JPS6022381A - 太陽電池 - Google Patents
太陽電池Info
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- JPS6022381A JPS6022381A JP58129542A JP12954283A JPS6022381A JP S6022381 A JPS6022381 A JP S6022381A JP 58129542 A JP58129542 A JP 58129542A JP 12954283 A JP12954283 A JP 12954283A JP S6022381 A JPS6022381 A JP S6022381A
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- solar cell
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- H10F10/00—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
- H10F10/10—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells having potential barriers
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- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
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- H10F77/306—Coatings for devices having potential barriers
- H10F77/311—Coatings for devices having potential barriers for photovoltaic cells
- H10F77/315—Coatings for devices having potential barriers for photovoltaic cells the coatings being antireflective or having enhancing optical properties
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/544—Solar cells from Group III-V materials
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は、ＩｎＰ太＠電池に関し、特に耐放射線特性に
優れた高効率の太陽電池に関するものである。
優れた高効率の太陽電池に関するものである。
（従来技術）
従来、宇宙用太陽電池として、８１太陽電池が使用され
て来た。しかし、宇宙環境においては、各種放射線が存
在し、半導体内に格子欠陥が生成される結果、太陽電池
の出力低下を招くことになる。
て来た。しかし、宇宙環境においては、各種放射線が存
在し、半導体内に格子欠陥が生成される結果、太陽電池
の出力低下を招くことになる。
従来使用されて来た８１太陽電池では、材料Ｓｔが間接
遷移形のバンド構造を有する半導体であるが故に、放射
線に弱い欠点があった。
遷移形のバンド構造を有する半導体であるが故に、放射
線に弱い欠点があった。
そこで、８１太陽電池では、基板層の伝導形および抵抗
率の最適化、更には放射線防護用のカバーガラスの使用
等の対策を講することにより、放射線劣化の低減を図っ
て来たが、宇宙環境における太陽電池の寿命は！程度度
であった。
率の最適化、更には放射線防護用のカバーガラスの使用
等の対策を講することにより、放射線劣化の低減を図っ
て来たが、宇宙環境における太陽電池の寿命は！程度度
であった。
また、直接遷移形バンド構造を有するＧａＡ、Ｂ用いた
太陽電池を宇宙用に適用することも検討されている。Ｇ
、Ａ、ｌ！電池は８１太陽電池に比べて耐放射線特性が
改善されてはいるものの、宇宙環境におけるＧａＡ、を
陽電池の寿命は１０年程度と推定され、十分とは言えな
い。さらに、Ｇ、Ａ８は表面再結合速度が高く、ＧａＡ
ａｃｔ陽電池は表面結合速度の影響を抑制するために窓
層を必要とするなど、複雑な素子措造を形成する必要が
あった。
太陽電池を宇宙用に適用することも検討されている。Ｇ
、Ａ、ｌ！電池は８１太陽電池に比べて耐放射線特性が
改善されてはいるものの、宇宙環境におけるＧａＡ、を
陽電池の寿命は１０年程度と推定され、十分とは言えな
い。さらに、Ｇ、Ａ８は表面再結合速度が高く、ＧａＡ
ａｃｔ陽電池は表面結合速度の影響を抑制するために窓
層を必要とするなど、複雑な素子措造を形成する必要が
あった。
第１図は、従来のＳｉｎ＋−ｐ接合形太陽電池およびＧ
、Ａ８ヘテロフェイス桁造Ｇ、ＡＪ陽ｉ池の／ ＭｅＶ
電子線照射による光電変換効率の相対変化の一例を示す
。
、Ａ８ヘテロフェイス桁造Ｇ、ＡＪ陽ｉ池の／ ＭｅＶ
電子線照射による光電変換効率の相対変化の一例を示す
。
宇宙における放射線環境の下で太陽電池を使用する場合
に考慮すべき粒子線としては、粒子線束の大きい／ Ｍ
ｅＶ 電子線があり、ＩＯ生年間換算すると、太陽電池
は１０”ｃｔｒｔ−２程度の被曝を受けることになる。
に考慮すべき粒子線としては、粒子線束の大きい／ Ｍ
ｅＶ 電子線があり、ＩＯ生年間換算すると、太陽電池
は１０”ｃｔｒｔ−２程度の被曝を受けることになる。
すなわち、上述したような太陽電池を宇宙環境でＩＯ年
間程度使用すると、８１太陽電池およびＧ、Ａ、＆ ６
電池は各々、効率が半分以下におよび７０％程度に低
下Ｔることになり、従来の８１太陽電池やＧ＠Ａ林陽電
池は放射線に弱い欠点があった。
間程度使用すると、８１太陽電池およびＧ、Ａ、＆ ６
電池は各々、効率が半分以下におよび７０％程度に低
下Ｔることになり、従来の８１太陽電池やＧ＠Ａ林陽電
池は放射線に弱い欠点があった。
（目 的）
本発明は、これらの欠点を除去するためになされたもの
で、その目的は、耐放射線特性に優れたＩｎＰ結晶を用
いて太＠電池を構成し、基板層のキャリア濃度および接
合深さの最適化を図ることにより、耐放射線特性に優れ
た高効率の太＠電池を提供することにある０ （発明の構成） かかる目的を達成するために、本発明の第７の形態では
、ｐ形ＩｎＰ単結晶基板上にｎ形ＩｎＰ層を形成し、ｎ
形１ｎＰ層の厚さを１μｍ以下となし、かつｐ形ｌｎＰ
層のキャリア濃度を、２ Ｘ １０”ｃｍ−’以上に定
める。
で、その目的は、耐放射線特性に優れたＩｎＰ結晶を用
いて太＠電池を構成し、基板層のキャリア濃度および接
合深さの最適化を図ることにより、耐放射線特性に優れ
た高効率の太＠電池を提供することにある０ （発明の構成） かかる目的を達成するために、本発明の第７の形態では
、ｐ形ＩｎＰ単結晶基板上にｎ形ＩｎＰ層を形成し、ｎ
形１ｎＰ層の厚さを１μｍ以下となし、かつｐ形ｌｎＰ
層のキャリア濃度を、２ Ｘ １０”ｃｍ−’以上に定
める。
本発明の第一の形態では、ｐ形■ｎＰ単結晶基板上にｐ
形１ｎＰエピタキシャル成長層を形成し、ｐ形ＩｎＰエ
ピタキシャル成長層上にｎ形ｘｎｐｔ＝を形成し、ｎ形
ＩｎＰ層の厚さを１μｍ以下となし、かつｐ形ＩｎＰＭ
のキャリア濃度を２×／θ”ｆｆ１−’以上に定める。
形１ｎＰエピタキシャル成長層を形成し、ｐ形ＩｎＰエ
ピタキシャル成長層上にｎ形ｘｎｐｔ＝を形成し、ｎ形
ＩｎＰ層の厚さを１μｍ以下となし、かつｐ形ＩｎＰＭ
のキャリア濃度を２×／θ”ｆｆ１−’以上に定める。
（実 施 例）
以下に、図面を参照して本発明の詳細な説明する。なお
、以下に示す実施例は単なる例示に過ぎず、本発明の枠
の中で種々の改良や変形があり得ることは勿論である０ まず１第一図に、本発明の根幹をなすｌｌ１Ｐ単結晶の
少数キャリア拡散長の／ ＭｅＶ電子線照射効果をＧ、
Ａ、！￥１．結晶の結果と比較して示す。太陽電池特性
を支配する物性パラメータとしては少数キャリア拡散長
が重要であり、この実験結果によれば、ｃａＡａ単結晶
よりもＩｎＰ単結晶の方が放射線照射による少数キャリ
ア拡散長の低下が少ないことが見い出された。
、以下に示す実施例は単なる例示に過ぎず、本発明の枠
の中で種々の改良や変形があり得ることは勿論である０ まず１第一図に、本発明の根幹をなすｌｌ１Ｐ単結晶の
少数キャリア拡散長の／ ＭｅＶ電子線照射効果をＧ、
Ａ、！￥１．結晶の結果と比較して示す。太陽電池特性
を支配する物性パラメータとしては少数キャリア拡散長
が重要であり、この実験結果によれば、ｃａＡａ単結晶
よりもＩｎＰ単結晶の方が放射線照射による少数キャリ
ア拡散長の低下が少ないことが見い出された。
第３図に、本発明の根幹をなす■ｎＰ単結晶に１ＭｅＶ
電子線を照射した場合の少数キャリア拡散長に関する
損傷度のＩｎＰ単結晶のキャリア濃度依存性を示す。こ
の実験結果によれば、キャリア濃度の高いＩｎＰ単結晶
において放射線照射による少数キャリア拡散長の低下が
少ないことが見い出された。さらに、放射線照射による
ＩｎＰ単結晶のキャリア濃度低下がやはりＩｎＰ単結晶
のキャリア濃度の高い場合に抑制されることも見い出さ
れた。
電子線を照射した場合の少数キャリア拡散長に関する
損傷度のＩｎＰ単結晶のキャリア濃度依存性を示す。こ
の実験結果によれば、キャリア濃度の高いＩｎＰ単結晶
において放射線照射による少数キャリア拡散長の低下が
少ないことが見い出された。さらに、放射線照射による
ＩｎＰ単結晶のキャリア濃度低下がやはりＩｎＰ単結晶
のキャリア濃度の高い場合に抑制されることも見い出さ
れた。
すなわち、以上の実験結果から、ＩｎＰ単結晶はＱ＆Ａ
８単結晶に比べて耐放射線特性に優れていること、およ
び放射線照射に伴なうＩｎＰ単結晶中の少数キャリア拡
散長およびキャリア濃度の低下の度合が単結晶のキャリ
ア濃度に依存することを確認した。
８単結晶に比べて耐放射線特性に優れていること、およ
び放射線照射に伴なうＩｎＰ単結晶中の少数キャリア拡
散長およびキャリア濃度の低下の度合が単結晶のキャリ
ア濃度に依存することを確認した。
本発明は、かかる現象を利用してなしたものであり、こ
の現象を利用すれば、Ｇ、Ａ、太＋（３，電池よりも放
射線に強いＩｎＰ太陽電池を描戒できることがわかった
。
の現象を利用すれば、Ｇ、Ａ、太＋（３，電池よりも放
射線に強いＩｎＰ太陽電池を描戒できることがわかった
。
第参図は、本発明によるＩｎＰ太陽電池の構成の一例を
示す。ここで、ｌはｐ彫工ｎＰ単結晶基板であり、この
基板ｌ上にｎ形ＩｎＰ Ｊ’Ｗ ２をエピタキシャル成
長法あるいは熱拡散法などで形成する。このｎ形層λ上
にＡ１等による櫛形状の収集電極３を配置し、更にｎ形
層λには収集電極３を覆ってｓ ｓｏ２等から成る反射
防止膜ダを被着する。ｊは基板／の裏面電極である。太
陽光は反射防止膜ｌの側から入射する０ 第５図は、本発明太陽電池の他の構成例を示し、ここで
は、ｐ形ＩｎＰ単結晶基板ｌの上にｐ形Ｉ。Ｐエピタキ
シャル成長層ｔをエピタキシャル成長させ、その層６の
上にｎ形ＩｎＰ層２をエピタキシャル成長させる。本例
におけるその他の構成は第弘図の例と同様であり、省略
する。
示す。ここで、ｌはｐ彫工ｎＰ単結晶基板であり、この
基板ｌ上にｎ形ＩｎＰ Ｊ’Ｗ ２をエピタキシャル成
長法あるいは熱拡散法などで形成する。このｎ形層λ上
にＡ１等による櫛形状の収集電極３を配置し、更にｎ形
層λには収集電極３を覆ってｓ ｓｏ２等から成る反射
防止膜ダを被着する。ｊは基板／の裏面電極である。太
陽光は反射防止膜ｌの側から入射する０ 第５図は、本発明太陽電池の他の構成例を示し、ここで
は、ｐ形ＩｎＰ単結晶基板ｌの上にｐ形Ｉ。Ｐエピタキ
シャル成長層ｔをエピタキシャル成長させ、その層６の
上にｎ形ＩｎＰ層２をエピタキシャル成長させる。本例
におけるその他の構成は第弘図の例と同様であり、省略
する。
ＩｎＰはＧ、ＡＢに比べて表面再結合速度が低く、太Ｉ
Ｊｊｊ電池構造としてはＧａＡ、太陽電池において必須
であった窓層を必要とせず、第１図あるいは第Ｓ図に示
すように、簡単な素子構造で溝底できることがわかる。
Ｊｊｊ電池構造としてはＧａＡ、太陽電池において必須
であった窓層を必要とせず、第１図あるいは第Ｓ図に示
すように、簡単な素子構造で溝底できることがわかる。
これら本発明の実施例において・は、ｎ形１ｎＰ層２の
厚み（接合深さｘｊ）はＯ，ｌ−２９ｍの範囲のものを
検討した。また、ｐ形ＩｎＰエピタキシャル成長層乙の
厚みは２〜！μｍの範囲のものを用いた。
厚み（接合深さｘｊ）はＯ，ｌ−２９ｍの範囲のものを
検討した。また、ｐ形ＩｎＰエピタキシャル成長層乙の
厚みは２〜！μｍの範囲のものを用いた。
さらに、ｎ形ＩｎＰ層−のキャリア濃度は１〜／θ×ｌ
θ１８ｍ’、ｐ彫工ｎＰ基板ｌおよびｐ形ＩｎＰ層６の
キャリア濃度は４（、ｔＸ／θ１６〜／ Ｘ １０”α
−６の範囲のものを検討した。
θ１８ｍ’、ｐ彫工ｎＰ基板ｌおよびｐ形ＩｎＰ層６の
キャリア濃度は４（、ｔＸ／θ１６〜／ Ｘ １０”α
−６の範囲のものを検討した。
第６図は、本発明に係る接合深さｘＪがｏ、７μｍでキ
ャリア濃度Ｐｏが約１０”ｃＷＬ−’ 、 、２ Ｘ／
θ’ｆｆ１−’およびｊＸ／θ’％＋ｔ’のＩｎＰ太陽
電池（実線）および従来のへテロフェイスＧ、Ａｓ太陽
電池（破線）について、／ＭｏＶ電千線電封線照射効率
の相対変化を比較して示す。
ャリア濃度Ｐｏが約１０”ｃＷＬ−’ 、 、２ Ｘ／
θ’ｆｆ１−’およびｊＸ／θ’％＋ｔ’のＩｎＰ太陽
電池（実線）および従来のへテロフェイスＧ、Ａｓ太陽
電池（破線）について、／ＭｏＶ電千線電封線照射効率
の相対変化を比較して示す。
第６図かられかるように、本発明に係るＩｎＰ太陽電池
は、従来のへテロフェイスＧａ〜太陽電池よりも耐放射
線特性に優れている１゜耐用年数を、効率が照射前の７
Ｉ％以上を維持する期間とすれば、ＩｎＰ太陽電池を、
宇宙環境において用いた場合には、耐用年数として７０
０年以上を期待できることがわかる。
は、従来のへテロフェイスＧａ〜太陽電池よりも耐放射
線特性に優れている１゜耐用年数を、効率が照射前の７
Ｉ％以上を維持する期間とすれば、ＩｎＰ太陽電池を、
宇宙環境において用いた場合には、耐用年数として７０
０年以上を期待できることがわかる。
また、ｐ形ＩｎＰ基板ｌおよびｐ形ＩｎＰ層乙のキャリ
ア濃度の増加と共に■ｎＰ太陽電池の耐放射線特性が改
善されることも確認された。上記ｐ形ＩｎＰ基板ｌおよ
びｐ形ＩｎＰ層乙のキャリア濃度として２×１０ｃｒＬ
以上に選べば、耐放射線特性に優れた工ｎＰ太陽電池
を槽底できる。
ア濃度の増加と共に■ｎＰ太陽電池の耐放射線特性が改
善されることも確認された。上記ｐ形ＩｎＰ基板ｌおよ
びｐ形ＩｎＰ層乙のキャリア濃度として２×１０ｃｒＬ
以上に選べば、耐放射線特性に優れた工ｎＰ太陽電池
を槽底できる。
また、接合深さｘＪの減少と共に工ｎＰ太＠電池の耐放
射線特性も向上するので、：ｔｊを／ｐｍ以下に選べば
、耐放射線特性に擾れたＩｎＰ太陽電池を実現できる。
射線特性も向上するので、：ｔｊを／ｐｍ以下に選べば
、耐放射線特性に擾れたＩｎＰ太陽電池を実現できる。
さらに、本発明に係る工ｎＰ太＠電池では、光電変換効
率／６．ｊ〜〃％程度のものが得られており、高効率で
なおかつ耐放射線特性に優れた太陽電池を提供できる。
率／６．ｊ〜〃％程度のものが得られており、高効率で
なおかつ耐放射線特性に優れた太陽電池を提供できる。
（効 果）
以上説明したように、本発明によれば、太陽電池材料と
してＩｎＰを用い、ｐ形基板およびｐ形層のキャリア濃
度および接合深さの最適化を図ることによって、従来の
太＃、電池に比べて、耐放射線特性に優れ、しかも光電
変換効率が高いなどの利点を有する太陽電池を得ること
ができる。
してＩｎＰを用い、ｐ形基板およびｐ形層のキャリア濃
度および接合深さの最適化を図ることによって、従来の
太＃、電池に比べて、耐放射線特性に優れ、しかも光電
変換効率が高いなどの利点を有する太陽電池を得ること
ができる。
従って・本発明に係る太陽電池は宇宙用太陽電池として
有用である。
有用である。
ｍ／ＦＡは従来のＳｌｎ＋−μさ合およびヘテロフェイ
スＧａＡ林陽電池の放射聯；）劣化の一例を示す特性曲
線図、第一図は本発明の根幹をなすＩｎＰ単結晶の放射
線照射効果とＧ、Ａ、＄１結晶との比較を示す特性曲線
図、第３図は本発明の根幹をなすＩｎＰ単結晶の放射線
照射効果に及ぼすキャリア濃度の影響を示す特性曲線図
、第４Ｉ図および第、を図は本発明によるＩｎＰ太陽電
池の構造の」例を示す断面図、第を図は本発明に係る太
陽電池および従来のＧａＡ３太陽亀池について／ Ｍｅ
Ｖ電子線照射による出方の相対変化を比較して示す特性
曲線図°Ｃある。 ｌ・・・ｐ彫工ｎＰ単結晶基板、 ２・・・ｎ形ＩｎＰ層、 ３・・・収集電極、 ダ・・・反射防止膜、 ！・・・裏面電極、 ６・・・ｐ形ＩｎＰエピタキシャル層。 特許出願人 日本電信電話公社
スＧａＡ林陽電池の放射聯；）劣化の一例を示す特性曲
線図、第一図は本発明の根幹をなすＩｎＰ単結晶の放射
線照射効果とＧ、Ａ、＄１結晶との比較を示す特性曲線
図、第３図は本発明の根幹をなすＩｎＰ単結晶の放射線
照射効果に及ぼすキャリア濃度の影響を示す特性曲線図
、第４Ｉ図および第、を図は本発明によるＩｎＰ太陽電
池の構造の」例を示す断面図、第を図は本発明に係る太
陽電池および従来のＧａＡ３太陽亀池について／ Ｍｅ
Ｖ電子線照射による出方の相対変化を比較して示す特性
曲線図°Ｃある。 ｌ・・・ｐ彫工ｎＰ単結晶基板、 ２・・・ｎ形ＩｎＰ層、 ３・・・収集電極、 ダ・・・反射防止膜、 ！・・・裏面電極、 ６・・・ｐ形ＩｎＰエピタキシャル層。 特許出願人 日本電信電話公社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ／）ｐ形ＩｎＰ単結晶基板上にｎ形ＩｎＰ＃を形成し、
該ｎ形ＩｎＰ層の厚さを１１ｍ以下となし、かつ前記ｐ
形ＩｎＰ層のキャリア濃度を２×ｌθ１６儒 以上に定
めたことを特徴とする太＠電池。 λ）ｐ形ＩｔＩＰ単結晶基板上にｐ形ｌ１ＩＰエピタキ
シャル成長層な形成し、該ｐ形ＩｎＰエピタキシャル成
長層上にｎ彫工。−Ｐ Ｊ’Ｊｊを形成し、該ｎＢ Ｉ
ｎＰ ｆｆｌ＃の厚さを１μｍ以下となし、かつ前記ｐ
形１ｎＰ層のキャリア濃度をコＸ １０”ａｍ−”以上
に定めたことを特徴とする太陽電池。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58129542A JPS6022381A (ja) | 1983-07-18 | 1983-07-18 | 太陽電池 |
| US06/631,091 US4591654A (en) | 1983-07-18 | 1984-07-16 | Solar cells based on indium phosphide |
| DE3426338A DE3426338A1 (de) | 1983-07-18 | 1984-07-17 | Solarzelle |
| FR8411316A FR2549642B1 (fr) | 1983-07-18 | 1984-07-17 | Cellule solaire |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58129542A JPS6022381A (ja) | 1983-07-18 | 1983-07-18 | 太陽電池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6022381A true JPS6022381A (ja) | 1985-02-04 |
Family
ID=15012092
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58129542A Pending JPS6022381A (ja) | 1983-07-18 | 1983-07-18 | 太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6022381A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS514986A (ja) * | 1974-07-03 | 1976-01-16 | Hitachi Ltd | |
| JPS51123588A (en) * | 1975-04-22 | 1976-10-28 | Agency Of Ind Science & Technol | Manufacturing method of thin film solar battery |
| JPS53102688A (en) * | 1977-02-16 | 1978-09-07 | Western Electric Co | Element |
| JPS58137263A (ja) * | 1982-02-09 | 1983-08-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 太陽電池 |
-
1983
- 1983-07-18 JP JP58129542A patent/JPS6022381A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS514986A (ja) * | 1974-07-03 | 1976-01-16 | Hitachi Ltd | |
| JPS51123588A (en) * | 1975-04-22 | 1976-10-28 | Agency Of Ind Science & Technol | Manufacturing method of thin film solar battery |
| JPS53102688A (en) * | 1977-02-16 | 1978-09-07 | Western Electric Co | Element |
| JPS58137263A (ja) * | 1982-02-09 | 1983-08-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 太陽電池 |
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