JPS6022821B2 - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS6022821B2
JPS6022821B2 JP52087388A JP8738877A JPS6022821B2 JP S6022821 B2 JPS6022821 B2 JP S6022821B2 JP 52087388 A JP52087388 A JP 52087388A JP 8738877 A JP8738877 A JP 8738877A JP S6022821 B2 JPS6022821 B2 JP S6022821B2
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wires
lead
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体装置に関するもので、高周波高出力トラ
ンジスタを対象とするものである。
高周波特性がよく電流容量が大なる高周波高出力トラン
ジスタを得るには、半導体基板から取り出す電極の抵抗
を充分に小さくしなければならない。半導体基板からの
電極取り出し抵抗を減少させる手段として従釆、金属蝿
極の膜厚を厚くするか、又は第１図ａに示すように同電
位電極パットを二箇所以上配置しそれら電極パット間を
接続する電極接続片部の幅Ｑを広く取るようにするか、
あるいは二箇所以上ある同電位電極パットとりード間を
ワイヤで相互に接続する方法が採られた。
しかしながらいずれの場合にも以下に述べるような欠点
がある。【１１ 金属（Ａそ）電極の膜厚を厚くする場
合は、金属（Ａそ）電極を形成するホトェッチングのと
きに、蒸着金属膜が横長に斜視してホトェッチソグの誤
差が大きくなるために、電極加工歩留りが低下し、した
がって、高周波特性に優れ、電流容量の大きな高周波高
出力トランジスタが得られにくい。
｛２１ 第１図ａを参照し電極接続片部の幅Ｑを広くす
る場合は、寄生ＭＯＳ容量が大きくなり、そのために高
周波特性が悪化する。
また、電極接続片部の幅を広くするとそれにともなって
第１図ａに示すように、半導体基板全体を大きくなるた
めに原価高となる。
｛３｝ 第１図ａ，ｂに示すように、同一電極の二個以
上の電極パットとりード間を複数のワイヤで直接接続す
る場合は、ワイヤが長く、かつ複数のワイヤが複雑に入
り組むため、タブショート及び他の電極ワイヤとの接触
が起り、そのために、信頼性に欠ける。
このように、従来の手段による場合には種々の欠点があ
った。
本発明はかかる欠点を解消するためになされたもので、
したがって、本発明の目的は‘１１、電極加工歩留りを
向上させ、高周波特性の優れた電流容量の大なる高周波
高出力半導体装置を容易に得ること、■寄生ＭＯＳ容量
を少なくし、高周波特性の向上を図るとともに、半導体
基板の小型化を図ることによって高周波高出力半導体装
置の原価低減を図ること、‘３汐ブショート及び他の鱒
極ワイヤとの接触を少〈して、高周波高出力半導体装置
の信頼性の向上を図ることにある。
以下本発明を詳細に説明する。
第２図は本発明の高周波高出力トランジスタの一実施例
を示すものである。
同図において、１はシリコン半導体基板で金メッキした
金属タブ２にＡｕ−Ｓｉ共晶合金接合等によって固定さ
れる。
この半導体基板１には中央部に２仏厚のＡそベース電極
３及びその周囲に同じく２〃のＡクェミッタ亀極４ａ，
４ｂが配設されている。電流が多く流れないベース電極
３側はその中央に１つのベース電極パット５が設けられ
、このベース電極パット５と半導体基板１の外側に配置
されたベースリード６との間が４０〃◇のＡｕ線からな
るワイヤ７で直接接続されている。
電流が多く流れるェミッタ電極４ａ，４ｂ側は、両部分
にそれぞれ二つのェミッタ電極パット８ａ，８ｂ及び８
ｃ，８ｄが設けられ、まず向き合っている（隔離されて
いる）電極パット８ａ，８ｃ間及び８ｂ，８ａ間が４０
仏？のＡｕ線からワイヤ９ａ，９ｂによりそれぞれ接続
され、次に半導体基板１の外側に配置されたヱミツタリ
ード１０と電極パット間がなるべく短かし、距離で接続
しえるように、リード側にある電極パット８ｃとェミッ
タリード１０及び電極パット８ａとヱミッタリード１０
間を４０〃めのＡｕ線からなるワイヤ１１ａ，１ １ｂ
で接続されている。
このような高周波高出力トランジスタによれば、電流が
多く流れるェミツタ電極の電極パットを複数個隔離して
設け、その間をワイヤで接続する。
．この結果、電極パット間を接続する電極接続片部がほ
とんどなくなり寄生ＭＯＳ容量が４・さくなり、そのた
めに、高周波特性が良好となる。
また、電極接続片部の幅を４・さくし、又はそれを〈す
ことができるから、その結果半導体基板の小型化が図れ
、高周波高出力トランジスタの原価低減が図れるもので
ある。さらに、本発明によれば、ェミッタ電極パットと
ェミツタリードとの間を接続するのに、なるべく短かし
・距離でワイヤ接続するようにリード側にある電極パッ
トとりードとを接続している。
こうすると、ワイヤは短か〈なり、かつ複雑に入り組む
ことがなくなる。したがって、タブショート及び他の電
極ワイヤとの接触は少なくなり、信頼性の高い半導体装
置が得られる。なお、本発明によれば、亀極取出し薮抗
を減すために、金属電極の膜厚を特別厚くする必要がな
いから、ホトェツチングの誤差が小さく、電極加工歩留
が向上する。
したがって、高周波特性の優れた電流容量の大きな高周
波高出力トランジスタが容易に得られる。上記実施例に
おいては、ベース電極の電極パットを１個とし、ェミツ
夕電極の電極パットを４個としたが、必要に応じてベー
ス電極パットを２個以上設け、電極パット相互間をワイ
ヤで接続し半導体基板１の外側に配設されたベースリー
ド６と接続し、ェミッ夕電極の電極パットも適当な数に
し、電極パット相互間をワイヤで接続し、ェミッタリー
ド１０と近接する対応電極パット間をワイヤで接続する
ようにしてもよい。
また、上記実施例においては、ェミツタ電極側のワイヤ
接続を、電極パット相互間のワイヤ接続とェミッタリー
ドと近接するェミッタ電極パット間のワイヤ接続を別々
のワイヤで接続したが、本発明は、ェミッタ電極パット
相互間のワイヤ接続とェミツタリードと近接するェミッ
タ電極パット間のワイヤ接続を切らずに一本のワイヤで
接続する手段を採用してもよい。
本発明は、高周波高出力トランジスタの如く大電流を流
しかつ高周波特性を損なわないように抵抗を小さくし静
電容量を小さくする必要があるパワーＩＣ（集積回路装
置）、その他の半導体装置に有効である。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の高周波高出力トランジスタの一実施例を
示すもので、ａは平面図、ｂはその正面図、第２図は本
発明の高周波高出力トランジスタの一実施例を示すもの
で、ａは平面図、ｂはその正面図である。 １・・・半導体基板、２・・・タブ、３・・・Ａ夕べー
ス電極、Ａａ，Ａｂ・・・Ａクェミッタ電極、５・・・
ベース電極パット、６…ベースリード、７…９ａ，９ｂ
、１１ａ，１１ｂ，ワイヤ、８ａ，８ｂ、８ａ，８ｄ…
ェミッタ電パット、１０…ェミッタリード。 第１図第２図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 半導体基板上に、半導体素子部と、それに対応する
    複数の電極パツトを配置し各電極パツトと対応リード間
    をそれぞれワイヤで接続してなる半導体装置において、
    上記電極のうち少なくとも電流が多く流れかつ互に同電
    位の電極パツトを上記半導体素子を挟んで両側に互に隔
    離して配置し、上記同電位の電極パツト相互間を第１の
    ワイヤで接続し、対応リードに近い方の電極パツトと上
    記対応リードとを第２のワイヤで接続するようにしてな
    り、さらに電流が上記より少なく流れる電極パツトとそ
    れに対応するリード間を上記第１のワイヤの上方をそれ
    とクロスして第３のワイヤで接続してなることを特徴と
    する半導体装置。
JP52087388A 1977-07-22 1977-07-22 半導体装置 Expired JPS6022821B2 (ja)

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JPS5422768A JPS5422768A (en) 1979-02-20
JPS6022821B2 true JPS6022821B2 (ja) 1985-06-04

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JPH0373421U (ja) * 1989-07-20 1991-07-24
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