JPS6023108B2 - X線造影剤 - Google Patents
X線造影剤Info
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Classifications
-
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- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C243/00—Compounds containing chains of nitrogen atoms singly-bound to each other, e.g. hydrazines, triazanes
- C07C243/24—Hydrazines having nitrogen atoms of hydrazine groups acylated by carboxylic acids
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、X−線造影剤、特に骨ずし、撮影に有用な、
新規、水溶性、非イオン性、トリヨードべンゼン誘導体
に関する。
新規、水溶性、非イオン性、トリヨードべンゼン誘導体
に関する。
アメリカ合衆国特許No.3701771には、X−線
造影剤として有用な非イオン性化合物、特にトリーョー
ドベンゼン誘導体が記載されている。
造影剤として有用な非イオン性化合物、特にトリーョー
ドベンゼン誘導体が記載されている。
本発明は、良好な溶解性を有し既知の材料に比較して著
しくよく許容されうる新規の非イオン性化合物に関して
いる。これらの化合物は、一般式 〔ただし式中、 nは0から4の整数とし、 R,およびR2はそれぞれに独立して、式−CONHR
5(ただし式中、R5は1から4炭素原子数のアルキル
基または1から4炭素原子数のヒドロキシアルキル基を
表わす)を有する基、または式(ただし式中、R6およ
びR7は1 から4炭素原子数のアルキル基を表わす)を有する基を
表わし、R3およびR4はそれぞれに独立して水素原子
または1から4炭素原子数のアルキル基を表わす〕を有
する。
しくよく許容されうる新規の非イオン性化合物に関して
いる。これらの化合物は、一般式 〔ただし式中、 nは0から4の整数とし、 R,およびR2はそれぞれに独立して、式−CONHR
5(ただし式中、R5は1から4炭素原子数のアルキル
基または1から4炭素原子数のヒドロキシアルキル基を
表わす)を有する基、または式(ただし式中、R6およ
びR7は1 から4炭素原子数のアルキル基を表わす)を有する基を
表わし、R3およびR4はそれぞれに独立して水素原子
または1から4炭素原子数のアルキル基を表わす〕を有
する。
式(1)の化合物は、ヒドロキシ基が保護されている式
ハロゲンC○(CHOH)5日を有する駿ハラィドと式
(ただし式中、n、R,、R2、R3およびR4は(1
)に記載の意味を有する)を有するジアミンとを反応さ
せ、縮合生成物をけん化することにより製造しうる。
ハロゲンC○(CHOH)5日を有する駿ハラィドと式
(ただし式中、n、R,、R2、R3およびR4は(1
)に記載の意味を有する)を有するジアミンとを反応さ
せ、縮合生成物をけん化することにより製造しうる。
酸クロラィドとジアミン(0)との縮合反応は、約15
度Cから約35度Cまでの温度でジメチルアセトアミド
またはジメチルスルホキサイドのような極性溶媒中で実
施するのが有利である。
度Cから約35度Cまでの温度でジメチルアセトアミド
またはジメチルスルホキサイドのような極性溶媒中で実
施するのが有利である。
1から4日間かくはんすることにより反応は実質的に完
了するのがふつうである。
了するのがふつうである。
式(0)のアミンは、式
(ただし式中R′,はR,と同じ意味を有するかまたは
基−COO日を表わし、n、R3、およびR4は、式(
1)に示したのと同じ意味を有する)を有するアミンと
、式(ただし式中、R′2はR2と同じであるか、ヒド
ロキシル基は保護されているとする)を有する酸クロラ
ィドとを縮合させ、つぎに、R′,が−COO日基の時
には、酸クロラィドを経由しアミンNH2R5を作用さ
せる従来法で基−CONHR5にアミド化する方法で製
造しうる。
基−COO日を表わし、n、R3、およびR4は、式(
1)に示したのと同じ意味を有する)を有するアミンと
、式(ただし式中、R′2はR2と同じであるか、ヒド
ロキシル基は保護されているとする)を有する酸クロラ
ィドとを縮合させ、つぎに、R′,が−COO日基の時
には、酸クロラィドを経由しアミンNH2R5を作用さ
せる従来法で基−CONHR5にアミド化する方法で製
造しうる。
ァミン(m)と酸クロラィドとの縮合反応は、トリェチ
ルァミンまたは炭酸ナトリウムのような酸捕捉剤の過剰
量の存在で、20から60度Cの温度で、ジメチルアセ
トアミド、ジメチルホルムアミドまたはジメチルスルホ
キサィドのような極性溶媒中で実施するのが有利である
。
ルァミンまたは炭酸ナトリウムのような酸捕捉剤の過剰
量の存在で、20から60度Cの温度で、ジメチルアセ
トアミド、ジメチルホルムアミドまたはジメチルスルホ
キサィドのような極性溶媒中で実施するのが有利である
。
反応時間は2時間から約4日に変動しうる。R,および
R2が同じである式(0)のアミンはまた、式(ただし
式中、n、R3およびR4は式(1)の場合と同じ意味
を有する)を有するジァミンと式(N)の酸クロラィド
とを縮合させることによっても製造しうる。
R2が同じである式(0)のアミンはまた、式(ただし
式中、n、R3およびR4は式(1)の場合と同じ意味
を有する)を有するジァミンと式(N)の酸クロラィド
とを縮合させることによっても製造しうる。
反応条件は、式(m)のアミンと縮合させる場合と同様
である。R,およびR2が同じ基−CONHR5を表わ
す式(n)のアミン、また、非ヨード化合物と縮合させ
そして最終段階においてョー素化を行なうことを本質的
に包含する変法により製造しうる。
である。R,およびR2が同じ基−CONHR5を表わ
す式(n)のアミン、また、非ヨード化合物と縮合させ
そして最終段階においてョー素化を行なうことを本質的
に包含する変法により製造しうる。
この変法では、【aー 式(V)を有するジアミンと、
式(ただし式中、Rは1から4炭素原子数のアルキル基
、特にメチル基を表わす)を有する酸クロラィドとを縮
合させ、式を有するジェステルとすること、 ‘bー 式(肌)のジェステルと式N比R5のァミンを
反応させて、式とすること、 ‘c’式(肌)のジアミドのニトロ基を還元して、式の
ジアミンとすること、 【dー 式(K)の化合物をョー素化して、式のジアミ
ンとすることを包含している。
式(ただし式中、Rは1から4炭素原子数のアルキル基
、特にメチル基を表わす)を有する酸クロラィドとを縮
合させ、式を有するジェステルとすること、 ‘bー 式(肌)のジェステルと式N比R5のァミンを
反応させて、式とすること、 ‘c’式(肌)のジアミドのニトロ基を還元して、式の
ジアミンとすること、 【dー 式(K)の化合物をョー素化して、式のジアミ
ンとすることを包含している。
式(V)のジアミンと式(肌)の酸クロラィドとの反応
は、この型の反応にふつうの温度条件、つまり室温から
50度Cまでのあいだの温度で、アルカリ媒体またはジ
オキサン中で実施しうる。
は、この型の反応にふつうの温度条件、つまり室温から
50度Cまでのあいだの温度で、アルカリ媒体またはジ
オキサン中で実施しうる。
式(W)のジヱステルと式NH2R5のアミンとの反応
は、ふつうの温度条件で、水またはアルコールを添加し
てもかまわないァミン中に溶液として実施しうる。ジア
ミド(側)のニトロ基の還元は、たとえばラネーニッケ
ルまたはパラジウムの存在で接触的に実施しうる。式×
の化合物のョー素化は、ベンゼン核をョー素化する常法
、代表的には酢酸中塩化ョー素を作用さすことにより実
施しうる。
は、ふつうの温度条件で、水またはアルコールを添加し
てもかまわないァミン中に溶液として実施しうる。ジア
ミド(側)のニトロ基の還元は、たとえばラネーニッケ
ルまたはパラジウムの存在で接触的に実施しうる。式×
の化合物のョー素化は、ベンゼン核をョー素化する常法
、代表的には酢酸中塩化ョー素を作用さすことにより実
施しうる。
式(0)(ただし式中R3および(または)R4は水素
原子とする)を有するジアミンをアルキル化し、R3お
よびR4がアルキル基であるジアミンとすることも可能
である。
原子とする)を有するジアミンをアルキル化し、R3お
よびR4がアルキル基であるジアミンとすることも可能
である。
この目的は、ふつうのアルキル化法、たとえば適当なョ
−化アルキルまたは硫酸アルキルを用いる方法を採用し
うる。つぎの非限定実施例で、式(1)の化合物の製造
を示す。例1 1・2−N・N′ービス(2・4・6ートリヨードー3
一N−メチル一N−アセチルアミノー5−Nーグルコニ
ルアミノーベンゾイル)ージミノーェタンの製造{a)
1・2一N・N′ービス(2・4・6−トリヨード−
3一Nーメチル−Nーアセチルアミノ−5ーアミノーベ
ンゾイル)ジアミノーエタンの製造2・4・6ートリヨ
ードー3一Nーメチルアセトアミド−5ーアミノ安息香
酸クロラィド(280夕、0.465モル)(英国特許
1321592に準じ製造)をジメチルアセトアミド(
500cc)およびトリェチルアミン(130cc、0
.93モル)に含有する溶液に、25度Cを越えない温
度でかくはんしながらエチレンジアミン(18.7cc
、0.29モル)を添加する。
−化アルキルまたは硫酸アルキルを用いる方法を採用し
うる。つぎの非限定実施例で、式(1)の化合物の製造
を示す。例1 1・2−N・N′ービス(2・4・6ートリヨードー3
一N−メチル一N−アセチルアミノー5−Nーグルコニ
ルアミノーベンゾイル)ージミノーェタンの製造{a)
1・2一N・N′ービス(2・4・6−トリヨード−
3一Nーメチル−Nーアセチルアミノ−5ーアミノーベ
ンゾイル)ジアミノーエタンの製造2・4・6ートリヨ
ードー3一Nーメチルアセトアミド−5ーアミノ安息香
酸クロラィド(280夕、0.465モル)(英国特許
1321592に準じ製造)をジメチルアセトアミド(
500cc)およびトリェチルアミン(130cc、0
.93モル)に含有する溶液に、25度Cを越えない温
度でかくはんしながらエチレンジアミン(18.7cc
、0.29モル)を添加する。
室温で1夜かくはんしてから、材料をクロマトグラフィ
ーで分析して、出発原料である酸クロラィドの残存しな
いことをたしかめる。反応液はかくはんしながら氷−水
(3リットル)にあげる。生ずる沈殿は吸引炉過し、水
洗し、70度Cの炉の中で乾燥し、かなり着色した物質
186夕をうる。ジメチルアセトアミド(300cc)
に溶解し、水を加えて分別沈殿し精製する。水洗し、吸
引炉過し乾燥して、非常に明るいベージュ色の生成物(
132夕)をうる。生成物の純度はつぎの方法で調べる
。薄層クロマトグラフィー、シリカゲルプレート、溶出
液:ベンゼンノメチルェチルケトン/ギ酸(60:25
:20)。出発酸クロライドR「=0.80 縮合生成物 Rf=0.45 ョー素滴定億=98% 【b} 1・2一N・N′ービス(2・4・6ートリヨ
ード−3−N−メチル−Nーアセチルアミノー5一N−
グルコニルアミノーベンゾイル)ージアミノーエタン1
・2−N・N′−ビス(2・4・6ートリヨードー3一
NーメチルーNーアセチルアミノー5−アミノ−ペンゾ
イル)ジアミノーエタン(121夕、0.101モル)
をジメチルアセトアミド(200cc)に含有する溶液
に、ベンターアセチルグリコール酸クロラィド(172
夕、0.404モル)〔C.E.BraunおよびC.
D.CMk、0r滋nlcS肌thesis、Vol.
41、79−82頁の方法で製造〕を少量宛添加する。
ーで分析して、出発原料である酸クロラィドの残存しな
いことをたしかめる。反応液はかくはんしながら氷−水
(3リットル)にあげる。生ずる沈殿は吸引炉過し、水
洗し、70度Cの炉の中で乾燥し、かなり着色した物質
186夕をうる。ジメチルアセトアミド(300cc)
に溶解し、水を加えて分別沈殿し精製する。水洗し、吸
引炉過し乾燥して、非常に明るいベージュ色の生成物(
132夕)をうる。生成物の純度はつぎの方法で調べる
。薄層クロマトグラフィー、シリカゲルプレート、溶出
液:ベンゼンノメチルェチルケトン/ギ酸(60:25
:20)。出発酸クロライドR「=0.80 縮合生成物 Rf=0.45 ョー素滴定億=98% 【b} 1・2一N・N′ービス(2・4・6ートリヨ
ード−3−N−メチル−Nーアセチルアミノー5一N−
グルコニルアミノーベンゾイル)ージアミノーエタン1
・2−N・N′−ビス(2・4・6ートリヨードー3一
NーメチルーNーアセチルアミノー5−アミノ−ペンゾ
イル)ジアミノーエタン(121夕、0.101モル)
をジメチルアセトアミド(200cc)に含有する溶液
に、ベンターアセチルグリコール酸クロラィド(172
夕、0.404モル)〔C.E.BraunおよびC.
D.CMk、0r滋nlcS肌thesis、Vol.
41、79−82頁の方法で製造〕を少量宛添加する。
20から25度Cで4日かきまぜながら、液体は、激し
くかくはんしながら氷−水(1リットル)にあげる。
くかくはんしながら氷−水(1リットル)にあげる。
結晶物質は吸引炉し、氷−水で洗い、吸引炉過し、水(
100cc)およびアンモニヤ(200cc)の混合物
に溢材料を加えて、ェステル官能基をけん化する。0か
ら25度Cで6時間かくはんしたあと、水および過剰の
アンモニャを減圧で蒸発させて粘鋼な油(210夕)を
得、これを水(300cc)に溶解する。
100cc)およびアンモニヤ(200cc)の混合物
に溢材料を加えて、ェステル官能基をけん化する。0か
ら25度Cで6時間かくはんしたあと、水および過剰の
アンモニャを減圧で蒸発させて粘鋼な油(210夕)を
得、これを水(300cc)に溶解する。
水溶液は、200夕および100夕のフェノールで、1
度宛抽出する。
度宛抽出する。
有機相は60ccの水で4度洗い、ジェチルェーテル(
1リットル)を添加する。生成物は、100cc宛の水
で4回洗い、水相は150cc宛のジェチルェーテルで
3回洗う。生ずる材料は減圧で蒸発させて、半ばガム状
−半は結晶状の材料135夕をうる。粗生成物の純度は
つぎのように調べる。
1リットル)を添加する。生成物は、100cc宛の水
で4回洗い、水相は150cc宛のジェチルェーテルで
3回洗う。生ずる材料は減圧で蒸発させて、半ばガム状
−半は結晶状の材料135夕をうる。粗生成物の純度は
つぎのように調べる。
薄層クロマトグラフィー、シリカゲルプレート、溶出液
:ブタノール/酢酸/水(50:11:25)。
:ブタノール/酢酸/水(50:11:25)。
出発アミンRr=0.60一0.65(2種の異性体)
けん化前の縮合生成物:Rrは0.52から0.57ま
でのあいだけん化後の縮合生成物:Rf=0.12一0
.18−0.23(3種の異性体)ョー素の滴定値=8
7%純度 粗材料は水(50cc)に溶解し、エチルアルコール(
500cc)をかくはんしながな添加する。
けん化前の縮合生成物:Rrは0.52から0.57ま
でのあいだけん化後の縮合生成物:Rf=0.12一0
.18−0.23(3種の異性体)ョー素の滴定値=8
7%純度 粗材料は水(50cc)に溶解し、エチルアルコール(
500cc)をかくはんしながな添加する。
生ずる沈殿は吸引炉過し、エチルアルコールで洗い、6
0度Cで乾燥し、64.5夕の生成物をうる。エチルア
ルコールより2度再綾する。不溶物は熱時炉去する。生
ずる材料は、50%水溶液中60度Cで18時間炭末処
理し、炭末は炉去し、水は減圧で留去する。
0度Cで乾燥し、64.5夕の生成物をうる。エチルア
ルコールより2度再綾する。不溶物は熱時炉去する。生
ずる材料は、50%水溶液中60度Cで18時間炭末処
理し、炭末は炉去し、水は減圧で留去する。
生ずる粉末は80度Cの炉中で乾燥し、9夕の生成物を
うる。生成物の純度はつぎのように調べる。
うる。生成物の純度はつぎのように調べる。
シリカゲルプレート上の薄層クロマトグラフィー:溶出
液:ブタノ−ル/酢酸/水(50:11:25)。
液:ブタノ−ル/酢酸/水(50:11:25)。
3異性体が存在:Rf=0.12−0.18−0.2ュ
ョー素摘定値=99%純度ナトリウムメトキサィド滴定
:103%純度{cー 溶解生成物は、100ccあた
り25夕のョー素となるように水に溶解する。
ョー素摘定値=99%純度ナトリウムメトキサィド滴定
:103%純度{cー 溶解生成物は、100ccあた
り25夕のョー素となるように水に溶解する。
溶液の粘度は37度Cで7.4センチポイズ。例2
N・N′−ピス(2・4・6−トリヨードー3一Nーメ
チル−N−アセチルアミノー5一N−グリコニルアミノ
ーベンゾイル)ヒドラジドの製造【a1 2・4・6ー
トリヨード−3一N−メチル−N−アセチルアミノー5
ーアミノ−ペンゾヒドラジドヒドラジンハイドレート(
98%、372cc、7.45モル)および水(500
cc)の溶液に、2・4・6ートリヨートー3一N−メ
チル−N−アセチルァミノー5ーァミノー安息香酸クロ
ラィド(1500夕、2.38モル)をジオキサン(3
リットル)に含有する溶液を、冷却し激しくかきまぜな
がら添加する。
チル−N−アセチルアミノー5一N−グリコニルアミノ
ーベンゾイル)ヒドラジドの製造【a1 2・4・6ー
トリヨード−3一N−メチル−N−アセチルアミノー5
ーアミノ−ペンゾヒドラジドヒドラジンハイドレート(
98%、372cc、7.45モル)および水(500
cc)の溶液に、2・4・6ートリヨートー3一N−メ
チル−N−アセチルァミノー5ーァミノー安息香酸クロ
ラィド(1500夕、2.38モル)をジオキサン(3
リットル)に含有する溶液を、冷却し激しくかきまぜな
がら添加する。
20度Cで5時間反応させてから、沈殿を吸引炉過し、
水洗し、そのあとで100度Cの炉の中で乾燥し、75
5#の白色物質をうる。
水洗し、そのあとで100度Cの炉の中で乾燥し、75
5#の白色物質をうる。
収率50%。生成物の純度はつぎのようである。
ョー素滴定=100%
過塩素酸滴定:班.5%
シリカゲルプレート上の薄層クロマトグラフィー:溶出
液:ベンゼン/メチルエチルケトンノギ酸(60:25
:20)。
液:ベンゼン/メチルエチルケトンノギ酸(60:25
:20)。
出発酸クロラィド:R?=0.80
縮合生成物:Rr=0.70
【b’N・N−ピス(2・4・6−トリョード−3−N
−メチル一Nーアセチルアミノー5ーアミノ−ペンゾイ
ル)ヒドラジド段階‘a}で得られた生成物(750夕
、1.25モル)を、炭酸カリウム(345夕、2.5
モル)を加えたジメチルアセトアミド(1.250りツ
トル)に溶解し、2・4・6−トリョードー3一N−メ
チル−Nーアセチルアミノー5ーアミノ−安息香酸クロ
ラィド(755夕、1.25モル)をかくはんしがら添
加する。
−メチル一Nーアセチルアミノー5ーアミノ−ペンゾイ
ル)ヒドラジド段階‘a}で得られた生成物(750夕
、1.25モル)を、炭酸カリウム(345夕、2.5
モル)を加えたジメチルアセトアミド(1.250りツ
トル)に溶解し、2・4・6−トリョードー3一N−メ
チル−Nーアセチルアミノー5ーアミノ−安息香酸クロ
ラィド(755夕、1.25モル)をかくはんしがら添
加する。
かくはんしがら50度Cに2日間加熱したあと、反応液
は水(7.5リットル)にあげ、塩酸でpH7に中和し
、生ずる沈殿は吸引炉過し、水洗する。湿材料はメタノ
ール(4リットル)中70度Cで4時間加熱精製し、次
に吸引炉過し、乾燥し、869夕の生成物(収率60%
)をうる。生成物の純度は次のようである。ョー素滴定
97% シリカゲルプレート簿層クロマトグラフィー;溶出剤:
ベンゼン/メチルエチルケトン/ギ酸(60:25:5
)出発酸クロライド:Rr=0.70 出発アミ/化合物:Rr=0.60 縮合生成物:異性体2種:Rr=0.30一0.22【
c) N・N′ービス(2・4・6ートリヨード−3−
N−メチルーアセチルアミノー5−Nーグルコニルアミ
ノ−ペンゾィル)ヒドラジドの製造N.N′ービス(2
・4・6−トリヨードー3一N−メチル一N−アセチル
アミノー5ーアミノベンゾイル)ヒドラジド(400夕
;0.342モル)をジメチルアセトアミド(700c
c)に含有する溶液にベンチルアセチル化グルコン酸ク
ロラィド(725夕;1.71モル)を添加する。
は水(7.5リットル)にあげ、塩酸でpH7に中和し
、生ずる沈殿は吸引炉過し、水洗する。湿材料はメタノ
ール(4リットル)中70度Cで4時間加熱精製し、次
に吸引炉過し、乾燥し、869夕の生成物(収率60%
)をうる。生成物の純度は次のようである。ョー素滴定
97% シリカゲルプレート簿層クロマトグラフィー;溶出剤:
ベンゼン/メチルエチルケトン/ギ酸(60:25:5
)出発酸クロライド:Rr=0.70 出発アミ/化合物:Rr=0.60 縮合生成物:異性体2種:Rr=0.30一0.22【
c) N・N′ービス(2・4・6ートリヨード−3−
N−メチルーアセチルアミノー5−Nーグルコニルアミ
ノ−ペンゾィル)ヒドラジドの製造N.N′ービス(2
・4・6−トリヨードー3一N−メチル一N−アセチル
アミノー5ーアミノベンゾイル)ヒドラジド(400夕
;0.342モル)をジメチルアセトアミド(700c
c)に含有する溶液にベンチルアセチル化グルコン酸ク
ロラィド(725夕;1.71モル)を添加する。
室温で4斑時間かくはんしてから、反応液を水(5リッ
トル)にあげる。生ずる沈殿は熱水で2度洗いつぎに吸
引炉過する。ェステル分画は、水酸化ナトリウム粒子(
192夕)を水(2リットル)に含有する溶液に加えて
けん化する。反応混合物は室温で4時間かくはんし、酢
酸でpH2から5の酸性とする。水溶液はフェ/ール(
600夕および400夕)で抽出し、有機相は500c
cの水で4度洗ってから、ジェチルェーテル(3リット
ル)で希釈し、500ccの水で2度抽出し、400c
cのジェチルェーテルで4度洗う。炭末処理してから水
溶液を減圧で蒸発させ378夕の無定型物質(収率72
%)をうる。粗生成物の純度はつぎのようである。ョー
秦滴定:95% 薄層クロマトグラフィー、シリカゲルプレート;溶出剤
:ブタノール/酢酸/水(50:11:5)出発アミン
:Rf=0.75一0.80(2種の異性体)けん化前
の縮合生成物:Rr=0.斑一0.72けん化後の縮合
生成物:R心18−0.22−0.12*(3種異性体
)。
トル)にあげる。生ずる沈殿は熱水で2度洗いつぎに吸
引炉過する。ェステル分画は、水酸化ナトリウム粒子(
192夕)を水(2リットル)に含有する溶液に加えて
けん化する。反応混合物は室温で4時間かくはんし、酢
酸でpH2から5の酸性とする。水溶液はフェ/ール(
600夕および400夕)で抽出し、有機相は500c
cの水で4度洗ってから、ジェチルェーテル(3リット
ル)で希釈し、500ccの水で2度抽出し、400c
cのジェチルェーテルで4度洗う。炭末処理してから水
溶液を減圧で蒸発させ378夕の無定型物質(収率72
%)をうる。粗生成物の純度はつぎのようである。ョー
秦滴定:95% 薄層クロマトグラフィー、シリカゲルプレート;溶出剤
:ブタノール/酢酸/水(50:11:5)出発アミン
:Rf=0.75一0.80(2種の異性体)けん化前
の縮合生成物:Rr=0.斑一0.72けん化後の縮合
生成物:R心18−0.22−0.12*(3種異性体
)。
粗物質(130のを水(100cc)に溶解し、かくは
んしながらエタノール(600cc)にゆっくり添加す
る。
んしながらエタノール(600cc)にゆっくり添加す
る。
結晶物質は吸引炉取しエタノールで洗い、83夕の生成
物をうる。これを水(70cc)に溶解する。水溶液は
エタノール(400cc)にかくはん下に添加する。生
成物は吸引炉敬し、エタノールで洗い、乾燥し、37夕
(収率:28%)のほとんど白色の生成物をうる。生成
物の純度はつぎのようである。シリカゲルプレ−ト薄層
クロマトグラフィー:溶出液:ブタノール/酢酸/水(
50:11:25)プレートを乾燥し、2かまたは3種
の異性体が存在する。
物をうる。これを水(70cc)に溶解する。水溶液は
エタノール(400cc)にかくはん下に添加する。生
成物は吸引炉敬し、エタノールで洗い、乾燥し、37夕
(収率:28%)のほとんど白色の生成物をうる。生成
物の純度はつぎのようである。シリカゲルプレ−ト薄層
クロマトグラフィー:溶出液:ブタノール/酢酸/水(
50:11:25)プレートを乾燥し、2かまたは3種
の異性体が存在する。
Rf=0.12、0.1& 0.22
ョ−素滴定:擬%
ナトリウムメトキサィドを用いる滴定:99.5%。
例3
N・N′−ビス(2・4・6ートリヨード−3−Nーメ
チルーNーアセチルアミノー5一N−グルコニルアミノ
−ペンゾイル)ジメチルヒドラジド【a} N・N′−
ビス(2・4・6−トリヨードー3一N−メチル−Nー
アセチルアミノ−5ーアミノーベンゾィル)ジメチルヒ
ドラジドの製造N・N′−ビス(2・4・6−トリヨー
ド−3一Nーメチル−Nーアセチルアミノ−5ーアミノ
ベンゾイル)ヒドロジド(117夕、0.1モル)を2
規定水酸化ナトリウム(200cc)およびアセトン(
150cc)とかくはんし、それから、激しくかくはん
しながらジメチルスルフェート(総cc;0.4モル)
を添加する。
チルーNーアセチルアミノー5一N−グルコニルアミノ
−ペンゾイル)ジメチルヒドラジド【a} N・N′−
ビス(2・4・6−トリヨードー3一N−メチル−Nー
アセチルアミノ−5ーアミノーベンゾィル)ジメチルヒ
ドラジドの製造N・N′−ビス(2・4・6−トリヨー
ド−3一Nーメチル−Nーアセチルアミノ−5ーアミノ
ベンゾイル)ヒドロジド(117夕、0.1モル)を2
規定水酸化ナトリウム(200cc)およびアセトン(
150cc)とかくはんし、それから、激しくかくはん
しながらジメチルスルフェート(総cc;0.4モル)
を添加する。
2独時間後沈殿を吸引炉遇し、溢水で3度洗い110夕
の乾燥材料をうる。
の乾燥材料をうる。
(収率:91%)。このものは還流メタノール(250
cc)中で2独時間洗い97夕の乾燥生成物をうる。生
成物の純度はつぎのようである。シリカゲルプレート上
の薄層クロマトグラフィー:溶出液:ベンゼン/メチル
エチルケトン/ギ酸(60:25:5)非メチル化生成
物:Rf=0.22−0.30(2種異性体)メチル化
生成物:Rf=0.45一0.50。
cc)中で2独時間洗い97夕の乾燥生成物をうる。生
成物の純度はつぎのようである。シリカゲルプレート上
の薄層クロマトグラフィー:溶出液:ベンゼン/メチル
エチルケトン/ギ酸(60:25:5)非メチル化生成
物:Rf=0.22−0.30(2種異性体)メチル化
生成物:Rf=0.45一0.50。
【b’N.N′−ビス(2・4・6ートリヨード−3一
NーメチルーN−アセチルアミノ−9N−グルコニルア
ミノ−ペンゾイル)ジメチルヒドラジド上記の生成物(
95夕、0.08モル)をジメチルァセトアミド(16
0cc)に含有する溶液に、ベンターアセチル化グルコ
ン酸クロラィド(170夕、0.40モル)を添加する
。
NーメチルーN−アセチルアミノ−9N−グルコニルア
ミノ−ペンゾイル)ジメチルヒドラジド上記の生成物(
95夕、0.08モル)をジメチルァセトアミド(16
0cc)に含有する溶液に、ベンターアセチル化グルコ
ン酸クロラィド(170夕、0.40モル)を添加する
。
20度Cで4鯨母かきまぜてから、反応液を水(1.6
リットル)にあけ、水で2度洗い、吸引炉過する。
リットル)にあけ、水で2度洗い、吸引炉過する。
水(200cc)に1の規定水酸化ナトリウム(120
cc)を加えたものに緑材料をあげ、ェステル官能基を
加水分解する。20度Cで4時間かくはんしたあとで、
混合物は塩酸でpH5一6に中和し、僅かの沈殿を吸引
炉過する。
cc)を加えたものに緑材料をあげ、ェステル官能基を
加水分解する。20度Cで4時間かくはんしたあとで、
混合物は塩酸でpH5一6に中和し、僅かの沈殿を吸引
炉過する。
生成物は前記のようにフェノールで抽出し、蒸発乾こし
て832の生成物をうる。ョー素滴定:95% シリカゲルプレート上の簿層クロマトグラフィー:溶出
液:ブタノール/酢酸/水(50:11:25)。
て832の生成物をうる。ョー素滴定:95% シリカゲルプレート上の簿層クロマトグラフィー:溶出
液:ブタノール/酢酸/水(50:11:25)。
Rr=0.15−0.20一0.25(3種の異性体)
。水−ェタ/ールで2度処理して生成物を精製する。
。水−ェタ/ールで2度処理して生成物を精製する。
15夕の生成物をうる。
例4
N.N′ーピス(2・4・6−トリヨードー3一N−ヒ
ドロキシエチル−カルバミルー5ーグルコニルアミノ−
ペンゾィル)ヒドラジドの製造‘a’N.N′ーピス(
3−メトキシカルボニル−5−ニトロベンゾィル)ヒド
ラジドの製造5ーメトキシカルボニル−5ーニトロー安
息香酸クロラィド(1000夕、4.1モル)を水(4
リットル)に含有する懸濁液に、ヒドラジンハィドレー
ト(105cc)および水酸化ナトリウム(102夕)
を水(400cc)に含有する溶液を添加する。
ドロキシエチル−カルバミルー5ーグルコニルアミノ−
ペンゾィル)ヒドラジドの製造‘a’N.N′ーピス(
3−メトキシカルボニル−5−ニトロベンゾィル)ヒド
ラジドの製造5ーメトキシカルボニル−5ーニトロー安
息香酸クロラィド(1000夕、4.1モル)を水(4
リットル)に含有する懸濁液に、ヒドラジンハィドレー
ト(105cc)および水酸化ナトリウム(102夕)
を水(400cc)に含有する溶液を添加する。
1時間してから水酸化ナトリウム(100夕)を水(4
00cc)に含有する溶液を添加する。
00cc)に含有する溶液を添加する。
2即時間反応混合物をかくはんしてから、酸性とし、生
成物を炉取し、水洗し、900夕の乾操生成物をうる。
成物を炉取し、水洗し、900夕の乾操生成物をうる。
収率:班%。シリカゲルプレート上の簿層クロマトグラ
フィー:溶出液:ベンゼン/メチルエチルケトンノギ酸
(60:25:20):出発物質:Rf:0.90 縮合生成物:R「=0.80 1N.N′ービス(3−Nーヒドロキシエチルカルバミ
ル−5ーニトoベンゾイル)ヒドラジドの製造N.N′
ービス(3ーメトキシカルポニル一5ーニトロ−ペンゾ
イル)ヒドラジド(575夕、1.29モル)を、エタ
ノールアミン(1.5リットル)およびメタノール(1
リットル)に添加する。
フィー:溶出液:ベンゼン/メチルエチルケトンノギ酸
(60:25:20):出発物質:Rf:0.90 縮合生成物:R「=0.80 1N.N′ービス(3−Nーヒドロキシエチルカルバミ
ル−5ーニトoベンゾイル)ヒドラジドの製造N.N′
ービス(3ーメトキシカルポニル一5ーニトロ−ペンゾ
イル)ヒドラジド(575夕、1.29モル)を、エタ
ノールアミン(1.5リットル)およびメタノール(1
リットル)に添加する。
2餌時間かくはんしたあと、反応混合物は水(1リット
ル)で希釈し、水(10リットル)および塩酸(2リッ
トル)に加える。
ル)で希釈し、水(10リットル)および塩酸(2リッ
トル)に加える。
生成物は吸引炉過し、炉中で乾燥し、694夕の生成物
をうる。還流エタノール中で洗い洗浄する。つぎに乾燥
し、538夕(収率:83%)の生成物をうる。シリカ
ゲルプレート上の薄層クロマトグラフィー:溶出液:ブ
タ/ール/酢酸/水(50:11:25)、ジェステル
生成物:Rf=0.90 アミド化生成物:Rr=0.08 【c’N.N−ビス(3一Nーヒドロキシエチルカルバ
ミル−5ーアミ/ペンゾイル)ヒドラジド段階‘b’で
得られたニトロ誘導体(326夕;0.65モル)を、
ヒドラジンハイドレート(365cc)およびラネーニ
ッケルに添加する。
をうる。還流エタノール中で洗い洗浄する。つぎに乾燥
し、538夕(収率:83%)の生成物をうる。シリカ
ゲルプレート上の薄層クロマトグラフィー:溶出液:ブ
タ/ール/酢酸/水(50:11:25)、ジェステル
生成物:Rf=0.90 アミド化生成物:Rr=0.08 【c’N.N−ビス(3一Nーヒドロキシエチルカルバ
ミル−5ーアミ/ペンゾイル)ヒドラジド段階‘b’で
得られたニトロ誘導体(326夕;0.65モル)を、
ヒドラジンハイドレート(365cc)およびラネーニ
ッケルに添加する。
2畑時間かくはんしたあと反応混合物はpH3の酸性と
し、炉過し、1規定水酸化ナトリウムを加えてpH5か
ら6とし沈殿させる。
し、炉過し、1規定水酸化ナトリウムを加えてpH5か
ら6とし沈殿させる。
生成物を炉取し、水洗し、300夕の乾燥物をうる。純
度はつぎのようである。※ シリカゲルプレート上の
薄層クロマトグラフィー:溶出液:ブタノール/酢酸/
水(50:11:25)ニトロ生成物:Rf=0.05
還元生成物:RFO.45 【d’N.N′ービス(2・4・6−トリヨード−3一
Nーヒドロキシエチルカルバミルー5ーアミノーペンゾ
イル)ヒドラジドN.N′ービス(3−N−ヒドロキシ
エチルーカルバミルー5ーアミ/ペンゾイル)ヒドラジ
ド生成物(300夕、0.67モル)を水(4.1リッ
トル)および塩酸(170cc)に含有する溶液に、水
(1.6リットル)に塩化カリウム(375夕)を含む
溶液に塩化ョー素(250cc)を含有する溶液を添加
する。
度はつぎのようである。※ シリカゲルプレート上の
薄層クロマトグラフィー:溶出液:ブタノール/酢酸/
水(50:11:25)ニトロ生成物:Rf=0.05
還元生成物:RFO.45 【d’N.N′ービス(2・4・6−トリヨード−3一
Nーヒドロキシエチルカルバミルー5ーアミノーペンゾ
イル)ヒドラジドN.N′ービス(3−N−ヒドロキシ
エチルーカルバミルー5ーアミ/ペンゾイル)ヒドラジ
ド生成物(300夕、0.67モル)を水(4.1リッ
トル)および塩酸(170cc)に含有する溶液に、水
(1.6リットル)に塩化カリウム(375夕)を含む
溶液に塩化ョー素(250cc)を含有する溶液を添加
する。
60度Cで1度かくはんしてから、材料を重亜硫酸で処
理し、吸引炉過し、水洗し、570夕の粗生成物をうる
。
理し、吸引炉過し、水洗し、570夕の粗生成物をうる
。
生成物は0.2規定水酸化ナトリウム(1100cc)
に溶解し、17規定水酸化ナトリウムで塩析し精製する
。結晶物を水に落籍し、それから塩酸酸性とし、水洗し
、150夕の乾燥の生成物をうる。純度はつぎのようで
ある。シリカゲルプレート上の薄届クロマトグラフィー
:溶出液:ベンゼン/メチルエチルケトン/ギ酸(60
:25:20)出発物質のR「:0.15 ヨード生成物のRr:0.25 ョー素滴定:97%純度。
に溶解し、17規定水酸化ナトリウムで塩析し精製する
。結晶物を水に落籍し、それから塩酸酸性とし、水洗し
、150夕の乾燥の生成物をうる。純度はつぎのようで
ある。シリカゲルプレート上の薄届クロマトグラフィー
:溶出液:ベンゼン/メチルエチルケトン/ギ酸(60
:25:20)出発物質のR「:0.15 ヨード生成物のRr:0.25 ョー素滴定:97%純度。
‘e)N・N′−ビス(2・4・6−トリヨードー3一
N−ヒドロキシエチルカルバミル−5−グルコニルアミ
ノ−ペンゾイル)ヒドラジドN.N′−ビス(2・4・
6−トリヨードー3−N−ヒドロキシヱチルカルバミル
ー5−アミノーベンゾイル)ヒドラジド(60夕、0.
05モル)をジメチルアセトアミド(200cc)に含
有する溶液にペンタァセチル化グルコン酸クロラィド(
210夕、0.5モル)を添加する。
N−ヒドロキシエチルカルバミル−5−グルコニルアミ
ノ−ペンゾイル)ヒドラジドN.N′−ビス(2・4・
6−トリヨードー3−N−ヒドロキシヱチルカルバミル
ー5−アミノーベンゾイル)ヒドラジド(60夕、0.
05モル)をジメチルアセトアミド(200cc)に含
有する溶液にペンタァセチル化グルコン酸クロラィド(
210夕、0.5モル)を添加する。
反応混合物は、20から25度Cで2蝿時間かくはんし
、水(1リットル)にあげる。吸引炉過し水洗する。ェ
ステル官能基は、湿材料を2規定水酸化ナトリウム(1
.2リットル)で2時間処理することでけん化する。溶
液はつぎに塩酸で柵6の酸性とし、森Aカーボンブラッ
クで3度処理する。前記方法により、溶液をフェノール
抽出する。つぎに蒸発乾こし、58夕の細生成物をうる
。シリカゲルプレート上の薄層クロマトグラフィー:溶
出液:ブタノール/酢酸/水(50:11:25)。
、水(1リットル)にあげる。吸引炉過し水洗する。ェ
ステル官能基は、湿材料を2規定水酸化ナトリウム(1
.2リットル)で2時間処理することでけん化する。溶
液はつぎに塩酸で柵6の酸性とし、森Aカーボンブラッ
クで3度処理する。前記方法により、溶液をフェノール
抽出する。つぎに蒸発乾こし、58夕の細生成物をうる
。シリカゲルプレート上の薄層クロマトグラフィー:溶
出液:ブタノール/酢酸/水(50:11:25)。
アミノ生成物:Rf=0.70
グルコン酸ェステル生成物:Rf:0.75けん化生成
物:Rr=0.1ん粗生成物は水−エタノールより分別
結晶し14夕の精製物をうる。
物:Rr=0.1ん粗生成物は水−エタノールより分別
結晶し14夕の精製物をうる。
純度はつぎのようである。ョー秦滴定:97%純度シリ
カゲルプレート上の薄層クロマトグラフィー:溶出液:
ブタノール/酢酸/水(50:11:25):Rr=0
.1ふ例5 1・2−N・Nービス(2・4・6−トリヨード−3一
Nーヒドロキシエチルカルバミル−5−Nーグルコニル
アミノーベンゾイル)ジアミノーェタンの製造(a)2
・4・6−トリヨード−3−Nーアセトキシェチルカル
バミルー5−アミノ−安息香酸2・4・6ートリヨード
ー3一Nーヒドロキシェチルカルバミルー5−アミノ安
息香酸(133夕、0.22モル)をピリジン(500
cc)に溶解する。
カゲルプレート上の薄層クロマトグラフィー:溶出液:
ブタノール/酢酸/水(50:11:25):Rr=0
.1ふ例5 1・2−N・Nービス(2・4・6−トリヨード−3一
Nーヒドロキシエチルカルバミル−5−Nーグルコニル
アミノーベンゾイル)ジアミノーェタンの製造(a)2
・4・6−トリヨード−3−Nーアセトキシェチルカル
バミルー5−アミノ−安息香酸2・4・6ートリヨード
ー3一Nーヒドロキシェチルカルバミルー5−アミノ安
息香酸(133夕、0.22モル)をピリジン(500
cc)に溶解する。
酢酸(13.8cc、0.23モル)およびN・N−ジ
シクロヘキシルカルボジイミド(50夕、0.243モ
ル)を添加し、混合物は室温で16時間かくはんする。
沈殿を吸引炉過し、炉液に、酢酸(6.9cc、0.1
15モル)およびN・N−ジシクロヘキシルカルボジイ
ミド(25夕、0.12モル)を添加する。室温で2岬
時間かきまぜてから、沈殿を吸引炉遇し、炉液を蒸発乾
こする。濃縮物を水(500cc)にとり、室温で2少
時間かくはんし、それから沈殿を吸引炉過する。水洗し
、乾燥する。103夕(73%収率)で2・4・6ート
リヨードー3一Nーアセトキシエチルカルバミルー5−
アミノー安息香酸をうる。
シクロヘキシルカルボジイミド(50夕、0.243モ
ル)を添加し、混合物は室温で16時間かくはんする。
沈殿を吸引炉過し、炉液に、酢酸(6.9cc、0.1
15モル)およびN・N−ジシクロヘキシルカルボジイ
ミド(25夕、0.12モル)を添加する。室温で2岬
時間かきまぜてから、沈殿を吸引炉遇し、炉液を蒸発乾
こする。濃縮物を水(500cc)にとり、室温で2少
時間かくはんし、それから沈殿を吸引炉過する。水洗し
、乾燥する。103夕(73%収率)で2・4・6ート
リヨードー3一Nーアセトキシエチルカルバミルー5−
アミノー安息香酸をうる。
生成物の純度はつぎのようである。{11 シリカゲル
プレート上の薄層クロマトグラフィー:溶出液:ベンゼ
ン/メチルエチルケトン/ギ酸(60:25:20)R
f:出発材料=0.55 R「:アセチル化合物=0.65 ‘21 テトラヒドロキシアンモニウム(0.1規定)
で滴定:94%ョー秦滴定値=94% 【b} 2・4・6−トリヨード−3−Nーアセトキシ
ェチルカルバミルー5ーアミノ−安息香酸クロライド2
・4・6ートリヨードー3一Nーアセトキシェチルカル
バミルー5ーアミ/安息香酸(103夕、0.160モ
ル)をチオニルクロライド(250cc)に熔解する。
プレート上の薄層クロマトグラフィー:溶出液:ベンゼ
ン/メチルエチルケトン/ギ酸(60:25:20)R
f:出発材料=0.55 R「:アセチル化合物=0.65 ‘21 テトラヒドロキシアンモニウム(0.1規定)
で滴定:94%ョー秦滴定値=94% 【b} 2・4・6−トリヨード−3−Nーアセトキシ
ェチルカルバミルー5ーアミノ−安息香酸クロライド2
・4・6ートリヨードー3一Nーアセトキシェチルカル
バミルー5ーアミ/安息香酸(103夕、0.160モ
ル)をチオニルクロライド(250cc)に熔解する。
溶液は60度Cで2時間加熱し、それから蒸発乾こする
。濃縮液はベンゼン(200cc)にとり、蒸発乾こし
106夕(収率100%)の酸クロラィドをうる。さら
に糟製することなしに使用する。シリカゲルプレート上
でクロマトグラフする。
。濃縮液はベンゼン(200cc)にとり、蒸発乾こし
106夕(収率100%)の酸クロラィドをうる。さら
に糟製することなしに使用する。シリカゲルプレート上
でクロマトグラフする。
溶出液:ベンゼンノメチルェチルケトン/ギ酸(60:
25:20)。Rf:出発酸=0.65 Rf:酸クロラィド=0.9 Rr:エタノールと縮合後=0.35 Rf:エタノールアミンと縮合後けん化=0.25 {c’1・2一N・N′ービス(2・4・6ートリヨー
ドー3−Nーアセトキシエチルカルバミルー5ーアミノ
ベンゾイル)ージアミノーエタン2・4・6−トリヨー
ドー3−Nーアセトキシェチルカルバミル−5ーアミノ
安息香酸クロライド(106夕、0.160モル)をジ
メチルアセトアミド(200cc)の溶解し、エチレン
ジアミン(10.6cc、0.160モル)を滴加する
。
25:20)。Rf:出発酸=0.65 Rf:酸クロラィド=0.9 Rr:エタノールと縮合後=0.35 Rf:エタノールアミンと縮合後けん化=0.25 {c’1・2一N・N′ービス(2・4・6ートリヨー
ドー3−Nーアセトキシエチルカルバミルー5ーアミノ
ベンゾイル)ージアミノーエタン2・4・6−トリヨー
ドー3−Nーアセトキシェチルカルバミル−5ーアミノ
安息香酸クロライド(106夕、0.160モル)をジ
メチルアセトアミド(200cc)の溶解し、エチレン
ジアミン(10.6cc、0.160モル)を滴加する
。
温度は15から20度Cまでとする。20から25度C
で4時間かくはんし、エチレンジアミン(5.3cc、
0.080モル)を添加する。
で4時間かくはんし、エチレンジアミン(5.3cc、
0.080モル)を添加する。
溶液はつぎに室温で1母音間かくはんし、それから1リ
ットルの氷水にあげる。生ずる沈殿は吸引炉遇し、水洗
し、乾燥する。37夕(収率29%)の物質をうる。
ットルの氷水にあげる。生ずる沈殿は吸引炉遇し、水洗
し、乾燥する。37夕(収率29%)の物質をうる。
純度は薄層クロマトグラフィーで調べる。溶出剤は、ベ
ンゼン/メチルエチルケトン/ギ酸(60:25:20
):Rf:酸クロラィド=0.9 Rr:縮合生成物:0.4 【d)1・2一N・Nービス(2・4・6ートリヨード
ー3一N−ヒドロキシエチルカル/ゞミル−5−グルコ
ニルアミノ−ペンゾイル)ージアミ/−工夕ンA 縮合 上記生成物(37夕、0.028モル)をジメチルアセ
トアミド(80cc)に溶解する。
ンゼン/メチルエチルケトン/ギ酸(60:25:20
):Rf:酸クロラィド=0.9 Rr:縮合生成物:0.4 【d)1・2一N・Nービス(2・4・6ートリヨード
ー3一N−ヒドロキシエチルカル/ゞミル−5−グルコ
ニルアミノ−ペンゾイル)ージアミ/−工夕ンA 縮合 上記生成物(37夕、0.028モル)をジメチルアセ
トアミド(80cc)に溶解する。
ペンタアセチルグリコン酸クロラィド(47.5夕、0
.112モル)を少量宛添加する。室温で3時間かくは
んしてから溶液は氷水(500cc)にあげる。生ずる
ガム状物は結晶化する。沈殿は吸引炉過する。水洗し、
そのままけん化する。B けん化 縮合生成物は2規定水酸化ナトリウム (150cc)に溶解する。
.112モル)を少量宛添加する。室温で3時間かくは
んしてから溶液は氷水(500cc)にあげる。生ずる
ガム状物は結晶化する。沈殿は吸引炉過する。水洗し、
そのままけん化する。B けん化 縮合生成物は2規定水酸化ナトリウム (150cc)に溶解する。
室温で24時間かきまぜてから、塩酸で溶液を中性とす
る。50夕のフェノールで3度抽出する。
る。50夕のフェノールで3度抽出する。
有機相は50ccの水で3度洗う。ジェチルェーテル(
600cc)をフェノール相に加え、つぎに150cc
宛の水で3度抽出する。水溶液は150cc宛のジヱチ
ルェーテルで3度洗い、つぎにチャコール$Aで2独特
間室温で処理する。生成物は炉過し蒸発乾こする。15
夕(収率30%)の1・2−N.N′−ビス(2・4・
6ートリヨードー3一N−ヒドロキシエチルカルバミル
ー5ーグルコニルアミノーベンゾイル)ジアミノヱタン
をうる。
600cc)をフェノール相に加え、つぎに150cc
宛の水で3度抽出する。水溶液は150cc宛のジヱチ
ルェーテルで3度洗い、つぎにチャコール$Aで2独特
間室温で処理する。生成物は炉過し蒸発乾こする。15
夕(収率30%)の1・2−N.N′−ビス(2・4・
6ートリヨードー3一N−ヒドロキシエチルカルバミル
ー5ーグルコニルアミノーベンゾイル)ジアミノヱタン
をうる。
シリカゲルプレート薄層クロマトグラフィーで純度をみ
る。溶出液:ベンゼンノメチルェチルケトンノギ酸(6
0:25:20)Rf:出発材料=0.4 Rf:縮合生成物:0.2 Rf:けん化生成物=0.0 ブタノールノ酢酸/水(50:11:25)Rf:縮合
生成物=0.85Rr:けん化生成物=0.15 イソプタノール/イソプロパノール/アンモニヤ(50
:20:30) Rf:縮合生成物=0.85 Rf:けん化生成物=0.05 例6 1.2−N一(2・4・6−トリョード−3一N−ヒド
ロキシエチルカルバミル−5−グルコニルアミノ−ペン
ゾイル)一N′一(2.4.6ートリヨードー3一Nー
メチルカルバミルー5−グルコニルアミノーベンゾイル
)ージアミノーエタン{a’3一(2ーアミノーエチル
カルバミル)一5−ニトロ−安息香酸C〇〇日 。
る。溶出液:ベンゼンノメチルェチルケトンノギ酸(6
0:25:20)Rf:出発材料=0.4 Rf:縮合生成物:0.2 Rf:けん化生成物=0.0 ブタノールノ酢酸/水(50:11:25)Rf:縮合
生成物=0.85Rr:けん化生成物=0.15 イソプタノール/イソプロパノール/アンモニヤ(50
:20:30) Rf:縮合生成物=0.85 Rf:けん化生成物=0.05 例6 1.2−N一(2・4・6−トリョード−3一N−ヒド
ロキシエチルカルバミル−5−グルコニルアミノ−ペン
ゾイル)一N′一(2.4.6ートリヨードー3一Nー
メチルカルバミルー5−グルコニルアミノーベンゾイル
)ージアミノーエタン{a’3一(2ーアミノーエチル
カルバミル)一5−ニトロ−安息香酸C〇〇日 。
2N/日皿岬
エチレンジアミン(480夕、8モル)を水(400c
c)に含有する溶液にニトロイソフタール酸のモノメチ
ルェステル450夕(2モル)を少量宛添加する。
c)に含有する溶液にニトロイソフタール酸のモノメチ
ルェステル450夕(2モル)を少量宛添加する。
室温で4糊時間かくはんしてから沈殿を吸引炉取し、水
洗し、乾燥し、320夕(収率63%)の3一(2−ア
ミノ−エチルカルバミル)−5−ニトロ−安息香酸をう
る。生成物の純度はつぎのようである。1 0.1規定
水酸化ナトリウムで通定=10%過塩素酸(酢酸中)で
滴定=103%2 薄層クロマトグラフィー、溶出液:
ペンゼン/メチルエチルケトン/ギ酸(60:25:2
0);Rr:出発材料=0.8 Rf:縮合生成物=0.15 ‘b} 3一(2−アミノーエチルカルバミル)−5ー
アミノー安息香酸3−(2ーアミノーエチルカルバミル
)一5ーニトロー安息香酸(200夕、0.79モル)
を水(1000cc)および濃塩酸(75cc)の混合
物に溶解する。
洗し、乾燥し、320夕(収率63%)の3一(2−ア
ミノ−エチルカルバミル)−5−ニトロ−安息香酸をう
る。生成物の純度はつぎのようである。1 0.1規定
水酸化ナトリウムで通定=10%過塩素酸(酢酸中)で
滴定=103%2 薄層クロマトグラフィー、溶出液:
ペンゼン/メチルエチルケトン/ギ酸(60:25:2
0);Rr:出発材料=0.8 Rf:縮合生成物=0.15 ‘b} 3一(2−アミノーエチルカルバミル)−5ー
アミノー安息香酸3−(2ーアミノーエチルカルバミル
)一5ーニトロー安息香酸(200夕、0.79モル)
を水(1000cc)および濃塩酸(75cc)の混合
物に溶解する。
パラジウム−炭末(20夕)をそれに添加し、オートク
レープ中、3一4k9の水素圧下に2時間水素添加する
。生成物を炉過し、炉液を減圧で蒸発乾こする。固型物
はエタノール(500cc)にとる。生ずる沈殿は吸引
炉過し、エタノールで洗い、乾燥する。130夕(収率
74%)の3一(2−アミノ−エチルカルバミル)−5
ーアミ/安息香酸をうる。
レープ中、3一4k9の水素圧下に2時間水素添加する
。生成物を炉過し、炉液を減圧で蒸発乾こする。固型物
はエタノール(500cc)にとる。生ずる沈殿は吸引
炉過し、エタノールで洗い、乾燥する。130夕(収率
74%)の3一(2−アミノ−エチルカルバミル)−5
ーアミ/安息香酸をうる。
純度はつぎのようである。1 0.1規定ナトリウムメ
トキサィドで滴定=96%酢酸中で過塩素酸で滴定=9
8%2 薄層クロマトグラフィー、溶液:酢酸エチル/
イソプロパノール/アンモニヤ(35:35:40)R
f:出発物質=0.55 Rr:還元生成物=0.3 【c’2・4・6ートリヨード−3一(2−アミノ−エ
チルカルバミル)一5−アミノ−安息香酸3一(2ーア
ミノーエチルカルバミル)−5−アミノー安息香酸(9
8夕、0.38モル)を水(3リットル)および濃塩酸
(総cc)の混合物に含有する溶液に、無水塩化ョ−素
(220夕)を水(500cc)に含有する溶液および
塩化カリウム(102のを添加する。
トキサィドで滴定=96%酢酸中で過塩素酸で滴定=9
8%2 薄層クロマトグラフィー、溶液:酢酸エチル/
イソプロパノール/アンモニヤ(35:35:40)R
f:出発物質=0.55 Rr:還元生成物=0.3 【c’2・4・6ートリヨード−3一(2−アミノ−エ
チルカルバミル)一5−アミノ−安息香酸3一(2ーア
ミノーエチルカルバミル)−5−アミノー安息香酸(9
8夕、0.38モル)を水(3リットル)および濃塩酸
(総cc)の混合物に含有する溶液に、無水塩化ョ−素
(220夕)を水(500cc)に含有する溶液および
塩化カリウム(102のを添加する。
生ずる混合物を50度Cで2岬時間かくはんし、つぎに
室温で24時間かくはんする。重亜硫酸塩で処理し、吸
引炉過し、水洗し、生成物を1規定水酸化ナトリウムに
溶解し、2酸化ィオウで酸を沈殿させる。沈殿を吸引炉
過し水洗し乾燥し、90夕(収率40%)の2・4・6
ートリヨードー3一(2ーアミノーェチルカルバミル)
一5−アミノー安息香酸をうる。純度はつぎのようであ
る。1 ナトリウムメトキサィド(0.1規定)で滴定
=100%ョー素摘定=98% 2 薄層クロマトグラフィー、溶出液: イソブタノール/イソプロパノールノアンモニヤ(50
:20:30) Rr:出発物=0.25 Rf:ョー素化合物=0.35 ブタ/ール/酢酸/水(50:11:25)Rf:出発
物=0.3Rr:ョー素化合物=0.35 【d} 2・4・6−トリヨードー3−アミノー5一〔
2一(2・4‐6−トリgード−3−Nーメチルカルバ
ミ−5−アミノ−ペンゾイル)アミノーェチル〕カルバ
ミル安息香酸2・4・6−トリヨード−3−(2ーアミ
/ーェチルカルバミル)−5ーアミ/安息香酸(85夕
、0.142モル)をジメチルアセトアミド(200c
c)に含有する懸濁液にトリェチルアミン(36夕、0
.353モル)を存在させ、2・4・6ートリヨードー
3一Nーメチルカルバミル−5−アミノー安息香酸クロ
ラィド(88夕、0.148モル)を添加する。
室温で24時間かくはんする。重亜硫酸塩で処理し、吸
引炉過し、水洗し、生成物を1規定水酸化ナトリウムに
溶解し、2酸化ィオウで酸を沈殿させる。沈殿を吸引炉
過し水洗し乾燥し、90夕(収率40%)の2・4・6
ートリヨードー3一(2ーアミノーェチルカルバミル)
一5−アミノー安息香酸をうる。純度はつぎのようであ
る。1 ナトリウムメトキサィド(0.1規定)で滴定
=100%ョー素摘定=98% 2 薄層クロマトグラフィー、溶出液: イソブタノール/イソプロパノールノアンモニヤ(50
:20:30) Rr:出発物=0.25 Rf:ョー素化合物=0.35 ブタ/ール/酢酸/水(50:11:25)Rf:出発
物=0.3Rr:ョー素化合物=0.35 【d} 2・4・6−トリヨードー3−アミノー5一〔
2一(2・4‐6−トリgード−3−Nーメチルカルバ
ミ−5−アミノ−ペンゾイル)アミノーェチル〕カルバ
ミル安息香酸2・4・6−トリヨード−3−(2ーアミ
/ーェチルカルバミル)−5ーアミ/安息香酸(85夕
、0.142モル)をジメチルアセトアミド(200c
c)に含有する懸濁液にトリェチルアミン(36夕、0
.353モル)を存在させ、2・4・6ートリヨードー
3一Nーメチルカルバミル−5−アミノー安息香酸クロ
ラィド(88夕、0.148モル)を添加する。
反応混合物は50度Cに1母時間加熱する溶液は水(1
00cc)にあげ、少量の不落物を炉去したあとで、濃
塩酸でpHIの酸性とする。沈殿は吸引炉過し、水洗し
、乾燥する。140夕の生成物を得る。
00cc)にあげ、少量の不落物を炉去したあとで、濃
塩酸でpHIの酸性とする。沈殿は吸引炉過し、水洗し
、乾燥する。140夕の生成物を得る。
これを1規定水酸化ナトリウム(120cc)に溶解す
る。室温で5日かくはんする。沈殿は吸引炉過し水洗す
る。ナトリウム塩を90度Cで水(120cc)に溶解
する。つぎに塩酸でpHIの酸性とする。生成物は吸引
炉過し、水洗し、乾燥し、68夕(収率39%)の2・
4・6−トリヨードー3−3アミノー5一〔2−(2・
4・6−トリョード−3一N−メチルカルバミルー5−
アミ/−ペンゾイル)ーアミノーェチル〕カルバミル−
安息香酸をうる。純度はつぎのようである。1 0.1
規定水酸化ナトリウム滴定=100%2 薄層クロマト
グラフィー、溶出液:ベンゼンノメチルェチルケトン/
ギ酸(60:25:20)Rf:出発アミン=0.05 Rf:縮合生成物=0.45 (e} 2・4・6−トリヨード−3ーアミノー5一〔
2−(2・4・6−トリョード−3一Nーメチルカルバ
ミルー5ーアミノーベンゾイル)ーアミノーェチル〕カ
ルバミル−安息香酸クロライド2・4・6−トリヨード
ー3ーアミノ−5−〔2一(2・4・6−トリョード−
3一N−メチルカルバミル−5ーアミ/ーベンゾイル)
一アミノーェチル〕カルバミルー安息香酸(11.6夕
、0.1モル)を塩化チオニル(50cc)に含有する
懸濁液を1母時間加熱する。
る。室温で5日かくはんする。沈殿は吸引炉過し水洗す
る。ナトリウム塩を90度Cで水(120cc)に溶解
する。つぎに塩酸でpHIの酸性とする。生成物は吸引
炉過し、水洗し、乾燥し、68夕(収率39%)の2・
4・6−トリヨードー3−3アミノー5一〔2−(2・
4・6−トリョード−3一N−メチルカルバミルー5−
アミ/−ペンゾイル)ーアミノーェチル〕カルバミル−
安息香酸をうる。純度はつぎのようである。1 0.1
規定水酸化ナトリウム滴定=100%2 薄層クロマト
グラフィー、溶出液:ベンゼンノメチルェチルケトン/
ギ酸(60:25:20)Rf:出発アミン=0.05 Rf:縮合生成物=0.45 (e} 2・4・6−トリヨード−3ーアミノー5一〔
2−(2・4・6−トリョード−3一Nーメチルカルバ
ミルー5ーアミノーベンゾイル)ーアミノーェチル〕カ
ルバミル−安息香酸クロライド2・4・6−トリヨード
ー3ーアミノ−5−〔2一(2・4・6−トリョード−
3一N−メチルカルバミル−5ーアミ/ーベンゾイル)
一アミノーェチル〕カルバミルー安息香酸(11.6夕
、0.1モル)を塩化チオニル(50cc)に含有する
懸濁液を1母時間加熱する。
反応混合物を冷却し、吸引炉取し、ィソロピルヱーテル
(100cc)および酢酸エチル(100cc)で洗い
乾燥し、10夕(収率84%)の2・4・6ートリョー
ドー3ーアミノ−5−〔2一(2・4・6ートリヨード
ー3一Nーメチルカル/ゞミルー5ーアミノーベンゾイ
ル)ーアミノエチル〕力ルバミル−安息香酸クロラィド
をうる。シリカゲル簿層クロマトグラフィーで純度をみ
る。溶出液は、ベンゼン/メチルエチルケトン/ギ酸(
60:25:20)とする。
(100cc)および酢酸エチル(100cc)で洗い
乾燥し、10夕(収率84%)の2・4・6ートリョー
ドー3ーアミノ−5−〔2一(2・4・6ートリヨード
ー3一Nーメチルカル/ゞミルー5ーアミノーベンゾイ
ル)ーアミノエチル〕力ルバミル−安息香酸クロラィド
をうる。シリカゲル簿層クロマトグラフィーで純度をみ
る。溶出液は、ベンゼン/メチルエチルケトン/ギ酸(
60:25:20)とする。
* Rf:出発酸=0.45
Rr:酸クロラィド=0.7
Rr:プロピルアミンと縮合こ0.65
Rr:エタノールアミンと縮合=0.30【f)1・2
−N−(2・4・6ートリョード−3−Nーヒドロキシ
エチルカルバミル−5ーアミ/ペンゾイル)−N′−(
2・4・6−トリヨードー3−Nーメチルカルバミル−
5‐アミノベンゾイル)ジアミノーエタン2・4・6ー
トリヨ−ド−3−アミノ−5一〔2一(2・4・6−ト
リョードー3−N−メチルカルバミル−5ーアミノベン
ゾイル)−アミノーェチル〕カルバミルー安息香酸クロ
ラィド(lo夕、0.0085モル)をジメチルアセト
アミド(20cc)に溶出する。
−N−(2・4・6ートリョード−3−Nーヒドロキシ
エチルカルバミル−5ーアミ/ペンゾイル)−N′−(
2・4・6−トリヨードー3−Nーメチルカルバミル−
5‐アミノベンゾイル)ジアミノーエタン2・4・6ー
トリヨ−ド−3−アミノ−5一〔2一(2・4・6−ト
リョードー3−N−メチルカルバミル−5ーアミノベン
ゾイル)−アミノーェチル〕カルバミルー安息香酸クロ
ラィド(lo夕、0.0085モル)をジメチルアセト
アミド(20cc)に溶出する。
氷水浴で15度Cに冷却してから、エタノールアミン(
1.2cc、0.0187モル)をそれにゆっくり添加
する。室温で4錨時間かきまぜてから、溶液を水(80
cc)にあげる。沈殿は吸引炉取し、水洗し、乾燥して
、9.5夕(収率93%)の1・2一N−(2・4・6
ートリヨードー3一N−ヒドロキシエチルカルバミルー
5−アミノ−ペンゾイル)−N−(2・4・6−トリヨ
ードー3−N−メチルカルバミルー5−アミノーベンゾ
イル)ージアミノーェタンをうる。純度はつぎのようで
ある。1 シリカゲルプレート上の薄層クロマトグラフ
ィー、溶出液:ベンゼンノメチルェチルケトン/ギ酸 (60:25:20) Rf:酸ク。
1.2cc、0.0187モル)をそれにゆっくり添加
する。室温で4錨時間かきまぜてから、溶液を水(80
cc)にあげる。沈殿は吸引炉取し、水洗し、乾燥して
、9.5夕(収率93%)の1・2一N−(2・4・6
ートリヨードー3一N−ヒドロキシエチルカルバミルー
5−アミノ−ペンゾイル)−N−(2・4・6−トリヨ
ードー3−N−メチルカルバミルー5−アミノーベンゾ
イル)ージアミノーェタンをうる。純度はつぎのようで
ある。1 シリカゲルプレート上の薄層クロマトグラフ
ィー、溶出液:ベンゼンノメチルェチルケトン/ギ酸 (60:25:20) Rf:酸ク。
ライド=0.65Rf:縮合生成物=0.3
2 ョー素滴定:96%
鷹)1・2−N一(2・4・6ートリヨード−3一N−
ヒドロキシヱチルカル/ゞミル−5ーグルコニルアミノ
ーベンゾイル)一N′一(2・4・6ードリヨードー3
一N−メチルカルバミル−5−グルコニルアミノーベン
ゾイル)ージアミノーエタンA 縮合 {f}で得られた生成物(9.6夕、0.0079モル
)をジメチルアセトアミド(20cc)に溶解する。
ヒドロキシヱチルカル/ゞミル−5ーグルコニルアミノ
ーベンゾイル)一N′一(2・4・6ードリヨードー3
一N−メチルカルバミル−5−グルコニルアミノーベン
ゾイル)ージアミノーエタンA 縮合 {f}で得られた生成物(9.6夕、0.0079モル
)をジメチルアセトアミド(20cc)に溶解する。
ペンターアセチルグルコン酸クロラィド(13.5夕、
0.0317モル)をそれに添加する。室温で4劉侍間
経過したら、さらに追加量(3.4夕、0.0079モ
ル)のペンターアセチルグルコン酸クロラィドを添加す
る。室温で4錨時間かくはんしてから、溶液を100c
cの水にあげる。生ずる非常に硬いガムが結晶化する。
吸引炉取し、水洗し、乾燥し、12.5夕(収率67%
)の生成物をうる。これは直接にけん化する。純度は薄
層クロマトグラフィーでみる。
0.0317モル)をそれに添加する。室温で4劉侍間
経過したら、さらに追加量(3.4夕、0.0079モ
ル)のペンターアセチルグルコン酸クロラィドを添加す
る。室温で4錨時間かくはんしてから、溶液を100c
cの水にあげる。生ずる非常に硬いガムが結晶化する。
吸引炉取し、水洗し、乾燥し、12.5夕(収率67%
)の生成物をうる。これは直接にけん化する。純度は薄
層クロマトグラフィーでみる。
総出液:ベンゼンノメチルェチルケトン/ギ酸(60:
25:20) Rf:出発原料=0.3 Rf:縮合生成物=0.35 B けん化 縮合生成物(12.5夕、0.0053モル)を2規定
水酸化ナトリウム(50cc)に溶解する。
25:20) Rf:出発原料=0.3 Rf:縮合生成物=0.35 B けん化 縮合生成物(12.5夕、0.0053モル)を2規定
水酸化ナトリウム(50cc)に溶解する。
24時間室温に放置してから、少量の不溶物を炉去する
。
。
溶液を塩酸で中和し、20夕のフェノールで3回抽出す
る。有機相を20ccの水で3回洗う。ジェチルェーテ
ル(250cc)をフェノール相に添加し、これを50
ccの水で3回抽出する。水溶液をジェチルェーテル1
00ccで3回洗う。室温で2処時間チャーコール$A
で処理する。蒸発乾固すると、5夕(収率54%)の1
・2−N一(2・4・6−トリヨードー3一Nーヒドロ
キシエチルカルバミルー* 5ーグルコニルアミノーベ
ンゾイル)−N−(2・4・6ートリヨードー3−Nー
メチルカルバミル−5ーグルコニルアミノーベンゾイル
)ジアミノーエタンをうる。シリカゲル薄層クロマトグ
ラフィーで純度をみる。溶出液:ベンゼン/メチルエチ
ルケトンノギ酸(60:25:20):Rf=0.0 ブタノール/酢酸/水(50:11:25):Rf:〇
.・イソフタノールノイソプロパノールノアンモニヤ(
50:20:30):Rr=0.0i式(1)の化合物
は、特に低いオスモラリティ(重量モル浸透圧濃度)値
および低い毒性を特徴としている。
る。有機相を20ccの水で3回洗う。ジェチルェーテ
ル(250cc)をフェノール相に添加し、これを50
ccの水で3回抽出する。水溶液をジェチルェーテル1
00ccで3回洗う。室温で2処時間チャーコール$A
で処理する。蒸発乾固すると、5夕(収率54%)の1
・2−N一(2・4・6−トリヨードー3一Nーヒドロ
キシエチルカルバミルー* 5ーグルコニルアミノーベ
ンゾイル)−N−(2・4・6ートリヨードー3−Nー
メチルカルバミル−5ーグルコニルアミノーベンゾイル
)ジアミノーエタンをうる。シリカゲル薄層クロマトグ
ラフィーで純度をみる。溶出液:ベンゼン/メチルエチ
ルケトンノギ酸(60:25:20):Rf=0.0 ブタノール/酢酸/水(50:11:25):Rf:〇
.・イソフタノールノイソプロパノールノアンモニヤ(
50:20:30):Rr=0.0i式(1)の化合物
は、特に低いオスモラリティ(重量モル浸透圧濃度)値
および低い毒性を特徴としている。
式(1)の化合物で得られる結果を次表に示す。
28%ョー素を含有する水溶液として用いる。
*耳,雌lbrtionの方法(Investigat
ive舷diology,1970,5,1,13‐3
1)失*HaleyおよびMbc Cornickの方
法(Brtisn Journal of Pharm
acology,1957,12,12一15)。低毒
性の点で、式(1)の化合物は、特に有用なX−線造影
剤となる。
ive舷diology,1970,5,1,13‐3
1)失*HaleyおよびMbc Cornickの方
法(Brtisn Journal of Pharm
acology,1957,12,12一15)。低毒
性の点で、式(1)の化合物は、特に有用なX−線造影
剤となる。
特に、骨ずし、および脈管撮影についてそうである。X
−線造影剤の有利な医薬しての形態は式(1)の化合物
の水溶液である。
−線造影剤の有利な医薬しての形態は式(1)の化合物
の水溶液である。
水溶液は溶液100ccについて式(1)の化合物を5
夕から10タ含有するのが有利である。
夕から10タ含有するのが有利である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、nは0から4までの整数で、R_1およびR_
2はそれぞれ独立して、式−CONHR_5(式中、R
_5は1から4炭素原子数のアルキル基または1から4
炭素原子数のヒドロキシアルキル基を表わす)を有する
基または式▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R_6お よびR_7はそれぞれに1から4炭素原子数のアルキル
基を表わす)を有する基を表わし、R_3およびR_4
はそれぞれ独立して水素原子または1から4炭素原子数
のアルキル基を表わす〕を有する化合物。 2 1・2−N・N′−ビス(2・4・6−トリヨード
−3−N−メチル−N−アセチルアミノ−5−N−グル
コニルアミノ−ベンゾイル)ジアミノ−エタンである特
許請求の範囲第1項記載の化合物。 3 一般式(I) ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、nは0から4までの整数で、R_1およびR_
2はそれぞれ相互に独立して、式−CONHR_5(式
中、R_5は1から4炭素原子数のアルキル基または1
から4炭素原子数のヒドロキシアルキル基を表わす)を
有する基または式▲数式、化学式、表等があります▼ (式 中、R_6およびR_7はそれぞれ1から4炭素原子数
のアルキル基を表わす)を有する基を表わし、R_3お
よびR_4はそれぞれ独立して水素原子または1から4
炭素原子数のアルキル基を表わす〕を有する化合物の製
造方法であつて、式ハロゲン−CO(CHOH)_5H
(式中ヒドロキシ基は保護されているとする)を有する
酸ハライドと、式▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、n、R_1、R_2、R_3およびR_4は前
記と同じ意味を有する)を有するジアミンとを反応させ
、つぎに生成する縮合生成物をけん化することからなる
上記式(I)の化合物の製造方法。 4 一般式(I) ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、nは0から4までの整数で、R_1およびR_
2はそれぞれ相互に独立して、式−CONHR_5(式
中、R_5は1から4炭素原子数のアルキル基または1
から4炭素原子数のヒドロキシアルキル基を表わす)を
有する基または式▲数式、化学式、表等があります▼ (式 中、R_6およびR_7はそれぞれ1から4炭素原子数
のアルキル基を表わす)を有する基を表わし、R_3お
よびR_4はそれぞれ独立して水素原子または1から4
炭素原子数のアルキル基を表わす〕を有する化合物の製
造方法であつて、式▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R′_1はR_1と同じ意味を有するかまたは
基−COOHを表わし、n、R_3およびR_4は前記
に示した意味を有する)を有するアミンと、式▲数式、
化学式、表等があります▼ (式中、R′_2はR_2と同じ基であるがヒドロキシ
基が保護されているものとする)を有する酸クロライド
とを反応させ、つぎに、R′_1が基−COOHの時に
は、基−CONHR_5にアミド化することにより式(
II)▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、n、R_1、R_2、R_3およびR_4は前
記と同じ意味を有する)を有するジアミンを製造し、つ
いで式ハロゲン−CO(CHOH)_5H(式中ヒドロ
キシ基は保護されているとする)を有する酸ハライドと
反応させ、生成する縮合生成物を次いでけん化すること
からなる上記式(I)の化合物の製造方法。 5 一般式(I) ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、nは0から4までの整数で、R_1およびR_
2それぞれ相互に独立して、式−CONHR_5(式中
、R_5は1から4炭素原子数のアルキル基または1か
ら4炭素原子数のヒドロキシアルキル基を表わす)を有
する基または式▲数式、化学式、表等があります▼ (式 中、R_6およびR_7はそれぞれ1から4炭素原子数
のアルキル基を表わす)を有する基を表わし、R_3お
よびR_4はそれぞれ独立して水素原子または1から4
炭素原子数のアルキル基を表わす〕を有する化合物の製
造方法であつて、式▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、n、R_3およびR_4は前記の意味を有する
)を有するジアミンを式▲数式、化学式、表等がありま
す▼ (式中R′_2はR_2と同じ基であるがヒドロキシ基
が保護されているものとする)を有する酸クロライドと
縮合させることによりR_1およびR_2が同一である
式(II)▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、n、R_1、R_2、R_3およびR_4は前
記の意味を有する)を有するジアミンを製造し、ついで
式ハロゲン−CO(CHOH)_5H(式中ヒドロキシ
基は保護されているとする)を有する酸ハライドと反応
させ、生成する縮合生成物をついでけん化することから
なる、上記式(I)の化合物の製造方法。 6 一般式(I) ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、nは0から4までの整数で、R_1よびR_2
はそれぞれ相互に独立して、式−CONHR_5(式中
、R_5は1から4炭素原子数のアルキル基または1か
ら4炭素原子数のヒドロキシアルキル基を表わす)を有
する基または式▲数式、化学式、表等があります▼ (式 中、R_6およびR_7はそれぞれ1から4炭素原子数
のアルキル基を表わす)を有する基を表わし、R_3お
よびR_4はそれぞれ独立して水素原子または1から4
炭素原子数のアルキル基を表わす〕を有する化合物の製
造方法であつて、(a) 式(V) ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、n、 R_3およびR_4は上記のとおりである)のジアミン
と、式▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、Rは1から4炭素原子数のアルキル基、特にメ
チル基とする)を有する酸クロライドとを反応させて、
式▲数式、化学式、表等があります▼ のジエステルとし、 (b) 式(VII)のジエステルと式NH_2R_5の
アミンとを反応させて、式▲数式、化学式、表等があり
ます▼ のジアミドとし、 (c) 式(VIII)のジアミドのニト基を還元して、式
▲数式、化学式、表等があります▼のジアミンとし、 (d) 式(IX)の化合物をヨウ素化して、式▲数式、
化学式、表等があります▼(式中、n、R_3およびR
_4は前記の意味を有する)を有するジアミンを生成さ
せ、つぎに式ハロゲン−CO(CHOH)_5H(式中
ヒドロキシ基は保護されているとする)を有する酸ハラ
イドと反応させ、生成する縮合生成物を次いでけん化す
ることからなる上記式(I)の化合物の製造方法。 7 一般式(I) ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、nは0から4までの整数で、R_1およびR_
2はそれぞれ独立して、式−CONHR_5(式中、R
_5は1から4炭素原子数のアルキル基または1から4
炭素原子数のヒドロキシアルキル基を表わす)を有する
基または式▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R_6お よびR_7はそれぞれに1から4炭素原子数のアルキル
基を表わす)を有する基を表わし、R_3およびR_4
はそれぞれ独立して水素原子または1から4炭素原子数
のアルキル基を表わす〕で示される化合物を含有するX
−線造影剤。 8 式(I)の化合物を水溶液形態で含有する特許請求
の範囲第7項記載のX−線造影剤。 9 式(I)の化合物を溶液100mlについて5〜1
00gの濃度で含有する特許請求の範囲第8項記載のX
−線造影剤。
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