JPS6021888A - セラミツクスのメタライズ法 - Google Patents
セラミツクスのメタライズ法Info
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- JPS6021888A JPS6021888A JP58131575A JP13157583A JPS6021888A JP S6021888 A JPS6021888 A JP S6021888A JP 58131575 A JP58131575 A JP 58131575A JP 13157583 A JP13157583 A JP 13157583A JP S6021888 A JPS6021888 A JP S6021888A
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Classifications
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/009—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone characterised by the material treated
-
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- C04B41/85—Coating or impregnation with inorganic materials
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、セラミックスの簡便なメタライズ法に関する
。
。
一般に、セラミックスは、耐熱性、#磨耗性、絶縁性等
に優れる反面脆<1lfj撃に弱いため、構造材料とし
て用いられるときには、金属との接合体にして使用され
ることが多く、この場合には金属とセラミックスを接合
する前に、先ずセラミックス表面をメタライズする必要
がある。また、セラミックスを導電材料として用いる場
合には、セラミックス表面にメタライズを行って使用さ
れている。
に優れる反面脆<1lfj撃に弱いため、構造材料とし
て用いられるときには、金属との接合体にして使用され
ることが多く、この場合には金属とセラミックスを接合
する前に、先ずセラミックス表面をメタライズする必要
がある。また、セラミックスを導電材料として用いる場
合には、セラミックス表面にメタライズを行って使用さ
れている。
セラミックスのメタライズ法としては、テレフンケン法
、活性金属法、水素化合物法、酸化物ソルダー法、炭酸
銀法等が知られているが、これらの内テレフンケン法以
外の方法には工程が複雑であるのに加えて、メタライズ
層の接着強度、耐熱衝撃性、耐化学薬品性等が充分でな
い場合があるため、現在のところテレフンケン法による
のが一般的である。テレフンケン法は、セラミックス表
面にモリブデン−マンガンを被覆し、非酸化性雰囲気中
1400〜1700℃という高温で焼付け、その上に金
属メッキを行い、更に被膜の安定化のために再度非酸化
性雰囲気中で加熱することによりメタライズし、次いで
必要に応じて金属をロウ接するものであり、作業工程が
長く且つ煩雑であるという大きな欠点があるのに加えて
、加熱温度が高いという欠点もある。
、活性金属法、水素化合物法、酸化物ソルダー法、炭酸
銀法等が知られているが、これらの内テレフンケン法以
外の方法には工程が複雑であるのに加えて、メタライズ
層の接着強度、耐熱衝撃性、耐化学薬品性等が充分でな
い場合があるため、現在のところテレフンケン法による
のが一般的である。テレフンケン法は、セラミックス表
面にモリブデン−マンガンを被覆し、非酸化性雰囲気中
1400〜1700℃という高温で焼付け、その上に金
属メッキを行い、更に被膜の安定化のために再度非酸化
性雰囲気中で加熱することによりメタライズし、次いで
必要に応じて金属をロウ接するものであり、作業工程が
長く且つ煩雑であるという大きな欠点があるのに加えて
、加熱温度が高いという欠点もある。
本発明者は、上記欠点が解消されたセラミックスのメタ
ライズ法を開発するため鋭意研究した結果、炭酸銅、硫
酸銅、硫化銅、酸化銅及び塩化銅の少(とも1種と81
02との混合物を被償層として用いるときには空気等の
酸化性雰囲気中にて比較的低温で焼(=lけかでき、次
いで焼付は層を還元処理ずれは極めて簡便にメタライズ
できること、5i01の併用によりメタライズ層の均−
性特に表1iの平滑性及び光沢が向上すること、得られ
たメタライズ層は導電性に優れ且つ接イj強度が高いこ
と等を見出し、本発明を完成する化至った。
ライズ法を開発するため鋭意研究した結果、炭酸銅、硫
酸銅、硫化銅、酸化銅及び塩化銅の少(とも1種と81
02との混合物を被償層として用いるときには空気等の
酸化性雰囲気中にて比較的低温で焼(=lけかでき、次
いで焼付は層を還元処理ずれは極めて簡便にメタライズ
できること、5i01の併用によりメタライズ層の均−
性特に表1iの平滑性及び光沢が向上すること、得られ
たメタライズ層は導電性に優れ且つ接イj強度が高いこ
と等を見出し、本発明を完成する化至った。
即ち本発明は、炭酸銅、硫酸銅、硫化銅、酸化銅及び堝
化銅の少くとも1種とSin、との混合物を、セラミッ
クス表面に被覆し、酸化性雰囲気中900〜1800℃
で加熱して焼付けた後、焼付は層を還元処理することを
特徴とするセラミックスのメタライズ法に係る。
化銅の少くとも1種とSin、との混合物を、セラミッ
クス表面に被覆し、酸化性雰囲気中900〜1800℃
で加熱して焼付けた後、焼付は層を還元処理することを
特徴とするセラミックスのメタライズ法に係る。
本発明において被覆層として用いる炭酸銅、硫酸銅、硫
化銅、酸化銅及び塩化銅は、いずれも通常粉末状のもの
を使用する。
化銅、酸化銅及び塩化銅は、いずれも通常粉末状のもの
を使用する。
本発明に右いては、被覆層として5i02を併用したこ
とにより、焼付は被膜のむらが防止でき、メタライズ層
の均一性を向上させることができるのみならず、メタラ
イズ層表面の平滑性及び光沢鱈も向上している。s i
o2としても通常粉末状のものを使用し、使用割合は
炭酸銅、硫酸銅、硫化銅、酸化銅及び塩化銅の少くとも
1種95〜50重量鳴程度に対して5lO3を5〜50
M夙鳴程度好ましくは10〜80重1t%とするのが適
当である。5重量%未満の場合にはメタライズ層表面の
平滑性及び光沢が不充分になることがあり、50重量鴨
を越えた場合にはメタライズ層の導電性が低下する傾向
があるので好ましくない。
とにより、焼付は被膜のむらが防止でき、メタライズ層
の均一性を向上させることができるのみならず、メタラ
イズ層表面の平滑性及び光沢鱈も向上している。s i
o2としても通常粉末状のものを使用し、使用割合は
炭酸銅、硫酸銅、硫化銅、酸化銅及び塩化銅の少くとも
1種95〜50重量鳴程度に対して5lO3を5〜50
M夙鳴程度好ましくは10〜80重1t%とするのが適
当である。5重量%未満の場合にはメタライズ層表面の
平滑性及び光沢が不充分になることがあり、50重量鴨
を越えた場合にはメタライズ層の導電性が低下する傾向
があるので好ましくない。
また本発明においては、被覆層としてフッ化ナトリウム
を併用しても良く、それにより接着強度を向上させるこ
とができる。フッ化ナトリウムとしても通常粉末状のも
のを使用する。フッ化ナトリウムを併用する場合の使用
量は通常被嶺層中5〜80貝形%程度好ましくは10重
量%程度である。
を併用しても良く、それにより接着強度を向上させるこ
とができる。フッ化ナトリウムとしても通常粉末状のも
のを使用する。フッ化ナトリウムを併用する場合の使用
量は通常被嶺層中5〜80貝形%程度好ましくは10重
量%程度である。
本発明においては、炭酸銅、硫酸銅、硫化銅、酸化銅及
び塩化銅の少くとも1nと5to2との混合物、又は必
要に応じて更にフッ化ナトリウムを併用した混合物を粉
末状のまま使用しても良いし、適当なバインダー及びそ
の溶剤、例えばスクリーンオイル等の印刷用インキ、バ
ルサム等を適宜のq用いてペースト状にして使用しても
良い。
び塩化銅の少くとも1nと5to2との混合物、又は必
要に応じて更にフッ化ナトリウムを併用した混合物を粉
末状のまま使用しても良いし、適当なバインダー及びそ
の溶剤、例えばスクリーンオイル等の印刷用インキ、バ
ルサム等を適宜のq用いてペースト状にして使用しても
良い。
粉末状又はペースト状の混合物をメタライズが必要なセ
ラミックス表面に撒布又は塗付して被覆する。被覆する
量は、特に限定されず、所望のメタライズ層の厚さに応
じて、適宜決定される。次に、上記で被覆されたセラミ
ックスを酸化性雰囲気中にて加熱して被覆層を焼付ける
。酸化性雰囲気としては、特殊なものを使用する必要は
な(、空気、空気と窒素との混合気等を使用すれば充分
である。また、加熱条件としては、セラミックスの形状
、大きさや用いた被償層の種類、被覆層等により変化す
るが、通常900〜1300℃の温度で5〜60分間程
分間熱する。この加N−により炭酸銅、硫酸銅、硫化銅
又は塩化銅は、酸化されて酸化銅になり、酸化銅を主体
とする被膜がセラミックスに密着する。この際、酸化銅
の融液がセラミックス内に一部浸透することにより接5
14強度が高められる。又、 5io2を使用したこと
によりメタライズ層の均一性、表面の平滑性及び光沢が
著しく高められる。加熱温度が900℃より低い場合は
上記浸透が起こらず接着強度が不充分になり、又180
0℃より高い場合は被覆層の粘性が低下して流出するこ
とがあるので好ましくない。
ラミックス表面に撒布又は塗付して被覆する。被覆する
量は、特に限定されず、所望のメタライズ層の厚さに応
じて、適宜決定される。次に、上記で被覆されたセラミ
ックスを酸化性雰囲気中にて加熱して被覆層を焼付ける
。酸化性雰囲気としては、特殊なものを使用する必要は
な(、空気、空気と窒素との混合気等を使用すれば充分
である。また、加熱条件としては、セラミックスの形状
、大きさや用いた被償層の種類、被覆層等により変化す
るが、通常900〜1300℃の温度で5〜60分間程
分間熱する。この加N−により炭酸銅、硫酸銅、硫化銅
又は塩化銅は、酸化されて酸化銅になり、酸化銅を主体
とする被膜がセラミックスに密着する。この際、酸化銅
の融液がセラミックス内に一部浸透することにより接5
14強度が高められる。又、 5io2を使用したこと
によりメタライズ層の均一性、表面の平滑性及び光沢が
著しく高められる。加熱温度が900℃より低い場合は
上記浸透が起こらず接着強度が不充分になり、又180
0℃より高い場合は被覆層の粘性が低下して流出するこ
とがあるので好ましくない。
次に、上記により焼付は層が施されたセラミックスを還
元処理する。還元方法としては、特に限定されず、酸化
蛮1が金Fi 61に還元されるならばどんな方法でも
良く、例えば水素雰囲気、−酸化員累τS囲気等のQ元
性’;、’上gl気中での加熱、エタノール、メタノー
ル、プロパツール等のアルコール類、ベンジン、ホルマ
リン等の還元性溶媒への浸漬等を2j(げることができ
る6費元性雰囲気中で加熱する場合の温度は、焼付は層
の分解、変質等を防ぐために前記焼付は温度よりも低い
ことが好ましく、通常200〜900℃程度とし、時間
は通常5〜60分間程バ〔とする。またへ元性溶媒への
没潰による場合は、セラミックスを通常200〜500
’C程度好ましくは300℃前後に加熱後、−1−記
j(1元性溶媒にlθ〜60秒間程度浸漬ずれば良い。
元処理する。還元方法としては、特に限定されず、酸化
蛮1が金Fi 61に還元されるならばどんな方法でも
良く、例えば水素雰囲気、−酸化員累τS囲気等のQ元
性’;、’上gl気中での加熱、エタノール、メタノー
ル、プロパツール等のアルコール類、ベンジン、ホルマ
リン等の還元性溶媒への浸漬等を2j(げることができ
る6費元性雰囲気中で加熱する場合の温度は、焼付は層
の分解、変質等を防ぐために前記焼付は温度よりも低い
ことが好ましく、通常200〜900℃程度とし、時間
は通常5〜60分間程バ〔とする。またへ元性溶媒への
没潰による場合は、セラミックスを通常200〜500
’C程度好ましくは300℃前後に加熱後、−1−記
j(1元性溶媒にlθ〜60秒間程度浸漬ずれば良い。
上記還元処理により、極めて優れた導電性を有する鏑メ
タライズ層がセラミックス表面に形成される。
タライズ層がセラミックス表面に形成される。
かくしてメタライズされたセラミックスには、必要に応
じて、常法例えばロウ接等により、各種金属を容易に接
合することができる。
じて、常法例えばロウ接等により、各種金属を容易に接
合することができる。
本発明によりメタライズできるセラミックスとしては、
特に限足さ第1ず、例えば望化珪素、サイアロン、炭化
珪素、窒化アルミニウム等の非酸化物系セラミックス、
アルミナ、ジルコニア、ムライト、ベリリア、マグネシ
ア、コージーライト等の酸化物系セラミックスを4(げ
ろことができる。
特に限足さ第1ず、例えば望化珪素、サイアロン、炭化
珪素、窒化アルミニウム等の非酸化物系セラミックス、
アルミナ、ジルコニア、ムライト、ベリリア、マグネシ
ア、コージーライト等の酸化物系セラミックスを4(げ
ろことができる。
本発明によれば、従来法に比べて低温で焼+Jけ後、還
元処理するという極め゛C簡便な操作で、セ。
元処理するという極め゛C簡便な操作で、セ。
ラミックス表面にメタライズ層が形成でき、得られたメ
タライズ層は導電性に優れ且つ接着強度が高く、またメ
タライズ層の均一性、特に表面の平滑性及び光沢に優れ
ているので商品価値が高いという効果が得られる。
タライズ層は導電性に優れ且つ接着強度が高く、またメ
タライズ層の均一性、特に表面の平滑性及び光沢に優れ
ているので商品価値が高いという効果が得られる。
本発明によりメタライズされたセラミックスは、上記の
如き性能を有するので、セラミックスパッケージ等の電
子部品、セラミックスを用いた耐磨耗性部品、耐熱性部
品等に好適に使用できる。
如き性能を有するので、セラミックスパッケージ等の電
子部品、セラミックスを用いた耐磨耗性部品、耐熱性部
品等に好適に使用できる。
以下、実施例を挙げて、本発明を更にへ体的に説明する
。
。
実施例1
硫化銅粉末80重量係と5to2粉末20重量呪を混合
したものtoo重量部に対してパルサム10重L1部を
混合してペースト状とし、これを平板正方形の窒化珪M
(SisN4)、サイアロン、炭化珪素(SiC)、
アルミナ又はシルコニTの焼結体の表面に0.IP/c
m”塗付した。次に、電気炉を用い空気中にて1100
℃で80分間焼成して焼付は被覆層を形成した。引続き
焼成したものを乾燥器中で800℃に加熱した後、市販
のエタノール中に浸漬した。これによって焼イ]け被群
層が還元され、金属例のメタライズ層が形成された。下
記m1表に還元前後における、1000vの電圧で測定
した電気抵抗値を示した。還元後のメタライズ層は、極
めて優れた導電性を有していることが判った。
したものtoo重量部に対してパルサム10重L1部を
混合してペースト状とし、これを平板正方形の窒化珪M
(SisN4)、サイアロン、炭化珪素(SiC)、
アルミナ又はシルコニTの焼結体の表面に0.IP/c
m”塗付した。次に、電気炉を用い空気中にて1100
℃で80分間焼成して焼付は被覆層を形成した。引続き
焼成したものを乾燥器中で800℃に加熱した後、市販
のエタノール中に浸漬した。これによって焼イ]け被群
層が還元され、金属例のメタライズ層が形成された。下
記m1表に還元前後における、1000vの電圧で測定
した電気抵抗値を示した。還元後のメタライズ層は、極
めて優れた導電性を有していることが判った。
かくして得たメタライズ層を有する各セラミックスと銅
片とを銀ロウを用いてロウ接し、秤量2 ton及び荷
重速度5 mm/mムnの引張試験器を用いて、メタラ
イズ層の接着強度を測定したところ、いずれも極めて強
く接着されていることが判った。結果を下記第1表に併
記した。
片とを銀ロウを用いてロウ接し、秤量2 ton及び荷
重速度5 mm/mムnの引張試験器を用いて、メタラ
イズ層の接着強度を測定したところ、いずれも極めて強
く接着されていることが判った。結果を下記第1表に併
記した。
fJ1表
Claims (1)
- ■ 炭酸銀、硫酸銅、硫化例、酸化銅及び塩化例の少く
とも1種と別0!との混合物を、セラミックス表面に被
覆し、酸化性雰囲気中900〜1800℃で加熱して焼
付けた後、焼付は層をn元処理することを特徴とするセ
ラミックスのメタライズ法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58131575A JPS6021888A (ja) | 1983-07-18 | 1983-07-18 | セラミツクスのメタライズ法 |
| US06/630,561 US4525387A (en) | 1983-07-18 | 1984-07-13 | Process for metallizing the surface of a ceramic |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58131575A JPS6021888A (ja) | 1983-07-18 | 1983-07-18 | セラミツクスのメタライズ法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6021888A true JPS6021888A (ja) | 1985-02-04 |
| JPS6261557B2 JPS6261557B2 (ja) | 1987-12-22 |
Family
ID=15061254
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58131575A Granted JPS6021888A (ja) | 1983-07-18 | 1983-07-18 | セラミツクスのメタライズ法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4525387A (ja) |
| JP (1) | JPS6021888A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4622240A (en) * | 1985-11-12 | 1986-11-11 | Air Products And Chemicals, Inc. | Process for manufacturing thick-film electrical components |
| US4713300A (en) * | 1985-12-13 | 1987-12-15 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Graded refractory cermet article |
| US4836837A (en) * | 1987-11-16 | 1989-06-06 | Owens-Corning Fiberglas Corporation | Metal coated glass fibers |
| US4976877A (en) * | 1989-09-15 | 1990-12-11 | Eastman Kodak Company | Ceramic cupric oxide coated pressure roll for image fixing |
| US5271962A (en) * | 1990-03-12 | 1993-12-21 | Ferro Corporation | Metallic composition and methods for making and using the same |
| US10125048B2 (en) * | 2016-02-19 | 2018-11-13 | The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy | Copper-doped glasses and methods of manufacture |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59121176A (ja) * | 1982-12-24 | 1984-07-13 | 工業技術院長 | セラミツクのメタライズ方法 |
| JPS59207887A (ja) * | 1983-05-12 | 1984-11-26 | 工業技術院長 | セラミツクスのメタライズ法 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2891228A (en) * | 1955-08-24 | 1959-06-16 | S J Chemical Company | Compositions and heating elements produced therefrom |
| DE1471415B2 (de) * | 1962-12-07 | 1971-05-06 | Siemens AG, 1000 Berlin u 8000 München | Verfahren zur herstellung eines metallueberzugs auf einem keramikkoerper |
| US3647532A (en) * | 1969-02-17 | 1972-03-07 | Gen Electric | Application of conductive inks |
| US4190458A (en) * | 1976-11-15 | 1980-02-26 | Trw Inc. | Metal-silica solution for forming films on semiconductor surfaces |
| US4126713A (en) * | 1976-11-15 | 1978-11-21 | Trw Inc. | Forming films on semiconductor surfaces with metal-silica solution |
| FR2372781A1 (fr) * | 1976-12-01 | 1978-06-30 | Silec Semi Conducteurs | Procede de metallisation de substrats de ceramiques et nouveaux produits ainsi obtenus |
| JPS53130714A (en) * | 1977-04-20 | 1978-11-15 | Kogyo Gijutsuin | Method of bonding nitride base ceramics and silver |
| US4206251A (en) * | 1978-06-01 | 1980-06-03 | Hughes Aircraft Company | Method for diffusing metals into substrates |
| US4191789A (en) * | 1978-11-02 | 1980-03-04 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Fabrication of bi-level circuits |
| US4327131A (en) * | 1980-12-05 | 1982-04-27 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Method of coating a ceramic substrate |
-
1983
- 1983-07-18 JP JP58131575A patent/JPS6021888A/ja active Granted
-
1984
- 1984-07-13 US US06/630,561 patent/US4525387A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59121176A (ja) * | 1982-12-24 | 1984-07-13 | 工業技術院長 | セラミツクのメタライズ方法 |
| JPS59207887A (ja) * | 1983-05-12 | 1984-11-26 | 工業技術院長 | セラミツクスのメタライズ法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6261557B2 (ja) | 1987-12-22 |
| US4525387A (en) | 1985-06-25 |
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