JPS60219789A - 半導体発光装置の製造方法 - Google Patents
半導体発光装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS60219789A JPS60219789A JP59077022A JP7702284A JPS60219789A JP S60219789 A JPS60219789 A JP S60219789A JP 59077022 A JP59077022 A JP 59077022A JP 7702284 A JP7702284 A JP 7702284A JP S60219789 A JPS60219789 A JP S60219789A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- semiconductor light
- light emitting
- submount
- heat sink
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/858—Means for heat extraction or cooling
- H10H20/8582—Means for heat extraction or cooling characterised by their shape
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/01—Manufacture or treatment
- H10H20/036—Manufacture or treatment of packages
- H10H20/0365—Manufacture or treatment of packages of means for heat extraction or cooling
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、ろう付けの際の半導体発光素子に与える損
傷を少なくするよう忙した半導体発光装置の製造方法に
関するものである。
傷を少なくするよう忙した半導体発光装置の製造方法に
関するものである。
（従来技術〕
従来、レーザダイオードの製造方法として第１図に示す
ようなものがあった。第１図において、１はレーザタイ
オードの牛ツブ、２は前記千ツブ１をろ５（以下−例と
してはんだで説明する）で接着、するサブマウント、３
はこのサブマウント２にはんだで接着する金ｆｉｇのヒ
ートシンク、４ははんだを融解するために千ツブ１．サ
ブマウント２、およびヒートシンク３を加熱するヒータ
、５は前記千ツブ１を吸着して移動させ、かつ、はんだ
付けの際にチップ１を押えて固定するためのニードルで
ある。
ようなものがあった。第１図において、１はレーザタイ
オードの牛ツブ、２は前記千ツブ１をろ５（以下−例と
してはんだで説明する）で接着、するサブマウント、３
はこのサブマウント２にはんだで接着する金ｆｉｇのヒ
ートシンク、４ははんだを融解するために千ツブ１．サ
ブマウント２、およびヒートシンク３を加熱するヒータ
、５は前記千ツブ１を吸着して移動させ、かつ、はんだ
付けの際にチップ１を押えて固定するためのニードルで
ある。
次に、従来のレーザダイオードの製造手順について説明
する。まず、サブマウント２をのせたヒートシンク３を
ヒータ４の上にのせて位置合せする。そして、ニードル
５でチップ１を吸着してす７マウント２の上に移動させ
、位置合せなした後にチップ１が浮かないようにニード
ル５でチップ１を押えつけるようにして固定する。次に
、ヒータ４を加熱してチップ１とす７マウント２．す７
マウント２とヒートシンク３０間のはんだ（図示省略）
を融かした後、ヒータ４の加熱を切って冷却し、チップ
１．サブマウント２．およびヒートシンク３を接着させ
る。なお、ニードル５ははんだ溶融時の高温と、摩耗へ
の耐久性とを考慮して、鋼鉄等の金属で構成されている
。
する。まず、サブマウント２をのせたヒートシンク３を
ヒータ４の上にのせて位置合せする。そして、ニードル
５でチップ１を吸着してす７マウント２の上に移動させ
、位置合せなした後にチップ１が浮かないようにニード
ル５でチップ１を押えつけるようにして固定する。次に
、ヒータ４を加熱してチップ１とす７マウント２．す７
マウント２とヒートシンク３０間のはんだ（図示省略）
を融かした後、ヒータ４の加熱を切って冷却し、チップ
１．サブマウント２．およびヒートシンク３を接着させ
る。なお、ニードル５ははんだ溶融時の高温と、摩耗へ
の耐久性とを考慮して、鋼鉄等の金属で構成されている
。
上記のような従来の半導体発光装置の製造方法では、ニ
ードル５でチップ１を吸着するとき、および固定部材の
サブマウント２．ヒートシンク４にはんだ付けするとき
にニードル５でチップＩＫ荷重を加えるため、チップ１
に機械的な損傷が加わり、チップ１０信頓性を損なうと
いう欠点があった。
ードル５でチップ１を吸着するとき、および固定部材の
サブマウント２．ヒートシンク４にはんだ付けするとき
にニードル５でチップＩＫ荷重を加えるため、チップ１
に機械的な損傷が加わり、チップ１０信頓性を損なうと
いう欠点があった。
この発明は、上記のような欠点を除去するためになされ
たもので、固定部材の所定位置に設けた貫通孔で吸着し
て半導体発光ぶ子を位置決めしてろう付けること罠より
、半導体発光素子に荷重をかけることなく、固定部材に
位置決め、ろう付けできるよう九した半導体発光装置の
製造方法を提供するものである。以下、この発明を図面
に基づいて説明する。
たもので、固定部材の所定位置に設けた貫通孔で吸着し
て半導体発光ぶ子を位置決めしてろう付けること罠より
、半導体発光素子に荷重をかけることなく、固定部材に
位置決め、ろう付けできるよう九した半導体発光装置の
製造方法を提供するものである。以下、この発明を図面
に基づいて説明する。
第２図はこの発明の一実施例を示す断面図で、１はレー
ザダイオードのチップ、２Ａは接着するチップ１て覆わ
れるような位置に貫通孔２Ｂを設けたサズマウ７）、３
Ａは前記サンマラン）２Ａの貫通孔２Ｂを含む面で覆わ
れるような位置に貫通孔３Ｂを設けたヒートシンク、４
Ａは前記ヒートシンク３Ａの貫通孔３Ｂを含む面で覆わ
れるような位置に貫通孔４Ｂを設けたヒータである。そ
して、貫通孔４Ｂは真空吸着するだめの真空ライン（図
示せず）に接続されている。
ザダイオードのチップ、２Ａは接着するチップ１て覆わ
れるような位置に貫通孔２Ｂを設けたサズマウ７）、３
Ａは前記サンマラン）２Ａの貫通孔２Ｂを含む面で覆わ
れるような位置に貫通孔３Ｂを設けたヒートシンク、４
Ａは前記ヒートシンク３Ａの貫通孔３Ｂを含む面で覆わ
れるような位置に貫通孔４Ｂを設けたヒータである。そ
して、貫通孔４Ｂは真空吸着するだめの真空ライン（図
示せず）に接続されている。
上記のようにこの発明の半導体発光装置の製造方法では
、チップＩＫ機械的な荷重を加えることなく位置決め、
はんだ付けが行えるため、チップ１の信頼性を損なうこ
となく、容易に位置精度を高くして製造することができ
る。また、自動組立で半導体発光装置を製造する場合に
有効である。
、チップＩＫ機械的な荷重を加えることなく位置決め、
はんだ付けが行えるため、チップ１の信頼性を損なうこ
となく、容易に位置精度を高くして製造することができ
る。また、自動組立で半導体発光装置を製造する場合に
有効である。
次に、この発明のレーザタイオードの製造手順について
説明する。まず、サブマウント２Ａをのせたヒートシン
ク３Ａをヒータ４Ａの上にのせて位置合せする。そして
、チップ１をサブマウント２人の上にのせて位置合せを
した後、真空ラインに接続したヒータ４Ａの貫通孔４Ｂ
から貫通孔２Ｂ。
説明する。まず、サブマウント２Ａをのせたヒートシン
ク３Ａをヒータ４Ａの上にのせて位置合せする。そして
、チップ１をサブマウント２人の上にのせて位置合せを
した後、真空ラインに接続したヒータ４Ａの貫通孔４Ｂ
から貫通孔２Ｂ。
３ＢＹ介してチップ１をサブマウント２人に吸７１１゜
固定する。次に、ヒータ４Ａを加熱してチップ１とす７
マウ／ト２ Ａ ＋ サブマウント２人とヒートシンク
３Ａの間のはんだ（図示省略）を融かした後、ヒータ４
への加熱を切って冷却し、チップ１゜サブマウント２人
およびヒートシンク４Ａを接着させる。そして、各部が
接着後は千ツブ１の吸着、固定を解除する〇 なお、上記実施例ではチップ１をサブマウント２人を介
してヒートシンク３ＡＫ固定する場合を示したが、チッ
プ１を直接ヒートシンク３Ａに接着する場合にも通用で
きる。また、レーザダイオードの他、発光タイオード等
の半導体発光装置の製造方法においても適用できること
はいうまでもない。さらに、ヒータ４ＡＫ買通孔４Ｂを
設けることなく、第２図のヒートシンク３Ａに点線で示
すように貫通孔を設ける構成としてもよ７い。
固定する。次に、ヒータ４Ａを加熱してチップ１とす７
マウ／ト２ Ａ ＋ サブマウント２人とヒートシンク
３Ａの間のはんだ（図示省略）を融かした後、ヒータ４
への加熱を切って冷却し、チップ１゜サブマウント２人
およびヒートシンク４Ａを接着させる。そして、各部が
接着後は千ツブ１の吸着、固定を解除する〇 なお、上記実施例ではチップ１をサブマウント２人を介
してヒートシンク３ＡＫ固定する場合を示したが、チッ
プ１を直接ヒートシンク３Ａに接着する場合にも通用で
きる。また、レーザダイオードの他、発光タイオード等
の半導体発光装置の製造方法においても適用できること
はいうまでもない。さらに、ヒータ４ＡＫ買通孔４Ｂを
設けることなく、第２図のヒートシンク３Ａに点線で示
すように貫通孔を設ける構成としてもよ７い。
以上説明したように、この発明の半導体発光装置の製造
方法は、半導体発光素子な吸着するための貫通孔を固定
部材の所定位置に設け、半導体発光素子を固定部材に吸
着により位置決めしてろう付けする構成としたので、半
導体発光素子の信頼性を損なうことなく、容易に位Ｉｌ
ｉ精度を高くして製造することができる等の利点がある
。
方法は、半導体発光素子な吸着するための貫通孔を固定
部材の所定位置に設け、半導体発光素子を固定部材に吸
着により位置決めしてろう付けする構成としたので、半
導体発光素子の信頼性を損なうことなく、容易に位Ｉｌ
ｉ精度を高くして製造することができる等の利点がある
。
第１図は従来の半導体発光装置の製造方法を示す断面図
、第２図はこの発明の一実施例を示す断面図である。 図中％１はチップ、２人はサブマウント、２Ｂは貫通孔
、３Ａはヒートランク、３Ｂは貫通孔、４Ａはヒータ、
４Ｂは貫通孔、５はニードルである。 なお、図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大巻増ＭＣ外２名） 第１図 第２図 手続補正書 （自発） 昭和６０年１ イ３ 日 １５事件の表示 特願昭 ５！３−０７７０２２号２、
発明の名称 半導体発光装置の製造方法３、補正をする
者 ５、補止の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 明細書Ｗ４５頁６行の「ヒートシンク４ＡＪを、「ヒー
トシンク３ＡＪ と補正する。 以上
、第２図はこの発明の一実施例を示す断面図である。 図中％１はチップ、２人はサブマウント、２Ｂは貫通孔
、３Ａはヒートランク、３Ｂは貫通孔、４Ａはヒータ、
４Ｂは貫通孔、５はニードルである。 なお、図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大巻増ＭＣ外２名） 第１図 第２図 手続補正書 （自発） 昭和６０年１ イ３ 日 １５事件の表示 特願昭 ５！３−０７７０２２号２、
発明の名称 半導体発光装置の製造方法３、補正をする
者 ５、補止の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 明細書Ｗ４５頁６行の「ヒートシンク４ＡＪを、「ヒー
トシンク３ＡＪ と補正する。 以上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体発光素子をヒートシンクないしはサブマウン）Ｋ
接着するろう付は工程において、ヒートシンクないしは
サブマウント九設けた吸着口Ｋ。 前記半導体発光素子を真空吸着すること罠よって、前記
半導体発光素子を固定しながらろう付けすることを特徴
とする半導体発光装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59077022A JPS60219789A (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | 半導体発光装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59077022A JPS60219789A (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | 半導体発光装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60219789A true JPS60219789A (ja) | 1985-11-02 |
Family
ID=13622125
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59077022A Pending JPS60219789A (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | 半導体発光装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60219789A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021077760A (ja) * | 2019-11-08 | 2021-05-20 | ウシオ電機株式会社 | 半導体レーザ装置 |
-
1984
- 1984-04-16 JP JP59077022A patent/JPS60219789A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021077760A (ja) * | 2019-11-08 | 2021-05-20 | ウシオ電機株式会社 | 半導体レーザ装置 |
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