JPS6022714A - 垂直磁気記録用磁気ヘツド - Google Patents
垂直磁気記録用磁気ヘツドInfo
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- JPS6022714A JPS6022714A JP58128715A JP12871583A JPS6022714A JP S6022714 A JPS6022714 A JP S6022714A JP 58128715 A JP58128715 A JP 58128715A JP 12871583 A JP12871583 A JP 12871583A JP S6022714 A JPS6022714 A JP S6022714A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/1278—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive specially adapted for magnetisations perpendicular to the surface of the record carrier
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Soft Magnetic Materials (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、磁気記録媒体の磁性層をそれの厚さ方向に向
けて磁化する垂直磁気記録用磁気ヘッドに係り、特にそ
れの主磁極の材質に関するものである。
けて磁化する垂直磁気記録用磁気ヘッドに係り、特にそ
れの主磁極の材質に関するものである。
近年、磁気記録媒体の記録密度を亮めるため、磁気記録
媒体に形成されている磁性層をそれの厚さ方向に向けて
磁化する垂直磁気記録方式が種々検討されている。この
記録方式に用いられる磁気ヘッドは、主に磁性層と対向
する主磁極と、その主磁極と対をなす補助磁極と、補助
磁極あるいは主磁極に巻装されるコイルから構成されて
いる。
媒体に形成されている磁性層をそれの厚さ方向に向けて
磁化する垂直磁気記録方式が種々検討されている。この
記録方式に用いられる磁気ヘッドは、主に磁性層と対向
する主磁極と、その主磁極と対をなす補助磁極と、補助
磁極あるいは主磁極に巻装されるコイルから構成されて
いる。
この種の磁気ヘッドで前記主磁極を可及的に薄くするこ
とで、比較的容易に再生分解能を高めることができるが
、主磁極が薄くなると記録時における主磁極の磁気飽和
や再生時における出力低下などの問題が生じる。これを
防止するためには、高い飽和磁束密度と優れた軟磁気特
性が要求される。
とで、比較的容易に再生分解能を高めることができるが
、主磁極が薄くなると記録時における主磁極の磁気飽和
や再生時における出力低下などの問題が生じる。これを
防止するためには、高い飽和磁束密度と優れた軟磁気特
性が要求される。
従来より軟磁性材料として、鉄−ニッケル合金からなる
二元系パーマロイやこれらに例えばクロム、モリブデン
、銅などの第3元素を添加した多元系パーマロイが知ら
れている。ところがパーマロイでは一般に透8i室なら
びに飽和磁束密度を十分に高くすることが鼾しかった。
二元系パーマロイやこれらに例えばクロム、モリブデン
、銅などの第3元素を添加した多元系パーマロイが知ら
れている。ところがパーマロイでは一般に透8i室なら
びに飽和磁束密度を十分に高くすることが鼾しかった。
従って磁気ヘッドとしての再生分解能にも限度があった
。
。
本発明者らは、スパッタリングなどによって得られるア
モルファス合金薄膜について種々研究した結果、コバル
l−(G o )を主成分とし、少量のハフニウム(H
f)とタンタル(Ta)を添加したCO−Hf −T
aの3成分系のアモルファス合金からなる薄膜が、垂直
磁気記録磁気ヘッドの主磁極の材質として非常に好適で
あることを見出した。
モルファス合金薄膜について種々研究した結果、コバル
l−(G o )を主成分とし、少量のハフニウム(H
f)とタンタル(Ta)を添加したCO−Hf −T
aの3成分系のアモルファス合金からなる薄膜が、垂直
磁気記録磁気ヘッドの主磁極の材質として非常に好適で
あることを見出した。
基板に結晶化ガラスを用い、コバ用1−ディスク(直径
101.6+nm、厚さ5 mm)上にハフニウムのペ
レットとタンタルのベレン1−(いずれのペレットも縦
1.0mm+横10mm、厚さ1mm)を中心より放射
状に交互に配置し、ターゲット上のペレットの数を調整
することにより合金組成が変えられるようにする。そし
て真空度がlXl0−’Torr以下の高真空にし、ア
ルゴンガンの雰囲気中で。
101.6+nm、厚さ5 mm)上にハフニウムのペ
レットとタンタルのベレン1−(いずれのペレットも縦
1.0mm+横10mm、厚さ1mm)を中心より放射
状に交互に配置し、ターゲット上のペレットの数を調整
することにより合金組成が変えられるようにする。そし
て真空度がlXl0−’Torr以下の高真空にし、ア
ルゴンガンの雰囲気中で。
高周波電力2 、 OW / am2でスパッタリング
を行なって、基板上にコバルトを主成分とするG o
−Hf−Taの3成分系のアモルファス合金薄膜を作成
することができる。このようにして作成された各種組成
の合金試料が後述の各特性試験に使用される。
を行なって、基板上にコバルトを主成分とするG o
−Hf−Taの3成分系のアモルファス合金薄膜を作成
することができる。このようにして作成された各種組成
の合金試料が後述の各特性試験に使用される。
第1図は、後記の合金組成表において合金中のTa含有
率Yが常に465原子%になるようにして、Hf含有率
Xを種々変えた場合の磁気特性図である なお図中において曲線Bsは飽和磁束密度1曲線μeは
周波数IMHzにおける困難軸方向の透磁率1曲線Hc
は困難軸方向の保磁力である。この図から明らかなよう
に、Hf含有率が0J7i(子%のCo −T a 2
成分系合金は、Bsは高11カ〜、1i cが品過ぎ、
Heが低い。これにHfを少量添加するとHeが極端に
下がり、Heは逆に高くなる。なお、f(f OJ含;
1イ率がある程度以上になると、Heは高くなり、μC
は低くなる。一方、Bsは極端ではないがHfの含有率
の増大とともに低下する傾向にある。
率Yが常に465原子%になるようにして、Hf含有率
Xを種々変えた場合の磁気特性図である なお図中において曲線Bsは飽和磁束密度1曲線μeは
周波数IMHzにおける困難軸方向の透磁率1曲線Hc
は困難軸方向の保磁力である。この図から明らかなよう
に、Hf含有率が0J7i(子%のCo −T a 2
成分系合金は、Bsは高11カ〜、1i cが品過ぎ、
Heが低い。これにHfを少量添加するとHeが極端に
下がり、Heは逆に高くなる。なお、f(f OJ含;
1イ率がある程度以上になると、Heは高くなり、μC
は低くなる。一方、Bsは極端ではないがHfの含有率
の増大とともに低下する傾向にある。
このような特性傾向のなかで、Bsを高く維持したまま
、Heを)げ、高μeにするためには、Hfの含有率X
を1原子%以上でかつ5 JIX子%未満の範囲、好ま
しくは1.5〜j )hC’J−’;5の範囲に規制す
る必要がある。このことはT゛a、3有率Yを若干変化
させても同様である。
、Heを)げ、高μeにするためには、Hfの含有率X
を1原子%以上でかつ5 JIX子%未満の範囲、好ま
しくは1.5〜j )hC’J−’;5の範囲に規制す
る必要がある。このことはT゛a、3有率Yを若干変化
させても同様である。
第2図は、前記合金組成表において合金中の)(f含有
率Xが常に2.2原子%になるようにして、Ta含有率
Yを種々変えた場合の磁気特性図である。
率Xが常に2.2原子%になるようにして、Ta含有率
Yを種々変えた場合の磁気特性図である。
この図から明らかなように、Ta含有率が0原子%のC
o−Hf2成分系合金も前述と同Jaに、Bsは高いが
、Heが高過ぎ、Heが低い。これにTaを少量添加す
ることによりHeが極端に下がり、Heが逆に高くなる
。なお、Taの含有率がある程度以上になると、Hcは
高くなり、Heは低くなる。一方、Bsは極端ではない
がTaの含有率の増大とともに低下する傾向がある。
o−Hf2成分系合金も前述と同Jaに、Bsは高いが
、Heが高過ぎ、Heが低い。これにTaを少量添加す
ることによりHeが極端に下がり、Heが逆に高くなる
。なお、Taの含有率がある程度以上になると、Hcは
高くなり、Heは低くなる。一方、Bsは極端ではない
がTaの含有率の増大とともに低下する傾向がある。
このような特性傾向のなかで、13 gを高く維持した
まま、Hcを下げ、高It eにするためには、Taの
含有率Yを4〜10原子%、好ましくは6〜8g子%の
範囲に規制する必要がある。このことはHf含有率Xを
若干変化させても同様である。
まま、Hcを下げ、高It eにするためには、Taの
含有率Yを4〜10原子%、好ましくは6〜8g子%の
範囲に規制する必要がある。このことはHf含有率Xを
若干変化させても同様である。
第3図は、本発明に係るGo (93,3原子%)−H
f (2,2原子%) −T a (4、5g子%)の
3成分系アモルファス合金(曲線A)とG。
f (2,2原子%) −T a (4、5g子%)の
3成分系アモルファス合金(曲線A)とG。
(97,8原子%)−Hf(2,2原子%)の2成分系
アモルファス合金(曲線B)の各周波数におけるHeを
比較して示す図である。この図からも明らかなように、
本発明に係るアモルファス合金は各周波数においても常
に高い透磁率を有し、広い周波数領域において特性が安
定している6本発明に係るCo Hf−Taの3成分系
アモルファス合金は結&磁気異方性が出やすいため、高
周波特性を考慮して、アモルファス合金の磁化困難軸方
向を主磁極の動作方向に向けることができる。ところで
このCo −Hf −T aの3成分系合金は、スパッ
タリング直後の薄膜の異方性磁界が大きい。この異方性
磁界を小さくする手段について種々検討した結果、主磁
極として形成された3成分系のアモルファス合金薄膜を
回転磁界中で熱処理する方法が有効であることを見出し
た。この回転磁界中における熱処理で、温度は300〜
400 (’1:)、回転速度は10〜20 (r、p
、rn。
アモルファス合金(曲線B)の各周波数におけるHeを
比較して示す図である。この図からも明らかなように、
本発明に係るアモルファス合金は各周波数においても常
に高い透磁率を有し、広い周波数領域において特性が安
定している6本発明に係るCo Hf−Taの3成分系
アモルファス合金は結&磁気異方性が出やすいため、高
周波特性を考慮して、アモルファス合金の磁化困難軸方
向を主磁極の動作方向に向けることができる。ところで
このCo −Hf −T aの3成分系合金は、スパッ
タリング直後の薄膜の異方性磁界が大きい。この異方性
磁界を小さくする手段について種々検討した結果、主磁
極として形成された3成分系のアモルファス合金薄膜を
回転磁界中で熱処理する方法が有効であることを見出し
た。この回転磁界中における熱処理で、温度は300〜
400 (’1:)、回転速度は10〜20 (r、p
、rn。
)、磁界の強さは100(Oe)以上、処理時間は3時
間以上からそれぞれ条件設定がなされる。
間以上からそれぞれ条件設定がなされる。
例えば温度を350(’C)、回転速度を10(+・。
p、m、)、磁界の強さを100(Oe)、処理時間を
3時間に設定して、スパッタリングによって形成された
主磁極を処理すれば、異方性磁界Hkを約4(Oe)程
度まで下げることができた。
3時間に設定して、スパッタリングによって形成された
主磁極を処理すれば、異方性磁界Hkを約4(Oe)程
度まで下げることができた。
第4図は、本発明の実施例に係る垂直磁気記録用磁気ヘ
ッドを説明するための図である。ガラスやポリイミドな
どからなる#!緑基板1の片面に、スパッタリングによ
って約1μの主磁極2が形成される。この主磁極2と対
向して補助磁極3が配置され、それにはコイル4が巻装
されている。
ッドを説明するための図である。ガラスやポリイミドな
どからなる#!緑基板1の片面に、スパッタリングによ
って約1μの主磁極2が形成される。この主磁極2と対
向して補助磁極3が配置され、それにはコイル4が巻装
されている。
主磁極2と補助磁極3との間にはテープ状あるいはディ
スク状の磁気記録媒体5が移動可能に挿入されており、
この磁気記録媒体5はベースフィルム6とその片面に形
成された磁性層7とから構成され、この磁性層7が前記
主磁極2と対向するように配置されている。前記コイル
4に記録されるべき信号電流を流して主磁極2を補助磁
極3側から励磁すると、主磁極2の先端付近に強い垂直
磁界が発生する。これによって主磁極2の先端近傍にあ
る磁性層7がそれの厚さ方向に磁化されて、磁気記録が
なされる。
スク状の磁気記録媒体5が移動可能に挿入されており、
この磁気記録媒体5はベースフィルム6とその片面に形
成された磁性層7とから構成され、この磁性層7が前記
主磁極2と対向するように配置されている。前記コイル
4に記録されるべき信号電流を流して主磁極2を補助磁
極3側から励磁すると、主磁極2の先端付近に強い垂直
磁界が発生する。これによって主磁極2の先端近傍にあ
る磁性層7がそれの厚さ方向に磁化されて、磁気記録が
なされる。
前記主磁極2はCo −Hf −T aの3成分系アモ
ルファス合金薄膜からなり、合金中のCo含有率は93
.3原子%、Hf含有率は2.2原子%。
ルファス合金薄膜からなり、合金中のCo含有率は93
.3原子%、Hf含有率は2.2原子%。
Ta含有率は4.5原子%となっている。この主磁極2
はスパッタリングで形成されたのち、前述の条件下にお
いて回転磁界中で熱処理される。
はスパッタリングで形成されたのち、前述の条件下にお
いて回転磁界中で熱処理される。
本発明は前述したように垂直磁気記録用磁気ヘッドの主
磁極を、コバルトを主成分とし、それにハブニウムとタ
ンタルを少量添加した3成分系アモルファス会金で構成
したことを特徴とするものである。この3成分系アモル
ファス合金は、高い透磁率と飽和磁束密度を有している
から、極めて薄い主lL!瞳を形成することが可能で、
そのために磁気l・ラドの再生分解能を品めることがで
きる。
磁極を、コバルトを主成分とし、それにハブニウムとタ
ンタルを少量添加した3成分系アモルファス会金で構成
したことを特徴とするものである。この3成分系アモル
ファス合金は、高い透磁率と飽和磁束密度を有している
から、極めて薄い主lL!瞳を形成することが可能で、
そのために磁気l・ラドの再生分解能を品めることがで
きる。
第1図は本発明に係るC o −Hf −T a系アモ
ルファス合金中のHf含有率と各種磁気特性との関係を
示す特性図、第2図は前記合金中のT a含有率と各種
磁気特性との関係を示す特性図、第3図は前記−a金と
比較例の合金との各周波数における磁気特性図、第4図
は本発明の実施例に係る垂直磁気記録用磁気ヘラ1−を
説明するための説明図である。 1・・・絶縁基体、2・・・主磁極、3・・・補助磁極
、4・・・」イル、5・・・磁気記録媒体、6・・・ベ
ースフィルム、7・・・磁性層。 0.1 10 1 凋友数(MHz) 第4図
ルファス合金中のHf含有率と各種磁気特性との関係を
示す特性図、第2図は前記合金中のT a含有率と各種
磁気特性との関係を示す特性図、第3図は前記−a金と
比較例の合金との各周波数における磁気特性図、第4図
は本発明の実施例に係る垂直磁気記録用磁気ヘラ1−を
説明するための説明図である。 1・・・絶縁基体、2・・・主磁極、3・・・補助磁極
、4・・・」イル、5・・・磁気記録媒体、6・・・ベ
ースフィルム、7・・・磁性層。 0.1 10 1 凋友数(MHz) 第4図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1)磁気記録媒体の磁性層と対向するように主磁極を
配置せしめ、前記磁性層をそれの厚さ方向に向けて磁化
する垂直磁気記録用磁気ヘッドにおいて、前記主磁極が
コバルトを主成分とし、少量のハフニウムとタンタルと
を添加した3成分系のアモルファス合金で画成されてい
ることを特徴とする垂直磁気記録用磁気ヘッド。 (2、特許請求の範囲第(1)項記載において、前記ハ
フニウムの含有率が1原子%以上でかつ5原子%未満、
タンタルの含有率が4〜10原子%であることを特徴と
する垂直磁気記録用磁気ヘッド。 (3)特許請求の範囲第(1)項記載において、前記主
磁極として形成された3成分系のアモルファス合金層が
回転磁界中で熱処理されていることを特徴とする垂直磁
気記録用磁気ヘッド。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58128715A JPS6022714A (ja) | 1983-07-16 | 1983-07-16 | 垂直磁気記録用磁気ヘツド |
| KR1019840002876A KR890003043B1 (ko) | 1983-07-16 | 1984-05-25 | 자기헤드 |
| US06/630,900 US4641213A (en) | 1983-07-16 | 1984-07-16 | Magnetic head |
| DE19843426117 DE3426117A1 (de) | 1983-07-16 | 1984-07-16 | Magnetkopf |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58128715A JPS6022714A (ja) | 1983-07-16 | 1983-07-16 | 垂直磁気記録用磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6022714A true JPS6022714A (ja) | 1985-02-05 |
Family
ID=14991633
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58128715A Pending JPS6022714A (ja) | 1983-07-16 | 1983-07-16 | 垂直磁気記録用磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6022714A (ja) |
-
1983
- 1983-07-16 JP JP58128715A patent/JPS6022714A/ja active Pending
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