JPS60219772A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS60219772A JPS60219772A JP59077024A JP7702484A JPS60219772A JP S60219772 A JPS60219772 A JP S60219772A JP 59077024 A JP59077024 A JP 59077024A JP 7702484 A JP7702484 A JP 7702484A JP S60219772 A JPS60219772 A JP S60219772A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- gate electrode
- oxide film
- heat treatment
- metal film
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
- H10D64/60—Electrodes characterised by their materials
- H10D64/66—Electrodes having a conductor capacitively coupled to a semiconductor by an insulator, e.g. MIS electrodes
- H10D64/665—Electrodes having a conductor capacitively coupled to a semiconductor by an insulator, e.g. MIS electrodes the conductor comprising a layer of elemental metal contacting the insulator, e.g. tungsten or molybdenum
- H10D64/666—Electrodes having a conductor capacitively coupled to a semiconductor by an insulator, e.g. MIS electrodes the conductor comprising a layer of elemental metal contacting the insulator, e.g. tungsten or molybdenum the conductor further comprising additional layers
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、熱処理工程におげろ金属膜ゲート電極への
悪影響ケ除去した半導体装置の製造方法に関するもので
ある。
悪影響ケ除去した半導体装置の製造方法に関するもので
ある。
従来のこの種の半導体装置の一例を第１図によって説明
する。この図において、シリコン等の基板１の主面上に
熱酸化法等によりゲー）５１化膜２を形成し、続いてモ
リブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔ
ａ）、チタン（Ｔｉ）等の高融点金属からなる金属膜を
スパッタリング法、ＣＶＤ法、加熱蒸着法など忙より形
成する。
する。この図において、シリコン等の基板１の主面上に
熱酸化法等によりゲー）５１化膜２を形成し、続いてモ
リブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔ
ａ）、チタン（Ｔｉ）等の高融点金属からなる金属膜を
スパッタリング法、ＣＶＤ法、加熱蒸着法など忙より形
成する。
次に、写真製版およびエツチング法により選択的に金属
膜ゲート電極３ａおよび配！１（図示は省略。
膜ゲート電極３ａおよび配！１（図示は省略。
以下の説明においても同じ）を形成する。続いて。
イオン注入法等により不純物を注入した後、熱処理にて
不純物拡散層４を形成する。また、金属膜ゲート電極３
ａの低抵抗化欠目的とした７二−リングを行う。その後
、例えばシリコン酸化膜からなる絶縁膜５を形成し、ｉ
Ｉｋ後に、写真製版およびエツチング法により所要個所
忙コンタクト穴を形成し、アルミニウム配ｍｅと電気的
接触をとる。
不純物拡散層４を形成する。また、金属膜ゲート電極３
ａの低抵抗化欠目的とした７二−リングを行う。その後
、例えばシリコン酸化膜からなる絶縁膜５を形成し、ｉ
Ｉｋ後に、写真製版およびエツチング法により所要個所
忙コンタクト穴を形成し、アルミニウム配ｍｅと電気的
接触をとる。
このよ５に従来の半導体装置では、金属膜ゲート電極３
ａか露出した状態で高温熱処理を行っていたＯ しかるに、Ｍｏ、Ｗ等からなる金属膜ゲート電極３ａは
、耐酸化性、酸などに対する耐腐蝕性か劣る。特に、Ｍ
ｏ、Ｗ等をまその酸化物が揮発性７有し昇華しやすく、
酸化物の形成および酸尋による腐蝕はプルセスおよびデ
バイスの信頼性に悪影響を及ばず。したがって、Ｍｏ、
Ｗ等は安定な熱処理を行うのが困難で、また、使用され
る薬品なども制限されるという欠点があった。
ａか露出した状態で高温熱処理を行っていたＯ しかるに、Ｍｏ、Ｗ等からなる金属膜ゲート電極３ａは
、耐酸化性、酸などに対する耐腐蝕性か劣る。特に、Ｍ
ｏ、Ｗ等をまその酸化物が揮発性７有し昇華しやすく、
酸化物の形成および酸尋による腐蝕はプルセスおよびデ
バイスの信頼性に悪影響を及ばず。したがって、Ｍｏ、
Ｗ等は安定な熱処理を行うのが困難で、また、使用され
る薬品なども制限されるという欠点があった。
この発明は、上記のような欠点を改良するためＫなされ
たもので、金属膜全体を比較的薄い酸化膜（Ｓｔ、、Ｍ
）または窒化膜（Ｓｉ、Ｈ，膜）で覆い、金属膜を熱処
理工程における酸化物および酸などＫよる腐蝕から保護
し、安定でしかも信頼性の高いプル七スＶ！！現できる
半導体装置の製造方法ｌ提供すること７目的としている
。以下、この発明についＣＭ５Ｌ明する。
たもので、金属膜全体を比較的薄い酸化膜（Ｓｔ、、Ｍ
）または窒化膜（Ｓｉ、Ｈ，膜）で覆い、金属膜を熱処
理工程における酸化物および酸などＫよる腐蝕から保護
し、安定でしかも信頼性の高いプル七スＶ！！現できる
半導体装置の製造方法ｌ提供すること７目的としている
。以下、この発明についＣＭ５Ｌ明する。
第２図（ａ）〜（ｆ）はこの発明の一笑施例の製造工程
を示す断面図で、まず、第２図（ａ）、（ｂ）Ｋ示すよ
うに従来と同様の方法で、基板１上にゲート酸化膜２、
その上Ｋ Ｍ ｏ ＋ Ｗ、Ｔ ｔ 、Ｔ ａ等の高融
点金属からなる金属膜３を形成する。次いで、金属膜３
のパター−ニングを行い、金属膜ゲート電極３ａｌｌ（
形成した後、イオン注入法により不純物を注入する。
を示す断面図で、まず、第２図（ａ）、（ｂ）Ｋ示すよ
うに従来と同様の方法で、基板１上にゲート酸化膜２、
その上Ｋ Ｍ ｏ ＋ Ｗ、Ｔ ｔ 、Ｔ ａ等の高融
点金属からなる金属膜３を形成する。次いで、金属膜３
のパター−ニングを行い、金属膜ゲート電極３ａｌｌ（
形成した後、イオン注入法により不純物を注入する。
続いて、第２図（ｃ）に示すようＩｃｃＶＤ法あるいは
スパッタリング法により比較的薄い酸化膜または窒化膜
１′ｆ：全面に形成した後、第２図（ｄ）Ｋ示すように
酸化性雰囲気中で熱処理を行い、不純物拡散層４Ｙｔ形
成する。その後、従来法と同様に第２図（ｅ）Ｋ示すよ
うにシリコン窒化膜等の絶縁膜５を全面忙形成した後、
第２図（ｆ）Ｋ示すように所要の部分忙コンタクト穴ゲ
設げ、アルミニウム配置１１６と電気的接触ケとる。
スパッタリング法により比較的薄い酸化膜または窒化膜
１′ｆ：全面に形成した後、第２図（ｄ）Ｋ示すように
酸化性雰囲気中で熱処理を行い、不純物拡散層４Ｙｔ形
成する。その後、従来法と同様に第２図（ｅ）Ｋ示すよ
うにシリコン窒化膜等の絶縁膜５を全面忙形成した後、
第２図（ｆ）Ｋ示すように所要の部分忙コンタクト穴ゲ
設げ、アルミニウム配置１１６と電気的接触ケとる。
このように金属膜ゲート電極３ａは、酸化膜または窒化
膜７で囲まれているので、酸化性雰囲気中においても安
定で、また、Ｍｏ、Ｗなどの金属膜３はフッ酸と硝酸の
混合液以外には腐蝕されないため、熱処理工程において
金属膜ゲート電極３ａケ保護する効果がある。
膜７で囲まれているので、酸化性雰囲気中においても安
定で、また、Ｍｏ、Ｗなどの金属膜３はフッ酸と硝酸の
混合液以外には腐蝕されないため、熱処理工程において
金属膜ゲート電極３ａケ保護する効果がある。
なお、上記実施例では１％にゲート酸化膜２に直接金属
膜ゲート電極３ａとして、Ｍｏ、Ｗ等の高融点金Ｍｗ配
置した構造で説明を行ったが、他の方法としてゲート酸
化膜２上に単結晶シリコン等の膜を介して、Ｍｏ、Ｗ等
の高融点金属を配置した構造にも適用できることはもち
ろんである。
膜ゲート電極３ａとして、Ｍｏ、Ｗ等の高融点金Ｍｗ配
置した構造で説明を行ったが、他の方法としてゲート酸
化膜２上に単結晶シリコン等の膜を介して、Ｍｏ、Ｗ等
の高融点金属を配置した構造にも適用できることはもち
ろんである。
また、金属膜ゲート電極３ａＫ限らず、高融点金属から
なる配線にも適用することができる。
なる配線にも適用することができる。
以上説明したように、この発明は、Ｍｏ、Ｗ等の高融点
金属からなる金属膜ゲート電極および配線全体火種うよ
うに酸化膜または窒化膜ケ形成したので、Ｍｏ、Ｗ等の
金属膜ゲート電極および配線ケ薬品による腐蝕や酸化か
ら防ぎ、安定な半導体装置の製造プロセスが実現できる
効果が得られる。
金属からなる金属膜ゲート電極および配線全体火種うよ
うに酸化膜または窒化膜ケ形成したので、Ｍｏ、Ｗ等の
金属膜ゲート電極および配線ケ薬品による腐蝕や酸化か
ら防ぎ、安定な半導体装置の製造プロセスが実現できる
効果が得られる。
第１図は従来の半導体装置の製造方法を説明するための
断面図、第２図（ａ）〜（ｆ）はこの発明の一冥施例を
説明するための断面図である。 図中、１は基板、２はゲート酸化膜、３は金属膜、３ａ
は金属膜ゲート電極、４は不純物拡散層、５は絶縁膜、
６はアルミニウム配線、Ｔは酸化膜または窒化膜である
。 なお、図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩増雄 （外２名） 第１図 第２図
断面図、第２図（ａ）〜（ｆ）はこの発明の一冥施例を
説明するための断面図である。 図中、１は基板、２はゲート酸化膜、３は金属膜、３ａ
は金属膜ゲート電極、４は不純物拡散層、５は絶縁膜、
６はアルミニウム配線、Ｔは酸化膜または窒化膜である
。 なお、図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩増雄 （外２名） 第１図 第２図
Claims (1)
- 基板上に形成されたゲート酸化膜上に選択的に高融点金
属からなる金属膜ゲート電極および配線か施された半導
体装置の製造方法において、前記金属膜ゲート電極およ
び配ｍ”ｉ形成後、全面に酸化膜または窒化膜欠形成し
た後、所要の熱処理を施す工ａＶ含むこと火特徴とする
半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59077024A JPS60219772A (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59077024A JPS60219772A (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60219772A true JPS60219772A (ja) | 1985-11-02 |
Family
ID=13622178
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59077024A Pending JPS60219772A (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60219772A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2443220A (en) * | 2006-10-23 | 2008-04-30 | Toshiba Res Europ Ltd | Encapsulated single photon emission device |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5650570A (en) * | 1979-10-01 | 1981-05-07 | Hitachi Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| JPS6092664A (ja) * | 1983-10-26 | 1985-05-24 | Nec Corp | 高融点金属ゲ−トｍｏｓ型半導体装置及びその製造方法 |
-
1984
- 1984-04-16 JP JP59077024A patent/JPS60219772A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5650570A (en) * | 1979-10-01 | 1981-05-07 | Hitachi Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| JPS6092664A (ja) * | 1983-10-26 | 1985-05-24 | Nec Corp | 高融点金属ゲ−トｍｏｓ型半導体装置及びその製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2443220A (en) * | 2006-10-23 | 2008-04-30 | Toshiba Res Europ Ltd | Encapsulated single photon emission device |
| GB2443220B (en) * | 2006-10-23 | 2011-10-26 | Toshiba Res Europ Ltd | A semiconductor device and method of its manufacture |
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