JPS60229217A - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドの製造方法Info
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- JPS60229217A JPS60229217A JP8488184A JP8488184A JPS60229217A JP S60229217 A JPS60229217 A JP S60229217A JP 8488184 A JP8488184 A JP 8488184A JP 8488184 A JP8488184 A JP 8488184A JP S60229217 A JPS60229217 A JP S60229217A
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- Japan
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- magnetic
- insulating layer
- thin film
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3103—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing
- G11B5/3106—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing where the integrated or assembled structure comprises means for conditioning against physical detrimental influence, e.g. wear, contamination
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Adjustment Of The Magnetic Head Position Track Following On Tapes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ｆａ） 発明の技術分野
本発明は薄膜磁気ヘッドの製造方法に係り、特に水平磁
気記録、或いは垂直磁気記録用の薄膜磁気ヘッドのスラ
イダ面となるべき面と磁極先端面とを同一平面に精度良
く形成することを可能にした製造方法に関するものであ
る。
気記録、或いは垂直磁気記録用の薄膜磁気ヘッドのスラ
イダ面となるべき面と磁極先端面とを同一平面に精度良
く形成することを可能にした製造方法に関するものであ
る。
中） 技術の背景
近来、磁気ディスク装置等に用いられている磁気ヘッド
は、磁気ディスク記録媒体に対する高記録密度化及び高
速転送化が図られ、その形状は益々小型化されると共に
、高精度化され、記録に寄与する磁極先端部でのヘッド
磁界分布が蝋峻で、高密度な記録を可能とする小型な薄
膜磁気ヘッドが実用化されつつあり、既に種々のタイプ
のものが提案されている。
は、磁気ディスク記録媒体に対する高記録密度化及び高
速転送化が図られ、その形状は益々小型化されると共に
、高精度化され、記録に寄与する磁極先端部でのヘッド
磁界分布が蝋峻で、高密度な記録を可能とする小型な薄
膜磁気ヘッドが実用化されつつあり、既に種々のタイプ
のものが提案されている。
（Ｃ） 従来技術と問題点
ところで上記した従来の薄膜磁気ヘッドは、第１図の上
面図及び第１図に示すｎ−ｎ ′切断線に沿った第２図
の要部断面図に示すように、例えばセラミック等からな
る基板１上にＡｌ２Ｏ２，またはＳｉ２０からなる非磁
性絶縁層２を介してパーマロイ（Ｎｉ−Ｐｅ合金）から
なる下部磁極層３をスパッタリング法等により被着し、
フォトリソグラフィ工程によって所定パターン（図示せ
ず）に形成する。
面図及び第１図に示すｎ−ｎ ′切断線に沿った第２図
の要部断面図に示すように、例えばセラミック等からな
る基板１上にＡｌ２Ｏ２，またはＳｉ２０からなる非磁
性絶縁層２を介してパーマロイ（Ｎｉ−Ｐｅ合金）から
なる下部磁極層３をスパッタリング法等により被着し、
フォトリソグラフィ工程によって所定パターン（図示せ
ず）に形成する。
次に該下部磁極層３上に５ｉ０２等からなるギャップ形
成層４を含む絶縁層５を被着形成し、その上面にｗ４（
Ｃｕ）等の導体をスパッタリング法などにより被着した
後、該導体をフォトリソグラフィ工程によって薄膜コイ
ル６に形成する。次に該薄膜コイル６を含む前記絶縁層
５上に絶縁層７及び上部磁極層８を、図示のように順に
積層形成し、更に該上部磁極層８をフォトリソグラフィ
工程によって所定パターン形状にパターニングする。
成層４を含む絶縁層５を被着形成し、その上面にｗ４（
Ｃｕ）等の導体をスパッタリング法などにより被着した
後、該導体をフォトリソグラフィ工程によって薄膜コイ
ル６に形成する。次に該薄膜コイル６を含む前記絶縁層
５上に絶縁層７及び上部磁極層８を、図示のように順に
積層形成し、更に該上部磁極層８をフォトリソグラフィ
工程によって所定パターン形状にパターニングする。
次にこの上部磁極層８を含む全基板上にＡｌ２Ｏ６゜ま
たは５ｉｎ２からなる保護１１１９を厚くスパッタリン
グ法等によって被覆した後、磁気記録媒体と対向するス
ライダ面、即ち上、下部磁極層３，８の先端面が躇出す
るスライダ面１０を平面状に研磨仕上げすることによっ
て、前記下部磁極層３と上部磁極層８とがギャップ形成
層４を介してＵ字形の磁気回路を構成してなる薄膜磁気
ヘッドを完成させている。
たは５ｉｎ２からなる保護１１１９を厚くスパッタリン
グ法等によって被覆した後、磁気記録媒体と対向するス
ライダ面、即ち上、下部磁極層３，８の先端面が躇出す
るスライダ面１０を平面状に研磨仕上げすることによっ
て、前記下部磁極層３と上部磁極層８とがギャップ形成
層４を介してＵ字形の磁気回路を構成してなる薄膜磁気
ヘッドを完成させている。
しかしながら、上記上、下部磁極層３．８の先端面が露
出するスライダ面１０を平面状に研磨仕上げする工程に
おいて、該スライダ面１０の一部を構成する非磁性絶縁
層２及び保護膜９の硬度が、その他のスライダ面１０を
構成するセラミック等からなる基板ｌに比べて小さく、
又ｉｓ速度が大きいことに起因して第３図で示されるよ
うに、基板１面よりも非磁性絶縁層２及び保護ｌ１１９
の面が過度に研磨されて凹んだ形状に仕上がるといった
欠点があった。
出するスライダ面１０を平面状に研磨仕上げする工程に
おいて、該スライダ面１０の一部を構成する非磁性絶縁
層２及び保護膜９の硬度が、その他のスライダ面１０を
構成するセラミック等からなる基板ｌに比べて小さく、
又ｉｓ速度が大きいことに起因して第３図で示されるよ
うに、基板１面よりも非磁性絶縁層２及び保護ｌ１１９
の面が過度に研磨されて凹んだ形状に仕上がるといった
欠点があった。
このような仕上がり現象は、取りも直さず非磁性絶縁層
２及び保ｉ！ｉ膜９に囲まれた上、下部磁極層３．８の
先端面も同様に凹んだ形状に仕上がることになり、かか
る薄膜磁気ヘッドを磁気ディスク媒体上に浮上動作させ
た場合に、該磁気ヘッドの実効的な浮上量が増加し、記
録・再生特性の劣化を招来する不都合があった。
２及び保ｉ！ｉ膜９に囲まれた上、下部磁極層３．８の
先端面も同様に凹んだ形状に仕上がることになり、かか
る薄膜磁気ヘッドを磁気ディスク媒体上に浮上動作させ
た場合に、該磁気ヘッドの実効的な浮上量が増加し、記
録・再生特性の劣化を招来する不都合があった。
（ｄ） 発明の目的
本発明は上記従来の欠点を解消するため、薄膜磁気ヘッ
ドの基板側のスライダ面と上、下部磁極層を囲む形に設
ける非磁性絶縁層及び保護膜とを同一の耐摩耗性を有す
る非磁性絶縁材料、或いは同程度の耐摩耗性を有する非
磁性絶縁材料を用いて形成し、スライダ面研磨仕上げに
おいて材質の硬度の違いによる部分かたべりを排除して
、スライダ面の平面仕上げ精度の向上を図った新規な薄
膜磁気ヘッドの製造方法を提供することを目的とするも
のである。
ドの基板側のスライダ面と上、下部磁極層を囲む形に設
ける非磁性絶縁層及び保護膜とを同一の耐摩耗性を有す
る非磁性絶縁材料、或いは同程度の耐摩耗性を有する非
磁性絶縁材料を用いて形成し、スライダ面研磨仕上げに
おいて材質の硬度の違いによる部分かたべりを排除して
、スライダ面の平面仕上げ精度の向上を図った新規な薄
膜磁気ヘッドの製造方法を提供することを目的とするも
のである。
＋８１ 発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば、基板上に耐摩耗性の
第１の非磁性絶縁層を被着形成する工程と、該第１の非
磁性絶縁層面が形成された基板上に磁極、第２．第３の
非磁性絶縁層及びＶ＃膜ココイル構成される薄膜磁気ヘ
ッド部を形成する工程と、該薄膜磁気ヘッド上に前記第
１の非磁性絶縁層と同一材料、又は同程度の耐摩耗性を
有する非磁性絶縁材からなる保護膜を被覆する工程と、
磁気記録媒体と対向するスライダ面を平面研磨する工程
とを行った後、更に前記スライダ面を構成する基板面部
分以外の面にエツチング防止用マスクパターンを形成し
、前記基板面部分を所定厚さ分だけエツチング除去し、
次に前記エツチング防止用マスクパターンを除去すると
共に、該エツチング除去面及びマスクパターン除去面に
前記第１の非磁性絶縁層と同一材料、又は同程度の耐摩
耗性を有する第４の非磁性絶縁層を少なくとも前記基板
面部分のエツチング除去分の厚さに被着形成してから該
第４の非磁性絶縁層を平面研磨し、前記磁極先端を露出
したスライダ面を形成することを特徴とする薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法を提供することによって達成される。
第１の非磁性絶縁層を被着形成する工程と、該第１の非
磁性絶縁層面が形成された基板上に磁極、第２．第３の
非磁性絶縁層及びＶ＃膜ココイル構成される薄膜磁気ヘ
ッド部を形成する工程と、該薄膜磁気ヘッド上に前記第
１の非磁性絶縁層と同一材料、又は同程度の耐摩耗性を
有する非磁性絶縁材からなる保護膜を被覆する工程と、
磁気記録媒体と対向するスライダ面を平面研磨する工程
とを行った後、更に前記スライダ面を構成する基板面部
分以外の面にエツチング防止用マスクパターンを形成し
、前記基板面部分を所定厚さ分だけエツチング除去し、
次に前記エツチング防止用マスクパターンを除去すると
共に、該エツチング除去面及びマスクパターン除去面に
前記第１の非磁性絶縁層と同一材料、又は同程度の耐摩
耗性を有する第４の非磁性絶縁層を少なくとも前記基板
面部分のエツチング除去分の厚さに被着形成してから該
第４の非磁性絶縁層を平面研磨し、前記磁極先端を露出
したスライダ面を形成することを特徴とする薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法を提供することによって達成される。
（ｆ） 発明の実施例
以下図面を用いて本発明の実施例について詳細に説明す
る。
る。
第４図乃至第７図は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法の一実施例を工程順に示す要部断面図である。先ず
第４図に示すように、従来の形成方法と同様の工程によ
り、例えばアルミナ・チタンカーバイト ＜Ａｔ２ｏ、
・ＴｉＣ）からなる基板２１上に、Ａｔ２ｏ３からなる
耐摩耗性の第１の非磁性絶縁層２２をスパッタリング法
等により厚く被着形成する。
方法の一実施例を工程順に示す要部断面図である。先ず
第４図に示すように、従来の形成方法と同様の工程によ
り、例えばアルミナ・チタンカーバイト ＜Ａｔ２ｏ、
・ＴｉＣ）からなる基板２１上に、Ａｔ２ｏ３からなる
耐摩耗性の第１の非磁性絶縁層２２をスパッタリング法
等により厚く被着形成する。
次に該第１の非磁性絶縁層２２面上に、パーマロイ（Ｎ
ｉ−Ｐｅ合金）等からなる下部磁極ＩＷ２３、該下部磁
極層２３上に５４０２．又はＭ２Ｏ３等からなるギャッ
プ形成層２４を含む第２の非磁性絶縁層２５、その上面
に銅（Ｃｕ）等の導体からなる薄膜コイル２６、第３の
非磁性絶縁層２７及びパーマロイ （Ｎｉ−Ｆｅ合金）
等からなる上部磁極層２８を、スパッタリング工程とフ
ォトリソグラフィ工程によって図示のように順に積層形
成する。
ｉ−Ｐｅ合金）等からなる下部磁極ＩＷ２３、該下部磁
極層２３上に５４０２．又はＭ２Ｏ３等からなるギャッ
プ形成層２４を含む第２の非磁性絶縁層２５、その上面
に銅（Ｃｕ）等の導体からなる薄膜コイル２６、第３の
非磁性絶縁層２７及びパーマロイ （Ｎｉ−Ｆｅ合金）
等からなる上部磁極層２８を、スパッタリング工程とフ
ォトリソグラフィ工程によって図示のように順に積層形
成する。
しかしてこの上部磁極層２８を含む全基板上に、前記第
１の非磁性絶縁層２２と同一材料のＡｌ２Ｏ３かうなる
耐摩耗性を有する保護膜２９を厚くスパッタリング法等
によって被覆する。次に磁気記録媒体と対向するスライ
ダ面と成るべき面、即ち前記上、下部磁極層２８．２３
の先端面及び第１、第２の非磁性絶縁１２２．２５ 、
更に保護膜２９等が霧出する面を平面状に研磨仕上げを
行う。
１の非磁性絶縁層２２と同一材料のＡｌ２Ｏ３かうなる
耐摩耗性を有する保護膜２９を厚くスパッタリング法等
によって被覆する。次に磁気記録媒体と対向するスライ
ダ面と成るべき面、即ち前記上、下部磁極層２８．２３
の先端面及び第１、第２の非磁性絶縁１２２．２５ 、
更に保護膜２９等が霧出する面を平面状に研磨仕上げを
行う。
その後、第５図に示すように平面状に研磨仕上げを行っ
た平面研磨面３０の保護１１１２９、上、下部磁極層２
８．２３及び第１の非磁性絶縁層２２の一部の各面上に
、レジスト膜、或いはＴ＋＋Ｃｒ、Ａ＃等からなるエツ
チング防止用のマスクパターン３】を被着形成する。次
に該マスクパターン３１より霧出している前記基板２１
面及び第１の非磁性絶縁層２２の一部の面を反応性スパ
ッタエツチング法、或いはイオンエツチング法等により
所定厚さ分Ａだけエツチング除去する。
た平面研磨面３０の保護１１１２９、上、下部磁極層２
８．２３及び第１の非磁性絶縁層２２の一部の各面上に
、レジスト膜、或いはＴ＋＋Ｃｒ、Ａ＃等からなるエツ
チング防止用のマスクパターン３】を被着形成する。次
に該マスクパターン３１より霧出している前記基板２１
面及び第１の非磁性絶縁層２２の一部の面を反応性スパ
ッタエツチング法、或いはイオンエツチング法等により
所定厚さ分Ａだけエツチング除去する。
しかる後、前記マスクパターン３１を除去すると共に、
該マスクパターン除去面及びエツチング除去面上に第６
図に示すようにＡ’２ｏ３からなる前記耐摩耗性の第１
の非磁性ｖ？３練層と同一材料、又は同程度の耐摩耗性
を有する第４の非磁性絶縁層３２を、スパッタリング法
等により前記基板２１面部分のエツチング除去分の厚さ
Ａと同一厚さ、又は若干厚く被着形成する。
該マスクパターン除去面及びエツチング除去面上に第６
図に示すようにＡ’２ｏ３からなる前記耐摩耗性の第１
の非磁性ｖ？３練層と同一材料、又は同程度の耐摩耗性
を有する第４の非磁性絶縁層３２を、スパッタリング法
等により前記基板２１面部分のエツチング除去分の厚さ
Ａと同一厚さ、又は若干厚く被着形成する。
そしてかかる第４の非磁性絶縁層３２を平面研磨し、前
記上、下部磁極層２８．２３の先端が霞出したスライダ
面３３を形成する。形成されたスライダ面は、第７図に
示すように前記上、下部磁極層２８゜２３の先端面部分
を除いて全てＡｌ２Ｏ，からなる耐摩耗性を有する非磁
性絶縁材料で構成されているので、従来の如き材質の硬
度差、或いは研磨速度の違いによる部分的な過度な研磨
凹みを生じない。
記上、下部磁極層２８．２３の先端が霞出したスライダ
面３３を形成する。形成されたスライダ面は、第７図に
示すように前記上、下部磁極層２８゜２３の先端面部分
を除いて全てＡｌ２Ｏ，からなる耐摩耗性を有する非磁
性絶縁材料で構成されているので、従来の如き材質の硬
度差、或いは研磨速度の違いによる部分的な過度な研磨
凹みを生じない。
従って、平面仕上げ精度の良いスライダ面３２を有する
薄膜磁気ヘッドを容易に得ることが可能となる。
薄膜磁気ヘッドを容易に得ることが可能となる。
尚、以上の実施例では、基板にアルミナ・チタンカーバ
イト （Ａｌ２Ｏ３・Ｔｉｃ）を用いた場合の例につい
て説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく
、例えばフォトセラム等からなる基板を用いた場合にも
適用可能なことは云うまでもない。
イト （Ａｌ２Ｏ３・Ｔｉｃ）を用いた場合の例につい
て説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく
、例えばフォトセラム等からなる基板を用いた場合にも
適用可能なことは云うまでもない。
また第１、第４の非磁性絶縁層２２．３２及び保護ＩＩ
Ｉ！２９についても、Ａｌ２Ｏ３からなる耐摩耗性を有
する非磁性絶縁材料に限定されるものではなく、例えば
二酸化珪ｉｐ （Ｓ＋０２）等からなる非磁性絶縁材料
を用いた場合にも同様の効果が得られる。
Ｉ！２９についても、Ａｌ２Ｏ３からなる耐摩耗性を有
する非磁性絶縁材料に限定されるものではなく、例えば
二酸化珪ｉｐ （Ｓ＋０２）等からなる非磁性絶縁材料
を用いた場合にも同様の効果が得られる。
更に本発明の製造方法は上記し、かつ図面に示した構成
の薄膜磁気ヘッドの製造に限定されるものでは無く、例
えば本発明者の提案による特開昭５８−１９７１７号等
の単磁極Ｉｌ膜磁気ヘフドなどの製造にも通用出来るこ
とは勿論である。
の薄膜磁気ヘッドの製造に限定されるものでは無く、例
えば本発明者の提案による特開昭５８−１９７１７号等
の単磁極Ｉｌ膜磁気ヘフドなどの製造にも通用出来るこ
とは勿論である。
（幻 発明の効果
以上の説明から明らかなように、本発明に係るＷｉ膜磁
気ヘッドの製造方法によれば、スライダ面を形成すべき
面を、上、下部磁極層の先端面部分を除いて全て同一の
耐摩耗性を有する非磁性絶縁材料で構成しているため、
平面５１ｆ磨仕上げ後のスライダ面に、従来の如き材質
の硬度差、或いは研磨速度の違いによる過度な研磨凹み
が生じなくなり、平面仕上げ精度の良いスライダ面を有
する薄膜磁気ヘッドを容易に得ることが可能となる。
気ヘッドの製造方法によれば、スライダ面を形成すべき
面を、上、下部磁極層の先端面部分を除いて全て同一の
耐摩耗性を有する非磁性絶縁材料で構成しているため、
平面５１ｆ磨仕上げ後のスライダ面に、従来の如き材質
の硬度差、或いは研磨速度の違いによる過度な研磨凹み
が生じなくなり、平面仕上げ精度の良いスライダ面を有
する薄膜磁気ヘッドを容易に得ることが可能となる。
従ってスライダ面の凹みに起因する記録・再生特性の劣
化が解消され、この種の薄膜磁気ヘッド、或いは垂直磁
化記録再生用の単磁極薄膜磁気ヘッドなどの製造に通用
して極めて有利である。
化が解消され、この種の薄膜磁気ヘッド、或いは垂直磁
化記録再生用の単磁極薄膜磁気ヘッドなどの製造に通用
して極めて有利である。
第１図は従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明するた
めの上面図、第２図は第１図に示すｎ−■′切断線に沿
った要部断面図、第３図は従来の薄膜磁気ヘッドの製造
方法における問題点を説明するための要部断面図、第し
図乃至第７図は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法
の一実施例を工程順に示す要部断面図である。 図面において、２１は基板、２２は第１の非磁性絶縁層
、２３は下部磁極層、２４はギャップ形成層、２５は第
２の非磁性絶縁層、２６は薄膜コイル、２７は第３の非
磁性絶縁層、２８は上部磁極層、２９は保護膜、３０は
平面研磨面、３１はマスクパターン、３２は第４の非磁
性絶縁層、３３はスライダ面を示す。 第１図 第３図
めの上面図、第２図は第１図に示すｎ−■′切断線に沿
った要部断面図、第３図は従来の薄膜磁気ヘッドの製造
方法における問題点を説明するための要部断面図、第し
図乃至第７図は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法
の一実施例を工程順に示す要部断面図である。 図面において、２１は基板、２２は第１の非磁性絶縁層
、２３は下部磁極層、２４はギャップ形成層、２５は第
２の非磁性絶縁層、２６は薄膜コイル、２７は第３の非
磁性絶縁層、２８は上部磁極層、２９は保護膜、３０は
平面研磨面、３１はマスクパターン、３２は第４の非磁
性絶縁層、３３はスライダ面を示す。 第１図 第３図
Claims (1)
- 基板上に耐摩耗性の第１の非磁性絶縁層を被着形成する
工程と、該第１の非磁性絶縁層面が形成された基板上に
磁極、第２．第３の非磁性絶縁層及び薄膜コイルで構成
される薄膜磁気ヘッド部を形成する工程と、該薄膜磁気
ヘッド上に前記第１の非磁性絶縁層と同一材料、又は同
程度の耐摩耗性を有する非磁性絶縁材からなる保護膜を
被覆する工程と、磁気記録媒体と対向するスライダ面を
平面研磨する工程とを行った後、更に前記スライダ面を
構成する基板面部分以外の面にエツチング防止用マスク
パターンを形成し、前記基板面部分を所定厚さ分だけエ
ツチング除去し、次に前記エツチング防止用マスクパタ
ーンを除去すると共に、該エツチング除去面及びマスク
パターン除去面に前記第１の非磁性絶縁層と同一材料、
又は同程度の耐摩耗性を有する第４の非磁性絶縁層を少
なくとも前記基板面部分のエツチング除去分の厚さに被
着形成してから該第４の非磁性絶縁層を平面研磨し、前
記磁極先端を露出したスライダ面を形成することを特徴
とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8488184A JPS60229217A (ja) | 1984-04-25 | 1984-04-25 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8488184A JPS60229217A (ja) | 1984-04-25 | 1984-04-25 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60229217A true JPS60229217A (ja) | 1985-11-14 |
Family
ID=13843110
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8488184A Pending JPS60229217A (ja) | 1984-04-25 | 1984-04-25 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60229217A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2741470A1 (fr) * | 1995-11-22 | 1997-05-23 | Commissariat Energie Atomique | Procede de realisation d'une tete magnetique planaire et tete obtenue par ce procede |
-
1984
- 1984-04-25 JP JP8488184A patent/JPS60229217A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2741470A1 (fr) * | 1995-11-22 | 1997-05-23 | Commissariat Energie Atomique | Procede de realisation d'une tete magnetique planaire et tete obtenue par ce procede |
| EP0775997A1 (fr) * | 1995-11-22 | 1997-05-28 | Commissariat A L'energie Atomique | Procédé de réalisation d'une tête magnétique planaire et tête obtenue par ce procédé |
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