JPS6022722A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents
薄膜磁気ヘツドInfo
- Publication number
- JPS6022722A JPS6022722A JP12872183A JP12872183A JPS6022722A JP S6022722 A JPS6022722 A JP S6022722A JP 12872183 A JP12872183 A JP 12872183A JP 12872183 A JP12872183 A JP 12872183A JP S6022722 A JPS6022722 A JP S6022722A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- core
- thin
- alloy
- amorphous alloy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 55
- 229910000808 amorphous metal alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims abstract description 6
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 6
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims abstract 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- CKLJLNWQHCFSME-UHFFFAOYSA-N [Ta].[Hf].[Co] Chemical compound [Ta].[Hf].[Co] CKLJLNWQHCFSME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 10
- 239000000956 alloy Substances 0.000 abstract description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 8
- 229910002624 Hf–Ta Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 4
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002056 binary alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002058 ternary alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、薄膜磁気ヘッドに係り、特にそれのコア薄膜
の材質に関するものである。
の材質に関するものである。
薄膜磁気記録ヘッドは、非磁性材からなる基板上に第１
のコア薄膜と、非磁性材薄膜と、第２のコア薄膜とがス
パッタリングや蒸着などによって積層状態に形成された
ものから構成されている。
のコア薄膜と、非磁性材薄膜と、第２のコア薄膜とがス
パッタリングや蒸着などによって積層状態に形成された
ものから構成されている。
この薄膜磁気記録ヘッドは薄膜磁気再生ヘッドと対にな
って薄膜磁気ヘッドを構成し、例えば電子計算機の記憶
装置などに用いられる。薄膜磁気記録ヘッドにおいては
記録効率を高めるために第１および第２のコア）Ｗｌじ
冒こ５高、こ磁ヰで亮い飽和磁束密度を有する軟磁性材
料を用いることが必要である。
って薄膜磁気ヘッドを構成し、例えば電子計算機の記憶
装置などに用いられる。薄膜磁気記録ヘッドにおいては
記録効率を高めるために第１および第２のコア）Ｗｌじ
冒こ５高、こ磁ヰで亮い飽和磁束密度を有する軟磁性材
料を用いることが必要である。
従来、この種磁気ヘッドの第１および第２のコア薄膜と
して例えばパーマロイなどが用いられていたが、このも
のは飽和磁束密度が低い。低飽和磁束密度であると記録
時にコア薄膜が磁気飽和してしまい、特にメタルテープ
やクロムテープなどのような飽和磁束密度の高い磁気記
録媒体に対して信号を記録する場合、記録効率が悪い。
して例えばパーマロイなどが用いられていたが、このも
のは飽和磁束密度が低い。低飽和磁束密度であると記録
時にコア薄膜が磁気飽和してしまい、特にメタルテープ
やクロムテープなどのような飽和磁束密度の高い磁気記
録媒体に対して信号を記録する場合、記録効率が悪い。
そのため、コイルのターン数を増やしたり、記録電流を
増大したりして記録効率の低下を抑制することが考えら
れる。しかしコイルのターン数を増やすことは薄膜磁気
ヘッドの構造上困難で、３〜５タ一ン程度に制限され、
十分な効果が得られない。一方、記録電流を増大すると
発熱量が大きくなり、断線を生じたりコア薄膜の磁性劣
化を生じる。
増大したりして記録効率の低下を抑制することが考えら
れる。しかしコイルのターン数を増やすことは薄膜磁気
ヘッドの構造上困難で、３〜５タ一ン程度に制限され、
十分な効果が得られない。一方、記録電流を増大すると
発熱量が大きくなり、断線を生じたりコア薄膜の磁性劣
化を生じる。
本発明者らは、スパッタリングなどによって得られるア
モルファス合金薄膜について種々研究した結果、コバル
ト（Ｇｏ）を主成分とし、少量のハフニウム（Ｈｆ）と
タンタル（Ｔ ａ ）を添加したＣ ｏ −Ｈｆ −Ｔ
ａの３成分系のアモルファス合金からなる薄膜が、薄
膜磁気ヘッドのコア薄膜として非常に好適であることを
見出した。
モルファス合金薄膜について種々研究した結果、コバル
ト（Ｇｏ）を主成分とし、少量のハフニウム（Ｈｆ）と
タンタル（Ｔ ａ ）を添加したＣ ｏ −Ｈｆ −Ｔ
ａの３成分系のアモルファス合金からなる薄膜が、薄
膜磁気ヘッドのコア薄膜として非常に好適であることを
見出した。
基板に結晶化ガラスを用い、コバルトディスク（直径１
０１．６ｍｍ、厚さ５ｍｍ）上にハフニウムのペレット
とタンタルのペレット（いずれのペレットも縦１０ｍｍ
、横Ｌｏａｍ、厚さ１ ｍｍ）を中心より放射状に交互
に配置し、ターゲット上のペレットの数を調整すること
により合金組成が変えられるようにする。そして真空度
がＩ Ｘ １０−ＧＴｏ ｒ ｒ以下の高真空にし、ア
ルゴンガスの雰囲気中で、高周波電力２Ｗ／ＣＩＩ＋２
でスパッタリングを行ない、基板上にコバルトを主成分
とするＣ ｏ −Ｈｆ−Ｔａの３成分系の、アモルファ
ス合金薄膜を作成することができる。このようにし°Ｃ
作成された各種組成の合金試料が後述の各特性試験に使
用される。
０１．６ｍｍ、厚さ５ｍｍ）上にハフニウムのペレット
とタンタルのペレット（いずれのペレットも縦１０ｍｍ
、横Ｌｏａｍ、厚さ１ ｍｍ）を中心より放射状に交互
に配置し、ターゲット上のペレットの数を調整すること
により合金組成が変えられるようにする。そして真空度
がＩ Ｘ １０−ＧＴｏ ｒ ｒ以下の高真空にし、ア
ルゴンガスの雰囲気中で、高周波電力２Ｗ／ＣＩＩ＋２
でスパッタリングを行ない、基板上にコバルトを主成分
とするＣ ｏ −Ｈｆ−Ｔａの３成分系の、アモルファ
ス合金薄膜を作成することができる。このようにし°Ｃ
作成された各種組成の合金試料が後述の各特性試験に使
用される。
第１図は、後記の合金組成表において合金中のＴａ含有
率Ｙが常に４．５原子％になるようにして、Ｈｆ含有率
Ｘを種々変えた場合の磁気特性図である。
率Ｙが常に４．５原子％になるようにして、Ｈｆ含有率
Ｘを種々変えた場合の磁気特性図である。
なお図中において曲線Ｂｓは飽和磁束密度９曲線μｅは
周波数Ｉ Ｍ Ｈｚにおける困難軸方向の透磁率９曲線
Ｈｅは困難軸方向の保磁力である。この図から明らかな
ように−Ｈｆ含有率が０原子％のＣｏ −Ｔ ａ ２成
分系合金は、Ｂｓは高いが、Ｈｃが高過ぎ、μ８が低い
。これにＨｆを少量添加するとＨｅが極端に下がり、Ｈ
ｅは逆に高くなる。なお、Ｈｆの含有率がある程度以上
になると。
周波数Ｉ Ｍ Ｈｚにおける困難軸方向の透磁率９曲線
Ｈｅは困難軸方向の保磁力である。この図から明らかな
ように−Ｈｆ含有率が０原子％のＣｏ −Ｔ ａ ２成
分系合金は、Ｂｓは高いが、Ｈｃが高過ぎ、μ８が低い
。これにＨｆを少量添加するとＨｅが極端に下がり、Ｈ
ｅは逆に高くなる。なお、Ｈｆの含有率がある程度以上
になると。
Ｈｅは高くなり、Ｈｅは低くなる。一方、Ｂｓは極端で
はないがＨｆの含有率の増大とともに低下する傾向にあ
る。
はないがＨｆの含有率の増大とともに低下する傾向にあ
る。
このような特性傾向のなかで、Ｂｓを高く維持したまま
、Ｈｅを下げ、高μｅにするためには、Ｈｆの含有率Ｘ
を１ｉ子％以上でかつ５原子％未満の範囲、好ましくは
１．５〜３原子％の範囲に規制する必要がある。このこ
とはＴａ含有率Ｙを若干変化させても同様である。
、Ｈｅを下げ、高μｅにするためには、Ｈｆの含有率Ｘ
を１ｉ子％以上でかつ５原子％未満の範囲、好ましくは
１．５〜３原子％の範囲に規制する必要がある。このこ
とはＴａ含有率Ｙを若干変化させても同様である。
第２図は、前記合金組成表において合金中のＨｆ含有率
Ｘが常に２．２原子％になるようにして、Ｔａ含有率Ｙ
を種々変えた場合の磁気特性図である。
Ｘが常に２．２原子％になるようにして、Ｔａ含有率Ｙ
を種々変えた場合の磁気特性図である。
この図から明らかなように、Ｔａ含有率が０原子％のＣ
ｏ−Ｈｆ２成分系合金も前述と同様に、Ｂｓは高いが、
Ｈｃが高過ぎ、Ｈｅが低い。これにＴａを少量添加する
ことによりＨｅが極端に下がり、Ｈｅが逆に高くなる。
ｏ−Ｈｆ２成分系合金も前述と同様に、Ｂｓは高いが、
Ｈｃが高過ぎ、Ｈｅが低い。これにＴａを少量添加する
ことによりＨｅが極端に下がり、Ｈｅが逆に高くなる。
なお、Ｔａの含有率がある程度以上になると、Ｈｃは高
くなり、μ８は低くなる。一方、Ｂｓは極端ではないが
Ｔａの含有率の増大とともに低下する傾向がある。
くなり、μ８は低くなる。一方、Ｂｓは極端ではないが
Ｔａの含有率の増大とともに低下する傾向がある。
このような特性傾向のなかで、Ｂｓを高く維持したまま
、Ｈｅを下げ、高μｅにするためには、Ｔａの含有率Ｙ
を４〜ｌＯ原子％、好ましくは６〜８原子％の範囲に規
制する必要がある。このことはＨｆ含有率Ｘを若干変化
させても同様である。
、Ｈｅを下げ、高μｅにするためには、Ｔａの含有率Ｙ
を４〜ｌＯ原子％、好ましくは６〜８原子％の範囲に規
制する必要がある。このことはＨｆ含有率Ｘを若干変化
させても同様である。
第３図は、本発明に係るＧｏ（９３，３原子％）−Ｈｆ
（２，２原子％）−Ｔａ （４，５原子％）の３成分
系アモルファス合金（曲線Ａ）と、ｃ。
（２，２原子％）−Ｔａ （４，５原子％）の３成分
系アモルファス合金（曲線Ａ）と、ｃ。
（９７，８原子％）、−Ｈｆ （２，２ｉ子％）の２成
分系アモルファス合金（曲線Ｂ）の各周波数におけるＨ
ｅを比較して示す図である。この図からも明らかなよう
に、本発明のアモルファス合金は各周波数においても常
に高い周波数を有し、広い周波数領域において特性が安
定している。
分系アモルファス合金（曲線Ｂ）の各周波数におけるＨ
ｅを比較して示す図である。この図からも明らかなよう
に、本発明のアモルファス合金は各周波数においても常
に高い周波数を有し、広い周波数領域において特性が安
定している。
本発明に係るＧｏ−Ｈｆ−Ｔａの３成分系アモルファス
合金は誘導磁気異方性が出やすいため、高周波特性を考
慮して、アモルファス合金の磁化困難軸方向をコア薄膜
の動作方向に向けることができる。ところでＧｏ−Ｈｆ
−Ｔａの３成分系合金は、スパッタリング直後の薄膜の
異方性磁界Ｈｋは大きい。この異方性磁界を小さくする
手段について種々検討した結果、コア薄膜として形成さ
れた前記３成分系のアモルファス合金薄膜を回転磁界中
で熱処理する方法が有効であることを見出した。この回
転磁界中の熱処理で、温度は３００〜４ｏｏ（’ｃ）、
回転速度は−１０〜２０ （ｒ、ｐ、ｍ、）、磁界の強
さは１００（Ｏｓ）以上、処理時間は３時間以上が適当
である。例えば温度を３５０（’Ｃ）、回転速度を１０
（ｒ、ｐ、ｍ、）磁界の強さを１００（Ｏｅ）、処理
時間を３時間に設定して、スパッタリングによって形成
したコア薄膜を処理すれば、異方性磁界Ｈｋを約４（Ｏ
ｓ）程度まで下げることができる。
合金は誘導磁気異方性が出やすいため、高周波特性を考
慮して、アモルファス合金の磁化困難軸方向をコア薄膜
の動作方向に向けることができる。ところでＧｏ−Ｈｆ
−Ｔａの３成分系合金は、スパッタリング直後の薄膜の
異方性磁界Ｈｋは大きい。この異方性磁界を小さくする
手段について種々検討した結果、コア薄膜として形成さ
れた前記３成分系のアモルファス合金薄膜を回転磁界中
で熱処理する方法が有効であることを見出した。この回
転磁界中の熱処理で、温度は３００〜４ｏｏ（’ｃ）、
回転速度は−１０〜２０ （ｒ、ｐ、ｍ、）、磁界の強
さは１００（Ｏｓ）以上、処理時間は３時間以上が適当
である。例えば温度を３５０（’Ｃ）、回転速度を１０
（ｒ、ｐ、ｍ、）磁界の強さを１００（Ｏｅ）、処理
時間を３時間に設定して、スパッタリングによって形成
したコア薄膜を処理すれば、異方性磁界Ｈｋを約４（Ｏ
ｓ）程度まで下げることができる。
第４図は、本発明の実施例に係る薄膜磁気記録ヘッドの
一部を断面にした斜視図である。ガラスやシリコンなど
の非磁性材からなる基板１の上には、最初第１のコア薄
膜２が形成され、その上に非磁性材の絶縁薄膜３．導電
薄膜４ならびに絶縁薄膜５を介して第２のコア薄膜６が
形成される。
一部を断面にした斜視図である。ガラスやシリコンなど
の非磁性材からなる基板１の上には、最初第１のコア薄
膜２が形成され、その上に非磁性材の絶縁薄膜３．導電
薄膜４ならびに絶縁薄膜５を介して第２のコア薄膜６が
形成される。
これら第１のコア薄膜２．絶縁薄膜３．導電薄膜４、絶
縁薄膜５ならびに第２のコア薄膜６は、スパッタリング
などの成膜技術によって順次所定の厚さに形成される。
縁薄膜５ならびに第２のコア薄膜６は、スパッタリング
などの成膜技術によって順次所定の厚さに形成される。
なお、４ａ、４ｂは外部接続用端子部である。
前記第１のコア薄膜２ならびに第２のコア薄膜６ ｉ；
ｔ、 Ｇ ｏ −Ｈｆ −Ｔ ａの３成分系アモルファ
ス合金薄膜からなりＣＯの含有率は９３．３原子％。
ｔ、 Ｇ ｏ −Ｈｆ −Ｔ ａの３成分系アモルファ
ス合金薄膜からなりＣＯの含有率は９３．３原子％。
Ｈｆの含有率は２．２原子％、Ｔａの含有率は４．５ｍ
子％であり、前述の条件下において回転磁界中で熱処理
される。
子％であり、前述の条件下において回転磁界中で熱処理
される。
本発明は前述のように薄膜磁気ヘッドのコア薄膜を、コ
バルトを主成分とし、それにハフニウムとタンタルを少
量添加した３成分系アモルファス合金で構成したことを
特徴とするものである。この３成分系アモルファス合金
は、高い飽和磁束密度ど透磁率とを有しているから、磁
気ヘッドの記録効率および再生′＠率を高めることがで
きる。
バルトを主成分とし、それにハフニウムとタンタルを少
量添加した３成分系アモルファス合金で構成したことを
特徴とするものである。この３成分系アモルファス合金
は、高い飽和磁束密度ど透磁率とを有しているから、磁
気ヘッドの記録効率および再生′＠率を高めることがで
きる。
第１１２Ｉは本発明に係るＣ ｏ Ｈｆ −Ｔ ａ系ア
モルファス合金中のＨｆ含有率と各種磁気特性との関係
を示す特性図、第２図は前記合金中のＴ’ ａ含有率と
各種磁気特性との関係を示す特性図、第３図は前記公金
と比較例の合金との各周波数における磁気特性図、第４
図は本発明の実施例に係る薄膜磁気ヘッドの一部を断面
にした斜視図である。 １・・・基板、２・・・第１のコア薄膜、３・・・絶＠
薄膜、４・・・導電薄膜、５・・・絶縁薄膜、６・・・
第２のコア薄膜。 周左佐（ＭＨｚ）
モルファス合金中のＨｆ含有率と各種磁気特性との関係
を示す特性図、第２図は前記合金中のＴ’ ａ含有率と
各種磁気特性との関係を示す特性図、第３図は前記公金
と比較例の合金との各周波数における磁気特性図、第４
図は本発明の実施例に係る薄膜磁気ヘッドの一部を断面
にした斜視図である。 １・・・基板、２・・・第１のコア薄膜、３・・・絶＠
薄膜、４・・・導電薄膜、５・・・絶縁薄膜、６・・・
第２のコア薄膜。 周左佐（ＭＨｚ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）非磁性材からなる基板上に第１のコア薄膜と非磁
性材薄膜と、第２のコア薄膜とが積層状態で形成される
薄膜磁気番録ヘッドにおいて、前記コア？ｔ［Ｅ４が、
コバルトを主成分とし、夕景のハフニウムとタンタルと
を添加した３成分系のアモルファス合金で構成されてい
ることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 （２、特許請求の範囲第（１）項記載において、前記ハ
フニウムの岩有牢が１原子％以上でかつ５７Ｍ子％未満
、タンタルの含有率が４ｇ子％以上でかっ１０原子％以
下に規制されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 （３）特許請求の範囲第（１）項記載において、前記コ
ア薄膜として形成されたコバルト−ハフニウム−タンタ
ルの３成分系アモルファス合金薄膜が回転磁界中で熱処
理されたことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12872183A JPS6022722A (ja) | 1983-07-16 | 1983-07-16 | 薄膜磁気ヘツド |
| KR1019840002876A KR890003043B1 (ko) | 1983-07-16 | 1984-05-25 | 자기헤드 |
| US06/630,900 US4641213A (en) | 1983-07-16 | 1984-07-16 | Magnetic head |
| DE19843426117 DE3426117A1 (de) | 1983-07-16 | 1984-07-16 | Magnetkopf |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12872183A JPS6022722A (ja) | 1983-07-16 | 1983-07-16 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6022722A true JPS6022722A (ja) | 1985-02-05 |
Family
ID=14991784
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12872183A Pending JPS6022722A (ja) | 1983-07-16 | 1983-07-16 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6022722A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01282713A (ja) * | 1987-11-09 | 1989-11-14 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘツド及び磁気デイスク装置 |
| US4943883A (en) * | 1987-11-09 | 1990-07-24 | Hitachi, Ltd. | Quarternary amorphous magnetic alloy thin film and magnetic head including same |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58185742A (ja) * | 1982-04-21 | 1983-10-29 | Showa Denko Kk | 非晶質磁性合金および磁性材料 |
-
1983
- 1983-07-16 JP JP12872183A patent/JPS6022722A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58185742A (ja) * | 1982-04-21 | 1983-10-29 | Showa Denko Kk | 非晶質磁性合金および磁性材料 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01282713A (ja) * | 1987-11-09 | 1989-11-14 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘツド及び磁気デイスク装置 |
| US4943883A (en) * | 1987-11-09 | 1990-07-24 | Hitachi, Ltd. | Quarternary amorphous magnetic alloy thin film and magnetic head including same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4544591A (en) | Perpendicular magnetic recording medium | |
| KR890003038B1 (ko) | 자기기록 매체 | |
| JPS6022722A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| KR890003043B1 (ko) | 자기헤드 | |
| JPH07141641A (ja) | 磁気記録媒体とその製造方法 | |
| JPS6022721A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPS6022723A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPS6022726A (ja) | 薄膜磁気再生ヘツド | |
| JPS6022715A (ja) | 垂直磁気記録用磁気ヘツド | |
| JPS59125607A (ja) | 高飽和磁化、高透磁率磁性膜 | |
| JPS6313256B2 (ja) | ||
| JPS5990222A (ja) | 薄膜磁気再生ヘツド | |
| JP2979557B2 (ja) | 軟磁性膜 | |
| JPS5996518A (ja) | 垂直磁気記録用磁気ヘツド | |
| JPS6022714A (ja) | 垂直磁気記録用磁気ヘツド | |
| JP2000215437A (ja) | 磁気記録媒体及びそれを用いた磁気記録装置 | |
| JPS6022728A (ja) | 薄膜磁気再生ヘツド | |
| JPS6022727A (ja) | 薄膜磁気再生ヘツド | |
| JPS6022713A (ja) | 垂直磁気記録用磁気ヘツド | |
| JPH03178105A (ja) | 光磁気記録媒体用ガーネット薄膜 | |
| JPH0130219B2 (ja) | ||
| JPS5998318A (ja) | 薄膜磁気再生ヘツド | |
| JPH05234751A (ja) | 薄膜磁気ヘッド用高飽和磁束密度を有する軟磁性合金膜及び磁気ヘッド。 | |
| JP2000215436A (ja) | 磁気記録媒体およびそれを用いた磁気ディスク装置 | |
| JPS63126208A (ja) | 組織変調軟磁性積層膜 |