JPS6022503B2 - 集積回路 - Google Patents
集積回路Info
- Publication number
- JPS6022503B2 JPS6022503B2 JP51011989A JP1198976A JPS6022503B2 JP S6022503 B2 JPS6022503 B2 JP S6022503B2 JP 51011989 A JP51011989 A JP 51011989A JP 1198976 A JP1198976 A JP 1198976A JP S6022503 B2 JPS6022503 B2 JP S6022503B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- charge pump
- integrated circuit
- pump type
- regions
- elements
- Prior art date
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- Expired
Links
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Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は絶縁ゲート型電界効果半導体装置を用いた集
積回路に関する。
積回路に関する。
絶縁ゲート型電界効果トランジスタ（肌Ｓトランジスタ
）、絶縁ゲート型ダイオード（ＭＩＳダイオード）およ
びチャージポンプ型素子を用いた集積回路は高密度、大
寒積化によって動作特性向上を実現することができる。
）、絶縁ゲート型ダイオード（ＭＩＳダイオード）およ
びチャージポンプ型素子を用いた集積回路は高密度、大
寒積化によって動作特性向上を実現することができる。
とくに、チャージポンプ型素子を負荷素子として用いた
ィンバータ回路を複数個有する集積回路は、負荷素子の
素子占有面積が小であるため高密度化に箸るしい利点を
もたらす。この発明の目的は、既知のものよりも更に高
密度化を実現しより高速動作の可能な集積回路を提供す
ることにある。
ィンバータ回路を複数個有する集積回路は、負荷素子の
素子占有面積が小であるため高密度化に箸るしい利点を
もたらす。この発明の目的は、既知のものよりも更に高
密度化を実現しより高速動作の可能な集積回路を提供す
ることにある。
この発明の集積回路は、チャージポンプ型素子をそれぞ
れの負荷として有する複数のィンバータ回路を備え、且
つ少くとも２個の前記チャージポンプ型素子の反転領域
が共通であることを特徴とする。
れの負荷として有する複数のィンバータ回路を備え、且
つ少くとも２個の前記チャージポンプ型素子の反転領域
が共通であることを特徴とする。
この発明の集積回路は、複数のチャージポンプ型素子の
動作において、個々の出力領域に比較して電荷を半導体
に再結合する反転領域を共用することができると云う新
規な発見に基ずき、反転領域の共用により無効面積を除
去して高密度集積を実現するものである。
動作において、個々の出力領域に比較して電荷を半導体
に再結合する反転領域を共用することができると云う新
規な発見に基ずき、反転領域の共用により無効面積を除
去して高密度集積を実現するものである。
集積回路は無効面積の減少により配線に対する寄生容量
を低下するため、この発明によ机ま小電力で高速動作を
得る集積回路が得られる。次にこの発明の特徴をより良
く理解するために実施例につき図を用いて説明する。
を低下するため、この発明によ机ま小電力で高速動作を
得る集積回路が得られる。次にこの発明の特徴をより良
く理解するために実施例につき図を用いて説明する。
第１図Ａおよび第１図Ｂは従来の集積回路の回路図とパ
ターン平面図である。
ターン平面図である。
この従来例によれば、チャージポンプ型素子ＣＰ，，Ｃ
Ｐ２をそれぞれ負荷素子とする駆動用のＭＩＳトランジ
スタＱ．，Ｑ２を用いたィンバータ回路を互いに帰還し
てフリップフロップ回路を構成している。チャージポン
プ型素子ＣＰ，，ＣＰ２の出力領域１１，１２はそれぞ
れＭＳトランジスタＱ，，Ｑ２のドレイン領域となる拡
散領域である。チャージポンプ型素子ＣＰ，，ＣＰ２は
クロック信号線ぐの直下の半導体表面に反転領域を有し
、ここでの電荷再結合により電流源負荷として動作する
。クロック信号線◇の直下には他のチャージポンプ型素
子ＣＰ３，ＣＰ４の反転領域も個別に形成されている。
この従来例では同一信号線めで駆動されるチャージポン
プ型素子の反転領域が個々に設けられ、互いの電気的分
離のために素子間の距離を含ませてある。
Ｐ２をそれぞれ負荷素子とする駆動用のＭＩＳトランジ
スタＱ．，Ｑ２を用いたィンバータ回路を互いに帰還し
てフリップフロップ回路を構成している。チャージポン
プ型素子ＣＰ，，ＣＰ２の出力領域１１，１２はそれぞ
れＭＳトランジスタＱ，，Ｑ２のドレイン領域となる拡
散領域である。チャージポンプ型素子ＣＰ，，ＣＰ２は
クロック信号線ぐの直下の半導体表面に反転領域を有し
、ここでの電荷再結合により電流源負荷として動作する
。クロック信号線◇の直下には他のチャージポンプ型素
子ＣＰ３，ＣＰ４の反転領域も個別に形成されている。
この従来例では同一信号線めで駆動されるチャージポン
プ型素子の反転領域が個々に設けられ、互いの電気的分
離のために素子間の距離を含ませてある。
第２図はこの発明の一実施例の断面図である。
この実施例は比抵抗１００一伽のＰ型シリコン単綾晶基
体２０１の一主表面の活性領域に２個のＭＩＳトランジ
スタＱ，Ｑ４と２個のチャージポンプ型素子ＣＰ５，Ｃ
Ｐ５を有する集積回路である。不活性領域の基体表面に
は寄生効果を抑えるための表面ボロン濃度２×１ぴ６伽
‐３のＰ型領域２０２と１．０ム程度の厚いシリコン酸
化膜２０３が設けられている。基体２０１の裏面には基
体電極２０４がオーミック接触する。トランジスタＱ３
はＮ型領域２０５，２０６をソース、ドレィン領域とし
、これらの領域間の基体表面に８００Ａの薄いシリコン
酸化膜２０７とその上面のゲート電極２０８から成る。
体２０１の一主表面の活性領域に２個のＭＩＳトランジ
スタＱ，Ｑ４と２個のチャージポンプ型素子ＣＰ５，Ｃ
Ｐ５を有する集積回路である。不活性領域の基体表面に
は寄生効果を抑えるための表面ボロン濃度２×１ぴ６伽
‐３のＰ型領域２０２と１．０ム程度の厚いシリコン酸
化膜２０３が設けられている。基体２０１の裏面には基
体電極２０４がオーミック接触する。トランジスタＱ３
はＮ型領域２０５，２０６をソース、ドレィン領域とし
、これらの領域間の基体表面に８００Ａの薄いシリコン
酸化膜２０７とその上面のゲート電極２０８から成る。
同様にトランジスタＱ４は基体２０１の表面にＮ型領域
２０９，２１０とその間の基体上へのシリコン酸化膜２
１１とゲート電極２１２を有する。チャージポンプ型素
子ＣＰ５，ＣＰ６はトランジスタＱ３，Ｑ４の一方のＮ
型領域２０６，２１０をそれぞれ出力領域とし、これら
の領域間の基体表面に１００Ａのシリコン酸化膜２１３
を熱酸化成長し、さらに駆動信号を受けるゲート電極２
１４を有する。
２０９，２１０とその間の基体上へのシリコン酸化膜２
１１とゲート電極２１２を有する。チャージポンプ型素
子ＣＰ５，ＣＰ６はトランジスタＱ３，Ｑ４の一方のＮ
型領域２０６，２１０をそれぞれ出力領域とし、これら
の領域間の基体表面に１００Ａのシリコン酸化膜２１３
を熱酸化成長し、さらに駆動信号を受けるゲート電極２
１４を有する。
又、これらの素子の電荷再結合を行う反転領域は、チャ
−ジポンプ効果を高めるため表面ボロン濃度１×１ぴ６
仇‐３の高濃度のＰ型領域２１５を有する。又、チャー
ジポンプ型素子ＣＰ５，ＣＰ６は出力領域となるＮ型領
域２０６，２１０をそれぞれ有するが、ゲート構造は共
用する。チャージポンプ型素子ＣＰ５，ＣＰ６はゲート
電極２１４に駆動信号を与えることによりＮ型領域２０
６，２１０から反転領域表面に電荷を議出し反転領域中
で再結合により消失する。この実施例では反転領域が共
用されているが、それぞれのチヤージポンプ効果は確実
で且つ占有面積が小であり、各トランジスタＱ３，Ｑ４
と共に高密度の集積回路を形成する。第３図Ａおよび第
３図Ｂはこの発明の他の実施例の回路図および平面図で
ある。
−ジポンプ効果を高めるため表面ボロン濃度１×１ぴ６
仇‐３の高濃度のＰ型領域２１５を有する。又、チャー
ジポンプ型素子ＣＰ５，ＣＰ６は出力領域となるＮ型領
域２０６，２１０をそれぞれ有するが、ゲート構造は共
用する。チャージポンプ型素子ＣＰ５，ＣＰ６はゲート
電極２１４に駆動信号を与えることによりＮ型領域２０
６，２１０から反転領域表面に電荷を議出し反転領域中
で再結合により消失する。この実施例では反転領域が共
用されているが、それぞれのチヤージポンプ効果は確実
で且つ占有面積が小であり、各トランジスタＱ３，Ｑ４
と共に高密度の集積回路を形成する。第３図Ａおよび第
３図Ｂはこの発明の他の実施例の回路図および平面図で
ある。
この実施例はチャージポンプ素子ＣＰの群を負荷とし、
出力領域の２個を駆動用のＭＩＳトランジスタＱ，Ｑ６
のドレィン領域にそれぞれ結合し、トランジスタは，Ｑ
の互いに他のドレィン領域とゲート電極とを結合したフ
リツプ．フロップ回路である。チャージポンプ型素子Ｃ
Ｐは４個の出力領域を有し、ゲート構造を共用する実質
的に４個のチャージポンプ型素子から成る。第３図Ｂに
示すようにチャージポンプ型素子ＣＰは出力領域３０１
，３０２，３０３，３０４を有し、共通の駆動信号線？
となるゲート電極３０５と直下の共通の反転領域を有す
る。即ち、ほゞ同一の電流源負荷として動作する第１図
Ｂもこ示した従来の素子に比較して占有面積を１／２に
減少することができ、高密度化、小電力化、動作特性の
向上を実現する。上にこの発明の実施例を説明したが、
実施例は必要に応じて材料、導電型、形状を変更し得る
。
出力領域の２個を駆動用のＭＩＳトランジスタＱ，Ｑ６
のドレィン領域にそれぞれ結合し、トランジスタは，Ｑ
の互いに他のドレィン領域とゲート電極とを結合したフ
リツプ．フロップ回路である。チャージポンプ型素子Ｃ
Ｐは４個の出力領域を有し、ゲート構造を共用する実質
的に４個のチャージポンプ型素子から成る。第３図Ｂに
示すようにチャージポンプ型素子ＣＰは出力領域３０１
，３０２，３０３，３０４を有し、共通の駆動信号線？
となるゲート電極３０５と直下の共通の反転領域を有す
る。即ち、ほゞ同一の電流源負荷として動作する第１図
Ｂもこ示した従来の素子に比較して占有面積を１／２に
減少することができ、高密度化、小電力化、動作特性の
向上を実現する。上にこの発明の実施例を説明したが、
実施例は必要に応じて材料、導電型、形状を変更し得る
。
第１図Ａおよび第１図Ｂは従来の集積回路の回略図と平
面図、第２図はこの発明の一実施例の断面図、第３図Ａ
および第３図Ｂはこの発明の他の実施例の回路図と平面
図である。 図中、ＣＰ，ＣＰ，，ＣＰ２，ＣＰ３，ＣＰ４，ＣＰ５
，ＣＰ６はチヤージポンプ型素子、Ｑ，，Ｑ２，Ｑ，Ｑ
，Ｑ５，Ｑ６はＭＩＳトランジスタ、Ｊは駆動信号線で
ある。箱 ′ 図 ′８」 第２図 弟 ’図 の） 弟 ３ 図 ′４） 弟 ３ 図 ′８）
面図、第２図はこの発明の一実施例の断面図、第３図Ａ
および第３図Ｂはこの発明の他の実施例の回路図と平面
図である。 図中、ＣＰ，ＣＰ，，ＣＰ２，ＣＰ３，ＣＰ４，ＣＰ５
，ＣＰ６はチヤージポンプ型素子、Ｑ，，Ｑ２，Ｑ，Ｑ
，Ｑ５，Ｑ６はＭＩＳトランジスタ、Ｊは駆動信号線で
ある。箱 ′ 図 ′８」 第２図 弟 ’図 の） 弟 ３ 図 ′４） 弟 ３ 図 ′８）
Claims (1)
- １ 複数のチヤージポンプ型素子を有する集積回路にお
いて、少なくとも２個の前記チヤージポンプ型素子の反
転領域が同一の活性領域を共有して形成されていること
を特徴とする集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51011989A JPS6022503B2 (ja) | 1976-02-05 | 1976-02-05 | 集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51011989A JPS6022503B2 (ja) | 1976-02-05 | 1976-02-05 | 集積回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5294783A JPS5294783A (en) | 1977-08-09 |
| JPS6022503B2 true JPS6022503B2 (ja) | 1985-06-03 |
Family
ID=11792985
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51011989A Expired JPS6022503B2 (ja) | 1976-02-05 | 1976-02-05 | 集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6022503B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6255601U (ja) * | 1985-09-19 | 1987-04-07 | ||
| JPH0179604U (ja) * | 1987-11-18 | 1989-05-29 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5885561A (ja) * | 1981-11-16 | 1983-05-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路装置 |
-
1976
- 1976-02-05 JP JP51011989A patent/JPS6022503B2/ja not_active Expired
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6255601U (ja) * | 1985-09-19 | 1987-04-07 | ||
| JPH0179604U (ja) * | 1987-11-18 | 1989-05-29 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5294783A (en) | 1977-08-09 |
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