JPS6023199B2 - 分散メツキ方法 - Google Patents
分散メツキ方法Info
- Publication number
- JPS6023199B2 JPS6023199B2 JP11899982A JP11899982A JPS6023199B2 JP S6023199 B2 JPS6023199 B2 JP S6023199B2 JP 11899982 A JP11899982 A JP 11899982A JP 11899982 A JP11899982 A JP 11899982A JP S6023199 B2 JPS6023199 B2 JP S6023199B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sic
- free
- dispersion plating
- plating
- amount
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＳＩＣ（カーボランダム）を共析物質とした分
散メッキ方法に関するものである。
散メッキ方法に関するものである。
従来、分散メッキ方法には、炭化物、酸化物あるし・は
窒化物等を共祈物質として使用し、Ｎｉ，Ｃｕ等をマト
リックスとするものがある。
窒化物等を共祈物質として使用し、Ｎｉ，Ｃｕ等をマト
リックスとするものがある。
共析物質としては特に工業的利用性において優れるＳＩ
Ｃが使用されている。ＳＩＣは優れた耐摩耗性を有し、
かかる性質の要求される部所への分散メッキに使用され
ている。ＳＩＣはまた価格も安価であり、入手も容易で
ある。しかし、共折物質として使用するＳＩＣの共折量
を一定に保持することがなかなか困難であった。
Ｃが使用されている。ＳＩＣは優れた耐摩耗性を有し、
かかる性質の要求される部所への分散メッキに使用され
ている。ＳＩＣはまた価格も安価であり、入手も容易で
ある。しかし、共折物質として使用するＳＩＣの共折量
を一定に保持することがなかなか困難であった。
すなわち、同一メッキ裕組成および同一メッキ条件等で
この分散メッキを行っても、ＳＩＣの品質のわずかの相
違によって、得られるメッキ被膜中のＳＩＣの共析量に
は差が生じ一定ではない。このため、共析量を一定とす
るために上記作業条件をたぼたぽ修整する必要があり、
操作が繁雑となっていた。特に、できあいのＳＩＣを使
用する際、メーカーによって製造方法が異なり、品質が
相違することから、作業条件を一定にすることができず
、この面で改善が望まれていた。本発明は上記事情に鑑
みてなされたもので、ＳＩＣ粉末中に一定量の遊離の炭
素を含ませ、メッキ被膜中のＳＩＣ共析量を一定にする
ようにした分散メッキ方法を提供するものである。
この分散メッキを行っても、ＳＩＣの品質のわずかの相
違によって、得られるメッキ被膜中のＳＩＣの共析量に
は差が生じ一定ではない。このため、共析量を一定とす
るために上記作業条件をたぼたぽ修整する必要があり、
操作が繁雑となっていた。特に、できあいのＳＩＣを使
用する際、メーカーによって製造方法が異なり、品質が
相違することから、作業条件を一定にすることができず
、この面で改善が望まれていた。本発明は上記事情に鑑
みてなされたもので、ＳＩＣ粉末中に一定量の遊離の炭
素を含ませ、メッキ被膜中のＳＩＣ共析量を一定にする
ようにした分散メッキ方法を提供するものである。
本発明の分散メッキ方法を以下に詳細に説明する。
メッキ裕中に懸濁している共析物質が、金属マトリック
ス中に共析する機構については、種々の機構が考えられ
る。実際には種々の要因が重なり合っているのであるが
、本発明では、金属イオンを吸着した共析物質が、電気
泳動により陰極へ引きつけられるという機構を考慮し、
これ力Ｓｉｃを共析物質とする分散メッキ方法において
特に重要なことに看日した。上記機構においては、金属
イオンを吸着したＳＩＣの表面電荷の集積を良好にする
ことが、メッキ被膜の特性を向上させることにつながる
。そこでＳＩＣの表面電荷の集積を良好にさせるための
手段を検討した結果、所定量の遊離のＣ（炭素）をＳＩ
Ｃ粉末中に含ませることが有効であることに想到した。
すなわち、本発明では０．００５〜５重量％の遊離のＣ
を含むＳＩＣ粉末を共折物質として使用する。
ス中に共析する機構については、種々の機構が考えられ
る。実際には種々の要因が重なり合っているのであるが
、本発明では、金属イオンを吸着した共析物質が、電気
泳動により陰極へ引きつけられるという機構を考慮し、
これ力Ｓｉｃを共析物質とする分散メッキ方法において
特に重要なことに看日した。上記機構においては、金属
イオンを吸着したＳＩＣの表面電荷の集積を良好にする
ことが、メッキ被膜の特性を向上させることにつながる
。そこでＳＩＣの表面電荷の集積を良好にさせるための
手段を検討した結果、所定量の遊離のＣ（炭素）をＳＩ
Ｃ粉末中に含ませることが有効であることに想到した。
すなわち、本発明では０．００５〜５重量％の遊離のＣ
を含むＳＩＣ粉末を共折物質として使用する。
遊離のＣは極めて電荷を帯びやすく、ＳＩＣの表面電荷
の集積を良好とする。しかし、遊離のＣがある一定量を
超えると、Ｃの共折量が増大し、マトリックスが劣化す
る。そこで、上記範囲内に遊離のＣの量を管理する必要
がある。次に本発明の実施例を以下に挙げる。実施例
１ ＳＩＣは、桂石とコークスとを主原料とし、その他の薬
品等を添加配合し、これらを電気炉の中に充填すること
によって１６００ｏｏ〜２２００ｑｏにおいて結晶とし
て得られる。
の集積を良好とする。しかし、遊離のＣがある一定量を
超えると、Ｃの共折量が増大し、マトリックスが劣化す
る。そこで、上記範囲内に遊離のＣの量を管理する必要
がある。次に本発明の実施例を以下に挙げる。実施例
１ ＳＩＣは、桂石とコークスとを主原料とし、その他の薬
品等を添加配合し、これらを電気炉の中に充填すること
によって１６００ｏｏ〜２２００ｑｏにおいて結晶とし
て得られる。
この原材料であるコクスの主成分Ｃの未反応物が遊離の
Ｃとして残るので、これを製造工程におて０．００５〜
５重量％の範囲に含有されるように管理する。このよう
にして得たＳＩＣを分散メッキにおいて共析物質として
使用する。実施例 ２ 焼成タイプのＳＩＣすなわち、製造最終段階で、ＳＩＣ
中に遊離のＣを全く含有しないＳＩＣ粉末中にＣの粒子
を０．００５〜５重量％の割合で混合熟成する。
Ｃとして残るので、これを製造工程におて０．００５〜
５重量％の範囲に含有されるように管理する。このよう
にして得たＳＩＣを分散メッキにおいて共析物質として
使用する。実施例 ２ 焼成タイプのＳＩＣすなわち、製造最終段階で、ＳＩＣ
中に遊離のＣを全く含有しないＳＩＣ粉末中にＣの粒子
を０．００５〜５重量％の割合で混合熟成する。
適当時間混合熟成した後、遊離のＣを含有するＳＩＣを
共折物質としてメッキ液中に懸濁させ、分散メッキを行
なう。実施例 ３焼成タイプのＳＩＣ粉末をメッキ液中
に懸濁させる際、ＳＩＣ粉末の量の０．００５〜５重量
％に相当するＣの粉末をメッキ液中に懸濁させ熟成させ
る。
共折物質としてメッキ液中に懸濁させ、分散メッキを行
なう。実施例 ３焼成タイプのＳＩＣ粉末をメッキ液中
に懸濁させる際、ＳＩＣ粉末の量の０．００５〜５重量
％に相当するＣの粉末をメッキ液中に懸濁させ熟成させ
る。
適当時間熟成後、ＳＩＣおよびＣの懸濁したメッキ液を
使用し分散メッキを行なう。上記各実施例によって得れ
たメッキ被膜はいずれも、ＳＩＣの共折量が一定で良好
な特性を示した。
使用し分散メッキを行なう。上記各実施例によって得れ
たメッキ被膜はいずれも、ＳＩＣの共折量が一定で良好
な特性を示した。
特に、実施例２，３において、ＳＩＣのメーカーの相違
によってメッキ被膜の品質が異なることはなかった。上
言己にように本発明にかかる分散メッキ方法は、ＳＩＣ
粉末に０．００５〜５重量％の遊離のＣを含めることと
し、ＳＩＣの品質の差にかかわらず、作業条件を変える
ことなく一定量の共折量を保つことができる。
によってメッキ被膜の品質が異なることはなかった。上
言己にように本発明にかかる分散メッキ方法は、ＳＩＣ
粉末に０．００５〜５重量％の遊離のＣを含めることと
し、ＳＩＣの品質の差にかかわらず、作業条件を変える
ことなく一定量の共折量を保つことができる。
また得られるメッキ被膜自体は極めて良好な特性を示し
、さらに、従来使用できなったようなＳＩＣも使用でき
るようになるなど多くの利点を有する。なお、ＳＩＣ粉
末中の遊離のＣを０．００５〜５重量％に保つことが好
ましいことを示す実施例Ａ〜Ｄを以下に示す。
、さらに、従来使用できなったようなＳＩＣも使用でき
るようになるなど多くの利点を有する。なお、ＳＩＣ粉
末中の遊離のＣを０．００５〜５重量％に保つことが好
ましいことを示す実施例Ａ〜Ｄを以下に示す。
通常のスルフアミン酸ニッケル格に、それぞれ以下の粉
末を共折物質として５０夕／その割合で懸濁させたメッ
キ液を使用した。
末を共折物質として５０夕／その割合で懸濁させたメッ
キ液を使用した。
実験例Ａ：粒子径３ムのＳＩＣ粉末（遊離のＣの含有量
は０．５重量％）実験例Ｂ：粒子径３山のＳＩＣ粉末（
遊離のＣの含有量は５．１重量％）実験例Ｃ：上記実験
例Ａと同一のＳＩＣを焼成し、ＳＩＣ粉末中の遊離のＣ
の含有量のみ燃焼除去した粒子径３仏のＳＩＣ粉末（遊
離のＣの含有量は０重量％）実験例Ｄ：粒子径１．５仏
のみの粉末、 上記〆ッキ液で分散メッキを施した結果は以下のとおり
であった。
は０．５重量％）実験例Ｂ：粒子径３山のＳＩＣ粉末（
遊離のＣの含有量は５．１重量％）実験例Ｃ：上記実験
例Ａと同一のＳＩＣを焼成し、ＳＩＣ粉末中の遊離のＣ
の含有量のみ燃焼除去した粒子径３仏のＳＩＣ粉末（遊
離のＣの含有量は０重量％）実験例Ｄ：粒子径１．５仏
のみの粉末、 上記〆ッキ液で分散メッキを施した結果は以下のとおり
であった。
実験例Ａ：Ｎｉ−ＳＩＣ分散メッキ被膜中のＳＩＣ共析
量は約６重量％であり、その外観、層等全て良好であっ
た。
量は約６重量％であり、その外観、層等全て良好であっ
た。
実験例Ｂ：Ｎｉ−ＳＩＣ分散メッキ被膜中のＳＩＣ共析
量は約６重量％であったが、ＳＩＣとともに遊離のＣが
多量に共析されてしまい、被膜形成が不良で、密着性も
劣っていた。
量は約６重量％であったが、ＳＩＣとともに遊離のＣが
多量に共析されてしまい、被膜形成が不良で、密着性も
劣っていた。
実験例Ｃ：Ｎｉ一ＳＩＣ分散メッキ被膜中のＳＩＣ共祈
量は約０．５重量％と少なく、メッキ状態は良好であっ
たが、Ｎｉ−ＳＩＣ分散メッキ被膜としてその機能を全
くはたごなかつた。
量は約０．５重量％と少なく、メッキ状態は良好であっ
たが、Ｎｉ−ＳＩＣ分散メッキ被膜としてその機能を全
くはたごなかつた。
実験例Ｄ：分散メッキ被膜中のＣ含有量は１５重量％で
あり、Ｃのみが共折しているために極めてもろく、機能
が不良であった。
あり、Ｃのみが共折しているために極めてもろく、機能
が不良であった。
Claims (1)
- １ ０．００５〜５重量％の遊離Ｃを含むＳｉＣ粉末を
共析物質として使用することを特徴とする分散メツキ方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11899982A JPS6023199B2 (ja) | 1982-07-08 | 1982-07-08 | 分散メツキ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11899982A JPS6023199B2 (ja) | 1982-07-08 | 1982-07-08 | 分散メツキ方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS599199A JPS599199A (ja) | 1984-01-18 |
| JPS6023199B2 true JPS6023199B2 (ja) | 1985-06-06 |
Family
ID=14750490
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11899982A Expired JPS6023199B2 (ja) | 1982-07-08 | 1982-07-08 | 分散メツキ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6023199B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4862013B2 (ja) * | 2008-06-05 | 2012-01-25 | 本田技研工業株式会社 | 複合メッキ処理方法 |
-
1982
- 1982-07-08 JP JP11899982A patent/JPS6023199B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS599199A (ja) | 1984-01-18 |
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