218657A JP7391884A JP7391884A JPS60218657A JP S60218657 A JPS60218657 A JP S60218657A JP 7391884 A JP7391884 A JP 7391884A JP 7391884 A JP7391884 A JP 7391884A JP S60218657 A JPS60218657 A JP S60218657A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- undercoat layer
- substrate
- charge
- resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電子供与性物質を含む下引き層を有する電子
写真感光体に関する。
写真感光体に関する。
電子写真感光体は基本的には基体と感光49との(、、
″・を成である。しかしながら、基体と感光層の接着性
改良、感光層の塗工性向上、基体の保穫、基体上の欠陥
の被覆、感光層の電気的破壊に対する保hS!8、基体
から感光層への電荷注入性改良などのために、基体と感
光層の中間に下引き層をもうけることが鳴動である。゛ 下引き層は従来よりポリビニルアルコール、ポリビニル
メチルエーテル、ポリ−N−ビニルイミダソール、エチ
ルセルロース、メチルセルロース、エチレン−アクリル
酸コポリマー、カゼイン、ゼラチン、ポリアミド等が知
られている。
″・を成である。しかしながら、基体と感光層の接着性
改良、感光層の塗工性向上、基体の保穫、基体上の欠陥
の被覆、感光層の電気的破壊に対する保hS!8、基体
から感光層への電荷注入性改良などのために、基体と感
光層の中間に下引き層をもうけることが鳴動である。゛ 下引き層は従来よりポリビニルアルコール、ポリビニル
メチルエーテル、ポリ−N−ビニルイミダソール、エチ
ルセルロース、メチルセルロース、エチレン−アクリル
酸コポリマー、カゼイン、ゼラチン、ポリアミド等が知
られている。
下引き層に要求される特性として、まずオーに電気的特
性が挙げられる。電子写真感光体に用いるのであるから
、電子写真特性に影響を与えないことが重要で、−この
ためには電気抵抗が低いことが必要である。電気抵抗が
高いと、下引き層に帯電電位が印加され、いわゆる残留
電位として、両峰にかぶりが発生する。
性が挙げられる。電子写真感光体に用いるのであるから
、電子写真特性に影響を与えないことが重要で、−この
ためには電気抵抗が低いことが必要である。電気抵抗が
高いと、下引き層に帯電電位が印加され、いわゆる残留
電位として、両峰にかぶりが発生する。
さらに電気抵抗が、外部環境の変化、特に大気中の湿度
の変化によって影響を受けないことも必要である。例え
ば、低湿度によって電気抵抗が上昇すると、かぶりを生
ずるXうになる。
の変化によって影響を受けないことも必要である。例え
ば、低湿度によって電気抵抗が上昇すると、かぶりを生
ずるXうになる。
又、逆に高湿条件下で電気抵抗が低下する様な材料を用
いた場合、基体からの電荷注入、或は下引き層自体から
感光層への電荷注入を生じ易い。
いた場合、基体からの電荷注入、或は下引き層自体から
感光層への電荷注入を生じ易い。
感光層の全域にわたって注入な生じる場合は暗部電位の
減少となり、又部分的に極く微細な、膜の凹凸、欠陥等
があった場合は、通常の複写機のコビー画□□□上ベタ
黒部で微小な白ポチとなって現われる。
減少となり、又部分的に極く微細な、膜の凹凸、欠陥等
があった場合は、通常の複写機のコビー画□□□上ベタ
黒部で微小な白ポチとなって現われる。
更に感光体上の電位とトナーを付着せしめて現1aする
部分とを逆転させる所謂反転現隙プロセスを・応用する
マイクロリーダープリンタや、レーザーヒームプリンタ
ー等では、前述の欠陥は画像上白地部で黒カブリとなる
為に、大きな問題である。
部分とを逆転させる所謂反転現隙プロセスを・応用する
マイクロリーダープリンタや、レーザーヒームプリンタ
ー等では、前述の欠陥は画像上白地部で黒カブリとなる
為に、大きな問題である。
以上の説明を要約すれば、感光体が使用される全環境域
が10〜10 Ω・C1rLの体積抵抗率を有する下引
き層材料を開発しなければならない。
が10〜10 Ω・C1rLの体積抵抗率を有する下引
き層材料を開発しなければならない。
これは非常に困難である。
ところで、前述の低湿下での残留電位の上昇。
高湿下でのカブリの発生程度等は、必ずしも下引き層の
電気抵抗のみで決定されるものではない。
電気抵抗のみで決定されるものではない。
下引き層中の電荷移動、トラッピ/グ、注入等の緒特性
が大きく関与している。
が大きく関与している。
本発明の主たる目的は環境特性の極めて安定な電子写真
感光体を提供することにある。特に下引き層材料として
低湿環境中で安定なビニル系樹脂を改質して、高湿特性
の改善(特に反転現像系の白地カブリ対策)された電子
写真感光体を提供することを目的とする。
感光体を提供することにある。特に下引き層材料として
低湿環境中で安定なビニル系樹脂を改質して、高湿特性
の改善(特に反転現像系の白地カブリ対策)された電子
写真感光体を提供することを目的とする。
本発明は、基体上に下引き層と感光層とな有する電子写
真感光体に於て、該下引き層がビニル樹脂系ポリマー材
料中に電子供与性物質を添加したものであることを特徴
とする電子写真感光体から構成される。
真感光体に於て、該下引き層がビニル樹脂系ポリマー材
料中に電子供与性物質を添加したものであることを特徴
とする電子写真感光体から構成される。
即ち本発明は、特に高湿下で矛2図(6)で生ずる電荷
注入を防止する目的で、ビニル系樹脂中に電子供与性物
質を添加したものを下引き層として使用する点に特徴が
ある。
注入を防止する目的で、ビニル系樹脂中に電子供与性物
質を添加したものを下引き層として使用する点に特徴が
ある。
即ち添加した電子供与性物質は矛6図(2)vc示す様
にプラス電荷注入の阻止層として機能する。
にプラス電荷注入の阻止層として機能する。
暗所′@電電時電荷注入は、極く少数のプラス電荷(フ
リーキャリア)によるものであり、これを阻止する為に
は、僅かな量の電子供与性物質の添加により、若干のキ
ャリア・トラップを形成すれば良い。又、@露光時は、
相当数のプラス電荷が生成されるので、ビニル系樹脂層
中に電子供与性物質を加えることでの感度の低下は全く
ない。
リーキャリア)によるものであり、これを阻止する為に
は、僅かな量の電子供与性物質の添加により、若干のキ
ャリア・トラップを形成すれば良い。又、@露光時は、
相当数のプラス電荷が生成されるので、ビニル系樹脂層
中に電子供与性物質を加えることでの感度の低下は全く
ない。
更に説明すれば、低湿下に於ける残留電位の上昇が懸念
されるが、電子供与性物質の添加で、所謂電気抵抗はむ
しろ低下するものであり、低湿での残留電位上昇は、樹
脂層そのものの特性によるものであり、全く影響は与え
ない。又、高湿下での挙動も極く少数キャリアの変化に
寄与するものであり、所謂電気抵抗は殆ど変化しない。
されるが、電子供与性物質の添加で、所謂電気抵抗はむ
しろ低下するものであり、低湿での残留電位上昇は、樹
脂層そのものの特性によるものであり、全く影響は与え
ない。又、高湿下での挙動も極く少数キャリアの変化に
寄与するものであり、所謂電気抵抗は殆ど変化しない。
電子供与性物質の添加量は1〜50,000ppmの範
囲が可能だが、10〜1000 ppmが効果的で、且
つ弊害(感度の低下、メモリーの増加等)が少ない。
囲が可能だが、10〜1000 ppmが効果的で、且
つ弊害(感度の低下、メモリーの増加等)が少ない。
次に高湿で白地カブリ(反転彷、像系)な発生するj京
理な説明する。
理な説明する。
1・1図は機能分離型感光体の層構成の1例を示す。該
感光体を、(1)−次マイナス苗電、(2+ 79’
Onm 赤外レーザー露光、(3)約1秒間後、(4)
マイナス・トナーによる反転現職、(5)プラス帯電に
よる転写、(6)クリーニング、(7)弦音光による残
留電位の消去の繰り返しプロセスで使用した時の(1)
〜(4)の状態を牙2図に示す。即ち、■d(暗部電位
)部に注入されたプラス電荷がカブリを生ずるのである
。特に高湿で電荷注入を生ずるのは、ビニル系樹脂層の
抵抗が1/10〜1/100に変化する為である。
感光体を、(1)−次マイナス苗電、(2+ 79’
Onm 赤外レーザー露光、(3)約1秒間後、(4)
マイナス・トナーによる反転現職、(5)プラス帯電に
よる転写、(6)クリーニング、(7)弦音光による残
留電位の消去の繰り返しプロセスで使用した時の(1)
〜(4)の状態を牙2図に示す。即ち、■d(暗部電位
)部に注入されたプラス電荷がカブリを生ずるのである
。特に高湿で電荷注入を生ずるのは、ビニル系樹脂層の
抵抗が1/10〜1/100に変化する為である。
本発明に使用するビニル系樹脂としては、塩化ビニル、
ポリビニルアルコール、酢酸ビニル、ポリビニルピリジ
ン、ポリビニルメチルエーテル、ポリビニルイミダゾー
ル、ポリアクリロニトリル等から任意に選択できるが、
実際に使用し得るも+15 のは、その中でも電気抵抗か10 Ω・α以下で且つ溶
剤可溶型又は硬化型(熱硬化、紫外線硬化、電子線硬化
等)K限られる。
ポリビニルアルコール、酢酸ビニル、ポリビニルピリジ
ン、ポリビニルメチルエーテル、ポリビニルイミダゾー
ル、ポリアクリロニトリル等から任意に選択できるが、
実際に使用し得るも+15 のは、その中でも電気抵抗か10 Ω・α以下で且つ溶
剤可溶型又は硬化型(熱硬化、紫外線硬化、電子線硬化
等)K限られる。
電子供与性物質としては多核芳香族炭化水素を繰返し単
位とする重合体があり1例えばポリ−H−ビニルカルバ
7” /l/、ポリ−1−ビニルピレン、ポリ−9−ビ
ニルアントラセ/、ポリ−9−ビニルフェニルアントラ
セン、ポリアセナフタレン、ポリ−9−(4−ペンテニ
ル)カルバゾール、ボIJ−9−(5−ヘキシル)カル
バゾール、ポリメチレン・ピレン、或いはピレンのN位
置換アクリル酸アミド重合体及びこの重合体のアルキル
、ニトロ、アミン、ハロゲン又はヒドロキシ置換体が挙
げられろ。またN−ビニルカルバゾールとメチルアクリ
レートとの共重合体、1−とニルピレンとホルムアルデ
ヒドとの縮重合体や1−とニルピレンとブタジェンとの
ブロック共重合体も使用できる。更にまた以上のような
重合体ではない単世体として、例えばカルバゾール、N
−エチルカルバゾール、ピレン、テトラフェン、1−ア
セチルピレン、2,6−ベ/ゾクリセ/、6.7−ベン
ゾピレン、1−ブロモピレン、1−エチルピレン、1−
メチルピレン、ペリレン、2−フェニルイノドール、テ
トラセン、ビセン、1,3,6.8−テトラフェニルピ
レン、クリセン、フルオレン、7エナンスレン、2.3
−べ/ゾビレン、アントラキノン、ジベノゾテオフエン
、ナフタレ7及び1−フェニルナフタレン、トリス(ジ
アルキルアミノフェニル)メタンロイコ体、ビス(ジア
ルキルアミノフェニル)メタン、ビス(ジアルキルアミ
ノフェニル)エーテル、2.5−ビス(ジアルキルアミ
ノフェニル)−1,,3,5−オキサジアゾール、ピラ
ゾリン誘導体等が挙げられる。
位とする重合体があり1例えばポリ−H−ビニルカルバ
7” /l/、ポリ−1−ビニルピレン、ポリ−9−ビ
ニルアントラセ/、ポリ−9−ビニルフェニルアントラ
セン、ポリアセナフタレン、ポリ−9−(4−ペンテニ
ル)カルバゾール、ボIJ−9−(5−ヘキシル)カル
バゾール、ポリメチレン・ピレン、或いはピレンのN位
置換アクリル酸アミド重合体及びこの重合体のアルキル
、ニトロ、アミン、ハロゲン又はヒドロキシ置換体が挙
げられろ。またN−ビニルカルバゾールとメチルアクリ
レートとの共重合体、1−とニルピレンとホルムアルデ
ヒドとの縮重合体や1−とニルピレンとブタジェンとの
ブロック共重合体も使用できる。更にまた以上のような
重合体ではない単世体として、例えばカルバゾール、N
−エチルカルバゾール、ピレン、テトラフェン、1−ア
セチルピレン、2,6−ベ/ゾクリセ/、6.7−ベン
ゾピレン、1−ブロモピレン、1−エチルピレン、1−
メチルピレン、ペリレン、2−フェニルイノドール、テ
トラセン、ビセン、1,3,6.8−テトラフェニルピ
レン、クリセン、フルオレン、7エナンスレン、2.3
−べ/ゾビレン、アントラキノン、ジベノゾテオフエン
、ナフタレ7及び1−フェニルナフタレン、トリス(ジ
アルキルアミノフェニル)メタンロイコ体、ビス(ジア
ルキルアミノフェニル)メタン、ビス(ジアルキルアミ
ノフェニル)エーテル、2.5−ビス(ジアルキルアミ
ノフェニル)−1,,3,5−オキサジアゾール、ピラ
ゾリン誘導体等が挙げられる。
本発明の電子写真感光体について更に詳しく説明すると
、まず基体は、アルミニウム、黄銅、ステンレスなどの
金属、またはポリエチレンテレフタレート、ポリブチレ
ンテレフタレート、フェノール樹脂、ポリプロピレン、
す1゛ロン、ポリステレ/などの高分子材料、硬質紙等
の材料を円筒状に成型するか、フィルムや箔にして用い
られる。
、まず基体は、アルミニウム、黄銅、ステンレスなどの
金属、またはポリエチレンテレフタレート、ポリブチレ
ンテレフタレート、フェノール樹脂、ポリプロピレン、
す1゛ロン、ポリステレ/などの高分子材料、硬質紙等
の材料を円筒状に成型するか、フィルムや箔にして用い
られる。
絶縁体の場合には、導電処理をする必要があるが、それ
には導電性物質の含浸、金属箔のラミネート、金属の蒸
着などの方法がある。さらに、基体の表面粗度が大きい
場合には表面の平滑化のために導電性の塗料を塗布する
こともある。導電性の塗料としては、アルミニウム、銅
、銀、金、ニッケル等の金属粉体、酸化スズ、酸化イン
ジウム、酸化アンチモン、酸化チタン、酸化亜鉛等の金
属酸化物粉体、カーボン粉体等の粉体の単独、もしくは
複数種をボリウレタ/−1,エポキシ−、アルキド−、
ポリエステル−、アクリル−メラミン−、シリコーン−
、フェノール−樹脂等の結着剤樹脂に分散したものが用
いられる。導電性の塗料を塗布した導電層の厚さは基体
の表面粗度の2乗倍以上か好ましい。
には導電性物質の含浸、金属箔のラミネート、金属の蒸
着などの方法がある。さらに、基体の表面粗度が大きい
場合には表面の平滑化のために導電性の塗料を塗布する
こともある。導電性の塗料としては、アルミニウム、銅
、銀、金、ニッケル等の金属粉体、酸化スズ、酸化イン
ジウム、酸化アンチモン、酸化チタン、酸化亜鉛等の金
属酸化物粉体、カーボン粉体等の粉体の単独、もしくは
複数種をボリウレタ/−1,エポキシ−、アルキド−、
ポリエステル−、アクリル−メラミン−、シリコーン−
、フェノール−樹脂等の結着剤樹脂に分散したものが用
いられる。導電性の塗料を塗布した導電層の厚さは基体
の表面粗度の2乗倍以上か好ましい。
基体、もしくは、基体の表面に形成された導電層の上に
本発明の下引き層が塗布形成される。その厚さは0.1
〜10μ程度が好ましい。
本発明の下引き層が塗布形成される。その厚さは0.1
〜10μ程度が好ましい。
この上に感光層が形成される。
感光層は、CdS色累色感増感た酸化卯鉛、セレン粉体
、無定形シリコン粉体、ポリビニルカルバゾール、フタ
ロ7アニン顔料、オキサジアゾールQ′jの有機顔料等
を必要に応じて結眉AIJ樹脂と#にm布形成される。
、無定形シリコン粉体、ポリビニルカルバゾール、フタ
ロ7アニン顔料、オキサジアゾールQ′jの有機顔料等
を必要に応じて結眉AIJ樹脂と#にm布形成される。
また、有機光導電物質を用いる場合、特性の向上のため
の効果的な方法として、露光により電荷4’u体を発生
する電荷発生層と、発生した電荷担体を移動させる能カ
ケ持つ電荷輸送層を絹み合わせることもある。
の効果的な方法として、露光により電荷4’u体を発生
する電荷発生層と、発生した電荷担体を移動させる能カ
ケ持つ電荷輸送層を絹み合わせることもある。
電荷発生層は、スーダンレッド、ダイアンブルー、ジエ
ナスグリーンBなどのアゾ面相、アルゴールイエロー、
ピレンキノン、インダンスレンブリリアントバイオレッ
トRRPなとのキノン顔料。
ナスグリーンBなどのアゾ面相、アルゴールイエロー、
ピレンキノン、インダンスレンブリリアントバイオレッ
トRRPなとのキノン顔料。
キノシアニン顔料、ベリレ/顔料、インジゴ、チオイン
ジゴ等のインジゴ顔料、インドファーストオレンジトナ
ーなどのビスベンシイミダゾール顔R1Mフタロシアニ
ンなどのフタロシアニン顔料。
ジゴ等のインジゴ顔料、インドファーストオレンジトナ
ーなどのビスベンシイミダゾール顔R1Mフタロシアニ
ンなどのフタロシアニン顔料。
キナクリドン顔料、ビリリウム系染料等の電荷発生物質
を、ポリエステル、ポリスチレン、ポリ酢酸ビニル、ア
クリル、ポリビニルブチラール、ポリビニルピロリド/
、メチルセルロース、ヒドロキシグロビルメチルセルロ
ース、セルロースエステル類などの結着剤樹脂に分散し
て形成される。
を、ポリエステル、ポリスチレン、ポリ酢酸ビニル、ア
クリル、ポリビニルブチラール、ポリビニルピロリド/
、メチルセルロース、ヒドロキシグロビルメチルセルロ
ース、セルロースエステル類などの結着剤樹脂に分散し
て形成される。
また、蒸着などによって形成することもできる。
電荷発生層の厚さは0.05〜0.5μ程度である。
また、電荷輸送層は主鎖又は側鎖にアントラセン、ピレ
ン、ツェナ/トレン、コロネンナトノ多環芳香族化合物
又はインドール、カルバゾール、オキサゾール、イソオ
キサゾール、チアゾール、イミダゾール、ピラゾール、
オキサジアゾール、ピラゾリン、チアジアゾール、トリ
アゾールなどの含窒素環式化合物を有する化合物、ヒド
ラゾ/化合物等の正孔輸送性物質を成膜性のある樹脂に
溶解させて形成される。これは電荷輸送性物質が一般的
に低分子量で、それ自身では成膜性に乏しいためである
。7Cのような樹脂としては、ポリカーボネート、ボリ
アリレート、ポリスチレン、ポリメタクリル酸エステル
類、ステレ/−メタクリA/酸メチルコポリマー、ポリ
エステル、スチレ/−アクリロニトリルコポリマー、ポ
リサルホン等が挙げられる。電荷輸送層の厚さは5〜6
0μ程度である。
ン、ツェナ/トレン、コロネンナトノ多環芳香族化合物
又はインドール、カルバゾール、オキサゾール、イソオ
キサゾール、チアゾール、イミダゾール、ピラゾール、
オキサジアゾール、ピラゾリン、チアジアゾール、トリ
アゾールなどの含窒素環式化合物を有する化合物、ヒド
ラゾ/化合物等の正孔輸送性物質を成膜性のある樹脂に
溶解させて形成される。これは電荷輸送性物質が一般的
に低分子量で、それ自身では成膜性に乏しいためである
。7Cのような樹脂としては、ポリカーボネート、ボリ
アリレート、ポリスチレン、ポリメタクリル酸エステル
類、ステレ/−メタクリA/酸メチルコポリマー、ポリ
エステル、スチレ/−アクリロニトリルコポリマー、ポ
リサルホン等が挙げられる。電荷輸送層の厚さは5〜6
0μ程度である。
具体的な配合比や感光層の構成t「どについては、実症
例によって詳しく述べる。
例によって詳しく述べる。
実砲例1
ビニル系樹脂としてポリビニルアルコール(PVA2D
5 、倉敷レーヨン(株)製)ニアントラ゛キノンを1
00 ppm配合した場合な以下に示す。
5 、倉敷レーヨン(株)製)ニアントラ゛キノンを1
00 ppm配合した場合な以下に示す。
寸法が60φx 260 mm干渉縞阻止の為に表面な
ブラスト処理し、粗面化したアルミシリンダー上に、上
記のPVA205を10部、アントラキノンを0.00
1 部(100ppm )をメタノール60部、ブタノ
ール40部の混合液に溶解し、上記基体上に浸漬塗布し
て、1μ厚の下引ぎ層をもうけた。
ブラスト処理し、粗面化したアルミシリンダー上に、上
記のPVA205を10部、アントラキノンを0.00
1 部(100ppm )をメタノール60部、ブタノ
ール40部の混合液に溶解し、上記基体上に浸漬塗布し
て、1μ厚の下引ぎ層をもうけた。
次にε型銅フタロンアニン(リオノールブルーES、東
洋インキ製造(株)製)1部とブチラール樹脂(エスレ
ックBM−2:積水化学(株)製ン1部、ンクロへキサ
ノア10部を1朋φガラスピーズを入れたサンドミル分
散機で20時間分散したのち20部のメチルエチルケト
/で希釈した。
洋インキ製造(株)製)1部とブチラール樹脂(エスレ
ックBM−2:積水化学(株)製ン1部、ンクロへキサ
ノア10部を1朋φガラスピーズを入れたサンドミル分
散機で20時間分散したのち20部のメチルエチルケト
/で希釈した。
この液を先に形成したポリアミド樹脂層の上に浸漬塗布
し乾燥させて電荷発生層を形成した。
し乾燥させて電荷発生層を形成した。
この時の膜厚は0.5μであった。
次いで、下記構造式のヒドラゾ/化合物な10部
およびスチレン−メタクリル酸メチル共重合樹脂(商品
名: M8200 ;製鉄化学(株)製)15部?トル
エン80部に溶解した。この液な上記電荷発生層上に柊
X5 して100℃で1時間の熱風乾燥をでして、16
μ厚の電荷輸送層を形成した。
名: M8200 ;製鉄化学(株)製)15部?トル
エン80部に溶解した。この液な上記電荷発生層上に柊
X5 して100℃で1時間の熱風乾燥をでして、16
μ厚の電荷輸送層を形成した。
この積層型感光ドラムを、ガリウムーアルミーヒ累半導
体レーザー(発光波長780nm、出力5mw)を有す
るレーザーグリ/り実験機(帯電は負極性)に装着して
65℃85%RHの環境中に一昼夜放置した後、反転現
像で画]家出しな行なったところ、ベタ白画1象上に白
地カブリは認められなかった。
体レーザー(発光波長780nm、出力5mw)を有す
るレーザーグリ/り実験機(帯電は負極性)に装着して
65℃85%RHの環境中に一昼夜放置した後、反転現
像で画]家出しな行なったところ、ベタ白画1象上に白
地カブリは認められなかった。
比較例としてアントラキノンを含まない感光ドラムを作
成し、同様にし画像出しを行なったところ、翻度肝(マ
クベス社製Type 541 )で+0.06に相当す
る白地カブリが認められた。
成し、同様にし画像出しを行なったところ、翻度肝(マ
クベス社製Type 541 )で+0.06に相当す
る白地カブリが認められた。
実姉例2
実姉例1と同じ条件で、下引き層材料として、ホリヒニ
ルビリジン(4−PVP(広栄化学@)製)io部1−
7セチルピレyo、[Ji部(ioo。
ルビリジン(4−PVP(広栄化学@)製)io部1−
7セチルピレyo、[Ji部(ioo。
ppm )をメタノール60部、ブタノール40部の混
合液に溶解し、上記基体上に浸漬塗布して、1μ厚の下
引き層を設けた。
合液に溶解し、上記基体上に浸漬塗布して、1μ厚の下
引き層を設けた。
以降の工程は実姉@1と全く同じである。
比較例として、1−アセチルピレンを配合しない下引き
層を設けた感光ドラムを同様に作成した。
層を設けた感光ドラムを同様に作成した。
実姉例1と同じ装置を使用し、同−i境条件で画像出し
評価を行なったところ、本発明の感光ドラムにはカプリ
が生ぜず、比較のドラムには+0.01相当のカブリが
認められた。
評価を行なったところ、本発明の感光ドラムにはカプリ
が生ぜず、比較のドラムには+0.01相当のカブリが
認められた。
矛1図は機能分離型電子写真感光体の層構成例であり、
aは基体
0は下引き層
Cは電荷発生層(CGL)
dは電荷輸送層(−cTL) を示し、ツ・2図は反転
現(2)プロセス(赤外レーザー・ビーム・プリ/ター
)であり、 (1)は1次帯電(約−700V) (2)は露光(790nm レーザー元)(3〕は(幻
〜(4)に移動するタイムラグ(〜約1秒)(4)は現
II (マイナストナーによる反転現1象)を゛示し、 副・5図は暗部でのプラス電荷注入であり、(1)はか
なりの電荷注入が認められろ比較例(従来例) (2)は下引き層が電荷注入な阻止する本発明の場合を
示す。 特許出願人 キャノ/株式会社 代理人 弁理士狩野 有 第1図 第2図 (1) (2) 第3図 (1) (4) (2)
現(2)プロセス(赤外レーザー・ビーム・プリ/ター
)であり、 (1)は1次帯電(約−700V) (2)は露光(790nm レーザー元)(3〕は(幻
〜(4)に移動するタイムラグ(〜約1秒)(4)は現
II (マイナストナーによる反転現1象)を゛示し、 副・5図は暗部でのプラス電荷注入であり、(1)はか
なりの電荷注入が認められろ比較例(従来例) (2)は下引き層が電荷注入な阻止する本発明の場合を
示す。 特許出願人 キャノ/株式会社 代理人 弁理士狩野 有 第1図 第2図 (1) (2) 第3図 (1) (4) (2)
Claims (1)
- (1)基体上に下引き層と感光層とを有する電子写真感
光体に於て、該下引き層がビニル系樹脂中に電子供与性
物質な添加したものであることを特徴とする電子写真感
光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7391884A JPS60218657A (ja) | 1984-04-14 | 1984-04-14 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7391884A JPS60218657A (ja) | 1984-04-14 | 1984-04-14 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60218657A true JPS60218657A (ja) | 1985-11-01 |
Family
ID=13532020
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7391884A Pending JPS60218657A (ja) | 1984-04-14 | 1984-04-14 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60218657A (ja) |
-
1984
- 1984-04-14 JP JP7391884A patent/JPS60218657A/ja active Pending
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